Файл: Брандт, А. А. Плазменные умножители частоты.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 23.10.2024

Просмотров: 87

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

132

АНАЛИЗ РАБОТЫ ПЛАЗМЕННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ

[ГЛ. III

поле Еъ равно нулю. Величина

г0 является

функцией

потенциала

U между электродом

и плазмой

r0= r 0(U),

так как при

изменении U граница электронной компо­

ненты смещается. Если концентрация плазмы значитель­

но превосходит критическую, то

разность

потенциа­

лов U между электродом и плазмой

оказывается равной

разности потенциалов

между

электродом

и грани­

цей электронов

плазмы,

т.

е.

поле Е'(г)

существует

только внутри

обедненного

слоя

и зависит

от положе­

ния границы Го. Величина

поля

Е'(г) определяется из

решения задачи о конденсаторе, у которого разность потенциалов между пластинами равна U, а расстояние равно толщине обедненного электронами слоя.

Поле поляризации плазмы Ер можно найти из реше­ ния уравнения Гаусса для объема, образованного пло­

щадкой dS и площадкой

dS',

отстоящей

от dS на рас­

стояние г в сторону плазмы.

Обозначая

этот объем

через Q, получим

 

 

 

EpdS' =

4я J щ (г) edQ,

(91)

 

Q

 

 

поскольку поле Ер на поверхности dS равно нулю, или

Ер = AniieidS')-' [ adQ.

(92)

Q

 

Несмотря на то, что источником поля Ер является остов неподвижных ионов, само поле зависит от напряже­ ния U, так как при изменении U меняется количество ионов, сосредоточенных внутри обедненного слоя. Это связано с изменением толщины обедненного слоя при изменении напряжения U.

Суммарное поле

£ s = Е' (г) — 4ппе J adQ ОdS') -1

(93)

обращается в нуль на границе плазмы в точке с коор­ динатой Го, которая определяется выражением

Е' (г0) = 4яле j adQ (dSj)'

(94)

Qo

 

где dS'o — площадка на границе плазмы или, что то же


§ 21 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ВАРАКТОРА 133

самое, на границе обедненного электронами слоя, Q0

объем слоя, заключенный между площадками dSudSo. Зная г0 и используя выражение для энергии, запа­ сенной в электрическом поле конденсатора, можно най­ ти емкость элементарного конденсатора dC, образован­ ного площадкой dS на поверхности электрода и

площадкой dSo:

 

 

dCU2

(95)

 

 

2

 

 

 

откуда

 

 

 

 

 

=

Об)

 

 

Qo

а емкость на единицу площади

 

йс_

1

[ \е ' — пе

J" adQ (dS')~A*dQ. (97)

dS

U2dS

 

 

Qo 1

[Q

Полную емкость тела, погруженного в плазму, можно найти, просуммировав емкости отдельных элементарных конденсаторов, поскольку все они заряжены до напря­ жения U и соединены параллельно:

c = ! l § ds = U c -

(98)

s

в

 

Для примера рассчитаем емкость на единицу площади бесконечной плоскости, граничащей с плазмой. Для плоского конденсатора

Е ' { г ) = у - , dS' = dS, dQ = dS dr, Q0 = Q = dSr0.

(99)

Емкость на единицу площади

dc _ 1

Ml

 

Го

+ (4зх/2е)2

dr —■

 

dS — 4л£Я го

 

 

Го

8nneU

a (r')dr' ' dr ,(100)

r0 о


134

АНАЛИЗ РАБОТЫ ПЛАЗМЕННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ

[ГЛ. III

где

л„

и_

( 101)

Го

Рассмотрим частные случаи распределения концен­ трации ионов около поверхности плоского электрода.

1. Пусть

а ( г ) = а / ' \

где k ^O . Тогда

 

 

 

Ь , 1

 

 

 

2Л+3

 

dC

1

2пеа

4л(пеа)а

 

 

го+

 

 

г0

 

dS

(ft+1)

(ft+2)

U

 

'

иг

 

(ft+1)2 (2ft+3)

и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(102)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U(^+l)\feTT^

 

 

(103)

 

 

Г

0

=

4яяеа

)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Подставив Го в

(102),

получим

 

 

 

 

 

dC

1

2 (ft+ 1 )2

.

 

 

 

___ L.

 

/4л«еоЛ*+2

т, fe+ 2

(Ю4)

dS

~

(ft+2) (2ft+3)

\

ft +

1 '

U

 

 

 

или

 

d C

 

1

2

(

6 +

l ) a

 

 

 

 

 

 

 

 

(Ю5)

 

 

dS ~

 

4ял0

(ft+2) (2ft-f-3) ‘

 

 

 

 

 

 

 

 

В частности, если распределение ионов однородно вплоть до самой поверхности плоского электрода,

т. е. а (г) = 1, то

dC

1

ner0

 

4n{ne)2r\

(Ю6)

dS ~

4яло

U

+

ЗС/2

 

И

 

 

 

и

 

 

 

-

/

(Ю7)

 

 

пе'

Таким образом, для плоского электрода с однород­ ным распределением концентрации ионов емкость на единицу поверхности обратно пропорциональна корню квадратному из напряжения U, что совпадает с зави­ симостью барьерной емкости р = п перехода со ступен­ чатым изменением концентрации от напряжения [104].

Для других видов зависимости а (г) емкость на единицу поверхности более сложным образом зависит


§ 2]

РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ВАРАКТОРА

135

от

напряжения между электродом

и плазмой.

