Файл: Вигдорович, В. Н. Совершенствование зонной перекристаллизации.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.10.2024

Просмотров: 65

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

разделения. Содержание примесей в сливе того и другого материала будет существенно различаться лишь после установления по длине контейнера определенного градиента концентрации примесей. Рас­ четы показывают,' что аппарат должен входить в рабочий режим тем быстрее (за меньшее число проходов), чем больше длина расплав­ ленной зоны (по отношению к длине разделителя) и меньше объем полости (по отношению к объему расплава в зоне). В данном случае эти соотношения составили 1:5 и 1:2 соответственно. Это позволило предположить, что установление рабочего режима будет проис­ ходить достаточно быстро.

Опыты показали, что пусковой период закончился на четвертом— шестом проходе, если ориентироваться на достижение определенного уровня концентрации примесей в сливаемых очищенном и загряз­ ненном материалах.

Эффект разделения и очистки в аппарате, согласно расчетам, должен определяться, помимо свойств очищаемого материала и при­ меси (коэффициент распределения, диффузионные характеристики и др.), длиной расплавленной зоны и разделителя. Чем больше длина колонны и меньше длина зоны, тем больше эффект разделения и очистки в аппарате. Увеличение отношения объема полости к объему расплава несколько снижает эффективность разделения и очистки

ваппарате.

Впроведенных опытах отношение длины разделителя к длине расплавленной зоны составляло 5:1; отношение объема полости к объ­ ему расплава составляло 1:2, т. е. аппарат не был достаточно эф­

фективным, но быстро входил в рабочий режим и сравнительно мало расходовал материала. Однако степень очистки по исследованным примесям оказалась значительной.

В табл. 14 представлены результаты, соответствующие работе аппарата в рабочем режиме.

Таблица 14

ЭФФЕКТИВНОСТЬ ОЧИСТКИ АЛЮМИНИЯ в АППАРАТЕ ЗОННОЙ КОЛОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ

 

Концентрации, % (по массе)

Примесь

 

с.

с 2

 

 

Медь

5,0- 1(Г3

4,4-КГ4

1,5-10“2

Железо

8,0- 1(Г3

«7,0 -10“ 4

1,2-10“ 2

Кремний

1,4- КГ2

< 1 , 0 - 10“3

1,1 ■10“ а

Магний

5,0- КГ4

< 5 , 0 - 10“5

1,3-10“4

Коэффициенты эффективности

очистки

обогаще­

разделе­

С0/Сг

ния

 

ния

С21С0

С2/ С1

 

11,3

3,0

33,9

» 1 1,4

1,5

»

16,5

> 1 4 ,0

2,9

> 4 0 ,6

> 1 0 ,0

0,26

> 2 ,6

Очистка (Co/Ci) от наиболее трудноудаляемых примесей про­ изошла в десять и более раз. Незначительное обогащение (CJC0) связано . с использованием односекционного варианта аппарата. Представляет интерес также оценить разделение (С2/Сх), что можно сделать, умножив коэффициент очистки (С0/Сх) на коэффициент обогащения (С2/С0).

152


Таблица IS

 

х а р а к т е р и с т и к а ' о с у щ е с т в л ё н н ы х о д н о с е к ц и о н н ы х

 

АППАРАТОВ ЗОННОЙ КОЛОННОЙ

ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Очищенный материал

Материал аппарата

Метод работы

Длина секции, мм

Диаметр секции, мм

Длина зоны

Число зон

Скорость перемещения зоны, см/ч

 

 

 

 

 

 

 

 

: 1

Нафта­

Кварц

Поло-

200—500

10— 15

50—70

1; 3

0,1 —

лин

или

стный

 

 

 

 

 

19,2

 

молиб­

 

 

 

 

 

 

 

 

деновое

 

 

 

 

 

 

 

 

стекло

 

 

 

 

 

 

 

Олово

Кварц

Поло-

1; 3

 

 

стный

425

20

70—80

1

4,98

»

»

Транс­

 

 

портный

 

 

 

 

 

 

 

 

(гори­

 

 

 

 

 

 

 

 

зонталь­

 

 

 

 

 

 

 

 

ный *9

 

 

 

 

1

 

Алюми­

Графит,

Элек­

580—590

(3,4

см2) *3

90

6,0

ний

кварц

троди-

450 *2

 

 

 

 

 

 

 

намиче-

 

 

 

 

 

 

 

 

ский

 

 

 

 

 

 

 

 

(магнит­

 

 

 

 

 

 

Сурьма

Графит

ный)

СЛ О О 141

(5,5

см2) *3

40

1

9— 18

С погру­

 

 

 

*

 

 

 

 

 

 

 

жаемой

 

 

 

 

 

 

 

 

мешал­

 

 

 

 

 

 

Висмут

 

кой '

500 *2

(5,5

см2) *3

40

1

9— 18

»

То же

** Угол наклона секции к горизонту 7°.

*2 Указана длина разделителя.

