Файл: Вигдорович, В. Н. Совершенствование зонной перекристаллизации.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 19.10.2024
Просмотров: 65
Скачиваний: 0
разделения. Содержание примесей в сливе того и другого материала будет существенно различаться лишь после установления по длине контейнера определенного градиента концентрации примесей. Рас четы показывают,' что аппарат должен входить в рабочий режим тем быстрее (за меньшее число проходов), чем больше длина расплав ленной зоны (по отношению к длине разделителя) и меньше объем полости (по отношению к объему расплава в зоне). В данном случае эти соотношения составили 1:5 и 1:2 соответственно. Это позволило предположить, что установление рабочего режима будет проис ходить достаточно быстро.
Опыты показали, что пусковой период закончился на четвертом— шестом проходе, если ориентироваться на достижение определенного уровня концентрации примесей в сливаемых очищенном и загряз ненном материалах.
Эффект разделения и очистки в аппарате, согласно расчетам, должен определяться, помимо свойств очищаемого материала и при меси (коэффициент распределения, диффузионные характеристики и др.), длиной расплавленной зоны и разделителя. Чем больше длина колонны и меньше длина зоны, тем больше эффект разделения и очистки в аппарате. Увеличение отношения объема полости к объему расплава несколько снижает эффективность разделения и очистки
ваппарате.
Впроведенных опытах отношение длины разделителя к длине расплавленной зоны составляло 5:1; отношение объема полости к объ ему расплава составляло 1:2, т. е. аппарат не был достаточно эф
фективным, но быстро входил в рабочий режим и сравнительно мало расходовал материала. Однако степень очистки по исследованным примесям оказалась значительной.
В табл. 14 представлены результаты, соответствующие работе аппарата в рабочем режиме.
Таблица 14
ЭФФЕКТИВНОСТЬ ОЧИСТКИ АЛЮМИНИЯ в АППАРАТЕ ЗОННОЙ КОЛОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ
|
Концентрации, % (по массе) |
||
Примесь |
|
с. |
с 2 |
|
|
||
Медь |
5,0- 1(Г3 |
4,4-КГ4 |
1,5-10“2 |
Железо |
8,0- 1(Г3 |
«7,0 -10“ 4 |
1,2-10“ 2 |
Кремний |
1,4- КГ2 |
< 1 , 0 - 10“3 |
1,1 ■10“ а |
Магний |
5,0- КГ4 |
< 5 , 0 - 10“5 |
1,3-10“4 |
Коэффициенты эффективности
очистки |
обогаще |
разделе |
||
С0/Сг |
ния |
|
ния |
|
С21С0 |
С2/ С1 |
|||
|
||||
11,3 |
3,0 |
• |
33,9 |
|
» 1 1,4 |
1,5 |
» |
16,5 |
|
> 1 4 ,0 |
2,9 |
> 4 0 ,6 |
||
> 1 0 ,0 |
0,26 |
> 2 ,6 |
Очистка (Co/Ci) от наиболее трудноудаляемых примесей про изошла в десять и более раз. Незначительное обогащение (CJC0) связано . с использованием односекционного варианта аппарата. Представляет интерес также оценить разделение (С2/Сх), что можно сделать, умножив коэффициент очистки (С0/Сх) на коэффициент обогащения (С2/С0).
152
Таблица IS
|
х а р а к т е р и с т и к а ' о с у щ е с т в л ё н н ы х о д н о с е к ц и о н н ы х |
|||||||
|
АППАРАТОВ ЗОННОЙ КОЛОННОЙ |
ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ |
||||||
Очищенный материал |
Материал аппарата |
Метод работы |
Длина секции, мм |
Диаметр секции, мм |
Длина зоны |
Число зон |
Скорость перемещения зоны, см/ч |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
: 1 |
Нафта |
Кварц |
Поло- |
200—500 |
10— 15 |
50—70 |
1; 3 |
0,1 — |
|
лин |
или |
стный |
|
|
|
|
|
19,2 |
|
молиб |
|
|
|
|
|
|
|
|
деновое |
|
|
|
|
|
|
|
|
стекло |
|
|
|
|
|
|
|
Олово |
Кварц |
Поло- |
— |
— |
— |
1; 3 |
— |
|
|
|
стный |
425 |
20 |
70—80 |
1 |
4,98 |
|
» |
» |
Транс |
||||||
|
|
портный |
|
|
|
|
|
|
|
|
(гори |
|
|
|
|
|
|
|
|
зонталь |
|
|
|
|
|
|
|
|
ный *9 |
|
|
|
|
1 |
|
Алюми |
Графит, |
Элек |
580—590 |
(3,4 |
см2) *3 |
90 |
6,0 |
|
ний |
кварц |
троди- |
450 *2 |
|
|
|
|
|
|
|
намиче- |
|
|
|
|
|
|
|
|
ский |
|
|
|
|
|
|
|
|
(магнит |
|
|
|
|
|
|
Сурьма |
Графит |
ный) |
СЛ О О 141 |
(5,5 |
см2) *3 |
40 |
1 |
9— 18 |
С погру |
||||||||
|
|
|
* |
|
|
|
|
|
|
|
жаемой |
|
|
|
|
|
|
|
|
мешал |
|
|
|
|
|
|
Висмут |
|
кой ' |
500 *2 |
(5,5 |
см2) *3 |
40 |
1 |
9— 18 |
» |
То же |
** Угол наклона секции к горизонту 7°.
*2 Указана длина разделителя.
