Файл: Страховский Г.М. Основы квантовой электроники учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 252

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

усилителях радиодиапазона, возбуждение осуществляется по четырех­ уровневой схеме.

Расчет четырехуровневой схемы проводится аналогично расчету схемы из трех уровней. Но выкладки, естественно, более громоздки.

В системе из

четырех уровней

при

воздейст­

 

 

 

вии вспомогательного излучения, так же как

 

 

 

и в трехуровневой системе, возможно

созда­

 

 

 

ние отрицательной температуры,

причем

для

^всп

 

 

некоторых специальных случаев инверсия мо­

 

 

 

 

 

жет значительно превышать инверсию в трех­

 

 

 

уровневой схеме. При этом целесообразно ис­

 

 

 

пользовать

вспомогательное

излучение

на

 

 

 

двух

частотах. Отметим

также,

что

в

четы­

 

 

 

рехуровневой

 

системе

иногда

оказывается

 

^Всп

 

возможным получение инверсии на переходе,

 

 

 

частота

которого

больше

частоты

вспомога­

 

 

 

тельного

излучения.

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 4.2.

Четырехуровне­

Пример,

 

демонстрирующий

возможное

преимущество

четырехуровневой

схемы, пока­

вая схема, в которой при­

меняется

метод

симмет­

зан на рис. 4.2.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ричного

возбуждения

Расстояния

по

 

частоте

между

уровнями

(«пуш-пульный»

метод)

/—3

и 2—4 равны.

Вспомогательное излуче­

 

 

 

ние

частоты

ѵ в о п

=

ѵ 3 1

=

ѵ 4 2

одновременно

обогащает верхний уро­

вень 3 рабочего перехода и обедняет нижний уровень 2 (рабочий пере­ ход в литературе называют также сигнальным переходом). Это и при­ водит к выигрышу по сравнению с трехуровневой схемой.

§ 4.2. Получение отрицательных температур методом вспомогательного излучения

в оптическом диапазоне

Метод вспомогательного излучения широко используется для полу­ чения отрицательных температур не только в радиодиапазоне, но и в оптическом диапазоне. Однако здесь имеются некоторые специфические особенности. Прежде всего в оптической области спектра расстояния по частоте между энергетическими уровнями настолько велики, что практически для всех рабочих температур Лѵ0 > kT. Так как в состоя­ нии термодинамического равновесия населенность уровней определяет­ ся формулой Больцмана, то условие /іѵ0 > kT означает, что все частицы практически находятся на нижнем (основном) энергетическом уровне, а верхние уровни пусты. Вероятности безизлучательных переходов с нижних уровней на верхние пренебрежимо малы [ср. с формулой (4.15), из которой следует, что вероятности безизлучательных пере­ ходов с верхнего уровня на нижний и с нижнего на верхний в радио­

диапазоне примерно одинаковы]. Кроме того, спонтанное

излучение

в оптическом диапазоне играет значительно большую роль,

чем в ра-

123


диодиапазоне, и часто именно оно определяет время жизни частицы в возбужденном состоянии, а не безизлучательные переходы, как в ра­ диодиапазоне.

В случае применения метода вспомогательного излучения в опти­ ческом диапазоне следует также иметь в виду, что время жизни частиц на вспомогательном уровне (верхний уровень вспомогательного пере­

хода) обычно мало и составляет

величину

порядка

Ю - 6

10~7 сек.

Благодаря этому при существующих источниках

вспомогательного

излучения (накачки) невозможно

уровнять

населенности

верхнего и

а)

5)

 

Рис. 4.3. Трех- и четырехуровневые

схемы

получения

инверсной населенности в оптическом диапазоне:

а — трехуровневая схема; б — четырехуровневая

схема; ин­

версия населенности создается между

уровнями 3 и 2

нижнего уровней вспомогательного перехода [ср. с формулой (4.12) для радиодиапазона]. Наконец, в оптическом диапазоне в качестве вспомогательных часто удается использовать не уровни, а широкие полосы поглощения. Это позволяет использовать для накачки немо­ нохроматические источники излучения и увеличивает эффективность накачки. Такова специфика метода вспомогательного излучения в оп­ тическом диапазоне.

