Файл: Комов, А. Н. Физические основы микроэлектроники учеб. пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 29.10.2024
Просмотров: 86
Скачиваний: 0
S |
eNun' h |
1 |
zun |
z (и„ — un') |
_ _o£ |
~ 1 |
1+ г L1 |
1 |
|
(1 + z) |
kT |
iE
E_ |
ж } |
<v , " 25> |
Г |
||
|
где z = Nc'N c ekT
Отсюда следует, что сопротивление будет отрицательным в том случае, если в полупроводнике с соответствующей структурой зоны
проводимости будет |
наблюдаться |
сильная зависимость |
электрон |
|
ной температуры от поля, то есть |
0. |
|
||
Зонной структурой, необходимой для |
образования отрицатель |
|||
ного сопротивления, |
обладают арсениды |
и антимониды |
талия и |
индия. Зона проводимости у этих материалов имеет самый низкий
минимум при к = 0 и отстоящие от него на несколько десятых элек |
||
троновольта более высокие минимумы в направлениях |
(100) и |
|
(111). Эффективная масса электрона в этих верхних |
минимумах |
|
значительно превышает эффективную массу в нижнем |
минимуме. |
|
Эффект Ганна открыт в 1963 г., но уже в настоящее |
время из |
|
кристаллов GaAs и ІпР разрабатываются СВЧ-генераторы. |
|
|
Максимальная мощность таких генераторов составляет порядка |
||
100 вт в импульсном режиме при рабочей частоте 3 Г гц. |
Расчеты |
показывают, что на этом эффекте возможна разработка генераторов мощностью 400 кет в импульсе с частотой до 50 Г гц.
В последнее время в литературе появились сообщения о новых типах СВЧ-колебаний в области 1 Г гц в сильных электрических полях в тер'мани л-типа при низких температурах. Совершенно очевидно, что к германию п — типа неприменима рассмотренная выше теория, т. к. зона проводимости германия не обладает тре буемой'структурой. Механизм этого эффекта еще не ясен, однако проводимые исследования в этом направлении позволяют расши рить область применения полупроводников в СВЧ-электронике.
§ 6. Люминесценция
В самом начале XVI в. занимавшийся алхимией сапожник из Болоньи Винченчио Касчиорола однажды обжигал какие-то камни, которые он нашел в окрестностях своего города. По-видимому, он надеялся таким образом получить драгоценные металлы. Это ему, разумеется, не удалось. Однако его имя вошло в историю науки. Касчиорола обнаружил, что после обжига в печи найденные им камни приобрели удивительные свойства. После освещения на солнцекамни, перенесенные затем в темное помещение, начинали сами светиться. Свечение это продолжалось в течение некоторого времени, а затем постепенно прекращалось. Прошло много лет, прежде чем физики предприняли систематическое изучение свойств и закономерностей свечения.
Выяснилось, что и некоторые полупроводники обладают спо собностью люминесцировать, то есть испускать так называемый
102
«холодный» свет. В отличие от температурного свечения испуска ние света (в видимой области спектра), не требующее нагревания из лучающего тела до соответствующих температур, называется лю минесценцией. Люминесценция охватывает собой почти все виды «холодного» свечения, независимо от природы возбуждения этого свечения. Существует несколько видов люминесценции. Холодное свечение возникает под действием бомбардировки люминесцирующего вещества различными 'частицами, например, сс-чаетицами. Этот вид испускания света принято называть радиолюминесценци ей. Существует также термолюминесценция, электролюминесцен ция. химилюминесценция, катодолюминесценция и др.
Различают еще и другие виды люминесцентного испускания света. К наиболее интересным как с теоретической, так и с практи ческой стороны видам люминесценции относятся флуо- и фосфорес ценция.
Флуоресценция заключается в том, что некоторые вещества под действием падающего на них света начинают излучать. Излучение быстро исчезает, практически сразу же после того, как прекраща ется внешнее световое воздействие. Способностью флуоресциро вать обладает полевой шпат (флуорит), раствор сернокислого хи нина в воде, кЬросин, ряд сортов масел, цинковая обманка.
Я в л ен и е фосфоресценции заключается в следующем. Если фос форесцирующее вещество в течение некоторого времени подвер гать воздействию света, а затем прекратить это воздействие, то вещество само начинает светиться. Свечение постепенно затухает, но продолжается оно в течение более или менее длительного пери ода. Время свечения у разных фосфоресцирующих веществ бывает различным, от долей секунды до нескольких месяцев.
