Файл: Усиков, С. В. Электрометрия жидкостей.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 23.10.2024

Просмотров: 69

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

ГЛАВА Ш

ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ЭНЕРГИИ ЖИДКОСТЬЮ В СИСТЕМЕ С СЕТОЧНЫМ ЭЛЕКТРОДОМ

111.1. ГЛУБИНА ПРОНИКНОВЕНИЯ ПЛОСКОЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ В ВЕЩ ЕСТВО

Детальное исследование процессов, происходящих на гра­ нице раздела фаз, обусловленных скачком потенциалов, стано­ вится крайне необходимым для наиболее полной оценки досто­ верности определения диэлектрической проницаемости и прово­ димости жидкости. Эти определения имеют самостоятельное значение и привлекают внимание, поскольку таят многое новое в изучении свойств жидкого тела. Существование вблизи по­ верхности раздела фаз двойного электрического слоя с закре­ пленной областью адсорбированных частиц (ионов и поляризо­ ванных молекул) и действие электрических сил ближнего по­ рядка в тонком слое позволяет предположить, что процессы поляризации в нем будут слабо зависеть от температуры в ши­ роком диапазоне, иметь свою характерную область частот, ре­ лаксации и потерь электромагнитной энергии по сравнению с об­ ластью, в которой частицы жидкости удалены на сравнительно большие расстояния от электродов или от стенок изолятора. В связи с этим интересно отметить весьма любопытные явления, происходящие в капиллярах с жидкостью, которые несомненно имеют связь с процессами на границе раздела фаз. Эти явления рассмотрены в ряде работ Дерягина с сотрудниками [25, 30, 31], которые полагают, что в капиллярах обычные свойства жидко­ сти изменяются. Так, для воды, заключенной в такой капилляр при температурах выше 100 °С, молекулы еще прочно связаны на поверхности, изменяется ее температура кипения и другие свойства. Отыскание путей зондирования процессов, протекаю­ щих в тонком слое, с помощью электромагнитного поля поможет полнее представить явления, наблюдающиеся на межфазной границе, которые связаны со строением и составом жидкости. Это также поможет сформулировать требования (критерии) к сплошности и толщине электродов, использующихся в кон­ струкциях чувствительных элементов при определении диэлек­ трической проницаемости и проводимости жидкости бесконтакт­

ным

емкостным методом. Для отыскания путей проникнове­

ния

электромагнитного поля в тонкий приэлектродный слой

4?



жидкости обратимся к некоторым положениям и принципам, ко­ торые используются в практике электронных цепей в целях экра­ нирования электромагнитных полей от попадания их в запретные области. В приборостроении и радиотехнике наиболее рацио­ нальное экранирование электронных цепей — одна из основных задач, возникающих перед конструктором. Обычно под экрани­ рованием понимают локализацию электромагнитной энергии в определенном пространстве. Вообще говоря, рассмотрение про­ цессов проникновения электромагнитной волны сколь-нибудь сложной формы внутрь тела представляв,т сложную картину, ко­

торая упрощается в случае рассмотрения

распространения

пло­

 

 

ских волн и отражения их от плоских

 

 

поверхностей.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В простейшем случае, к которому мо­

 

 

гут быть сведены многие практические за­

 

 

дачи, представим, что все пространство

 

 

разделено

плоскостью

на

две

части

 

 

(рис. III. 1). При этом одна часть прост­

 

 

ранства— вакуум, а другая — заполнена

 

 

средой с параметрами

р,

е, х.

 

Плоскость

Рис. III. 1. Схема разде­

2 = 0 разделяет пространство

 

на две об­

ласти.

В

первой,

где

е = р =

1, х =

0,

ления

пространства, в

2 <С 0,

свойства

среды

не

отличаются

от

котором распространя­

свойств вакуума. Вторая среда имеет зна­

ется

плоская электро­

магнитная волна, на две

чения р и е, отличные от единицы, а х,

 

области.

отличную

_от

нуля.

Здесь

2

> 0.

 

На

 

 

рис. III. 1 Ео и Н0— векторы переменного

однородного синусоидального поля на поверхности раздела (на­ правленные параллельно поверхности раздела), лежащие в пло­ скости Xу. При этом составляющая вектора магнитного поля по 2 Нг — 0. В данном случае комплексные величины векторов Я и Е могут зависеть только от одной координаты 2 . Поэтому урав­ нение напряженности магнитного поля будет иметь вид [32]

д 2

=

-

(Ш. 1)

_ t f

 

Y2#

где

 

 

 

 

V2 = у'шрор (х0 +

/сое0е) = усор0рх„

 

йп — Ко +

/юее0

 

Величину х„ можно рассматривать как некоторую комплекс­

ную проводимость единицы объема.

