Файл: Рабинович А.Г. Технология производства гидроакустической аппаратуры учеб. для судостроит. техникумов.pdf

После облуживания остатки флюса удаляют спиртом. Облуженные микроплаты с перемычками заваривают в пакеты из поли­

рис. 113. Установка представляет собой систему ванн обезжирива­ ния У, флюсования 2 и лужения 3. Направляемая роликами мед­ ная проволока проходит последовательно все операции и в облуженном виде наматывается на барабан 4. Скорость движения про­ волоки 19 ± 0,5 мі мин при температуре припоя ПОССр2 240±5°С. Толщина лужения должна быть от 7 до 20 мкм. Для обезжирива­ ния применяется трихлорэтилен, а в качестве флюса — спиртоканифоль КСФ.

движную систему, собранную из пластин, образующих две парал­ лельные гребенки. Толщина каждой пластины 0,25 мм. Шаг гре­ бенки, кратный 0,25 мм, устанавливается в соответствии со схемой раскладки микромодуля поворотом пластин вокруг оси. Стержень, на котором нанизаны пластины, может под действием рычагов и пружин перемещаться, чем обеспечивается закрепление микроплат.

В пазы гребенки последовательно вставляют микроплаты для данного микромодуля. Над пазами плат натягивают проводники. Пайка проводников в пазы микроплат производится малогабарит­ ным паяльником мощностью 20 вт при кратковременном прогреве без дополнительной подачи припоя к местам паек. Необходимое для пайки количество припоя имеется в пазах микроплат и на поверхности соединительных проводников.

После того как этажерка спаяна, выводы микромодуля обре­ зают. Для получения заданной электрической схемы производят

вырубку проводников между микроплатами согласно чертежу. Во избежание поломки керамических микроплат при вырубке про­ водников эту операцию выполняют с помощью специального при­ способления (рис. 115). Нож 5 этого приспособления, имеющий форму крючка, поднимается штоком / при нажатии на рычаг 2 и прорубает проводник на длине 0,2 мм. Винт 6 служит для ограни­ чения хода штока, а пружина 4, помещенная в корпусе 3, возвра­

динительных проводников в пазах должна быть без пор, трещин, непропая и наплывов припоя.

П р и г е р м е т и з а ц и и м и к р о м о д у л е й эпоксидным ком­ паундом на выводы этажерки надевают резиновые насадки с целью оформления торцевых поверхностей микромодуля и защиты выво­ дов от компаунда. Кроме того, насадки служат для фиксации эта­ жерки в заливочной форме. Надевание насадок выполняется на приспособлении следующим образом (рис. 117). Этажерку микро­ модуля устанавливают между двумя подвижными призмами. Ре­ зиновую насадку вставляют в специальное гнездо рабочей поверх­ ностью наружу. Поворотом среднего рычага производят выравни­ вание и ориентацию выводов этажерки. Поворотом верхнего рычага насадка надевается на выводы этажерки. После этого этажерка переворачивается на 180° и насадка надевается на вы­ воды с противоположной стороны.

временным воздействием электрической нагрузки и повышенной температуры (40—80°С).

Заключительной операцией изготовления микромодулей яв­ ляется их у п а к о в к а в индивидуальную тару. Конструкция инди­

занных элементов, сформированных на одной пластине методом

Выполняются пленочные микросхемы на изолирующих основа­ ниях (подложках), на одну или обе стороны которых по опреде­ ленному рисунку наносятся методом осаждения или напыления тонкие (до нескольких микрон) пленки из проводящих, диэлектри­ ческих, магнитных и полупроводниковых материалов.

При осаждении пленки хрома, нихрома или других высокоомных металлов можно получить сопротивления величиной от 200 до 10 000 ом. Напыленные сопротивления отличаются большой ста­ бильностью и низким температурным коэффициентом.

Емкости получают напылением с двух сторон диэлектрических подложек проводящих пленок или многослойным напылением про­

Проводящие пленки образуются осаждением алюминия, меди, серебра, золота. Диэлектрические пленки создаются из двуокиси кремния, окиси тантала, моноокиси кремния и др. При нанесении пленок может быть предусмотрено одновременное их использова­ ние в качестве, например, резисторов и обкладок конденсаторов.

Тонкопленочная технология изготовления микросхем допускает возможность создания различных комбинаций, отличающихся по­ рядком следования слоев, их толщиной, формой и площадью, ве­ личиной удельного сопротивления и емкости, а также расположе­ нием выводов.

Конструктивно пленочные интегральные схемы могут содержать либо одни только тонкопленочные микроэлементы (обычно пас­ сивные), либо включать в себя и навесные дискретные элементы (микродиоды, микротранзисторы, микроиндуктивности).

Интегральные схемы, содержащие кроме пленочных элементов также и активные дискретные элементы, носят название г и б р и д ­ н ы х и н т е г р а л ь н ы х м и к р о с х е м .

На рис. 121 показана конструкция пленочной гибридной инте­ гральной схемы, в которой тонкопленочной технологией выполнены проводники и резисторы Rl—R3. Дискретными элементами в этой схеме являются транзистор Т, диод Д и конденсатор С.