При рассмотрении метода вспомогательного излучения в оптическом диапазоне, так же как и в радиодиапазоне, энергетические схемы раз­ деляют на трехуровневые и четырехуровневые (рис. 4.3).

Определим условия существования инверсной населенности в оп­ тическом диапазоне в рамках трехуровневой схемы. Здесь инверсия населенности создается между первым возбужденным уровнем 2 и ос­

новным уровнем

/ .

 

Пусть Nu N2,

N3 — населенности уровней 1, 2, 3,

a N — полное

число частиц на всех трех уровнях в единице объема, т. е.

 

1+ 2 + УѴ3 = /Ѵ.

(4.24)

124


Здесь и ниже будем называть состояние 3 уровнем, хотя обычно

(и это показано на рисунке) речь идет о широкой полосе.

 

Пусть

Wn — W3l — вероятность

индуцированных

переходов под

действием

сигнала вспомогательного

излучения (сигнала накачки),

W12 = W21

— вероятность индуцированного перехода

под влиянием

сигнала лазерного излучения, wtj — вероятность переходов с уровня і на уровень /, в общем случае определяемая как сумма вероятностей спонтанного и безизлучательного переходов. Например, w21 = wf[ +

+ wll, где wfl — вероятность безизлучательного перехода с уровня 2

на уровень

1, a w%\ — вероятность спонтанного перехода с уровня 2

на уровень

/ . Подчеркнем, что всюду в расчете в соответствии с ука­

занными выше особенностями оптического диапазона будут учитывать­ ся только вероятности переходов с более высокого на более низкий энергетический уровень; вероятности обратных переходов будут счи­ таться пренебрежимо малыми.

Скоростные уравнения, описывающие изменение населенностей

уровней, имеют вид:

 

 

 

 

 

 

 

1 ± = W2l(Na-N1)-Wla(N1-N3)

 

+ N3 w31 +

N2w2l,

dNdl

3 = -

WniNt-NJ-NtWn

+ Na wS2,

 

 

 

(4.25)

^ - = Wla(Nl-N3)-Nsw3l-N3

 

wS2.

 

 

 

 

D

 

 

(dNx

dNz

 

 

 

 

В стационарном режиме

=

-^f-

d

Jh- =

о)

система (4.25)

 

 

 

 

=

"Jlf. =

 

сводится к трем алгебраическим уравнениям:

 

 

 

 

 

W21

(Л/2 - N ± ) -

W13 (N, -

Л/3) + N3 w3l

 

+ N2

w2l

= 0,

 

- W21

(N2 -NJ-Nt

w2l + N3w32

= 0,

 

 

 

(4.26)

 

W19

(Ni-Na)-N3

w31~N3

w32

= 0.

 

 

 

 

С учетом равенства (4.24) достаточно рассмотреть

не всю систему

(4.26),

а только какие-либо два ее уравнения. Выберем второе и третье

уравнения системы (4.26).

 

 

 

 

 

 

Обычно населенность уровня 3 мала; частицы, которые забрасыва­ ются туда сигналом вспомогательного излучения, довольно быстро

переходят на уровень

2. Поэтому

будем считать, как

это обычно де­

лается, что J V 3 <

Nv

Тогда два последних

уравнения

системы (4.26)

и равенство (4.24)

принимают вид:

 

 

•W2l(N2-

- N1)~N2

w2l + N3

w32 = 0,

 

 

W13N,-

-Na(wal

+ w32) = 0,

(4 . 27)

125


Из второго уравнения

(4.27)

системы

имеем

д-

_ _ E ü i _ n v

(4.28)

 

Щі +

^32

 

Подставляем выражение для ІѴ3 в первое уравнение системы (4.27) и решаем его совместно с третьим уравнением. В результате для раз­

ности населенностей между уровнями 2 \\ 1 получаем:

 

Ni — N^N

w^w

.

(4.29)

Величина w32 должна быть больше, чем w31 (желательно даже мно­ го больше). Это связано с тем, что если w32 > w3x, то частицы с уровня 3 в основном переходят на уровень 2, т. е. на верхний рабочий уровень (этот переход полезен); если же w31 > w32, то частицы, заброшенные сигналом накачки на уровень 3, будут в основном возвращаться на

уровень / и на рабочем переходе 2—/инверсия

не будет создана. Для

систем уровней, используемых в реальных

установках, w32'^>

w3i.

