Файл: Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках пер. с англ.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 170

Скачиваний: 3

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

368

Глава 15. Поляризационные эффекты

сильнее чем другая; следовательно, свет, прошедший через кри­ сталл, линейно поляризован. Трихроические кристаллы обла­ дают различными коэффициентами поглощения для света, поля­ ризованного вдоль каждой из трех осей.

§ 2. ИНДУЦИРОВАННАЯ ОПТИЧЕСКАЯ АНИЗОТРОПИЯ

Цпркулярно поляризованное излучение представляет собой волну, вектор D которой вращается относительно направления распространения. Возможно вращенпе как по часовой, так п про­ тив часовой стрелки. Кристалл называется оптически активным, если волны, циркулярно поляризованные по часовой и против часовой стрелки, распространяются с разной скоростью. Неко­ торые двоякопреломляющпе вещества обладают этим свойством, будучи в естественном состоянии, другие становятся оптически активными под действием магнитного поля.

Отметим, что линейно поляризованное излучение можно раз­ ложить на две цпркулярно поляризованные (по часовой и против часовой стрелки) компоненты, распространяющиеся с одинаковой скоростью. Следовательно, когда линейно поляризованный свет проходит через оптически активный материал, плоскость поляри­ зации постепенно поворачивается.

Многие полупроводники, оптические свойства которых в обыч­ ных условиях изотропны, становятся анизотропными под дей­ ствием электрического и магнитного полей, а также механического напряжения.

1.Электрооптпческий эффект Керра

Вэлектрооптическом эффекте Керра электрическое поле, при­ ложенное к кристаллу в направлении, перпендикулярном направ-

Z

Ф н г. 15.8. Эффект Керра для линейно поляризованной волны.

После прохождения через электрооптпческий кристалл свет становится эллиптически поляризованным.

лению распространения света, индуцирует двойное лучепреломле­ ние; при определенной кристаллографической ориентации кристалл становится одноосным с оптической осью, параллель­ ной электрическому полю (фиш 15.8). В общем случае полупро-



ff 2. Индуцированная оптическая анизотропия

369

водыик становится двуосиым [2]. Если электрический вектор линейно поляризованного света образует угол 45° с направлением приложенного электрического поля, то компоненты этого вектора, направленные параллельно и перпендикулярно полю, распро­ страняются с различными скоростями, так что свет выходит из кристалла поляризованным эллиптически. Оптическая разность хода для двух компонент определяется соотношением

А = c Kl{%zy k ,

(15.7)

где ск — постоянная Керра и I — длина (в направлении распро­ странения света) той области кристалла, где есть электрическое поле.

2. Эффект Поккельса или линейный электрооптический эффект

В некоторых полупроводниках, которые в обычных условиях изотропны, электрическое поле вызывает двуосиое двойное луче­ преломление. Для того чтобы понять влияние электрического поля на показатель преломления, рассмотрим эллипсоид диэлектрической проницаемости (фиг. 15.7). Когда электрическое поле равно нулю, показатель преломления изотропен и этот эллип­ соид представляет собой сферу. Если электрическое поле при­ ложено вдоль некоторого направления, которое мы обозначим через г, показатель преломления n z остается постоянным. Однако в плоскости, перпендикулярной z, показатель преломления из­ менится на величину Ап, пропорциональную электрическому полю %z. Сфера диэлектрической проницаемости преобразуется таким образом, что показатель преломления изменится на ве­ личину ± Ап во взаимно перпендикулярных направлениях. Тогда мы можем так выбрать два направления х жу, что

п х — пЛАп.

п

, = п Ап.

(15.8)

 

При определенной ориентации электрического поля по отно­ шению к кристаллографическим осям эффект оказывается макси­ мальным. Выбор этой ориентации зависит от симметрии кристалла.

Величина линейного электрооптического эффекта определяется соотношением

.

п3

(15.9)

Ап = -J- п

где г — электрооптический

коэффициент.

