ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 23.10.2024
Просмотров: 87
Скачиваний: 0
132 |
АНАЛИЗ РАБОТЫ ПЛАЗМЕННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ |
[ГЛ. III |
||
поле Еъ равно нулю. Величина |
г0 является |
функцией |
||
потенциала |
U между электродом |
и плазмой |
r0= r 0(U), |
|
так как при |
изменении U граница электронной компо |
ненты смещается. Если концентрация плазмы значитель
но превосходит критическую, то |
разность |
потенциа |
||||
лов U между электродом и плазмой |
оказывается равной |
|||||
разности потенциалов |
между |
электродом |
и грани |
|||
цей электронов |
плазмы, |
т. |
е. |
поле Е'(г) |
существует |
|
только внутри |
обедненного |
слоя |
и зависит |
от положе |
||
ния границы Го. Величина |
поля |
Е'(г) определяется из |
решения задачи о конденсаторе, у которого разность потенциалов между пластинами равна U, а расстояние равно толщине обедненного электронами слоя.
Поле поляризации плазмы Ер можно найти из реше ния уравнения Гаусса для объема, образованного пло
щадкой dS и площадкой |
dS', |
отстоящей |
от dS на рас |
стояние г в сторону плазмы. |
Обозначая |
этот объем |
|
через Q, получим |
|
|
|
EpdS' = |
4я J щ (г) edQ, |
(91) |
|
|
Q |
|
|
поскольку поле Ер на поверхности dS равно нулю, или
Ер = AniieidS')-' [ adQ. |
(92) |
Q |
|
Несмотря на то, что источником поля Ер является остов неподвижных ионов, само поле зависит от напряже ния U, так как при изменении U меняется количество ионов, сосредоточенных внутри обедненного слоя. Это связано с изменением толщины обедненного слоя при изменении напряжения U.
Суммарное поле
£ s = Е' (г) — 4ппе J adQ ОdS') -1 |
(93) |
обращается в нуль на границе плазмы в точке с коор динатой Го, которая определяется выражением
Е' (г0) = 4яле j adQ (dSj)' |
(94) |
Qo |
|
где dS'o — площадка на границе плазмы или, что то же
§ 21 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ВАРАКТОРА 133
самое, на границе обедненного электронами слоя, Q0—
объем слоя, заключенный между площадками dSudSo. Зная г0 и используя выражение для энергии, запа сенной в электрическом поле конденсатора, можно най ти емкость элементарного конденсатора dC, образован ного площадкой dS на поверхности электрода и
площадкой dSo:
|
|
dCU2 |
(95) |
|
|
2 |
|
|
|
|
|
откуда |
|
|
|
|
|
= |
Об) |
|
|
Qo |
|
а емкость на единицу площади |
|
||
йс_ |
1 |
■[ \е ' — 4япе |
J" adQ (dS')~A*dQ. (97) |
dS |
4лU2dS |
||
|
|
Qo 1 |
[Q |
Полную емкость тела, погруженного в плазму, можно найти, просуммировав емкости отдельных элементарных конденсаторов, поскольку все они заряжены до напря жения U и соединены параллельно:
c = ! l § ds = U c - |
(98) |
|
s |
в |
|
Для примера рассчитаем емкость на единицу площади бесконечной плоскости, граничащей с плазмой. Для плоского конденсатора
Е ' { г ) = у - , dS' = dS, dQ = dS dr, Q0 = Q = dSr0.
(99)
Емкость на единицу площади
dc _ 1 |
Ml |
|
Го |
|
+ (4зх/2е)2 |
dr —■ |
|||
|
||||
dS — 4л£Я го |
|
|
Го
8nneU
a (r')dr' ' dr ,(100)
r0 о
134 |
АНАЛИЗ РАБОТЫ ПЛАЗМЕННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ |
[ГЛ. III |
где
л„
и_
( 101)
Го
Рассмотрим частные случаи распределения концен трации ионов около поверхности плоского электрода.