Однако

для

высоких частот концентрация

плазмы, превышаю­

щая критическую, оказывается настолько большой, что при реально достижимых величинах СВЧ-напряжения толщина обедненного слоя оказывается много меньшей радиуса кривизны электрода, особенно при работе с коаксиальными плазменными варакторами. По этой причине для расчетов можно практически всегда ис­ пользовать формулы (103) и (104), полученные для плоского конденсатора.

Значительно более высокие СВЧ-напряжения могут иметь место при работе с большими входными мощно­ стями в импульсном режиме. В этом случае размеры слоя могут оказаться соизмеримыми с радиусом кривиз­ ны электрода, что приводит к необходимости для рас­ чета емкости пользоваться более общими формулами

(94), (97). 2. Пусть

а (г) = 1 — aexpf — -j-j,

т. е. концентрация экспоненциально уменьшается около поверхности электрода, принимая на поверхности зна­ чение равное 1—а, где O ^ a ^ l . Тогда

dC_

 

1 _ ^ ( l _ 2 a - L - 2 a i J + 2 a ^ e Р

+

dS

 

 

4nr0

U

 

Го

 

 

 

 

 

 

 

+

4я (пе)2 т-ц

1 — За ~

+ а 2

 

+

а (2 ----

 

 

 

ШР

 

rg

Г1

 

 

 

 

го

 

 

V

2

 

 

 

 

 

Го

 

 

 

 

'

р

 

 

 

а '- f

e"

e [2 - ( 2 + 2 a ) - t ]

+

4 £

(108)

а Го определяется из уравнения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

го— «Р (1 — е

&

 

и

 

 

(109)

 

 

 

 

 

 

4ппе

 

 

Предположим теперь, что величина отрицательного напряжения между электродом и плазмой изменяется по гармоническому закону

U— U (Л-j-cos at),

(ПО)


136 АНАЛИЗ РАБОТЫ ПЛАЗМЕННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ [ГЛ. Ill

где А — некоторый постоянный коэффициент. При А = 1 постоянная составляющая напряжения равна амплиту­ де переменной составляющей и в некоторые моменты времени, когда U обращается в нуль, граница электрон­ ной компоненты плазмы вплотную приближается к по­ верхности электрода, толщина обедненного слоя стре­ мится к нулю, а емкость — к бесконечности. Если Л < 1, то напряжение между электродом и плазмой в некото­ рые моменты становится положительным и на электрод течет большой ток электронов, а сопротивление между плазмой и электродом становится очень малым. Этот, неблагоприятный, режим использования плазменного варактора будет рассмотрен нилее.

Частоту со переменного напряжения будем полагать больше ионной плазменной частоты сорг, но много мень­ ше электронной плазменной частоты сорс. В этом случае поле можно считать сосредоточенным внутри обеднен­ ного слоя, а ток, текущий через емкость dC/dS при однородном распределении концентрации ионов около поверхности плоского электрода, определить, используя (106) и (ПО), следующим образом:

У 36я

Если А = 1, то

(111)

у А + (

 

СО t

 

j _

COS —[Г

 

2

Z

( 112)

■ У ш ш0

— ш

 

cos-y

 

Разлагая (112) в ряд Фурье, получим

1= /0 (sin со^—0,4 sin 2со£+0,26 sjn Sat—0,19 sin 4ш^+

+0,15 sin 5at): (113)

где

/0 = 0 ,8 5 /" jg-co UT .

(114)

Из (113) видно, что при подаче на электрод переменно­ го напряжения с частотой со в цепи электрода, кроме тока основной частоты и, потекут также токи гармоник.

§ 21 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ВАРАКТОРА 137

Найдем среднее значение емкости слоя за период,

основной частоты

[104]:

dC

 

 

dC_

 

(H5)

 

dS

ср

dS

 

,U—A U

dC

— величина емкости слоя, соответствующая

™&dS

U=AU

 

 

 

нулевому значению переменной составляющей напря­ жения на слое. Далее найдем эффективную емкостьслоя, т. е. емкость такого линейного конденсатора, при замещении которым нелинейной емкости слоя амплиту­ да первой гармоники тока имеет то же самое значе­ ние [104]:

 

 

dC_

 

 

 

(116)

 

 

dS эфф

1 +

A *JdS \и=АЪ

 

 

 

 

 

 

Из (116) видно, что эффективная емкость

больше сред­

него значения

емкости

за

период. Однако

различие

между

этими

емкостями не превышает 20%

даже

при'

А — \,

и мы будем использовать емкость

-jo

_

вме-

\u= a u

сто всех остальных, записывая ее без индекса.

Учтем теперь тепловое движение электронов плазмы. За счет теплового движения происходит диффузия элек­ тронов внутрь обедненного слоя и граница плазмы r0l, рассчитываемая по (107), размывается, занимая неко­ торую область протяженностью Д, на которой концен­ трация электронов уменьшается в е раз. Если не учиты­ вать возмущения поля Е% объемным зарядом диффунди­

рующих электронов,

то

концентрацию электронов пв на

расстоянии 6 от г0

внутри обедненного слоя

можно-

определить выражением

[105]

 

 

пс(6) =

п ехр |

еср(6Ц

(117)

}’

 

 

 

 

или

 

 

 

 

пе(6) =

п ехр |

Ф(б)1

(118)

Те /’

 

 

 

 

где Те— температура электронов в электронвольтах. Потенциал внутри обедненного слоя ср(6) в том случае,, когда на границе плазмы поле и потенциал равны нулю,.