Файл: Ямалеев К.М. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей стареющими сплавами.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 30.07.2024

Просмотров: 94

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Д - относительное количество атомов в объеме сплава, занятом модулированной структурой; 8 - амплитуда изменения концентра­

ции при образовании модулированной структуры. При выполнении

закона Вегарда um=-^ ^Рі ? 2 ^ А— ' где ит " максимальной

смещение атомов от положений в средней решетке в пределах од­

ного зародыша, Ьд и Lg -

периоды модуляции в чистых метал­

лах

А

и

В, формула (1.41)

аналогична

формуле

 

(1.40) для комп-

лексов

Гинье. Іл

в формууле. (1.40) характеризует интенсивность

лауэвского

фона

Iл =• [с ( 1 ) — ДР]Р2

1^А—

^

Здесь

кон

иентраиия

одного

из компонентов бинарного сплава AB ( пусть

А)

в однородном твердом растворе, в

обогащенной и обедненной

прослойках модулированной структуры;

pppg —относительные ко­

личества атомов в обогащенных и обедненных прослойках (р^

+

Р2

=1);

C j-c +pgS

и с2 =с + р1 5 ; a

=qx um. 1

В работе [ 41 ]

 

для амплитуды диффузного рассеяния

вдоль [1 0 0

]

комплексами

 

Гинье, модулящія в которых происходит в направлении [100], бы­ ло получено выражение

nxfa

PlP2 A c(fA -fB)

sin-nsxL

 

А

a f

L

 

 

TTSX L

 

sin Tr(p|Sx L+ a )

 

 

(1.42

TT(P2 SxL + a )

 

 

 

 

 

где nx - число ячеек

в комплексе

в направлении [ 1 0 0

] ; f д, fg _

рассеивающие способности атомов А и В; f =^дсд + fgCg

— сред­

няя рассеивающая способность; Дс

- разность атомных кон­

центраций растворенных атомов А в обогащенных и обедненных

областях; р^

и р^относительные доли объемов для обогащенных

и обедненных

областей; a =-тги_

L

 

 

uin = [(а] - 3 )У і] Р]

 

 

толщина комплекса; а^ _ период

решеток в направлении

[ 1 0 0 ]

в

обогащенной

области; а - средний период.

 

 

Расчеты,

проведенные по этой формуле, показывают,

что

вбли­

зи узлов обратной решетки появляются диффузные максимумы, удаленные от узлов обратной решетки hkl в направлении [ 1 0 0 ].

На рис. 18 в качестве

примера

приведены результаты

расчета

Ад для сплава Си—Ті

(5 ат %

Т і)

при a s; 0,15,

исследован­

ного в работе [4 2 ]. Хорошо видно, что максимумы интенсивности


іа {а

-н а к-

" - H - H H B - I H U H H

[ f Н-Н4 Ш - Н 1І Н

Р и с . 1 8 . Интенсивность диффузного рассеяния комплексами Гинье вдоль [1 0 0 ] вблизи узла обратной решетки ( AZ = 0) сплава Си - 5 ат.% Ті

Р ис. 1 9 . Одномерная модель искаженной структуры твердого раствора (а) и разделение одномерного ряда с искажениями на "ряд ошибок" '■( б)[2 1 }

(сателлиты) асимметричны как по интенсивности, так и по рас­ положению относительно узла обратной решетки исходного (сред­ него ) кристалла. Анализ формулы (1.42) позволяет сделать вы­ вод, что сателлиты будут симметричны по расположению и ин­ тенсивности лишь при равенстве периодов решеток в разных об­ ластях комплексов, а асимметріи должны увеличиваться с увеличе­ нием размеров комплексов.

При анализе диффузного рассеяния можно учесть влияние от­ клонения от периодического распределения зародышей на харак­ тер дифракционной картины [ 21, 43 , 44]. Нарушения правильной периодичности приводят к размытию сателлитов.

Если зародыши возникают и растут независимо один от другого, то характер рассеяния будет определяться главным образом их структурой и величина размытия диффузных эффектов в направ­ лениях < 1 0 0 > будет пропорциональна Ф/AL, где AL - толщина

зародыша.

Нарушение правильной периодичности модулированной струк­ туры можно представить как смещение части атомных плоскостей из правильных положений (рис. 19). Ряд с такими плоскостями

называют "рядом ошибок". Интенсивность рассеяния ряда оши­ бок можно вычислить, если известен закон их распределения

вдоль ряда. При большом числе ошибок ( Ng)

интенсивность

будет

равна

2

9

 

9

 

ІП(.Н )- NB |F 0 (H )|“ Ф (H) = NB |F0 (H) I

------------------------,

(1.43)

^

1

—и-—2u cos4

 


где F0 (H)—атомноструктурный множитель для ошибки, т.е. ампли­

туда рассеяния отдельной ошибкой при наличии группы йз смещен­

ных и несмещенных плоскостей,

и Т _

амплитуда и фаза комп­

лексной

величины

q(H) = <ехр2 тті(рН)>_п,

зависящей от закона

распределения вероятностей для расстояний между ошибкакоі

 

[е ( р)]. •

Зная функцию распределения вероятности расстояния

меж­

ду соседними ошибками в ряду

ошибок, можно вычислитьq(H),

а

следовательно,

и

и У, а далее -

Iд(Н). ; В одномерном случае

наиболее правильно рассматривать распределение вероятностей,

подчиняющееся

следующему закону:

 

 

£ (р,ф) = kpC(’_1 e - a ß,

 

 

 

 

где Ф - параметр корреляции

в расположении ошибок. При ф->°°

функция

Е( р, (р )

 

превращается

в

S-функцию, что соответствует

полному порядку в расположении ошибок в цепочке строго через среднее число п периодов а - или, иными словами, сторого периодическому распределению ошибок. При ср=1 функция е ( р, ф) удовлетворяет условию полного отсутствия порядка, т.е. имее'гся одинаковая вероятность нахождения ошибки в любом месте цепочки, Из условий нормировки и среднего для функции е( р)

/ Е(p)dp = l; /е (p)pdp= Ѳ

оо

определяются

коэффициенты

к и а .

