Файл: Современная фотоэлектрохимия. Фотоэмиссионные явления.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 27.06.2024

Просмотров: 112

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

тельиости и притом в достаточно широкой области спектра. Здесь наиболее удобны, несмотря на их невысокую чувствительность, радиационные термоэлементы [66]. Для сравнительных изме­ рений при различных частотах света можно также использовать фотоумножители, на входное окно которых нанесен слой лю­ минофора (поскольку интенсивность люминесценции, как правило, не зависит от длины волны возбуждающего ее света [67]).

1.5. Электрохимическая ячейка. Реагенты, растворы

 

До настоящего

времени подавляющее

большинство

фотоэмис­

 

сионных

экспериментов

было

выполнено с ртутным электродом 1 0 .

 

Зеркально-гладкая поверхность с

воспроизводимыми

свойствами

 

делает ртуть «модельным» электродом в фотоэлектрохимии (как,

 

впрочем, и в других областях электрохимии). Для уменьшения

 

влияния

загрязнения

поверхности

в

ходе эксперимента

целесо­

 

образно применять капающий электрод, достаточно широко

 

описанный

в полярографической литературе

[68], или

электрод

 

в виде висящей (сменяемой) ртутной капли (удачная конструкция

 

его предложена Гохштейнами [69]).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При

условии

достаточно

 

высокой

чистоты

раствора

можно

 

применять

электрод

в

виде

«лужи»— он

особенно

удобен, если

 

решению поставленной

задачи мешает кривизна поверхности элек­

 

трода, как, например, при изучении влияния поляризации света

 

на фотоэмиссионные явления. Ячейка с фотокатодом такой формы

 

описана

в

[70]. Ячейки

готовятся

из кварца

или

снабжаются

 

кварцевым

окном

для

освещения

электрода.

 

 

 

 

 

 

Приготовление

электродов

из

твердых металлов

для

фото­

 

эмиссионных исследований, в принципе, не отличается какими-

 

либо особенностями.

Следует

лишь

обращать

особое

внимание

 

па удаление с поверхности

металла пленки

окислов,

способных

 

давать фототок за счет внутреннего фотоэффекта, фотосенсибили­

 

зации электрохимических

реакций

и т. п.,

а также на

получение

 

возможно

более гладкой

поверхности.

 

 

 

 

 

 

 

 

Состав раствора в ячейке определяется, естественно, задачами

 

поставленной работы. Но нужно иметь в виду, что поглощение

 

света компонентами раствора уменьшает освещенность электрода;

 

кроме того, в этих условиях возможны' осложнения

из-за

появ­

 

ления в растворе продуктов фотолиза. Наконец, при выборе

 

состава

раствора

следует

обеспечить

возможно

более

широкую

 

область потенциалов,

в

которой электрод

хорошо поляризуется.

 

Требования, предъявляемые

к чистоте применяемых

химических

 

веществ

и

растворителей,

а

также

к

методике

эксперимента,—

 

в целом такие же, как и при других исследованиях в области тео­

 

ретической

электрохимии

[26, 27].

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Все приведенные в книге рисунки относятся к ртутному

электроду (за

 

исключением специально

оговоренных

случаев)Х~~

 

———-—""-г ---

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

Гос. публичная

г

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

научно-технячеснал

>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

библ:«оте.ча

С С С Р

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

|

 

ЭКЗЕМПЛЯР

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

«ИТАЛЬКОГО

ЗАЛА

 



Г л а в а 2

ТЕОРИЯ ФОТОЭМИССИИ НА ГРАНИЦЕ МЕТАЛЛ—ЭЛЕКТРОЛИТ

2 . 1 . Постановка задачи

Существующие методы теоретического описания фотоэлектрон­ ной эмиссии развивались, в основном, для случая эмиссии в ва­ куум и не могут быть непосредственно использованы для рас­ смотрения закономерностей фотоэмиссии на межфазной границе электрод—электролит. В настоящей главе теоретическое описание этого явления будет проведено в рамках общей пороговой теории фотоэлектронной эмиссии. Возможность единого порогового описания обусловливается тем, что при представляющих наи­

больший интерес

частотах излучения

(видимый свет

и

ближний

ультрафиолет) кинетическая энергия

эмиттированных

электро­

нов оказывается

меньше энергетических параметров,

характери­

зующих внутреннюю структуру электрода-эмиттера. Ниже будут рассмотрены основы пороговой теории, развитой впервые в работах [71, 72]. Более детальный анализ теории, требующий привлечения

сравнительно

сложного математического

аппарата, содержится

в

[73].

 

 

 

 

 

 

 

Пусть поверхность

металла, занимающего

полупространство

х

<С 0

(рис. 2.1), облучается

монохроматическим светом с часто­

той со.

Если

энергия

кванта

На (здесь

Я =

h/2n — постоянная

Планка) больше работы выхода электрона из металла во внешнюю среду w, то становится энергетически возможен однофотонный 1 внешний фотоэффект. Красная граница (пороговая частота) определяется условием w = 7гш0.

Процесс фотоэмиссии будет рассматриваться в установив­ шемся стационарном режиме, не зависящем от условий «начала опыта». Дополнительные предположения, наряду с уже упомя­ нутым предположением о малости конечных энергий эмиттиро­ ванных электронов, состоят при этом в следующем.