И флуоресценция, и фосфоресценция представляют собой ча стные случаи люминесценции, вызванной воздействием на люмино фор лучистого потока. Поэтому и тот, и другой виды высвечивания получили названия фотолюминесценции.
Среди веществ, которые способны фосфоресцировать и имеют широкие технические применения, главное место занимают полу проводниковые соединения с введенными в них специальными при месями, называемыми активаторами.
Фосфоресценция люминофоров возникает под действием как ви димого, так и невидимого излучения. Это свойство люминофоров имеет большое практическое значение.
Обратимся теперь к рассмотрению механизма возникновения фотолюминесценции.
Как известно, любой тепловой источник излучает, и уносимая фотонами энергия пополняется в результате подведения к нему со ответствующего количества тепла. Различны могут быть лишь формы пополнения тепла, но существо явления от этого не меня ется.
Таким образом, тепловое, или,, как его называют, температур ное излучение—равновесный процесс, То есть в процессе излуче
103
ния при постоянной температуре излучатель испускает в каждую единицу времени столько лучистой энергии, сколько он получает тепловой.
В отличие от температурного излучения люминесцентное свече ние—процесс неравновесный. Это бездоказательное утверждение постараемся достаточно подробно мотивировать несколько позже. Вернемся к пониманию механизма возникновения фотолюминес ценции. Когда свет падает на поверхность фотолюминесцирующего вещества и поглощается нм, то это, по существу, означает, нто не которые отдельные атомы вещества поглощают небольшие пор ции световой энергии и переходят из нормального состояния в воз бужденное, которое характеризуется тем, что возбужденный атом приобретает способность излучать. Возбужденное состояние соот ветствует неустойчивому равновесию, в этом состоянии атомы не всегда могут находиться длительное время, поэтому с началом ос вещения или несколько позже они начинают излучать. Рассмотрим две простейшие энергетические схемы, дающие представление о ха рактере фотолюминесцентных процессов, протекающих в полупро водниковых люминофорах.
На поверхность флуоресцирующего вещества падает фотон с энергией hx. Он поглощается атомом активатора, в результате че го электрон с уровня А переходит в свободную зону П (переход і) (рис. 44), и возникает внутренний фотоэффект.
В процессе своего беспорядочного движения такой электрон мо жет встретиться с каким-нибудь другим ионом активатора—произой дет рекомбинация (переход 2). При этом будет излучен один фотон флуоресцирующего свечения. Попадая в зону проводимости, такие электроны очень быстро рекомбинируют с ионами активатора и по этому так же быстро (за миллионные доли секунды, менее 10~6 сек.) падают на примесные уровни активаторов и излучают свечение оп ределенного спектрального состава.
Фосфоресценция полупроводниковых люминофоров обусловле на большим количеством электронных переходов и, кроме того, на личием, помимо активаторов, еще и таких центров, которые выпол няют роль электронных ловушек или, как их иначе называют, цен тров захвата.
Ловушки представляют собой незаполненные локальные уровни, располагающиеся вблизи дна зоны проводимости.
Под действием света, . падающего на люминофор, атомы
активатора |
возбуждаются: электроны |
с примесного уровня |
А переходят |
в зону П и становятся |
свободным,и (рис. 45). |
Захватываясь |
ловушками, они теряют |
способность рекомбини |
ровать с ионами активатора. Освобождение из ловушки требует за траты энергии, равной £ л' Эту энергию электроны могут получить от колебаний решетки (фононов). Время пребывания электронов
£г
в ловушках т пропорционально . ект\ при значительной Ел это вре-
104
мя т может быть достаточно большим. Освобожденный из ловуш ки электрон попадает в зону проводимости и блуждает по кристал лу до тех пор, пока снова не будет захвачен ловушкой или не ре комбинирует с ионами активатора. В последнем случае возникает квант люминесцентного излучения.
Изучая закономерности фруоресценции, английский физик Дж,
Стокс открыл закон, который гласит, что длины волн света, испус каемого флуоресцирующим веществом, равны или чаще всего больше длин волн света, падающего на вещество.
