ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 11.04.2024
Просмотров: 226
Скачиваний: 0
Если оптимальное А—А расстояние (ха) больше оптимального В—В расстояния (хр), то в решетке A-слои сжаты, а В-слои рас
тянуты. Действительное расстояние между частицами (х0) будет средним между ха, х$ и х ѵ. В соответствии с уравнением
^конф = Ѵ а а ( х 0 ) + t/в в (*„) — 2£/ав ( х ) > 0 |
(1.75) |
конфигурационная энергия минимальна при наличии разнородных соседей.
Рис. 1.22. Схема расположения ато |
Рис. 1.23. |
Зависимость |
конфигураци |
|||||
мов в идеальной решетке соедине |
онной энергии |
(Е с) и |
энергии упру |
|||||
ния AB (а) |
и в решетке, образую |
гих |
напряжений (Eg) |
в |
кристалле |
|||
щейся |
после |
кристаллографического |
со |
структурой |
сдвига |
от |
расстояния |
|
сдвига |
(б): |
ф — атомы А; О — ато |
между |
ближайшими |
плоскостями |
|||
мы В; |
сплошная линия — направле |
|
|
|
сдвига |
|
|
|
|
ние плоскости сдвига |
|
|
|
|
|
|
|
Представим себе, что в идеальной решетке |
(рис. |
1,22, а) вдоль |
указанной линии произошел сдвиг, так что образовалась структура сдвига, изображенная на рис. 1.22, б. В ней упругие напряжения решетки уменьшаются при смещении атомов А в направлении к плоскости сдвига и атомов В — в противоположном направлении. Конфигурационная же энергия увеличивается, так как атомы на границе теперь имеют одноименных соседей.
Предположим, что в кристалле имеется ряд параллельных
плоскостей сдвига, находящихся друг |
от друга на расстоянии, в |
|||
М раз превышающем период решетки. |
Используя |
соотношения |
||
(1.74) и |
(1.75), можно |
найти зависимость уменьшения энергии |
||
упругих |
напряжений в |
пересчете на одну плоскость |
сдвига (Es) |
от величины М (рис. 1.23). Очевидно, что Ес — увеличение конфи гурационной энергии в пересчете на плоскость сдвига не зависит от М.
5 Ю. Д. Третьяков |
65 |
Число плоскостей сдвига, имеющихся в решетке, обратно про порционально М, а, следовательно, максимальное уменьшение энергии решетки, возможное при регулярном сдвиге начальной
Ес — Е£ |
Оптимальное значение М |
|||
структуры, пропорционально --------- . |
||||
|
М |
Es |
|
|
соответствует минимуму кривой |
Ec |
(рис. 1.24). |
||
М |
||||
|
|
Итак, образование структур сдвига энергетически оправдано. Более того, зная энергию межатомного взаимодействия и учиты вая, что величина Е зависит от гипотетической скалывающей силы, можно на основе рассмотренной выше модели предсказать направ ление плоскостей сдвига и рассчитать частоту их повторения.
Нестехиометрия окислов и правило фаз
Рассматривая зависимость свободной энергии от состава окисных фаз, мы полагали, как само собой разумеющееся, что каждая упорядоченная структура, лежащая в области нестехиометрии, представляет собой самостоятельную в термодинамическом смысле фазу. Однако это предположение далеко не бесспорно. Действи тельно, исходя из правила фаз Гиббса (при постоянном давлении число степеней свободы F = C—Р + 1, где С — число независимых компонентов, а Р — число равновесных фаз) двухкомпонентная двухфазная система должна быть моновариантна (Р =1). Между тем состав многих окисных фаз М—О, у которых электронно-мик роскопическим методом обнаружено наличие сосуществующих упорядоченных фаз, не определяется однозначно температурой.
Это противоречие можно решить двояко: внести дополнитель ную переменную, отражающую сосуществование различных струк тур в нестехиометрической фазе, либо пересмотреть само термоди намическое понятие фазы. Вопросы, связанные с определением понятия «фаза» и применением правила фаз к существенно несте хиометрическим соединениям, были подробно обсуждены на кон ференции по химии протяженных дефектов в неметаллических кристаллах [75].
При выделении из гипотетической нестехиометрической фазы когерентной (или частично когерентной) структуры на границе домена возникают упругие напряжения. По мнению Хайде [75], эти напряжения следует внести как дополнительные переменные, ха рактеризующие свободную энергию доменов упорядоченной струк туры
G = /(P , Т , V, gla, % ,...) ,
где |і 2 и г)і2 — соответственно энергия деформации и внутренняя поверхностная энергия домена структуры I в матричной структуре II. Тогда правило фаз следует записать так:
F = C — Я + 2л,
66
где член Ел включает все дополнительные параметры, обуслов ленные выделениями в нестехиометрической фазе.
