Файл: Логинов, И. Л. Инженерно-технические мероприятия, повышающие устойчивость электротехнического и радиоэлектронного оборудования к поражающим факторам ядерного взрыва учебное пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 01.11.2024

Просмотров: 56

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

 

 

Поток

Мощность

Продолжение табл. 11

Наименование

дозы

Характер изменения

Ф,

 

 

P1,

нейтронов

гамма-излу­

параметров

 

 

 

н/см2

чения

 

Усилитель на электрон­

 

1015

А/кг

 

 

 

Относительная величина

ных лампах

 

 

 

выходного напряжения

Триггер

на транзисторах

 

101«

 

не уменьшается

 

 

Срабатывает

302 и

2N35

 

1015

 

Не

срабатывает

Триггер

на электронных

 

 

лампах

Укажем предельные дозы поглощения, приводящие при­ боры к выходу из строя:

Низкочастотные транзисторы .

. 5-Ю4

Дж/кг;»

Полупроводниковые диоды . .

IO5

»

î

Высокочастотные транзисторы .

IO6

,,

 

»

»

Высокочастотные диоды . . .

IO7

>>

>

Туннельные диоды...........................

. 5∙ IO7

 

 

Табличные данные показывают, что наиболее радиацион­

но-стойкими являются низкоомные

резисторы,

конденсаторы

с неорганическим диэлектриком,

электронные

приборы на

электронных лампах.

В табл. 12 приведены данные, при которых начинаются

обратимые изменения в приборах, а также данные, при кото­

рых приборы выходят из строя при действии импульсного

гамма-излучения [4].

Таблица 12

Наименование

Необратимые изменения, при которых элементы

могут

работать, возни­

 

 

 

кают

при

 

Ф,

при дозах

потоках

D,гамма-

нейтронов

 

н/см2

 

излучения

 

Кл/кг

дозыпримощностимыхизмененийНачалообрати­

отокПнейтронов, изстрояприборыприкотором, Фвыходят, н/см2

кгАP/t

 

Германиевые и кремниевые

низкочастотные

транзи­

___

25,8

1013

сторы

1011—10«

43


Продолжение

Необратимые изменения,

 

 

 

,

обратиНачало

изменениймых

Адозы,Рпримощности/кг

нейтроновПоток

нейтронов

 

D,гамма-

при которых элементы

­

 

 

 

могут работать,

 

 

 

 

Наименование

возникают

 

 

 

 

при

 

Ф,

при дозах

 

 

 

 

потоках

излучения

 

 

 

 

 

н/см2

 

 

 

 

 

 

 

Кл/кг

 

 

 

 

Германиевые и кремниевые

табл. 12

при котором при­ боры выходят из строя, Ф , н/см2

высокочастотные

транзи­

 

25,8

6-1015

сторы

1013—6-1015

 

Германиевые низкочастот­

 

 

 

ные детекторы и выпря­

 

25,8

5-1013

мительные диоды

8∙10ii-5∙10i3

 

Конденсаторы

IOi4

2,58-Юз-

25,8

Фотоэлементы

 

-2,58-105

0,26

 

 

258

—.

Радиолампы

3-1015

2,58-Юз

Резисторы

1013-1017

258

258

1017

Материалы по радиационной стойкости делят на 5 групп

[9]. Подразделение их по группам и максимально-допустимые

потоки

нейтронов .и

доз

гамма-излучения

приведены

в табл. 13 [7].