*3 Указана площадь поперечного сечения загрузки.

Литература, где описан аппарат

[115]

[П5]

[117]

[118]

[119—

122]

[123]

Во время рабочего режима имели место колебания массы слива очищенного (±7,0% ) и загрязненного (+6,0%) материалов, что связано с недостаточно точным регулированием процесса. Для при­ меси меди были получены численные значения во всех процессах; колебание концентрации составляло + 16% при ошибке спектраль­ ного анализа ± 14,0% в очищенном материале и ± 13,0% в загряз­ ненном материале при ошибке определения +5,0% . Содержание при­ месей кремния, магния и железа стало ниже чувствительности коли­ чественного спектрального анализа после девяти, семи и пяти про­ ходов соответственно. В загрязненном примесями материале для при­ месей железа, кремния и магния колебания концентрации составили + 7,0; + 6,0 и ± 13,0% при ошибке определения концентрации + 8,0; ± 7,0 и ± 9,0% соответственно. Таким образом, полученный материал обладает достаточной химической однородностью.

Особенным оказалось поведение примеси магния. В связи с вы­ сокой упругостью паров магния ведение процесса в вакууме при­ водит к дополнительной очистке алюминия от этой примеси в ре-

153


зультате возгонки. По-видимому, в опытах произошло заметное уменьшение содержания примеси магния в алюминии, помещенном в питатель, и, как результат, было обнаружено, что слив загрязнен­ ного примесями материала содержит примеси магния меньше, чем исходный материал.

Опробование аппарата в действии показало его работоспособ­ ность, и он был остановлен после пятнадцатого цикла в связи с необ­ ходимостью произвести автоматизацию его работы и регулирования. Данные спектрального анализа свидетельствуют о высокой эффектив­ ности производимой аппаратом очистки и о достаточной химической однородности получаемых материалов. Имеются возможности даль­ нейшего повышения эффективности очистки в аппарате путем удли­ нения разделителя, сокращения длины или объема расплавленной зоны.

Лабораторные исследования работы односекционных аппаратов колонной зонной перекристаллизации (в табл. 15 сведены харак­ теристики этих аппаратов) позволили накопить опыт их конструиро­ вания и эксплуатации. Следующим этапом в развитии колонной зонной перекристаллизации стало применение односекционных ап­ паратов для получения высокочистых цветных металлов. Для этой цели приемлемые технические и технологические решения были получены с помощью аппаратов, работающих по транспортному (принудительному) методу.

ГЛУБОКАЯ ОЧИСТКА ЦВЕТНЫХ МЕТАЛЛОВ (СУРЬМЫ И ВИСМУТА)

КОЛОННОЙ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЕЙ

Задачу получения высокочистых сурьмы и висмута решали в ряде работ [119— 12311. Благодаря осуществлению комплекса расчет­ ных, конструкторских, технологических и физико-химических раз­ работок В. Н. Вигдоровича совместно с В. В. Марычевым, А. Е. Вольпяном, А. П. Колесневым и В. И. Пономаренко стало возможным совершенствование технологии получения сурьмы и висмута высо­ кой чистоты.

Отправным положением при выборе метода колонной зонной перекристаллизации была необходимость более простого в конст­ руктивном отношении и удобного в технологическом отношении решения, разумеется, при обеспечении необходимой эффективности очистки. Таким методом явился транспортный (принудительный)

метод, сущность которого рассматривается далее более подробно. С целью уменьшения фактического объема расплава в зоне для

секции очищенного материала используется погружаемая в расплав мешалка, вытесняющая часть расплава и перемешивающая при вра­ щении оставшуюся часть расплава. Расплавленная зона с погру­

1 В и г д о р о в и ч В. Н., К о л е с н е в А. П., М а р ы ч е в В. В., В о л ь - п я н А. Е. Авт. свид. № 253775 (кл. \2g 17/08). — «Бюл. изобр. и тов. знаков»,

1969, № 31, с. 26.

154


женной мешалкой перемещается вдоль перекристаллизуемой за­ грузки; объем расплава в зоне восполняется по окончании каждого прохода за счет материала, поступающего в зону из питателя при подъеме мешалки.

