ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 10.04.2024
Просмотров: 118
Скачиваний: 2
Г л а в а 2
ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ
ИФОТОПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
2.1.ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКАЯ ПРИРОДА ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
ЦИНКСУЛЬФИДНОИ ГРУППЫ
К полупроводниковым материалам на основе хими ческих соединений элементов второй и шестой групп пе риодической системы, имеющим большое значение для прикладной электролюминесценции, относятся не только люминофоры цинксульфидной группы, но также и фото проводники из сульфида или селенида кадмия.
Идея о локализации излучения в особых центрах в кристалле возникла на основе того опытного факта, что для получения хорошо люминесцирующих материа лов необходимо добавление в основное вещество специ альных элементов—активаторов. В зонных моделях, ус пешно объясняющих основные люминесцентные свойства кристаллофосфоров, центр свечения условно обозначает ся либо единственным локальным уровнем в запрещен ной зоне, либо несколькими локальными уровнями, ха рактеризующими нормальное и возбужденное состояния центра. Физико-химическая природа центра свечения в зонной схеме никак не отражается. .
Развитие способов приготовления кристаллофосфоров имеет значительно более длительную историю, чем раз витие физических представлений о механизме люминес ценции кристаллов. Тем не менее, до сих пор химии Люминофоров как Стройной науки фактически не суще ствует и приготовление люминофоров базируется в ос новном на огромном эмпирическом материале, накоплен ном за многие годы.
Процесс получения поликристаллических люминофо ров при высокой температуре относится к химическим
52
реакциям, протекающим в твердом состоянии. Возмож ность протекания таких реакций обусловлена наличием некоторого «беспорядка» в кристаллической решетке твердого вещества ![1]. Беспорядок создается в кристал лах нагреванием, приводящим к образованию равновес ных тепловых дефектов типа незаполненных узлов решетки и междоузельных атомов. В результате возник новения этих дефектов становится возможным переме щение атомов или ионов внутри кристалла. Объемная диффузия в твердом теле требует некоторой энергии активации и, как установлено, становится заметной только при приближении к таммановской температуре 7’т= 0,52 Гпд, где Тал — температура плавления данного вещества, К. Химические реакции в твердой фазе, свя занные с диффузией в объеме кристалла,- протекают при температурах, больших Гт.
Все полезные свойства многоатомных полупровод ников, к которым относятся и цинксульфидные люмино форы, связаны с внедрением в основное вещество не больших количеств посторонних атомов или ионов. При этом сохраняется кристаллическая структура основного вещества, но оно перестает быть стехиометрическим хи мическим соединением. Примесные системы представ ляют собой твердые растворы внедрения (посторонние атомы или ионы в междоузлиях) или замещения (по сторонние частицы замещают соответствующие части цы основного вещества в узлах кристаллической ре шетки) .
Наиболее распространенная точка зрения на харак тер внедрения активирующей .примеси в сульфид цинка
,основана на принципе компенсации зарядов, применяе мом для многих типов многоатомных полупроводниковых
материалов, Неорганические кристаллы, используемые в качестве основы люминофоров, построены из ионов. Примеси внедряются в такие кристаллы также в виде ионов, причем активирующее их действие определяется валентностью этих ионов. Согласно принципу компенса ции зарядов внедрение ионов, валентность которых от личается от валентности соответствующих ионов основ ного вещества, должно сопровождаться такими измене ниями в строении решетки, которые компенсировали бы
образовавшийся избыточный заряд, так |
как кристалл |
в целом должен остаться нейтральным. |
|
Так, при внедрении ионов одного вида, |
отличающих; |
53
ся по валентности от соответствующих ионов кристалла, в решетке должны образоваться вакантные узлы. На пример,
(1—2x) ZnS + xAg2S— *Zn(i-2 x)Ag2 x(Fs),:S
или
(1—2л:)ZnS + xZnCl2— ^Zn(i_x)( Fzn) xS(i_2x)Cl2.x,
где Fs и Fzn — вакантные узлы в решетках серы или цинка соответственно.
Образование вакантных узлов связано с большими энергиями активации. Поэтому примесь ионов одного сорта внедряется в очень небольших концентрациях, не достаточных для образования хороших люминофоров. Растворимость примесей можно значительно увеличить, если одновременно вводить в кристалл как ионы, тре бующие образования вакансий катионов, так и ионы, требующие образования вакансий анионов. Например:
(1—3/2х) ZnS + l/2xZnC\2 + V2 xAg2S— >-
—>-(1 —x)ZnS + xAgCl— ^Zn(i_A.)AgxS(i_X)Cla.
