Файл: Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках пер. с англ.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 169

Скачиваний: 3

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

372

Глава 15.

Поляризационные эффекты

где

N — концентрация

носителей, I — толщина образца, п

показатель преломления при пулевом поле и т* — эффективная масса Фойгта, представляющая собой результат сложного усред­ нения эффективных масс, характеризующих эллипсоидальную долину. Величина т% сильно зависит от кристаллографического направления.

5. Двойное лучепреломление, вызванное напряжениями

Вещество, оптические свойства которого в нормальных усло­ виях изотропны, становится двоякопреломляющим под действием одноосного напряжения. Двойное лучепреломление, индуциро­ ванное напряжением, часто называют «эффектом фотоупругости». В полупроводниках элементы тензора напряжений сильно зависят

от

кристаллографических направлений, поэтому

направление,

в

котором рассматриваемый эффект максимален,

определяется

исходя нз кристаллографических соображений.

В гл. 2 мы видели, что в кремнии н-тппа одноосное напряжение, приложенное в направлении Ц00], вызывает перераспределение электронов, в результате которого увеличивается заселенность тех долин, которые лежат в направлении максимального напря­ жения. Инфракрасное или микроволновое излучение будет взаи­ модействовать со свободными носителями по-разному, в зависи­ мости от того, параллелен пли перпендикулярен электрический вектор излучения по отношению к направлению, в котором при­ ложено напряжение. Эта анизотропия, обусловленная тем обстоя­ тельством, что электроны сосредоточены в вытянутой эллипсои­ дальной долине, вызывает двойное лучепреломление [И]. При этом анизотропный эффект, связанный со свободными носителями, может вызвать также дихроизм [12] — оптическое явление, кото­ рое было предложено использовать в качестве удобного метода исследования потенциалов деформации и междолиииого рассея­ ния.

6. Отклонение и модуляция светового пучка

Любое явление, вызывающее изменение показателя преломле­ ния полупроводника, может быть использовано для отклонения пучка света. Электрооптический эффект представляет собой удоб­ ный способ модуляции показателя преломления [13]. Кристаллу придается форма оптимально ориентированной призмы (фиг. 15.10). Луч, прошедший через призму, выходит из нее под неко­ торым углом к падающему лучу. Напряжение У, приложенное к призме, вызывает изменение показателя преломления, которое пропорционально либо У (эффект Поккельса), либо У2 (эффект Керра), что приводит к соответствующему отклонению выходя­


$ 2. Индуцированная оптическая анизотропия

373

щего пучка. Для того чтобы получить полезные, хотя и малые отклонения, требуются высокие напряжения (необходимо поза­ ботиться о том, чтобы не превысить пробивное напряжение). Другая проблема заключается в образовании двух пучков в ре­ зультате индуцированного двойного лучепреломления.

Следует также упомянуть о другом возможном методе откло­ нения светового пучка, который основан на бриллюэновском рассеянии, рассмотренном в п. 2 § 2 гл. 12, но без учета поляри­ зационных эффектов. Свет рас­ сеивается областями неоднород-

Ф н г. 15.10. Электрооптпческое откло­ нение пучка света.

ности, где показатель преломления меняется либо из-за измене­ ния плотности, либо за счет локальных напряжений. Продоль­ ная акустическая волна может индуцировать периодические флуктуации плотности, а поперечная — создавать периодическое распределение напряжений сдвига. Таким образом, акустическая волна образует решетку, которая отклоняет падающее излучение на угол 0, такой, что для первого порядка

.

Ѳ

X

sin

2 — 2nLA

где Х!п — длина волны света

 

в полупроводнике, а LA = vJf

длина волны фонона (ѵа — скорость звука, / — частота фонона). Следовательно, отклонение светового пучка можно контролиро­ вать, меняя частоту акустической волны.

Другим важным применением электрооптическпх и магнито­ оптических эффектов является модуляция света. Поскольку при этом меняется плоскость поляризации пропущенного света, интен­ сивность излучения можно модулировать, если установить за полу­ проводником анализатор, представляющий собой фильтр, который пропускает только свет, линейно поляризованный в определенном направлении. Анализатор ориентируют таким образом, чтобы он полностью пропускал излучение, когда внешнее поле равно нулю. Когда поле отлично от нуля, плоскость поляризации пово­ рачивается на угол 0 и интенсивность пропущенного света умень­ шается до величины

L = L0cos 0,

где L 0 — интенсивность излучения, выходящего из полупровод­ ник а.