1. Поле внешней электромагнитной волны, вызывающей фотоэмиссшо, достаточно мало, так что можно пренебречь его на­ пряженностью по сравнению с напряженностью межатомных полей, а также его влиянием на энергетические уровни эмитти­ рованных электронов вне эмиттера. Оба эти условия имеют место

Если

(п — 1) hat < w < лЙи, где

п — целое положительное число, то

может

реализоваться я-фотонный

внешний фотоэффект.

30


вплоть до напряженности по­ ля электромагнитной волны порядка 10° в/см.

2.Фотоэмиссионный ток достаточно мал, так что он практически не нарушает тер­ модинамического равновесия внутри твердого тела. При экспериментально наблюдае­ мых плотностях фототока это условие всегда имеет место.

3.Можно пренебречь влия­ нием на поведение электронов магнитного поля падающей волны. При рассматриваемых

энергиях

квантов,

когда

Гг ш < ^ Woc 'C B i г Д е

то ~ м а ° с а

покоя

электрона и с с в — ско­

рость

света,

это,

очевидно,

также

всегда

возможно

[74].

Уровень энер­ / Свет гии 8 Вакууме

Металл

Рис. 2.1. Схема [энергетических харак­ теристик освещаемой поверхности ме­ талла

Общее выражение для плотности фотоэмиссионного тока / , направленного по нормали к неограниченной однородной поверх­ ности электрода-эмиттера, может быть тогда записано в виде

I

= $ ejx и

р „, со) F (Еи р.) р и

Р н) d E i d P н •

(2.1)

Здесь E t и

рц = {pv,

pz]—соответственно

переменные

энергия

и направленные параллельно поверхности

компоненты

импульса

(квазиимпульса) исходных электронов в металле; электронами в

металле

здесь и

далее будем называть в общем случае квазичасти­

цы 2

с

зарядом — е.

 

 

 

Первый сомножитель

под интегралом

в (2.1) ejx(Ei,

рц,со)

есть

значение

плотности

электрического

парциального

фото­

эмиссионного тока, отвечающего определенным начальным зна­ чениям E t и рц исходных электронов. Второй сомножитель под интегралом

(2.2)

описывает фермиевское распределение исходных электронов внутри металла. Здесь Т — абсолютная температура; к — постоян­ ная Больцмана и р, — химический потенциал электронов в метал­

ле. Если выбрать за нуль отсчета энергии потенциальную

энергию

эмиттированного электрона вне металла, то

получим

р, = —w.

Наконец, третий сомножитель р ( E t , рц) есть

функция

плотности

2Отметим, что в условиях эмиссии, когда направление, перпендикулярное плоскости раздела, является выделенным, состояние электронов естествен­

но описывать, задавая значения £ ( и р ц, а не трех компонент импульса,

как в неограниченном теле.

31


распределения исходных состояний, конкретизировать вид ко­

торой,

как

будет

видно из дальнейшего,

обычно

нет необходи­

мости.

 

 

 

 

 

 

Согласно

определению величип F

( E t ,

ц.) и р

рц), произве­

дение F

( E i ,

ц.)р

pu)cW?idpu есть

количество электронов в метал­

ле с заданными значениями E t и р ц в интервале dEid\> ц. Умножение этой величины на ejx ( E t , рц, со) с последующим интегрированием по всем допустимым значениям i?; и рц и даст, очевидно, в соответ­ ствии с (2.1), значение полной плотности фототока.

Для определения области интегрирования в (2.1), т. е. обла­ сти допустимых значений E t и рц, необходимо обратиться к рас­ смотрению соотношений, следующих из законов сохранения энер­

гии

 

и импульса.

Именно, для

электрона

с начальной энергией

E t ,

поглотившего

п квантов света

частоты со и

покинувшего ме­

талл,

имеем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

 

J L ( p a + p*u).

 

 

(2.3)

Здесь т — эффективная масса, соответствующая

движению

эмит-

тировапного электрона в среде вне металла (при

эмиссии в ваку-

З'м т = т0);

р — значение ^-компоненты

импульса

эмиттирован-

ного

электрона вдали от границы

раздела.

 

 

 

 

При записи (2.3) учтено также, что, в силу существования тран­

сляционной симметрии в плоскости раздела фаз, значения

тан­

генциальных

компонент

импульса р и =

{pv, p z }

сохраняются,

т. е. остаются равными своему первоначальному

значению внутри

металла. Из

(2.3)

получаем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

p = / 2 m ( / ? i

+ n r / ( o ) - p * .

 

 

(2.4)

 

Допустимыми при заданных

значениях

п и со являются

лишь

те начальные

значения E t

и рц

в (2.1), при которых

подкоренное

выражение в (2.4) не отрицательно, так что импульс р является действительной величиной. В противном случае, когда подкорен­

ное выражение отрицательно, величина р оказывается

чисто

мни­

мой; это означает, что электрон не

покидает металла, и

ток

j x ( E i ,

рц,со), отвечающий указанным

E

t и р ц, равен нулю. Таким

образом, интегрирование в (2.1) следует

проводить по

значениям

E t и

р ||, удовлетворяющим

условию

 

 

 

 

 

{

+ пГш) >

р* .

 

(2.5)

|Как видно из изложенного, центральной проблемой теории является вычисление величины j x . Здесь существует несколько различных подходов. Первый из них, использованный впервые в феноменологической теории Фаулера для однофотонного фото­ эффекта [75], содержит ряд довольно искусственных предполо­ жений, но по существу сводится к простой замене в (2.1) величины

32