 

В случае, представленном на фиг. 15.9, две компоненты, иа которые можно разложить линейно поляризованный свет, распро­ страняются с различными скоростями, что приводит к разности фаз

А ф = ^ - п 3гШг1.

(15.10)

24— 01085


370

Глава 15. Поляризационные эффекты

Отметим, что g 2Z есть напряжение, приложенное к кристаллу. Следовательно, для света, распространяющегося в направлении

Ф и г. 15.9. Эффект Поккельса.

Превращение линейно поляризованного света в эллиптически поляризованный.

приложенного поля, наблюдается линейный электрооптпческий эффект, величина которого для данного материала зависит только'

от приложенного напряжения.

 

 

 

 

Значения электрооптических коэффициентов г при комнатной

температуре

для некоторых полупроводников

приведены

в

табл. 15.1.

 

 

Таблица 15.1

 

 

 

 

 

Электрооптпческие свойства полупроводников

 

 

 

Электрооптиче-

Показатель

f|3r,

Литера­

 

Вещество

преломления

 

склй коэффп ЦН-

при пулевом

Ю-io см/В

тура

 

 

еит r, 10-1° CM/B

поле п

 

 

 

GaAs

1,6

3,34

59

[3]

 

ZaTe

1,4

2,79

34

[3]

 

ZnS

2,0 .

2,37

27

[4]

 

CclTe

6,8

2,6

120

[5]

 

CdS

5,5

2,3

66

[3]

 

Se

2,5

2,8

55

[6]

3.

Эффект Фарадея

 

 

 

 

Некоторые материалы становятся оптически активными в маг­

нитном поле. Когда линейно поляризованное излучение проходит через материал в направлении, параллельном магнитному полю, плоскость поляризации поворачивается [7]. Угол поворота Ѳ пропорционален магнитному полю Н и длине кристалла I:

0 = СѴНІ. .

Здесь С0 — так называемый коэффициент Берде (поворот на еди­ нице длины в единичном магнитном поле). Коэффициент Берде


§ 2. Индуцированная оптическая анизотропия

371

меняется с длиной волны. Направление вращения плоскости поляризации зависит от полярности магнитного поля. Принято считать положительным вращение, соответствующее повороту правого винта, перемещаемого в направлении магнитного поля. Отметим, что направление вращения одинаково для волны, рас­ пространяющейся в любом направлении вдоль поля.

Свободные носители вызывают эффект Фарадея, который легко наблюдать в сильно легированных полупроводниках. Величина фарадеевского вращения 0, вызванного свободными носителями, определяется выражением [8]

<?зN X W L

(15.11)

2пс4и(пг*)2

где N — концентрация свободных носителей, %— длина волны излучения, п — показатель преломления в отсутствие магнит­ ного поля, т* — эффективная масса свободных носителей. Хотя в выражении (15.11) подразумевается, что эффективная масса пзотроппа, можно внести поправки, учитывающие эллипсоидальиость долин [9] и наличие носителей двух типов.

Квадратичная зависимость 0 от К указывает, что эффект Фара­ дея на свободных носителях следует измерять в области длинных воли. Однако частота света должна быть велика по сравненшо с циклотронной частотой шс = qH/m*, и, более того, соответст­ вующий период должен быть мал по сравнению со временем релаксации носителей.

Если концентрация носителей N известна из других измерений, то эффект Фарадея можно использовать для определения эффек­ тивной массы.

4. Эффект Фойгта

Магнитное поле вызывает двойное лучепреломление, когда излучение распространяется в направлении, перпендикулярном магнитному полю. В этом случае мы имеем дело с магнитооптиче­ ским аналогом эффекта Керра. Если излучение линейно поляри­ зовано, то компоненты волнового вектора Ш направленные пер­ пендикулярно и параллельно магнитному полю, распростра­ няются с различной скоростью, в результате излучение становится эллиптически поляризованным.

Эффект Фойгта, связанный со свободными носителями, нахо­ дящимися в эллипсоидальных долинах, вызывает следующий сдвиг фаз [10]:

а, (p N W H H

4л2С6.Я (m*)3 >

24*