 

Решая уравнение (III. 1.) получаем

 

Н —Аеуг + Ве~у

(III. 2)

или

 

 

 

 

Нх = Ахе ^ + Вхе~ч-

 

Ну^АуеК + Вуе-ч*

(Ш' 3)


Значит все составляющие векторов Н и Е выражаются через экспоненты с комплексным степенным показателем ± yz:

V= ЮшцоцЛп = Р + /а

(III. 4)

Величина у — постоянная распространения электромагнитной волны. Она определяется фазовой скоростью распространения волны и ее затуханием. Составляющими у являются постоянная затухания (3 и фазовая постоянная а. Величина у зависит не только от свойств среды, но и от частоты электромагнитных ко­ лебаний.

На основании выражения (III. 4) находим: (Р + /а)2 = janonxn

В частном случае проводника с вещественной магнитной про­ ницаемостью, когда в среде нет магнитных потерь, т. е. хо ^

соеое, справедливо уравнение:

(Р + /а)2 =

/шцоЦКо

 

(III. 5)

При условии

а =

Р

 

 

(III. 6)

имеем:

 

 

 

 

 

 

 

Y

=

d

+ /

) ] /

(Ш. 7)

В случае же, когда средой является диэлектрик, справед­

ливы соотношения

 

 

 

 

 

И80е > х 0:

у= — W e = /4 ^ - |Сце

 

 

с

 

Ао

 

 

где с — скорость света,

равная

l/V p .0e0,

X — длина

волны

ввакууме.

Втретьем (идеальном) случае, когда р и е — чисто веще­

ственные величины, магнитных и диэлектрических потерь нет и у — мнимая величина (|3 = 0).

Рассмотрим выражения (III. 2) и (III. 3) в функции от вре­ мени, полагая, что напряженность магнитного поля имеет со­ ставляющую только по оси у. Тогда при z = 0 имеем: Й (0) =

=Н0е&.

Принимая направление по г за положительное, находим:

И (г) = //„<Аге/ф = Н ^ ге>(ф“аг) = Be~yz (III. 8)

В выражении (III. 8) В = Нйе^.

При изменении направления оси (г) на обратное (—г) все приведенные рассуждения можно применить к экспоненте с по­ ложительным показателем:

H(z) = Ae'/z (III. 9)

В общем случае может наблюдаться как прямая, так и об­ ратная волка (отраженная волна). Обе волны будут распро­ страняться с той же фазовой скоростью и с тем же затуханием.

51


Согласно выражению (III. 8), в направлении распростране­ ния волны будет происходить затухание амплитуды. При этом мгновенное значение Я в момент времени / определяется соот­ ношением

Н (z, t) — h — H Qe~^z sin (ф + a t — az) (III. 10)

которое описывает затухающую волну, движущуюся с фазовой скоростью со/а.

На рис. III. 2 представлена картина распространения зату­ хающей волны h в момент време­ ни t = 0.

Изменяя положительное на­ правление на противоположное, соответствующее координате —г, все изложенное выше можно при­ менить к экспоненте (III.9) с по­ ложительным показателем. Это — так называемая встречная волна

втой же среде. Каждая из со­ ставляющих Я выражений (III. 3)

вобщем случае состоит из пря­ мой и встречной волн, распро­ страняющихся с одинаковым за­ туханием.

Отметим, что выражения для напряженности электрического поля Е могут быть записаны в форме, аналогичной выражению (III. 2). Действительно, согласно

выражениям Максвелла, существует непосредственная связь между Е и Я. Из первого уравнения Максвелла с учетом выра­ жения (III.3) следует [32]:

Е х = - ^ ( — А иеУг + в уе~ Уг)

Еу = М А хе '* - В хе-” )

где к — хп.

При условии независимости от частоты величин р и е фазо­

вая постоянная а прямопропорциональна частоте [см. выраже­

ния

(III. 5) — (III. 7)], а фазовая скорость от частоты не зависит.

Для

жидкости это справедливо в квазистационарной области

рис. I. 4 и за дисперсионной областью.

 

ко­

Итак, в хороших проводниках,

какими являются металлы,

эффициент затухания равен: р = |^сор0рх0/2, где

 

 

Р = Hi + /й2 =

I р I е

(III.

11)

pi и р2 — активная и реактивная

составляющие;

бц — угол

по­

терь.

 

 

 

52