Файл: Комов, А. Н. Физические основы микроэлектроники учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 29.10.2024

Просмотров: 86

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

S

eNun' h

1

zun

z (и„ — un')

_ _o£

~ 1

1+ г L1

1

 

(1 + z)

kT

iE

E_

ж }

<v , " 25>

Г

 

где z = Nc'N c ekT

Отсюда следует, что сопротивление будет отрицательным в том случае, если в полупроводнике с соответствующей структурой зоны

проводимости будет

наблюдаться

сильная зависимость

электрон­

ной температуры от поля, то есть

0.

 

Зонной структурой, необходимой для

образования отрицатель­

ного сопротивления,

обладают арсениды

и антимониды

талия и

индия. Зона проводимости у этих материалов имеет самый низкий

минимум при к = 0 и отстоящие от него на несколько десятых элек­

троновольта более высокие минимумы в направлениях

(100) и

(111). Эффективная масса электрона в этих верхних

минимумах

значительно превышает эффективную массу в нижнем

минимуме.

Эффект Ганна открыт в 1963 г., но уже в настоящее

время из

кристаллов GaAs и ІпР разрабатываются СВЧ-генераторы.

 

Максимальная мощность таких генераторов составляет порядка

100 вт в импульсном режиме при рабочей частоте 3 Г гц.

Расчеты

показывают, что на этом эффекте возможна разработка генераторов мощностью 400 кет в импульсе с частотой до 50 Г гц.

В последнее время в литературе появились сообщения о новых типах СВЧ-колебаний в области 1 Г гц в сильных электрических полях в тер'мани л-типа при низких температурах. Совершенно очевидно, что к германию п — типа неприменима рассмотренная выше теория, т. к. зона проводимости германия не обладает тре­ буемой'структурой. Механизм этого эффекта еще не ясен, однако проводимые исследования в этом направлении позволяют расши­ рить область применения полупроводников в СВЧ-электронике.

§ 6. Люминесценция

В самом начале XVI в. занимавшийся алхимией сапожник из Болоньи Винченчио Касчиорола однажды обжигал какие-то камни, которые он нашел в окрестностях своего города. По-видимому, он надеялся таким образом получить драгоценные металлы. Это ему, разумеется, не удалось. Однако его имя вошло в историю науки. Касчиорола обнаружил, что после обжига в печи найденные им камни приобрели удивительные свойства. После освещения на солнцекамни, перенесенные затем в темное помещение, начинали сами светиться. Свечение это продолжалось в течение некоторого времени, а затем постепенно прекращалось. Прошло много лет, прежде чем физики предприняли систематическое изучение свойств и закономерностей свечения.

Выяснилось, что и некоторые полупроводники обладают спо­ собностью люминесцировать, то есть испускать так называемый

102


«холодный» свет. В отличие от температурного свечения испуска­ ние света (в видимой области спектра), не требующее нагревания из­ лучающего тела до соответствующих температур, называется лю­ минесценцией. Люминесценция охватывает собой почти все виды «холодного» свечения, независимо от природы возбуждения этого свечения. Существует несколько видов люминесценции. Холодное свечение возникает под действием бомбардировки люминесцирующего вещества различными 'частицами, например, сс-чаетицами. Этот вид испускания света принято называть радиолюминесценци­ ей. Существует также термолюминесценция, электролюминесцен­ ция. химилюминесценция, катодолюминесценция и др.

Различают еще и другие виды люминесцентного испускания света. К наиболее интересным как с теоретической, так и с практи­ ческой стороны видам люминесценции относятся флуо- и фосфорес­ ценция.

Флуоресценция заключается в том, что некоторые вещества под действием падающего на них света начинают излучать. Излучение быстро исчезает, практически сразу же после того, как прекраща­ ется внешнее световое воздействие. Способностью флуоресциро­ вать обладает полевой шпат (флуорит), раствор сернокислого хи­ нина в воде, кЬросин, ряд сортов масел, цинковая обманка.

Я в л ен и е фосфоресценции заключается в следующем. Если фос­ форесцирующее вещество в течение некоторого времени подвер­ гать воздействию света, а затем прекратить это воздействие, то вещество само начинает светиться. Свечение постепенно затухает, но продолжается оно в течение более или менее длительного пери ода. Время свечения у разных фосфоресцирующих веществ бывает различным, от долей секунды до нескольких месяцев.