Действительно, фотон с энергией W = hx= |
he |
— поглощается мо |
лекулой 'люминесцирующего вещества, в результате чего молекула возбуждается, и соответствующий электрон, входящий в состав дан ной молекулы, переходит на более высокий энергетический уровень.
При рекомбинации молекула излучает один фотон энергии №0 = Очевидно, что на основании закона сохранения и превращения
энергии Wo не может быть больше VZ. Энергия |
Wo или равна, или |
|||||
в большинстве случаев меньше W; |
|
h |
|
he |
, |
или |
следовательно,-г-2- ■< |
А |
|||||
/- -С />0- |
|
/О |
|
|
|
|
|
|
когда |
каж |
|||
Закон Вавилова. Рассмотрим простейший случай, |
||||||
дый фотон падающего света so= hv0 вызывает появление |
фотона |
|||||
люминесценции е = /іѵ (квантовый |
выход равен |
единице). |
Тогда |
энергетический выход люминесценции равен, очевидно, отношению
энергий фотонов: |
-/]=— или г, = — - = ~Д-. |
Отсюда следует, что |
энергетический (выход люминесценции должен |
расти оропорцио- |
|
нально длине е о л н ы |
возбуждающего света Ао. Когда Ао достигнет та |
кой 'величины, при которой энергия падающих квантов оказывает-: ся недостаточной для возбуждения люминесценции, то энергети ческий 'ВЫХОД Г] =0. '• '
105.
|
|
|
|
Л И Т Е Р А Т У Р А |
|
|
|
1. |
Г. |
Еп ифа н о в . «Физика твердого тела», изд-во «Высшая школа», |
1965. |
||||
2. |
Ю. |
Ш а л а б у т о в. |
«Введение в физику полупроводников», |
изд-во |
«Нау |
||
ка», Л., 1969. |
|
«Полупроводники», |
изд-во «Наука», 1967. |
|
|
||
3. |
М. С о м и н с к и й. |
изд-во |
«Нау |
||||
4. |
Б. |
Ас керов . |
«Кинетические эффекты» в полупроводниках, |
||||
ка», 1970 г. |
«Введение в физику твердого тела», изд-во Ф. |
М. Л., |
1962. |
||||
5. |
Ч. |
Киттель. |
|||||
6. |
Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроникн, изд-во «Мир», |
1968. |
|||||
7. |
Р. С м и т. «Полупроводники», изд-во иностран. лит., 1962. |
|
|
||||
8. |
А. |
Г о р о д е ц к и й , А. Кр а вче нко . |
«Полупроводниковые приборы», |
||||
изд-во «Высшая школа», 1967. |
микроэлектроники», изд-во «Совет |
||||||
9. |
Г. |
Е п и ф а н о в.' «Физические основы |
|||||
ское радио», 1971. |
|
|
|
|
|
Глава VII. ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ
ИМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ
§1. Эффект Холла и магнитное свойство твердых тел
Полупроводниковые материалы в настоящее время нашли широ кое практическое применение в виде датчиков гальваномапштных эффектов. Гальваномагнитные эффекты возникают при одновремен ном воздействии на вещество электрического и магнитного полей. К ним относятся такие эффекты, как магниторезистивный, Холла, эффект Эттингсгаузена и др.
Эффект Холла находит широкое применение в различных отра слях народного хозяйства (вычислительной и измерительной тех нике, радио- и электротехнике и др.) и широко используется при научных исследованиях.
Сущность эффекта Холла состоит в следующем. Если провод ник с током поместить в поперечное магнитное поле, то в провод нике возбуждается электродвижущая сила, направленная под прямым углом к направлению магнитного поля и тока. (Рис. 46).
Возникшая ЭДС пропорциональна произведению величин тока и магнитного потока:
Vx = -^ -R J B , |
|
(VII — 1) |
где Ѵх— ЭДС Холла, |
|
|
1— ток через образец, |
|
|
В — магнитная индукция, |
|
вещества, |
Rx — постоянная Холла, определяемая свойствами |
||
t — размер образца в направлении магнитного поля. |
|
|
L3 |
(q — электрический |
|
Постоянная Холла имеет размерность — |
заряд) и в СИ измеряется в м3/кул. Можно Rx выразить в см3/кул, если при этом / измеряется в амперах, Ѵх—в вольтах, В—в гаус сах, t — в см, тогда в правой части соотношения (VII—1) вводится переводной множитель ІО-8.
106