Вэтом случае недостаток положительного заряда, обра зующийся в кристалле при замещении иона Zn2+ ионом Ag+, компенсируется недостатком отрицательного заря да, связанным с замещением иона S2ионом СП. Таким образом, известное из опыта полезное действие галоид ных соединений при синтезе цинксульфидных люмино форов объясняется не только их ролью в качестве плав ней (ускорение процесса кристаллизации сульфида цин ка), но также и облегчением внедрения одновалентных активирующих добавок. Примеси, облегчающие внедре ние активаторов при синтезе люминофоров, были назва ны соактиваторами. Для сульфида цинка соактиватора- Ми могут' служить и одновалентные анионы, и трехва лентные катионы. Например:
(1—4л;),ZnS + л ^ 25+лА.1253— vZn(1—4x)Ag2xAl2xS.
Здесь на каждый недостающий положительный (т. е. от рицательный) заряд, созданный замещением Zn2+ на Ag+, образуется избыточный положительный заряд при
54
замещении Z n 2+ на А13+. Соактивация алюминием не со провождается минерализующим действием, и поэтому синтез люминофоров приходится вести при повышенных температурах.
Одновалентными активирующими примесями в суль фиде цинка могут быть серебро, золото и медь. Для внедрения этих активаторов необходимы, следовательно,
соактиваторы. Соактивирующие примеси |
образуют |
в сульфиде цинка центры, обладающие по |
отношению |
к кристаллу эффективным положительным зарядом, рав ным е, и способные поэтому захватывать свободные элек троны. Именно такие центры и являются «уровнями при липания», или электронными ловушками, определяющи ми инерционность свечения в цинксульфидных люмино форах.
Активирующие и соактивирующие ионы могут обра зовывать в кристалле пары в результате взаимного при тяжения [2]. Однако высокая температура, используемая при синтезе люминофоров, ослабляет связь между иона ми и способствует -независимому распределению их по объему кристалла. Последующее охлаждение «замора живает» расположение ионов активатора и соактиватора в решетке.
Таким образом, компенсирующие ионы не являются неотъемлемой частью центров свечения. Эксперимен тально это подтверждается тем, что положение основно го уровня, создаваемого данным активатором, не зави сит от природы соактивирующих ионов.
Несмотря на то, что одновалентные активирующие добавки Ag+, Au+, Cu+ различны по своим свойствам, полосы люминесценции, создаваемые ими в ZnS, разли чаются меньше, чем можно ожидать. Этот факт при вел -к заключению, что при активации одновалентными катионами важно не их различие по физическим свойст вам, а их сходство по величине заряда. Все они в суль фиде цинка образуют центры, имеющие одноотрицатель ный эффективный заряд по отношению к нормальной решетке. Поле этого заряда повышает энергию электро нов в соседних ионах серы, и вблизи потолка валентной зоны образуются локальные уровни, в нормальном со стояний занятые электронами. Следовательно, однова лентные ионы создают косвенную активацию кристалла сульфида цинка, т. е. люминесцентные переходы элек тронов осуществляются в системе уровней энергии са-
55
Мой кристаллической решетки, возМуЩешШх Введенным ионом, а не на уровнях, принадлежащих атому введен ного активатора.
Приведенные соображения об уровнях косвенной активации справедливы и по отношению к уровням при липания, возникающим в результате возмущающего дей ствия соактивирующих ионов.
Введение в решетку сульфида цинка двухвалентных примесных ионов не связано с необходимостью компен сации заряда. В этом случае могут наблюдаться два эффекта: а) возникновение возможности излучательных переходов на уровнях постороннего иона и б) изменение положения электронных уровней в кристалле основного вещества. Последний эффект может оказаться сущест венным, поскольку концентрации двухвалентных заме щающих ионов значительно больше концентраций одно валентных активаторов. Например, при замещении цин ка на кадмий зона проводимости сближается,с валент ной зоной и полосы излучения, образуемые различными активаторами, сдвигаются в длинноволновую сторону спектра. Введение магния, наоборот, приводит к сжатию решетки и к сдвигу полос излучения в коротковолновую сторону спектра.
Двухвалентные ионы Mn2+, Fe^', Со2+, Ni2+, Си2+ об разуют в сульфиде цинка полосы поглощения, связанные с переходами электронов на уровнях самих ионов. Од нако излучательные переходы возможны только в ионах Mn2+, Fe2+ и Си2+. Ионы Со2+ и Ni2+ являются типичны ми гасителями или «ядами» люминесценции сульфида цинка.
