Файл: Усиков, С. В. Электрометрия жидкостей.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 23.10.2024

Просмотров: 68

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

При отсутствии магнитных потерь (р2 = 0):

или

W _

2а2

ШХоН-0

СОХоЦ

 

При наличии магнитных потерь необходимо пользоваться комплексным выражением для ц из равенства (III. 11). В этом случае значения постоянных р и а оказываются различными.

Для металлической среды на основании условия (III. 4) можно записать:

Y = Р + /а = V /сохоцор

(III. 12)

С учетом (III. 11) и (III. 12) находим:

V

I

 

,

/ (Jt/2—б,,)

Y = у

шхоРо I

Р | е

v

Ю

Следовательно:

 

 

 

 

 

: V ШХоРо К| Р I

• COS (-J-

; V wxoPo V \ р I -sin

. , р2+ а2

COXqPo

Эти же равенства позволяют найти [32]:

р2 =

Р2- « 2.

Pi

= v \

2аР

 

(ОХоРо

I р I

Р2 = 0)Х0|Д0

Поскольку для магнетодиэлектриков

бр +

р = со Y \ ре Isin

(III. 13)

(III. 14)

то при малых диэлектрических и магнитных потерях (бе и бц,— малы) волна в среду может проникать на достаточно большую глубину. Как следует из выражений (III. 9) и (III. 10), ампли­ туда волны затухает по экспоненте. На глубине za = %— 1/р амплитуда магнитного и электрического полей убывает в е раз. На этой глубине амплитуда поля составляет 37% от таковой на поверхности. В металлах, находящихся в переменном магнитном поле, возбуждается переменная э.д. с., величина которой растет с повышением частоты. Ее направление противоположно на­ правлению внешней э. д. с. (внешнего магнитного поля), т. е. переменное магнитное поле ослабляется по мере проникновения в глубь металла за счет так называемых вихревых токов. С по­ следними связано такое известное явление, как поверхностный эффект. Из-за него напряженность переменного магнитного поля падает по мере углубления; ее уменьшение описывается экспо­ ненциальным законом, который можно выразить также через плотности токов [33, 34]:

Плотность тока на глубине г

(III. 15)

Плотность тока на поверхности

53


где

z°=V fBсм> (ni-i5>

называется эквивалентной глубиной проникновения. Здесь ц0 —

магнитная проницаемость вакуума, равная 1,256-1 (И,

Гц-см"1;

р, — относительная магнитная проницаемость

материала;

f

частота; и0 — удельная проводимость металла,

равная

1/р;

р —

удельное сопротивление металла.

 

 

 

Чем меньше 2 0, тем больший ток течет в поверхностных слоях металла, тем больше создаваемое им магнитное поле, направ­ ленное противоположно полю, вызывающему вихревые токи.

Если экран сделан из немагнитного материала с р, = 1, то глубина проникновения электромагнитного поля определяется удельной проводимостью материала и частотой поля / [см. вы­ ражение (III. 15)]. Из выражения (III. 15) следует, что на глу-. бине z = z0 плотность тока и напряженность магнитного поля падают в е раз (в 1/2,72 раз) и составляет 37% от плотности тока и напряженности на поверхности. В практике экранирова­ ния условие г = z0 может быть недостаточным, поэтому вводят две величины: 2 0Д и 2 0i01, соответствующие падению плотности

тока и напряженности поля в 10 и 100 раз. Этим условиям со­ ответствуют выражения

e ~ z 0 , \ / z 0 _ _ 0 , J и e - z o . o i / z o =0>01

т. е.

2o,i = z o In 10 = 2,320 ■го,01 = г01п 100 = 4,6z0

Как следует из приводимых в табл. III. 1 данных, у магнит­ ных металлов при равных условиях (на одинаковой частоте) глубина проникновения меньше, чем у немагнитных. Кроме того, глубина проникновения магнитного поля при определенных ус­ ловиях может составлять значительно большую величину по сравнению с размерами тонкого металлического экрана (тол­ щиной < 1 мм) и двойного электрического слоя вместе взятых. А по сравнению с плотной частью заряда на границе раздела фаз, толщина которой составляет несколько ангстрем, глубина

проникновения

магнитного

поля в металл равняется более чем

в 107 — 106 раз

при частоте

105 Гц и более чем в 105 — 104 раз

при частоте 108 Гц. Иными словами, существуют реальные ус­ ловия для постановки исследований двойного электрического слоя, расположенного у границы металл — раствор, на основе

изучения поведения магнитного поля, проникающего в этот тон­ кий слой.