374

Глава 15. Поляризационные эффекты

Соединение GaAs, обладающее большим электростатическим коэффициентом, успешно использовалось для модуляции лазера непрерывного действия с длиной волпы 1,06 мкм в полосе частот 5 МГц 114]. При напряжении 300В была получена 100%-ная моду­ ляция. Этот эксперимент продемонстрировал практическую воз­

можность передачи телевизионного сигнала с помощью лазерного луча.

Спосооность р — 71-переходов действовать в качестве свето­ водов и их малые размеры делают их пригодными для использо­ вания в качестве электрооптических модуляторов [15—17]. Малая величина активной области позволяет свести к минимуму тре­ буемую мощность.

Задача 1. Рассмотрите одноосный кристалл с показателями преломле­

ния для

обыкновенного и

необыкновенного лучей, соответственно HQ и п Е;

п е > » 0

- В т°м случае,

когда направление распространения составляет

угол 0 с оптической осью, обозначьте соответствующие показатели прелом­ ления п а II щ,. Выразите п а и пь через >>Q, п Е и 0. Постройте приближенную зависимость сдвига фаз Дер = (2nd/X) \ п а щ | от угла 0 при прохождении ооыкновенным и необыкновенным лучами расстояния d в веществе. [У?,-аза-

мае: прочитайте текст перед формулой (15.5).]

Задача 2. Покажите, что линейный электрооптпчеекпй эффект отсут­ ствует в материалах, обладающих инверсионной симметрией. Сравните Si и GaAs, начертите решетку для каждого материала и обсудите, следует ли ожидать в каком-либо из этих веществ линейный электрооптический эффект.

^ Задача 3. Если к кубическим кристаллам со структурой цинковой оомаикн приложить сильное электрическое поле в направлении [111], то

HW

Ф и г. 15.11.

кристаллы становятся одноосными с оптической осью, направленной вдоль [111]. Показатели преломления для обыкновенного и необыкновенного лучей определяются в этом случае формулами

Рассмотрим ооразец, показанный на фиг. 15.11. Линейно поляризованный свет падает перпендикулярно плоскости 1 образца. Опишите фазу и поляри­ зацию луча, доходящего до конца образца, в каждом из следующих случаев: электрический вектор падающего света: 1) параллелен направлению [111],

^ пеР Л Т ПКуЛЯреН иапРа,влеиию UHL 3) образует угол 45° с направле­ нием [111]. Пусть d = 2тКІп, где X — длина волны, а т — любое целое число.


Литература

375

Задача 4. В электрооптических кристаллах KDP (химическая формула КНгРСХі) модулирующее поле g параллельно направлению распространения

■светового пучка, как показано на фиг. 15.9. В структуре цинковой обманки, упомянутой в задаче 3, эти два направления перпендикулярны. Обсудите ■сравнительные достоинства этих двух фазовых модуляторов. Предположите, что величина п?г в обоих случаях одинакова.

Задача 5. В задаче 3 было рассмотрено применение электрооптпческого кристалла для модуляции фазы и поляризации. Данная задача посвящена модуляции иптеиспвпостп. На фиг. 15.12 показана схема опыта, в котором

-используется кубический крпсталл класса 43т; модулирующее поле g параллельно направлению [111], которое выбрано также в качество осп з.

 

/

'v

Вход

 

Выход

ft

Г

 

Поляризатор

Анализатор

ѵу

Ф и г. 15.12.

Значения показателей преломления п 0 и п Е для такой геометрии приведены в задаче 3. Поляризатор, параллельный плоскости х, з, с осью, наклоненной под углом 45° к осп з, превращает неполярпзованный падающий свет в поля­ ризованный, электрический вектор которого направлен под углом 45° к оси з. Анализатор также параллелен плоскости х, з, но его ось расположе­ на под углом —45° к осп з. Таким образом, анализатор будет пропускать световые лучи с вектором §, параллельным его оси, которая составляет

угол 90° с осью поляризатора. Найдите отношение интенсивностей выходя­ щего и входящего света и выразите напряжение, при котором это отношение максимально, через параметры устройства п , г, d, t и длину волны X. Опиши­ те, как меняется выходная интенсивность при изменении V от нуля до этой

величины

 

ЛИТЕРАТУРА

 

1.