Замещение иона S2ионом Se2~ вызывает два эф фекта: сдвиг полос излучения, подобный сдвигу при введении ионов Cd2+, и образование новых полос косвен ной активации так как возмущаются не только сосед ние ионы S2-, но и ионы Se2-. Новые полосы косвенной активации возникают и при замещении серы на кисло род. Особые центры свечения в сульфиде цинка могут возникать путем образования вакантных узлов в решет ке. Вопрос этот до сих пор не вполне ясен. Известны различные мнения о состоянии активаторов в кристаллофосфорах [3—5].
Кратко описанные выше представления, вытекающие из принципа компенсации заряда, оказались очень пло дотворными при разработке способов получения новых
56
кристаллофосфоров и других многоатомных полупровод никовых материалов. Однако в действительности цент ры, имеющие противоположные заряды, не всегда быва ют ассоциированы друг с другом. Кроме того, компен сация заряда может осуществляться и свободными элек тронами или дырками. Учет этих обстоятельств возможен только при рассмотрении кинетики образования кристал лов люминофора или фотопроводника.
2.2. ПОРОШКОВЫЕ ЭЛЕКТРОЛЮМИНОФОРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ АПВ1У
Состав и строение
Группа электролюминофоров на основе сульфида цинка наибо лее обширна: в нее включаются электролюминофоры с различным цветом свечения—-от синего до желтого. Все электролюминофоры этой группы представляют собой мелкокристаллические порошки сульфида цинка с содержанием, меди в кристаллах от 0,05 до 0,2%*. Изменение содержания меди в люминофорах позволяет получить электролюминофоры с синим, голубым и зеленым цветом свечения (с промежуточными оттенками). Наряду с медью в сульфид цинка могут в небольшом количестве (до 1—3%) вводиться различные добавки, влияющие на яркость, цвет свечения и инерционные свой ства электролюминофоров. Так, введение наряду с медью марганца в количестве около 1 % позволяет получать электролюминофоры с желтым цветом свечения. Ввиду незначительного содержания при месей, внедряемых в кристалл, цинксульфидные электролюминофоры сохраняют структуру и другие физико-химические свойства, прису щие сульфиду цинка (табл. 2.1).
Так же как и чистый сульфид цинка, цинксульфидные электро люминофоры могут иметь кубическую (типа сфалерита) и гексаго нальную (типа вюрцита) структуру. Температура перехода низко температурной кубической модификации в высокотемпературную гексагональную составляет 1000—1050 °С в зависимости от состава примесей. Соответственно алектролюминофоры, полученные при тем пературе ниже указанной, имеют кубическую структуру, а электро люминофоры, синтезированные при температуре, более высокой, имеют гексагональную структуру. Ввиду повышенной яркости све чения электролюминофоров с кубической структурой именно с ними чаще приходится иметь дело.
Известны также электролюминофоры, у которых структура кристаллов представляет собой смесь сфалерита и вюрцита. Заме на сульфида цинка селенидом дает электролюминофоры с оранже вым и красным цветом свечения. Они также представляют собой мелкокристаллические порошки, содержащие медь примерно в тех
* Здесь и далее приводятся весовые проценты.
57
Т а б л и ц а 2.1
Физико-химические свойства сульфидов и селенидов цинка и кадмия
Соеди |
Тип элементарной |
Параметры |
Плотность °20приС, |
3см/г |
Температура плавления, °С давлепод( )нием |
решетки, |
|
|
|
||
нение |
ячейки |
о |
|
|
|
|
|
А |
|
|
|
Z.nS |
Кубическая |
л = 5,43 4,102 1780 |
|
|
Гексагональная |
д=3,811 |
4,087 |
|
|
с=6,234 |
|
|
|
|
tR „
S3
я <11 о
ё§д
5 ч
48,5
45,3
Ширина запре щенной зоны, эВ |
Ионность связи, % 1 |
3,7 |
60 |
|
ZnSe |
Кубическая |
а=5,653 |
5,42 |
1520 |
34.0 |
2,7 |
15 |
CdS |
Гексагональная |
а = 4 ,14 |
4,82 |
1405 |
34,5 |
2,4 |
20 |
|
|
с=6,72 |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
CdSe |
Гексагональная |
я = 4,30 |
5,82 |
1264 |
25,0 |
1,70 |
— |
|
|
с=7,02 |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
же количествах. Селения цинка |
имеет |
кубическую структуру |
(см. |
табл. 1), соответственно и все электролюминофоры на основе селенида цинка обладают той же структурой.