Во всех предыдущих рассуждениях относительно глубины проникновения электромагнитного поля, имелось в виду, что среда, в которой распространяется это поле, непрерывна и одно­ родна. Определенный интерес в связи с изложенным представ­ ляют пористые металлические покрытия или сетки, которые

54


обеспечивают более глубокое проникновение магнитного поля, чем сплошной металл.

Таблица III. 1

Глубина проникновения магнитного поля для различных металлов [33]

Металл

Р»

 

f.

 

Глубина проникновения, мм

 

 

 

 

 

Ом-мм?/м

 

Гц

 

,

 

 

 

 

 

 

г0,01

 

 

 

 

 

г0

г0,1

Медь

 

 

'

 

 

 

 

0,0175

1

I05

 

0,21

0,49

0,98

 

 

 

10е

 

0.057

0,154

0,308

 

 

 

ю 7

 

0,021

0,049

0,098

 

 

 

ю8

 

0.0067

0,0154

0,0308

Латунь

0.06

1

ю 5

 

0,39

0,9

1,8

 

 

 

106

 

0.124

0,285

0,57

 

 

 

ю 7

 

0,039

0,09

0,18

 

 

 

ю8

 

0,0124

0,0285

0,057

Алюминий

0,03

1

105

 

0,275

0,64

1,28

 

 

 

106

 

0,088

0,20

0,4

 

 

 

ю 7

 

0,0275

0,064

0,128

 

 

 

ю8

 

0,0088

0,020

0,04

Сталь

0.1

50

ю 5

 

_

_

_

 

 

 

10е

 

0,023

0,053

0,106

 

 

 

ю 7

 

0,007

0,016

0,032

 

 

 

ю 8

 

0,0023

0,0053

0,0106

 

0.1

200

ю 2

 

1,1

2,5

5,0

 

 

 

103

 

0,35

0,8

1,6

 

 

 

10*

 

0,11

0,25

0,5

 

 

 

I05

 

0,035

0,08

0,16

Пермаллой

0,65

12000

ю2

 

0,38

0,85

1,7

 

 

 

10э

 

0,12

0,27

0,54

 

 

 

10'

 

0,038

0,085

0,17

 

 

 

ю 5

 

0,012

0,027

0,054

Серебро

0,0161

ю 5

.

0,201

0,4623

0,9246

 

 

 

106

 

0,063

0,1449

0,2898

 

 

 

Ш7

 

0.0201

0,04623

0,09246

 

 

 

ю 8

 

0,0063

0,01449

0,02898

На рис. III. 3 представлена одна из возможных картин про­ хождения магнитного потока через отверстие. Длинные узкие щели, недопустимые в экранировании магнитного поля, могут быть пригодны в случае исследования межфазных явлений, если эти щели направлены поперек вихревых токов.

Развивая представление о способе воздействия внешнего электрического поля на колебательный процесс молекул, распо­ ложенных у поверхности раздела фаз, обратимся к рассмотре­ нию картины этого электрического поля близ сетки, составлен­ ной из заряженных проволочек бесконечной длины и параллель­ ных друг другу [35]. Пусть промежутки между проволочками одинаковы, а проволочки в данный момент заряжены по­ ложительно. Вдали от такой системы поле представляется

55


однородным, т. е. таким, как будто заряд распределен на пло­ скости равномерно. Только по мере приближения к сетке появ­ ляются заметные изменения в потенциале поля.

На рис. III. 4 представлена примерная картина распределе­ ния эквипотенциальных поверхностей в зависимости от удале­

ния от

поверхности

 

сетки в направлении оси z.