 

 

 

Таблица 13

Вид материалов

Допустимый поток

Допустимые дозы

гамма-излучения,

 

 

 

нейтронов, н/м2

 

Кл/кг

 

Материалы с очень низкой радиационной стойкостью

Кремний-органическое масло

 

7∙10iτ-3.1018

 

258

Органическое стекло

 

IOis

 

25,8

 

Материалы с низкой радиационной стойкостью

Ацетат-целлюлоза (бумага)

 

lθɪs

1,29-103-10,6-Юз

Фенольные смолы (без напол­

7-lθɪa

 

2,58-103

нителя)

 

 

 

■Фенольные

Материалы со средней радиационной стойкостью

смолы с органиче­

1030

 

2,58-IO4

ским наполнителем

 

1020

 

Стеклоткань

 

 

 

2,58-IO4

44


 

 

Продолжение табл. 13

Вид материалов

Допустимый поток

Допустимые дозы

 

гамма-излучения,

 

нейтронов, н/ма

 

Кл/кг

Материалы с высокой радиационной стойкостью

Стекло

1021—1022

ч

7,74-105

Слюда

1032

2,58-106

Полистирол

1022—1023

 

10,3-105

Материалы с очень высокой радиационной стойкостью

Кварц

1023

 

2.5810°

Керамика

102*

 

2.58IO8

Металлы

1024-1025

 

2,58-IO8

§12. Использование специальных схем, компенсирующих

иотводящих дополнительные токи и схем, менее критичных к появлению их

Посредством применения специальных схем, которые обес­ печивают компенсацию и отвод дополнительных токов или

меньшую критичность к появлению таких токов, можно по­

высить устойчивость работы электротехнического и радио­ электронного оборудования. Под специальной схемой пони­

мается схема, в которую введены дополнительные элементы,

выполняющие задачу компенсации или отвода дополнитель­

ных токов, или схема, действие которой мало зависит от изменения параметров элементов, входящих в нее. Обычно

в таких схемах большинство элементов являются радиацион­ но-стойкими и только единицы из них чувствительны к воз­

действию

проникающей

радиации.

Среди них

могут быть

разные

элементы, в том

числе

конденсаторы,

.резисторы,

транзисторы,

индуктивности

и

др.

Подробное

рассмотре­

ние каждого

случая является

задачей профилирующих ка­

федр. Здесь ограничимся лишь случаем применения нерадиа-

ционно-стойкого конденсатора Ci в одноблочном радиацион­ но-стойком усилителе (рис. 15). При облучении усилителя

проникающая радиация вызывает изменение напряжения на

■обкладках конденсатора и увеличение тока утечки за счет ионизации диэлектрика и появления свободных носителей за­ ряда. После прекращения облучения исчезновение наведен­

ного тока несколько задерживается, чем вызывается допол­

нительных разряд конденсатора Cb Это приводит к искаже-

45


нию усиливаемого сигнала. Для того чтобы исключить это

искажение или максимально возможно уменьшить его, канд.

техн, наук Бескед П. П. предложил ввести дополнительную ячейку, состоящую из конденсатора C2 и сопротивления ⅛2-

Cf

∕plL-

&

Рис. 15. Усилитель с ячейкой компенсации

Эта ячейка, позволяет изменение напряжения, возникающее

под действием проникающей радиации на обкладках конден­

сатора C1 и подаваемое в точку А, компенсировать этим же

изменением напряжения, но поданным в точку А через кон­

денсатор C2 и сопротивление R2 с обратным знаком. Действи­ тельно, пусть под действием излучения емкость конденсато­

ра C1 уменьшилась, тогда емкостное сопротивление Xc =

увеличится. Увеличение Xc приводит к уменьшению напря­ жения база—эмиттер:

Чтобы этого не происходило через ячейку обратной связи,

в точку А подается изменение напряжения Uoc с обратным знаком. Так что Дбэ = Um—Ucc. Так удается снизить влия­

ние проникающей радиации. Другой путь снижения влияния

нейтронного и гамма-излучения заключается в применении

схем менее критичных к изменению параметров элементов,

входящих в состав схемы. Примером такой схемы может слу­ жить схема мультивибратора, (рис. 16). Мультивибраторы та­

46

кого рода широко применяются как генераторы прямоуголь­

ных импульсов. При включении питания он самовозбуждает­

ся, происходит быстрое запирание одного и отпускание дру­

гого транзистора, т. е. «опрокидывание» схемы. После каж­ дого опрокидывания в схеме устанавливается квазиустойчи­

вое состояние равновесия, в течение которого происходит

разряд одного и заряд другого конденсатора.