*3 Указана площадь поперечного сечения загрузки.
Литература, где описан аппарат
[115]
[П5]
[117]
[118]
[119—
122]
[123]
Во время рабочего режима имели место колебания массы слива очищенного (±7,0% ) и загрязненного (+6,0%) материалов, что связано с недостаточно точным регулированием процесса. Для при меси меди были получены численные значения во всех процессах; колебание концентрации составляло + 16% при ошибке спектраль ного анализа ± 14,0% в очищенном материале и ± 13,0% в загряз ненном материале при ошибке определения +5,0% . Содержание при месей кремния, магния и железа стало ниже чувствительности коли чественного спектрального анализа после девяти, семи и пяти про ходов соответственно. В загрязненном примесями материале для при месей железа, кремния и магния колебания концентрации составили + 7,0; + 6,0 и ± 13,0% при ошибке определения концентрации + 8,0; ± 7,0 и ± 9,0% соответственно. Таким образом, полученный материал обладает достаточной химической однородностью.
Особенным оказалось поведение примеси магния. В связи с вы сокой упругостью паров магния ведение процесса в вакууме при водит к дополнительной очистке алюминия от этой примеси в ре-
153
зультате возгонки. По-видимому, в опытах произошло заметное уменьшение содержания примеси магния в алюминии, помещенном в питатель, и, как результат, было обнаружено, что слив загрязнен ного примесями материала содержит примеси магния меньше, чем исходный материал.
Опробование аппарата в действии показало его работоспособ ность, и он был остановлен после пятнадцатого цикла в связи с необ ходимостью произвести автоматизацию его работы и регулирования. Данные спектрального анализа свидетельствуют о высокой эффектив ности производимой аппаратом очистки и о достаточной химической однородности получаемых материалов. Имеются возможности даль нейшего повышения эффективности очистки в аппарате путем удли нения разделителя, сокращения длины или объема расплавленной зоны.
Лабораторные исследования работы односекционных аппаратов колонной зонной перекристаллизации (в табл. 15 сведены харак теристики этих аппаратов) позволили накопить опыт их конструиро вания и эксплуатации. Следующим этапом в развитии колонной зонной перекристаллизации стало применение односекционных ап паратов для получения высокочистых цветных металлов. Для этой цели приемлемые технические и технологические решения были получены с помощью аппаратов, работающих по транспортному (принудительному) методу.
ГЛУБОКАЯ ОЧИСТКА ЦВЕТНЫХ МЕТАЛЛОВ (СУРЬМЫ И ВИСМУТА)
КОЛОННОЙ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЕЙ
Задачу получения высокочистых сурьмы и висмута решали в ряде работ [119— 12311. Благодаря осуществлению комплекса расчет ных, конструкторских, технологических и физико-химических раз работок В. Н. Вигдоровича совместно с В. В. Марычевым, А. Е. Вольпяном, А. П. Колесневым и В. И. Пономаренко стало возможным совершенствование технологии получения сурьмы и висмута высо кой чистоты.
Отправным положением при выборе метода колонной зонной перекристаллизации была необходимость более простого в конст руктивном отношении и удобного в технологическом отношении решения, разумеется, при обеспечении необходимой эффективности очистки. Таким методом явился транспортный (принудительный)
метод, сущность которого рассматривается далее более подробно. С целью уменьшения фактического объема расплава в зоне для
секции очищенного материала используется погружаемая в расплав мешалка, вытесняющая часть расплава и перемешивающая при вра щении оставшуюся часть расплава. Расплавленная зона с погру
1 В и г д о р о в и ч В. Н., К о л е с н е в А. П., М а р ы ч е в В. В., В о л ь - п я н А. Е. Авт. свид. № 253775 (кл. \2g 17/08). — «Бюл. изобр. и тов. знаков»,
1969, № 31, с. 26.
154
женной мешалкой перемещается вдоль перекристаллизуемой за грузки; объем расплава в зоне восполняется по окончании каждого прохода за счет материала, поступающего в зону из питателя при подъеме мешалки.