Caldwell R. S., Fan И. Y ., Phys. Rev., 114, 664 (1959).

2.

Nije J. F ., Physical Properties of Crystals, Pt 4, Clarendon, 1957.

3.

Kaminov I. P., IEEE Journ. Quantim Electronics, 4, 23

(1968).

4.

Namba S., Journ. Opt. Soc. Am., 51, 76 (1961).

 

5.

Kiefer J. E., Yariv A ., Appl. Phys. Lett., 15, 26 (1969).

 

6.Teich M. C., Kaplan T-, IEEE Journ. Quantum Electronics, 2, 702 1966.

7.LaxB ., Zwerdling S., Progress in Semiconductors, 5, 251 (I960); RothL. M .,

8.

Phys. Rev., 133, A542 (1964).

Butterworths, 1959,

Moss T. S., Optical Properties of Semiconductors,

 

p. 85. (Имеется перевод: Мосс T. С., Оптические свойства полупровод­

9.

ников, изд-во «Мир», 1961.)

 

Lax В., Zwerdling 5., Progress in Semiconductors, 5, 251 (1960).

10.

Palik E. D., Journ. Phys. Chem. Solids, 25, 767

(1964).


376

Л итература

11. Schm idt- T iedeniann К. / . ,

Phys. Rev. Lett., 7, 372 (1961).

12.Furdyna J. N., Soardo G. P., Proc. Int. Conf. Physics of Semiconductors

Paris, Dunod, 1964, p. 171.

13.

Sore} R

. /1., McMahon D. FI., Electonics,

56, (Nov. 29, 1965)

14.

Hannan

W. / . , Bordogna / . , Penn T. E.,

Walsh T. E., Proc. IEEE, 53,

171 (1965).

15.Nelson D. F., Reinhart F. K., Appl. Phys. Lett., 5, 148 (1964).

16.Walters W. L.' Journ. Appl. Phys., 37, 916 (1966).

17.Oldham W. G., Bahraman A ., IEEE Journ. Quantum Electronics, 3, 278

(1967).

1&.*Жевандров FI. Д ., Поляризованный свет, пзд-во «Наука», М., 1969.

Г Л А В А 1

ФОТОХИМИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ

Поскольку при переходе электрона под действием света из свя­ занного состоящія в валентной зоне в свободное происходит раз­ рыв связей между двумя атомами, этот процесс можно считать, химической реакцией. В твердых телах атомы находятся, вообщеговоря, в стационарных состояниях (в пренебрежении тепловыми эффектами); когда электрон возвращается в основное состояние, связи восстанавливаются, и говорить поэтому о химической реак­ ции нет смысла. Однако в некоторых случаях под действием света атомы с ослабленными связями могут обрести подвижность; тогда уместно рассматривать этот процесс как фотохимическую реакцию. Фотохимические эффекты имеют место на поверхности полупро­ водника, находящегося в контакте с газообразной или жидкой; средой, прозрачной для излучения. В объеме движение атомов возможно вблизи дислокаций. Наконец, в результате перестрой­ ки примесных орбиталей могут образовываться различные комп­ лексы с соседними атомами (химическое превращение), при этом

ипримесь, и соседний атом остаются на своих местах.

Споявлением лазеров стало возможным вызывать гораздо бо­ лее интенсивные химические процессы, чем когда-либо раньше. Очевидпо, что в области фотохимии полупроводников, слабо раз­ работанной с применением некогерентного света, имеется еще' много явлений, которые будут открыты в работах с использова­ нием когерентного излучения. Мощные лазерные пучки применя­ лись для испарения и ионизации полупроводников в масс-спектро- скопии, но поскольку этот процесс представляет собой превра­ щение мощности излучения большой плотности в тепло, а неэффект, зависящий от спектрального состава излучения, то такой: тип нагрева нельзя классифицировать как фотохимический про­ цесс, хотя оптическое возбуждение (имеющее второстепенное зна­ чение) может при этом и происходить.

§1. ФОТОХИМИЯ в газовой среде

На поверхности полупроводника может происходить адсорб­ ция или десорбция атомов и молекул; кинетика (а иногда и направ­ ление) этого процесса зависит от света, падающего на поверхность.