Если считать w32^>w31,

то

ч л е н — ^ ' f 3 2 — п е р е х о д и т

просто в

W 1 3

 

 

 

^31 ~Т ^32

 

 

 

и равенство (4.29) приобретает вид

 

 

 

N2~N1

=

N

w ^ ~ w "

,

(4.30)

 

 

 

2W21 + w21 +

W13

 

 

Выше отмечалось, что в общем случае вероятности Wi ] являются суммой вероятностей двух процессов: спонтанного и безизлучательного переходов. Однако роль этих процессов для различных переходов реальных кристаллов, работающих по трехуровневой схеме, различна. Так, переход с уровня 3 на уровень 2 происходит за счет безизлучательного перехода, поэтому величину w32 будем писать с индексом «би», т. е. w%\. Что же касается вероятностей w21 и w3u то они определя­ ются обычно спонтанными переходами, поэтому их будем писать с ин­ дексом «сп» w%1). Тогда условие (4.30) можно записать в виде

 

N2~Nt = N

Ww~w

,

(4.31)

a условие w21

w31 — в виде w%\ ^> wcs\.

 

 

Из условия (4.31) видно, что для создания инверсной населенности между уровнями 2 и / необходимо, чтобы

Wls>w™. (4.32)

Неравенство (4.32) определяет, в сущности, минимальную мощ­ ность сигнала накачки, необходимую для создания инверсной на­ селенности в трехуровневой схеме в оптическом диапазоне. Видно,

126


что чем меньше вероятность спонтанного перехода с верхнего из ра­ бочих уровней на основной, тем проще создать инверсную населен­ ность между уровнями 1 и 2. В реальных кристаллах уровень 2 яв­ ляется метастабильным.

Трехуровневая схема возбуждения широко используется в опти­ ческом диапазоне (пример — кристаллы рубина), но у нее есть один принципиальный недостаток. Чтобы лучше уяснить его, напомним, что в проведенном выше расчете трехуровневой схемы мы принимали ІѴ3 С А^, т. е. считали, что уровень 3 практически пустой и все ча­ стицы находятся либо на уровне / , либо на уровне 2. Поскольку полное

число частиц в 1 см3 системы N = Ыг + N2,

то, очевидно: если на каж­

дом из уровней в 1 см3 вещества находится

N± = N2 = у частиц, то

инверсия населенностей между уровнями 2—/ (N2 — Afa) равна нулю. Если создана некоторая ненулевая инверсия населенностей, то это

означает, что N2 > у , причем, грубо говоря, только та часть частиц

на уровне 2, которая превышает у , дает вклад в инверсию, а переброс

N

1

у

частиц с уровня / на уровень 2 лишь уравнивает населенности рабо­

чих уровней. Благодаря этому в трехуровневой схеме нужны большие мощности сигнала накачки, причем значительная часть этой мощности

расходуется лишь на уравнивание населенностей рабочих уровней. Такого недостатка нет в четырехуровневых схемах (см. рис. 4.3, б),

так как в них нижним рабочим уровнем является не основной, а воз­ бужденный уровень. Этот уровень до включения сигнала накачки прак­ тически пустой, и, следовательно, не надо расходовать мощность сиг­ нала накачки на уравнивание населенностей уровней.

§ 4.3. Методы получения отрицательных температур, применяемые для узкого класса

квантовых генераторов и усилителей

Эти методы рассматриваются более подробно в разделах, посвя­ щенных соответствующим генераторам и усилителям. Здесь охаракте­ ризуем их коротко для того, чтобы полнее представить картину су­ ществующих методов.

Метод сортировки пучков в неоднородных электрических и магнит­ ных полях. Одна из возможностей создания избытка частиц на верхнем из двух рабочих уровней заключается в том, чтобы каким-нибудь об­ разом убрать из среды частицы, занимающие нижний энергетический уровень. Такая возможность открывается, когда приходится иметь дело с пучками частиц, обладающих электрическим или магнитным дипольным моментом. Здесь применяется метод сортировки пучков в неоднородных электрических и магнитных полях. Для сортировки пучков частиц с электрическим дипольным моментом используются не­ однородные электрические поля, а с магнитным дипольным момен-

|27