Промежуточные составы в ряду ZnS—ZSe в настоящее время не представляют практического йнтереса, так как уже незначитель ное замещение серы селеном и наоборот приводит к резкому сни жению яркости электролюминофоров.
Наиболее важное практическое значение имеют электролюмино форы на цинккадмий-сульфоселенидной основе. Преимуществами таких электролюминофоров в сравнении с цинкселенидными явля ются повышенная яркость и более насыщенный красный цвет свече ния. В связи с присутствием в них ионов кадмия и серы при высо ких .температурах синтеза (1200 °С) наблюдается частичный переход к гексагональной структуре.
Общим, что объединяет все электролюминофоры данного клас са, является наличие в их составе меди. В электролюминофорах содержание меди в десятки раз больше, чем в фото- и катодо-люми- нофорах. Медь находится в них по крайней мере в двух состояниях:
ввиде включений Cu2S (Cu2Se), необходимы для электролюминес ценции, и в виде центра люминесценции, обеспечивающих зеленое свечение. Согласно большинству исследований, например {6—9], медь
вэтом состоянии представляет собой одновалентный ион, располо женный на месте двухвалентного цинка в узле катионной подрешет ки основы (в случае центра голубого свечения предполагают ассоциацию этих ионов с образованием димеров). Что касается необходимых для электролюминесценции полупроводниковых вклю
чений Cu2S (Cu2 Se), то во многих работах указывается, что это со стояние меди связано со свободной фазой Cu2 S(Cu2Se), дисперсно распределенной по всему объему кристалла,
38
При сравнительно малом содержании меди (0,02—0,1%) она находится, по-видимому, вблизи дислокаций и в трещинах кристал лов, образуя обогащенные медью зоны, в которых существует ближ ний порядок в расположении ионов. Такие образования вполне достаточны для проявления сульфидом (селенидом) меди полупро водниковых свойств, присущих этой фазе, так как условия образо вания и движения свободных электронов определяются в основном ближним порядком в расположении атомов, т. е. числом и химиче ской природой ближних соседей, находящихся в первой координа ционной сфере, и их расположением и абсолютной величиной меж атомных расстояний. Несмотря иа ряд исследований, до сих пор окончательно не выяснено, какую роль в электролюминесценции играют внутренние включения Cu2S.
Из всего сказанного следует, что медь в силу совпадения свой ства активировать халькогенидные люминофоры со способностью об разовать в них проводящие включения, незаменима при синтезе электролюминофоров иа основе халькогенидов металлов второй группы. Другая особенность электролюминофоров заключается в том, что в отличие от фото- и катодолюминофоров в них неже лательно присутствие плавней (NaCl, MgCl2 и т. п.) или продуктов их взаимодействия с ZnS и ZnSe. Находясь в кристаллах основы, эти вещества, по-видимому, нарушают необходимое для электролю минесценции взаимодействие включений Gu2S € основой люмино фора.
Методы синтеза
Внастоящее время известно много методов получения электролюминофоров. Мы не будем останавливаться на ранних методах, так как в настоящее время они представляют лишь исторический ин терес.
В1957 г. появилось сообщение о методе приготовления элек
тролюминофоров |
[10], который позволяет простым путем получать |
(в две, стадии) |
электролюминофоры с высокой яркостью свечения. |
Сначала путем прокаливания ZnS с добавкой -NH4C1 при темпера туре 1100—1300 °С в закрытой кварцевой трубке готовится кристал лический сульфид цинка с вюрцитной структурой, а затем, после добавления необходимого количества меди (0,1%) и окиси цинка (до 25%), шихта прокаливается в закрытой трубке при температуре 700 °С. Полученный таким образом продукт обрабатывается сначала уксусной кислотой для удаления ZnO, а затем раствором KCN для удаления избыточного Cu2S. Как следует из данных указанной рабо ты, электролюминофоры, получаемые таким путем, имеют гексаго нально-кубическую структуру, что способствует повышению . интен сивности электролюминесценции.
В том же году для синтеза электролюминофоров наряду с хло ристым аммонием впервые был применен бромистый и йодистый аммоний [11]. Замена МН4С1 на NH4J позволила получить более яркие электролюмииофо[ш с. синим цветом свечения, а применение NH4Br вместо NH4C1 способствовало повышению яркости электролюминофоров с . зеленым цветом свечения. Кроме того, электролю минофоры, полученные с NH4Br и NH4C1, более стабильны.
59