1. Пусть
а ( г ) = а / ' \
где k ^O . Тогда |
|
|
|
Ь , 1 |
|
|
|
2Л+3 |
|
||
dC |
1 |
2пеа |
4л(пеа)а |
|
|
||||||
го+ |
|
|
г0 |
|
|||||||
dS |
(ft+1) |
(ft+2) |
U |
|
' |
иг |
|
(ft+1)2 (2ft+3) |
|||
и |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(102) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U(^+l)\feTT^ |
|
|
(103) |
|||
|
|
Г |
0 |
= |
4яяеа |
) |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Подставив Го в |
(102), |
получим |
|
|
|
|
|
||||
dC |
1 |
2 (ft+ 1 )2 |
. |
|
|
|
___ L. |
|
|||
/4л«еоЛ*+2 |
т, fe+ 2 |
(Ю4) |
|||||||||
dS |
~ 4я |
(ft+2) (2ft+3) |
\ |
ft + |
1 ' |
U |
|
||||
|
|
||||||||||
или |
|
d C |
|
1 |
2 |
( |
6 + |
l ) a |
|
|
|
|
|
|
|
|
(Ю5) |
||||||
|
|
dS ~ |
|
4ял0 |
(ft+2) (2ft-f-3) ‘ |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
В частности, если распределение ионов однородно вплоть до самой поверхности плоского электрода,
т. е. а (г) = 1, то
dC |
1 |
ner0 |
|
4n{ne)2r\ |
(Ю6) |
|
dS ~ |
4яло |
U |
+ |
ЗС/2 |
||
|
||||||
И |
|
|
|
и |
|
|
|
|
- |
/ |
(Ю7) |
||
|
|
4япе' |
Таким образом, для плоского электрода с однород ным распределением концентрации ионов емкость на единицу поверхности обратно пропорциональна корню квадратному из напряжения U, что совпадает с зави симостью барьерной емкости р = п перехода со ступен чатым изменением концентрации от напряжения [104].
Для других видов зависимости а (г) емкость на единицу поверхности более сложным образом зависит
§ 2] |
РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ВАРАКТОРА |
135 |
|
от |
напряжения между электродом |
и плазмой. |
Однако |
для |
высоких частот концентрация |
плазмы, превышаю |
щая критическую, оказывается настолько большой, что при реально достижимых величинах СВЧ-напряжения толщина обедненного слоя оказывается много меньшей радиуса кривизны электрода, особенно при работе с коаксиальными плазменными варакторами. По этой причине для расчетов можно практически всегда ис пользовать формулы (103) и (104), полученные для плоского конденсатора.
Значительно более высокие СВЧ-напряжения могут иметь место при работе с большими входными мощно стями в импульсном режиме. В этом случае размеры слоя могут оказаться соизмеримыми с радиусом кривиз ны электрода, что приводит к необходимости для рас чета емкости пользоваться более общими формулами
(94), (97). 2. Пусть
а (г) = 1 — aexpf — -j-j,
т. е. концентрация экспоненциально уменьшается около поверхности электрода, принимая на поверхности зна чение равное 1—а, где O ^ a ^ l . Тогда
dC_ |
|
1 _ ^ ( l _ 2 a - L - 2 a i J + 2 a ^ e Р |
+ |
||||||||
dS |
|
||||||||||
|
4nr0 |
U |
|
Го |
|
|
|
|
|
|
|
|
+ |
4я (пе)2 т-ц |
1 — За ~ |
+ а 2 |
|
+ |
а (2 ----— |
|
|
||
|
ШР |
|
rg |
Г1 |
|
||||||
|
|
|
го |
|
|
V |
2 |
|
|||
|
|
|
|
Го |
|
|
|
|
' |
р |
|
|
|
а '- f |
e" |
e [2 - ( 2 + 2 a ) - t ] |
+ |
4 £ |
(108) |
||||
а Го определяется из уравнения |
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
го— «Р (1 — е |
& |
|
и |
|
|
(109) |
|
|
|
|
|
|
|
4ппе |
|
|
Предположим теперь, что величина отрицательного напряжения между электродом и плазмой изменяется по гармоническому закону
U— U (Л-j-cos at), |
(ПО) |
136 АНАЛИЗ РАБОТЫ ПЛАЗМЕННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ [ГЛ. Ill
где А — некоторый постоянный коэффициент. При А = 1 постоянная составляющая напряжения равна амплиту де переменной составляющей и в некоторые моменты времени, когда U обращается в нуль, граница электрон ной компоненты плазмы вплотную приближается к по верхности электрода, толщина обедненного слоя стре мится к нулю, а емкость — к бесконечности. Если Л < 1, то напряжение между электродом и плазмой в некото рые моменты становится положительным и на электрод течет большой ток электронов, а сопротивление между плазмой и электродом становится очень малым. Этот, неблагоприятный, режим использования плазменного варактора будет рассмотрен нилее.