И флуоресценция, и фосфоресценция представляют собой ча­ стные случаи люминесценции, вызванной воздействием на люмино­ фор лучистого потока. Поэтому и тот, и другой виды высвечивания получили названия фотолюминесценции.

Среди веществ, которые способны фосфоресцировать и имеют широкие технические применения, главное место занимают полу­ проводниковые соединения с введенными в них специальными при­ месями, называемыми активаторами.

Фосфоресценция люминофоров возникает под действием как ви­ димого, так и невидимого излучения. Это свойство люминофоров имеет большое практическое значение.

Обратимся теперь к рассмотрению механизма возникновения фотолюминесценции.

Как известно, любой тепловой источник излучает, и уносимая фотонами энергия пополняется в результате подведения к нему со­ ответствующего количества тепла. Различны могут быть лишь формы пополнения тепла, но существо явления от этого не меня­ ется.

Таким образом, тепловое, или,, как его называют, температур­ ное излучение—равновесный процесс, То есть в процессе излуче­

103


ния при постоянной температуре излучатель испускает в каждую единицу времени столько лучистой энергии, сколько он получает тепловой.

В отличие от температурного излучения люминесцентное свече­ ние—процесс неравновесный. Это бездоказательное утверждение постараемся достаточно подробно мотивировать несколько позже. Вернемся к пониманию механизма возникновения фотолюминес­ ценции. Когда свет падает на поверхность фотолюминесцирующего вещества и поглощается нм, то это, по существу, означает, нто не­ которые отдельные атомы вещества поглощают небольшие пор­ ции световой энергии и переходят из нормального состояния в воз­ бужденное, которое характеризуется тем, что возбужденный атом приобретает способность излучать. Возбужденное состояние соот­ ветствует неустойчивому равновесию, в этом состоянии атомы не всегда могут находиться длительное время, поэтому с началом ос­ вещения или несколько позже они начинают излучать. Рассмотрим две простейшие энергетические схемы, дающие представление о ха­ рактере фотолюминесцентных процессов, протекающих в полупро­ водниковых люминофорах.

На поверхность флуоресцирующего вещества падает фотон с энергией hx. Он поглощается атомом активатора, в результате че­ го электрон с уровня А переходит в свободную зону П (переход і) (рис. 44), и возникает внутренний фотоэффект.

В процессе своего беспорядочного движения такой электрон мо­ жет встретиться с каким-нибудь другим ионом активатора—произой­ дет рекомбинация (переход 2). При этом будет излучен один фотон флуоресцирующего свечения. Попадая в зону проводимости, такие электроны очень быстро рекомбинируют с ионами активатора и по­ этому так же быстро (за миллионные доли секунды, менее 10~6 сек.) падают на примесные уровни активаторов и излучают свечение оп­ ределенного спектрального состава.

Фосфоресценция полупроводниковых люминофоров обусловле­ на большим количеством электронных переходов и, кроме того, на­ личием, помимо активаторов, еще и таких центров, которые выпол­ няют роль электронных ловушек или, как их иначе называют, цен­ тров захвата.

Ловушки представляют собой незаполненные локальные уровни, располагающиеся вблизи дна зоны проводимости.

Под действием света, . падающего на люминофор, атомы

активатора

возбуждаются: электроны

с примесного уровня

А переходят

в зону П и становятся

свободным,и (рис. 45).

Захватываясь

ловушками, они теряют

способность рекомбини­

ровать с ионами активатора. Освобождение из ловушки требует за­ траты энергии, равной £ л' Эту энергию электроны могут получить от колебаний решетки (фононов). Время пребывания электронов

£г

в ловушках т пропорционально . ект\ при значительной Ел это вре-

104


мя т может быть достаточно большим. Освобожденный из ловуш­ ки электрон попадает в зону проводимости и блуждает по кристал­ лу до тех пор, пока снова не будет захвачен ловушкой или не ре­ комбинирует с ионами активатора. В последнем случае возникает квант люминесцентного излучения.