Увеличение объема материала в зоне для секции загрязненного материала достигается при введении в расплав электромагнитного насоса, который дополняет к объему в зоне объем материала, заклю­ ченного в нем самом, и обеспечивает перемешивание расплава. Внутренняя полость электромагнитного насоса заполняется жид­ ким материалом либо из расплавленной зоны, сообщающейся с пи­ тателем, либо непосредственно из питателя. После завершения ра­

финирующего

прохода избыток расплава сливается в приемник.

На рис. 64

представлена схема процесса колонной зонной пере­

кристаллизации с применением погружаемой мешалки и электро­

магнитного

насоса. Схему процесса целесообразно рассмотреть

на примере

очистки исходного материала от примесей, имеющих

k <7 1. При

расплавлении начальных участков твердой загрузки

(рис. 64, а) в секции очищенного материала в зону погружается мешалка, вытесняющая порцию очищенного материала в приемник. Одновременно в электромагнитный насос из расплавленной зоны секции загрязненного материала и питателя производится подсос расплава. Далее следует рафинирующий цикл (рис. 64, а, б, в и г), который состоит в одновременном последовательном продвижении расплавленных зон с мешалкой и электромагнитным насосом. По окончании процесса перекристаллизации (рис. 64, д) мешалка из­ влекается из зоны, объем которой восстанавливается расплавом из питателя, электромагнитный насос выводится из расплавленной зоны и независимо перемещается к приемнику материала, где его содержимое сливается. После окончания каждого прохода процесс перекристаллизации повторяется (при очистке от примесей, имеющих k t> 1, наоборот, в приемник 1 будет поступать очищенный материал,

а в приемник

7 — материал, обогащенный примесями).

Возможны

 

также другие варианты аппаратов, работающих

по описанному

принципу (рис. 65). Односекционные аппараты

(рис. 65, б, в иг) могут быть использованы в тех случаях, когда ис­ ходный материал не представляет ценности либо содержит однотип­ ные примеси и ставится задача очистки от них. При создании одно­ секционных аппаратов важно предотвратить загрязнение питателя примесями из расплавленных зон секции очищенного материала по окончании рафинирующего прохода. Для этих целей предусмат­ ривается слив зон через специальное отверстие (шлюз) прежде, чем они придут в соприкосновение с расплавом в питателе. Электро­ магнитный насос может быть заменен вакуумным колоколом (рис.65,г и д), под который подсасывается расплав; колокол, вращаясь, осуществляет перемешивание расплава.

Для одновременной очистки материала от примесей обоих типов (k < 7 1 и k 7> 1) аппараты непрерывной зонной перекристаллиза­ ции могут быть выполнены в виде спаренных двухсекционных ^колонн с антипараллельным движением в них твердой загрузки, как это

155


показано на рис. 66. Схема аппарата представлена в плане (рис. 66,6) и поясняется двумя разрезами (рис. 66, а, в). Расплавленные зоны вместе с мешалками 6 и 9 и электромагнитными насосами 3, 12 про-

/ ^ / / / / / У У У У 7 7 7 У Т ~ -

1

г ~

/

У Г Г / ©

О О О

zT T Z t О

О О О

т/ У',

0

0

W / л

©

©

©

О

о ©

 

 

0 0

 

 

 

 

 

Направление движения ион

if

© @

© © ©

о ©

0

0

0

421©

 

 

ОтО О

ччччччччч42ц==-:^

 

 

 

©

 

 

 

 

 

О

© ©

 

©0

©гЦ©

 

 

 

 

1

 

 

 

Ж

Ч Ч Ч \Ч Ч \\\\\\\^ - - - - - - г т о л т х х у л ч ч х

 

©о©

©

 

0

i-z-i 0

©

 

 

©

©

©

 

©ш

Рис. 64.

Схема осуществления массопереносного

способа колонной зонной

перекристаллизации с применением

погружаемой

мешалки

и электромаг­

 

 

нитного

насоса:

 

 

а — создание

расплавленных зон; б — создание.разности объемов расплава

в зонах;

в — процесс перекристаллизации; г ■— выравнивание

объемов рас­

плавов зон по окончании рафинирующего процесса; д — кристаллизация пос­ ледней зоны;

1 — приемник

материала,

обогащенного примесями с

k

< 1; 2 — секция

загрязненного

материала;

3 — электромагнитный насос;

4 — питатель;

5 —

секция очищенного материала; 6 — мешалка; 7 — приемник

очищенного

ма­

 

 

териала

 

 

 

двигаются справа налево. Исходный материал из питателя 4 посту­ пает в разделители 2 и 5, а затем в разделители 8 и 11, между кото­ рыми необходимо создание перегородок. После многократной зонной перекристаллизации в приемнике 10 концентрируется очищенный материал, а в приемниках / и 7 — материалы, обогащенные при­