Увеличение объема материала в зоне для секции загрязненного материала достигается при введении в расплав электромагнитного насоса, который дополняет к объему в зоне объем материала, заклю ченного в нем самом, и обеспечивает перемешивание расплава. Внутренняя полость электромагнитного насоса заполняется жид ким материалом либо из расплавленной зоны, сообщающейся с пи тателем, либо непосредственно из питателя. После завершения ра
финирующего |
прохода избыток расплава сливается в приемник. |
На рис. 64 |
представлена схема процесса колонной зонной пере |
кристаллизации с применением погружаемой мешалки и электро
магнитного |
насоса. Схему процесса целесообразно рассмотреть |
на примере |
очистки исходного материала от примесей, имеющих |
k <7 1. При |
расплавлении начальных участков твердой загрузки |
(рис. 64, а) в секции очищенного материала в зону погружается мешалка, вытесняющая порцию очищенного материала в приемник. Одновременно в электромагнитный насос из расплавленной зоны секции загрязненного материала и питателя производится подсос расплава. Далее следует рафинирующий цикл (рис. 64, а, б, в и г), который состоит в одновременном последовательном продвижении расплавленных зон с мешалкой и электромагнитным насосом. По окончании процесса перекристаллизации (рис. 64, д) мешалка из влекается из зоны, объем которой восстанавливается расплавом из питателя, электромагнитный насос выводится из расплавленной зоны и независимо перемещается к приемнику материала, где его содержимое сливается. После окончания каждого прохода процесс перекристаллизации повторяется (при очистке от примесей, имеющих k t> 1, наоборот, в приемник 1 будет поступать очищенный материал,
а в приемник |
7 — материал, обогащенный примесями). |
|
Возможны |
|
также другие варианты аппаратов, работающих |
по описанному |
принципу (рис. 65). Односекционные аппараты |
(рис. 65, б, в иг) могут быть использованы в тех случаях, когда ис ходный материал не представляет ценности либо содержит однотип ные примеси и ставится задача очистки от них. При создании одно секционных аппаратов важно предотвратить загрязнение питателя примесями из расплавленных зон секции очищенного материала по окончании рафинирующего прохода. Для этих целей предусмат ривается слив зон через специальное отверстие (шлюз) прежде, чем они придут в соприкосновение с расплавом в питателе. Электро магнитный насос может быть заменен вакуумным колоколом (рис.65,г и д), под который подсасывается расплав; колокол, вращаясь, осуществляет перемешивание расплава.
Для одновременной очистки материала от примесей обоих типов (k < 7 1 и k 7> 1) аппараты непрерывной зонной перекристаллиза ции могут быть выполнены в виде спаренных двухсекционных ^колонн с антипараллельным движением в них твердой загрузки, как это
155
показано на рис. 66. Схема аппарата представлена в плане (рис. 66,6) и поясняется двумя разрезами (рис. 66, а, в). Расплавленные зоны вместе с мешалками 6 и 9 и электромагнитными насосами 3, 12 про-
/ ^ / / / / / У У У У 7 7 7 У Т ~ - |
1 |
г ~ |
/ |
||
У Г Г / © |
О О О |
zT T Z t О |
О О О |
т/ У', |
|
0 |
0 |
||||
W / л |
© |
© |
© |
О |
о © |
|
|
0 0 |
|
||
|
|
|
|
Направление движения ион
if
© @ |
© © © |
о © |
0 |
0 |
0 |
421© |
|
|
ОтО О |
ччччччччч42ц==-:^ |
|
|
|
|
© |
|
|
|
|
|
О |
© © |
|
©0 |
|
©гЦ© |
|
||||
|
|
|
1 |
|
|
|
Ж |
Ч Ч Ч \Ч Ч \\\\\\\^ - - - - - - г т о л т х х у л ч ч х |
|||
|
©о© |
© |
|
0 |
|
i-z-i 0 |
© |
|
|||
|
© |
© |
© |
|
©ш |
Рис. 64. |
Схема осуществления массопереносного |
способа колонной зонной |
|||
перекристаллизации с применением |
погружаемой |
мешалки |
и электромаг |
||
|
|
нитного |
насоса: |
|
|
а — создание |
расплавленных зон; б — создание.разности объемов расплава |
||||
в зонах; |
в — процесс перекристаллизации; г ■— выравнивание |
объемов рас |
плавов зон по окончании рафинирующего процесса; д — кристаллизация пос ледней зоны;
1 — приемник |
материала, |
обогащенного примесями с |
k |
< 1; 2 — секция |
|
загрязненного |
материала; |
3 — электромагнитный насос; |
4 — питатель; |
5 — |
|
секция очищенного материала; 6 — мешалка; 7 — приемник |
очищенного |
ма |
|||
|
|
териала |
|
|
|
двигаются справа налево. Исходный материал из питателя 4 посту пает в разделители 2 и 5, а затем в разделители 8 и 11, между кото рыми необходимо создание перегородок. После многократной зонной перекристаллизации в приемнике 10 концентрируется очищенный материал, а в приемниках / и 7 — материалы, обогащенные при