Частоту со переменного напряжения будем полагать больше ионной плазменной частоты сорг, но много мень ше электронной плазменной частоты сорс. В этом случае поле можно считать сосредоточенным внутри обеднен ного слоя, а ток, текущий через емкость dC/dS при однородном распределении концентрации ионов около поверхности плоского электрода, определить, используя (106) и (ПО), следующим образом:
У 36я
Если А = 1, то
(111)
у А + (
|
СО t |
|
j _ |
COS —[Г |
|
2 |
Z |
( 112) |
■ У ш ш0 |
— ш |
|
|
cos-y |
|
Разлагая (112) в ряд Фурье, получим
1= /0 (sin со^—0,4 sin 2со£+0,26 sjn Sat—0,19 sin 4ш^+
+0,15 sin 5at): (113)
где
/0 = 0 ,8 5 /" jg-co UT . |
(114) |
Из (113) видно, что при подаче на электрод переменно го напряжения с частотой со в цепи электрода, кроме тока основной частоты и, потекут также токи гармоник.
§ 21 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ВАРАКТОРА 137
Найдем среднее значение емкости слоя за период,
основной частоты |
[104]: |
dC |
|
||
|
dC_ |
|
(H5) |
||
|
dS |
ср |
dS |
||
|
,U—A U |
||||
dC |
— величина емкости слоя, соответствующая |
||||
™&dS |
|||||
U=AU |
|
|
|
нулевому значению переменной составляющей напря жения на слое. Далее найдем эффективную емкостьслоя, т. е. емкость такого линейного конденсатора, при замещении которым нелинейной емкости слоя амплиту да первой гармоники тока имеет то же самое значе ние [104]:
|
|
dC_ |
|
|
|
(116) |
|
|
|
dS эфф |
1 + |
A *JdS \и=АЪ |
|
||
|
|
|
|
|
|||
Из (116) видно, что эффективная емкость |
больше сред |
||||||
него значения |
емкости |
за |
период. Однако |
различие |
|||
между |
этими |
емкостями не превышает 20% |
даже |
при' |
|||
А — \, |
и мы будем использовать емкость |
-jo |
_ |
вме- |
\u= a u
сто всех остальных, записывая ее без индекса.
Учтем теперь тепловое движение электронов плазмы. За счет теплового движения происходит диффузия элек тронов внутрь обедненного слоя и граница плазмы r0l, рассчитываемая по (107), размывается, занимая неко торую область протяженностью Д, на которой концен трация электронов уменьшается в е раз. Если не учиты вать возмущения поля Е% объемным зарядом диффунди
рующих электронов, |
то |
концентрацию электронов пв на |
|||
расстоянии 6 от г0 |
внутри обедненного слоя |
можно- |
|||
определить выражением |
[105] |
|
|
||
пс(6) = |
п ехр | |
еср(6Ц |
(117) |
||
}’ |
|||||
|
|
|
|
||
или |
|
|
|
|
|
пе(6) = |
п ехр | |
Ф(б)1 |
(118) |
||
Те /’ |
|||||
|
|
|
|
где Те— температура электронов в электронвольтах. Потенциал внутри обедненного слоя ср(6) в том случае,, когда на границе плазмы поле и потенциал равны нулю,.