Чем ближе

к сетке, тем больше

заметны колебания потенциала. Если про­

волочки

расположены

в плоскости ху (параллельно

оси у), то

Рис. III. 3. Схема прохож­ дения магнитного потока че­ рез отверстие.

И—источник переменного маг­ нитного поля.

1о ' •''oS4*

+ +

х

Рис. III/4. Схема распределения эквипотенциальных поверхностей в зависи­ мости от удаления сетки из заряженных проволочек от поверхности:

арасстояние между проволочками.

в направлении оси х поле будет изменяться периодически и, со­ гласно теореме Фурье, может быть представлено в виде суммы гармонических составляющих (синусоидальных волн)

ОттУ

(III. 16)

ф (к, z) = Fn (г) cos ——

где а — расстояние между нитями; « — число колебаний.

Решение выражения (III. 16)

состоит из суммы

членов при

п = 1, 2, 3 . . . и в области над

сеткой подчиняется

уравнению

Лапласа:

 

 

д 2у / д х 2+ д 2ц>/дг2= О

 

Подставляя в последнее вместо ф его функцию из выражения (III. 16), получим, что Fn удовлетворяет условию

d2Fn

_ 4п 2п 2

d z2 ~

a2

tn

решением которого будет:

Fn = Ane~zlz°

где zQ— а/2пп. Следовательно, гармонические составляющие убывают по экспоненте. Амплитуда первой гармоники (п = 1) уменьшается в е2п раз при удалении на расстояние г = а,

56


Гармоники выше первой убывают еще быстрее. Величина 2о яв* ляется характеристической. На расстояниях, составляющих не­ сколько а, сетка кажется почти однородной. Нулевая гармоника потенциала поля равна:

Фо = — Е0г

При больших значениях z эта гармоника добавляется к сумме членов выражения (II. 16) и определяет однородность поля.

Изменение полярности и интенсивности потенциала сетки по синусоидальному закону приведет к периодическому изменению интенсивности поля только близ сетки на расстояниях, равных одному и нескольким а. Таким образом, вариацией расстояния между проволочками и интенсивностью заряда на сетке, изме­ няющемуся по синусоидальному закону, можно добиться соот­ ветствующего проникновения электромагнитного поля на не­ большие расстояния, т. е. проникновения поля в толщу жидко­ сти близ границы раздела фаз.

П1.2. ХАРАКТЕР ПОТЕРЬ В РЕЗУЛЬТАТЕ ПРОНИКНОВЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ В ЖИДКОСТЬ СКВОЗЬ ТОНКИЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОКРЫТИЯ

На рис. III. 5, а представлена одна из возможных схем пре­ образователя с сеточным электродом, предназначенного для ис­ следования явлений поляризации в жидкости на границе раз­ дела фаз на основании поглощения электромагнитной энергии (добротности, тангенса угла потерь). Система состоит из-трех электродов, два из которых (1 и 3), в принципе, могут быть сплошными и любой толщины, электрод 2 — наиболее ответ­ ственное звено системы. Его толщину и степень сплошности вы­ бирают в соответствии с областью рабочих частот, электрофизи­ ческими характеристиками жидкости, в частности, в соответ­ ствии с ожидаемыми параметрами емкости двойного слоя для этой жидкости, материалом электрода и интенсивностью элек­ тромагнитных колебаний. Жидкость при исследовании помещают между сеточным 2 и сплошным 1 электродами с одинаковым ну­ левым потенциалом («земля»), К электроду 3, изолированному от жидкости подводят потенциал, отличающийся от нулевого. Такой электрод, поэтому удобно называть потенциальным.

На рис. III. 5, б изображена возможная картина электриче­ ского поля, образованного в данный момент при подведении пе­ ременного напряжения к клеммам т и п . Глубина и характер проникновения магнитного поля в основном будет, как мы уже знаем, определяться частотой поля, толщиной сеточного элек­ трода и его сопротивлением, а также в некоторой части парамет­

рами жидкости.

Из рассмотрения картины электрического поля трехэлектрод­ ного преобразователя следует, что в описании процессов, про­ текающих у границы раздела фаз под действием сил внешнего

57