В итоге получается:

 

 

 

 

 

 

-

a

i

Ф -

 

,

Л

1

9

f P

 

 

 

, п

 

Е(рср,п)= —

— —с— ;

 

 

 

 

n

F(cp)

п

 

 

Для

одномерной задачи

ср

заменяем через sea , тогда направление

а* 1 1

а

пространства обратной решетки q(æ) будет определяться

■из

 

 

 

 

 

 

 

°°2тті*р

q(æ)=

/е(р,ср,п)е

dp.

 

 

 

 

о

 

 

 

 

 

П узлах обратной решетки Э£?

равно целому числу

nj вычисле­

ние дает

 

 

 

 

 

 

, .

/ 2тгаеп

ч21 -Ф/2

и

2

п-аел

и(а?) = [1 +^———

J

]

ф(эе ) =^агс tg

 

~ Ф ~ ‘


На рис. 20 изображены кривые изменения функцші ф(Ц)=ф(зе) для одномерной цепочки при различной степени корреляции в рас­ положении ошибок. Анализ приведенного графика и уравнения (1.43) позволяет сделать следующие выводы. При полном порядке в рас­ положении ошибок в ряду ошибок ( ф -* °о ), что должно соответство­ вать модулированной структуре со строгой периодичностью, диф­

фузное рассеяние будет определяться как функцией Ф(Н), так

и

атомно-структурным фактором F0 (1I). Вокруг основных узлов

об­

ратной решетки, соответствующих периодичности с параметром а ,

появятся дополнительные узлы-сателлиты

на расстояниях rri/fi

от

основных узлов ( m — целое_ число). Интенсивность их будет

оп­

ределяться как функцией Ф(Н), так и

F0 (H).

 

При полном отсутствии корреляции в расположении ошибок диф­ фузное рассеяние зависит лишь от изменения атомно-структурного фактора F0 (H)i так как при ср->1 функция Ф(ІІ)-*1 при всех зна-

чениях Н. ; Если в расположении ошибок (зародышей) существует достаточно высокая степень корреляции, то в области небольших углов рассеяния (вокруг узлов обратной решетки, не очень уда­ ленных от ее начала) диффузное рассеяние будет определяться обе­ ими функциями и получится картина, сходная с описанной дляф->~: основные узлы обратной решетки окружены узлами-сателлитами на расстояниях гп^ /п. Для достаточно удаленных узлов обратной решет­

ки от ее начала (т.е. для высоких порядков отражения) на диф­ фузное рассеяние будет влиять в^основном атомно-структурный фактор FQ(H), так как функция Ф(Н) при увеличении Н стремится

к1 (см. рис. 2 0 ).

Экспериментальные результаты показывают [11], что отражениясателлиты во многих случаях наблюдаются по всем трем направ­ лениям, даже у таких сплавов (альни, нимоник и др .), у которых

А ѵ/ѵ является небольшой величиной. Эти факты привели к созданию

трехмерной модели [4 ,5 ], Предположим, что области, в которых произошел распад, имеют равновесную форму. Для простоты примем форму куба, ограниченного плоскостями 11 0 0 I. Трехмерная модель

учитывает модуляцію межплоскостного расстояния и рассеивающие

способности

в трех

 

направлениях < 100 > одновременно. Согласно

этой модели

(рис.

2

1 ), межплоскостное расстояние вдоль каждого

из направлении < 1 0

0

> изменяется так, что некоторая часть плос­

костей имеет межплоскостное расстояние а^, а следующая часть -

а£. Это

повторение межплоскостных расстояний имеет период

L - ( 2 M +1

) 5

(ä - средняя

величина межплоскостного

расстоя­

ния, т.е.

усредненный период

кристаллической решетки).

Изменение


Ф (х )

S -

Р и с . 2 0 . Изменение функции модуляции интенсивности Ф (зе )

взависимости от параметра корреляции

Ри с . 2 1 . Модель трехмерномодулированного комплекса. Изображена половина комплекса, рассеченного плоскостью ( 1 0 0 ), проходящей

через его середину [4 5 ]

координат атомов такой модулированной структуры описывается следующим уравнением:

"=?k + î k = (xk + uk,x) і + (Ук+ uk ,y)T + (zk + U k,z)k >

где

г

- вектор, который характеризует положение точки

к

в

средней

решетке;

uk - смещение атомов от точки к

средней

решетки;

 

х, ц^ ^ uk z

-

компоненты этого смещения

вдоль

осей

x,y,z. '

Эти

величины измеряются в единицах

а. і В

нашем слу­

чае функция

ÏÏk

должна быть периодической с периодом вдоль

осей

< 100>

L = (2 M+ 1) 5=QiT.

Структурный фактор для

такой

эле­

ментарной ячейки

(размер

комплекса

равен 2 ма,

см. рис,

2 1 )

мо­

жет быть выражен как

 

 

 

 

 

 

 

FQ (H)=

£

F( г) exp (—2ттi H г )

=

 

 

 

 

 

 

 

^КОМПЛ

 

 

 

 

 

 

 

=

£

£

£ [F + AF(x,y,z)]exp[-2TnIlx (xk +uk>x)]

■<

 

 

 

ху z

хехр [—2-п-і Ну (yk +ukjy)]exp[-2TTiHz (zk +uk(Z)], ■

(1.44)