Положим, что после очередного

 

опрокидывания

 

транзи­

стор

T1

оказался

 

закрытым,

а

транзистор

 

T2—

открытым.

Тогда конденсатор C2, заряженный в предыдущем цикле ра­

боты, разряжается по цепи:

 

 

(T2)

-C2-

 

 

 

 

 

 

Uκ.

корпус — эмиттер—коллектор

 

 

Re7?1 б, —,(—)

тока

Падение напряжения наTсопротивлении1

 

 

за

счет

разрядки C2

превышает величину

Uκ,

поэтому

на базе

T1

по­

тенциал

положительный и

заперт.

Конденсатор

eɪ в это

время заряжается по цепи:

(T2)

— C1

— RK¡ — (—) Uκ.

 

 

 

 

корпус — эмиттер—база

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В процессе разрядки конденсатора C2 напряжение на ба­

зе транзистора

 

T1

 

уменьшается.

 

Когда оно упадет до

 

нуля,

транзистор

T1

начнет отпираться,

и

напряжение

на.

его

 

кол­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C1

 

 

 

 

 

 

T21

 

 

 

лекторе

станет

 

возрастать.

Это

возрастание

напряжения че­

рез конденсатор

 

 

передается на базу транзистора

 

 

 

кото­

рый начнет запираться, а напряжение на коллекторе

 

 

 

нач­

нет уменьшаться.

Уменьшение напряжения через C2

 

переда­

47


ется на базу T1, что содействует его отпиранию. Таким обра­

зом, происходит лавинообразный процесс опрокидывания’

схемы, в результате которого ранее открытый транзистор T2r

запирается, а закрытый T1 — открывается.

Допустим, напряжение на обкладках конденсатора C2 под

действием проникающей радиации упало, тогда разряд кон­

денсатора C2 займет меньше времени, что приведет к преж­

девременному открытию транзистора T1. При уменьшении на­

пряжения на обкладках конденсатора C1 произойдет прежде­

временное открытие транзистора T2. Если восстановление на­ пряжений на конденсаторах не успеет произойти, то транзи­

сторы

T1

и

T2

закроются несколько раньше. Таким образом,

в работе

 

мультивибратора произойдет сдвиг по времени.

Если же напряжения на конденсаторах успеют восстановить­ ся, то влияние проникающей радиации выразится в измене­

нии формы и продолжительности выдаваемых импульсов. Однако мультивибратор не остановится, он будет продол­

жать работать.

§ 13. Заполнение изоляционными материалами воздушных промежутков схем с радиодеталями

Воздух, как изолятор, относится к числу наихудших [8J

в условиях действия проникающей радиации. Поэтому токи утечки по воздуху в ряде случаев могут превышать токи утеч­

ки по твердым диэлектрикам в несколько раз, а иногда на

несколько порядков. Между тем в схемах с радиодеталями

количество воздушных промежутков, как правило, очень

большое, и это обстоятельство усложняет применение подоб­

ного оборудования в условиях действия ионизирующих излу­ чений. Можно привести целый ряд примеров, связанных с по­

терями за, счет воздушных промежутков. Так, ток утечки вы­ сокоомного резистора определяется величиной сопротивления

защитного покрытия и воздуха. В условиях действия прони­ кающей радиации величиной сопротивления ионизированного

воздуха практически можно пренебречь, что ведет к значи­ тельному увеличению тока утечки, а следовательно, и к боль­ шим потерям за счет них.

Влияние окружающего воздуха на конденсаторы проявля­

ется в виде дополнительной шунтирующей проводимости, определяющей дополнительные потери в условиях ионизации

воздуха. Слабые диэлектрические свойства воздуха в усло­

виях ионизации вызывают необходимость предпринимать ряд мероприятий для уменьшения влияния воздушных промежут-

48