Очевидно, что строгий учет всех напряжений, которые явля ются сложной функцией размера, форм и количества образующих ся доменов, осуществить невозможно. Однако, как указал Бридж мен [76], для характеристики состояния образца нет необходимости в обратимых измерениях в одном и том же образце. Достаточно, чтобы исследуемое состояние хорошо воспроизводилось на различ ных образцах при одном и том же направлении процесса.
В таком случае правило фаз следует дополнить лишь одной переменной ГГ, характеризующей предысторию и заменяющей член Ея, введенный ранее. Очевидно, что состояние достаточно большо го кристалла определяется однозначно величиной П (в дополнение к Т и Р ) , тогда как исследование термодинамических свойств отдельных микродоменов (например, индивидуальных элементов структуры сдвига) требует уточнения присущих им напряжений.
Сиенко [75] указал на возможность еще одной термодинамиче ской переменной — электростатического потенциала. Его проис хождение легко понять исходя из следующих соображений: при восстановлении окислов образуются электронные дефекты, кото рые, как правило, локализуются на металлических ионах, пони жая их зарядность. Образующиеся структуры сдвига, очевидно, не являются вполне гомогенной средой по отношению к электрон ным дефектам, в результате чего последние упорядочиваются. В том случае, если электронные дефекты собираются в плоскостях сдвига, возникающее электростатическое взаимодействие плоско стей вносит определенный вклад в граничные напряжения. К со жалению, ничего более конкретного пока неизвестно и электроста тический потенциал, по-видимому, не может быть введен как стро го определенный параметр.
Если вернуться к классической форме правила фаз, то ука занное выше противоречие в его применении можно устранить, пересмотрев само определение термодинамической фазы как гомо генной части гетерогенной системы. Взамен ему предлагалось [75] определение, имеющее «структурное» происхождение. Так, напри мер, если рентгенографический образец ведет себя как однофаз ный, а методом электронной микроскопии в нем обнаружены микродомены с различной структурой, то принимается, что он содержит более одной фазы. С таким определением трудно согла ситься, так как основанные на нем выводы находятся в зависи мости от длины волны используемого излучения.
Характеризуя структуры сдвига (особенно блочные структу ры) как многофазные, мы сделали бы еще две ошибки принципи ального характера. Во-первых, при больших отклонениях от сте хиометрии расстояние, разделяющее плоскости сдвига, очень мало, и размер блоков измеряется несколькими элементарными ячей ками. Ясно, что такие образования представляют собой микро системы, к которым не применим термодинамический подход.
5* |
67 |
Во-вторых, если домены каждого сорта считать самостоятель ной фазой, то почему бы не выделить в микродоменной «фазе» еще одну фазу с уплотненной решеткой в самой плоскости сдвига.
Суммируя все вышесказанное, следует признать наиболее приемлемым действующий принцип определения числа фаз систе мы, исходя из справедливости правила фаз Гиббса в его класси ческой формулировке и не отождествлять термодинамическую фазу с атомарно-гомогенной структурой.
Взаимосвязь между различными видами дефектов нестехиометрии
Вряд ли можно сомневаться в том, что различные типы разупорядочения и упорядочения действуют в нестехиометрических кристаллах одновременно, хотя в зависимости от химической при роды окисла, степени его нестехиометрии, температуры и давления одно из состояний дефектов может полностью доминировать над другими. На рис. 1.24 представлена предложенная Андерсоном [40] диаграмма, выражающая взаимосвязь между различными моде лями разупорядочения. Все они занимают промежуточное положе ние между двумя предельными гипотетическими моделями. Первая из них соответствует высшей степени ближнего и дальнего порядка дефектов, приводящего к замене нестехиометрической фазы груп пой близких по составу упорядоченных структур с незначительной концентрацией дефектов. Вторая отвечает статистически беспоря дочному распределению точечных дефектов. Между этими крайни ми случаями находятся состояния, соответствующие образованию ассоциатов и кластеров, а также частичному разупорядочению сверхструктур.
Очевидно, что во всех бинарных системах стабильность несте хиометрических фаз с понижением температуры уменьшается, но характер происходящих при этом изменений неодинаков. На рис. 1.25, а схематически представлены диаграммы «свободная энер гия •— температура — состав». Первая из них соответствует си стемам, в которых поверхность свободной энергии нестехиометри ческой фазы (1) при некоторой температуре Тк пересекается с по верхностью упорядоченной фазы (2). Тогда при Т = ТК происходит скачкообразный переход от нестехиометрической к упорядоченной фазе типа сверхструктуры или структуры сдвига.
Другой тип диаграммы G— Т—X (рис. 1.25, б) соответствует постепенному и непрерывному переходу от сильно разупорядочен-
ной нестехиометрической |
фазы |
к упорядоченной стехиомет |
||
рической. |
Любая фаза |
в |
состоянии |
внутреннего рав |
новесия при |
0° К должна |
быть совершенно упорядочена и иметь |
||
строго стехиометрический |
состав. |
Наличие |
нестехиометрических |
фаз при низких температурах является признаком метастабиль ности и обусловлено кинетическими факторами (медлительность процессов диффузии и релаксации).
68