Изучая закономерности фруоресценции, английский физик Дж,

Стокс открыл закон, который гласит, что длины волн света, испус­ каемого флуоресцирующим веществом, равны или чаще всего больше длин волн света, падающего на вещество.

Действительно, фотон с энергией W = hx=

he

— поглощается мо­

лекулой 'люминесцирующего вещества, в результате чего молекула возбуждается, и соответствующий электрон, входящий в состав дан­ ной молекулы, переходит на более высокий энергетический уровень.

При рекомбинации молекула излучает один фотон энергии №0 = Очевидно, что на основании закона сохранения и превращения

энергии Wo не может быть больше VZ. Энергия

Wo или равна, или

в большинстве случаев меньше W;

 

h

 

he

,

или

следовательно,-г-2- ■<

А

/- -С />0-

 

 

 

 

 

 

когда

каж­

Закон Вавилова. Рассмотрим простейший случай,

дый фотон падающего света so= hv0 вызывает появление

фотона

люминесценции е = /іѵ (квантовый

выход равен

единице).

Тогда

энергетический выход люминесценции равен, очевидно, отношению

энергий фотонов:

-/]=— или г, = — - = ~Д-.

Отсюда следует, что

энергетический (выход люминесценции должен

расти оропорцио-

нально длине е о л н ы

возбуждающего света Ао. Когда Ао достигнет та­

кой 'величины, при которой энергия падающих квантов оказывает-: ся недостаточной для возбуждения люминесценции, то энергети­ ческий 'ВЫХОД Г] =0. '• '

105.


 

 

 

 

Л И Т Е Р А Т У Р А

 

 

1.

Г.

Еп ифа н о в . «Физика твердого тела», изд-во «Высшая школа»,

1965.

2.

Ю.

Ш а л а б у т о в.

«Введение в физику полупроводников»,

изд-во

«Нау­

ка», Л., 1969.

 

«Полупроводники»,

изд-во «Наука», 1967.

 

 

3.

М. С о м и н с к и й.

изд-во

«Нау­

4.

Б.

Ас керов .

«Кинетические эффекты» в полупроводниках,

ка», 1970 г.

«Введение в физику твердого тела», изд-во Ф.

М. Л.,

1962.

5.

Ч.

Киттель.

6.

Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроникн, изд-во «Мир»,

1968.

7.

Р. С м и т. «Полупроводники», изд-во иностран. лит., 1962.

 

 

8.

А.

Г о р о д е ц к и й , А. Кр а вче нко .

«Полупроводниковые приборы»,

изд-во «Высшая школа», 1967.

микроэлектроники», изд-во «Совет­

9.

Г.

Е п и ф а н о в.' «Физические основы

ское радио», 1971.

 

 

 

 

 

Глава VII. ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ

ИМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ

§1. Эффект Холла и магнитное свойство твердых тел

Полупроводниковые материалы в настоящее время нашли широ­ кое практическое применение в виде датчиков гальваномапштных эффектов. Гальваномагнитные эффекты возникают при одновремен­ ном воздействии на вещество электрического и магнитного полей. К ним относятся такие эффекты, как магниторезистивный, Холла, эффект Эттингсгаузена и др.

Эффект Холла находит широкое применение в различных отра­ слях народного хозяйства (вычислительной и измерительной тех­ нике, радио- и электротехнике и др.) и широко используется при научных исследованиях.

Сущность эффекта Холла состоит в следующем. Если провод­ ник с током поместить в поперечное магнитное поле, то в провод­ нике возбуждается электродвижущая сила, направленная под прямым углом к направлению магнитного поля и тока. (Рис. 46).

Возникшая ЭДС пропорциональна произведению величин тока и магнитного потока:

Vx = -^ -R J B ,

 

(VII — 1)

где Ѵх— ЭДС Холла,

 

 

1— ток через образец,

 

 

В — магнитная индукция,

 

вещества,

Rx — постоянная Холла, определяемая свойствами

t — размер образца в направлении магнитного поля.

 

L3

(q — электрический

Постоянная Холла имеет размерность —

заряд) и в СИ измеряется в м3/кул. Можно Rx выразить в см3/кул, если при этом / измеряется в амперах, Ѵх—в вольтах, В—в гаус­ сах, t — в см, тогда в правой части соотношения (VII—1) вводится переводной множитель ІО-8.

106