Файл: Ямалеев К.М. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей стареющими сплавами.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 30.07.2024
Просмотров: 94
Скачиваний: 0
Д - относительное количество атомов в объеме сплава, занятом модулированной структурой; 8 - амплитуда изменения концентра
ции при образовании модулированной структуры. При выполнении
закона Вегарда um=-^ ^Рі ? 2 ^ А— ' где ит " максимальной
смещение атомов от положений в средней решетке в пределах од
ного зародыша, Ьд и Lg - |
периоды модуляции в чистых метал |
|||||||||
лах |
А |
и |
В, формула (1.41) |
аналогична |
формуле |
|
(1.40) для комп- |
|||
лексов |
Гинье. Іл |
в формууле. (1.40) характеризует интенсивность |
||||||||
лауэвского |
фона |
Iл =• [с ( 1 ■-с ) — ДР]Р2 |
1^А— |
^ |
Здесь |
кон |
||||
иентраиия |
одного |
из компонентов бинарного сплава AB ( пусть |
||||||||
А) |
в однородном твердом растворе, в |
обогащенной и обедненной |
||||||||
прослойках модулированной структуры; |
pppg —относительные ко |
|||||||||
личества атомов в обогащенных и обедненных прослойках (р^ |
+ |
|||||||||
Р2 |
=1); |
C j-c +pgS |
и с2 =с + р1 5 ; a |
=qx um. 1 |
В работе [ 41 ] |
|
||||
для амплитуды диффузного рассеяния |
вдоль [1 0 0 |
] |
комплексами |
|
Гинье, модулящія в которых происходит в направлении [100], бы ло получено выражение
nxfa |
PlP2 A c(fA -fB) |
sin-nsxL |
|
А |
a f |
L |
|
|
TTSX L |
|
|
sin Tr(p|Sx L+ a ) |
|
|
(1.42 |
TT(P2 SxL + a ) |
|
|
|
|
|
|
|
где nx - число ячеек |
в комплексе |
в направлении [ 1 0 0 |
] ; f д, fg _ |
рассеивающие способности атомов А и В; f =^дсд + fgCg |
— сред |
||
няя рассеивающая способность; Дс |
- разность атомных кон |
центраций растворенных атомов А в обогащенных и обедненных
областях; р^ |
и р^относительные доли объемов для обогащенных |
|||
и обедненных |
областей; a =-тги_ |
L |
|
|
uin = [(а] - 3 )У і] Р] |
|
|
||
толщина комплекса; а^ _ период |
решеток в направлении |
[ 1 0 0 ] |
в |
|
обогащенной |
области; а - средний период. |
|
|
|
Расчеты, |
проведенные по этой формуле, показывают, |
что |
вбли |
зи узлов обратной решетки появляются диффузные максимумы, удаленные от узлов обратной решетки hkl в направлении [ 1 0 0 ].
На рис. 18 в качестве |
примера |
приведены результаты |
расчета |
|
Ад для сплава Си—Ті |
(5 ат % |
Т і) |
при a s; 0,15, |
исследован |
ного в работе [4 2 ]. Хорошо видно, что максимумы интенсивности
іа {а
-н а к-
" - H - H H B - I H U H H
[ f Н-Н4 Ш - Н 1І Н
Р и с . 1 8 . Интенсивность диффузного рассеяния комплексами Гинье вдоль [1 0 0 ] вблизи узла обратной решетки ( AZ = 0) сплава Си - 5 ат.% Ті
Р ис. 1 9 . Одномерная модель искаженной структуры твердого раствора (а) и разделение одномерного ряда с искажениями на "ряд ошибок" '■( б)[2 1 }
(сателлиты) асимметричны как по интенсивности, так и по рас положению относительно узла обратной решетки исходного (сред него ) кристалла. Анализ формулы (1.42) позволяет сделать вы вод, что сателлиты будут симметричны по расположению и ин тенсивности лишь при равенстве периодов решеток в разных об ластях комплексов, а асимметріи должны увеличиваться с увеличе нием размеров комплексов.
При анализе диффузного рассеяния можно учесть влияние от клонения от периодического распределения зародышей на харак тер дифракционной картины [ 21, 43 , 44]. Нарушения правильной периодичности приводят к размытию сателлитов.
Если зародыши возникают и растут независимо один от другого, то характер рассеяния будет определяться главным образом их структурой и величина размытия диффузных эффектов в направ лениях < 1 0 0 > будет пропорциональна Ф/AL, где AL - толщина
зародыша.
Нарушение правильной периодичности модулированной струк туры можно представить как смещение части атомных плоскостей из правильных положений (рис. 19). Ряд с такими плоскостями
называют "рядом ошибок". Интенсивность рассеяния ряда оши бок можно вычислить, если известен закон их распределения
вдоль ряда. При большом числе ошибок ( Ng) |
интенсивность |
будет |
|
равна |
2 |
9 |
|
9 |
|
||
ІП(.Н )- NB |F 0 (H )|“ Ф (H) = NB |F0 (H) I |
------------------------, |
(1.43) |
|
^ |
1 |
—и-—2u cos4 |
|
где F0 (H)—атомноструктурный множитель для ошибки, т.е. ампли
туда рассеяния отдельной ошибкой при наличии группы йз смещен
ных и несмещенных плоскостей, |
'и |
и Т _ |
амплитуда и фаза комп |
||||
лексной |
величины |
q(H) = <ехр2 тті(рН)>_п, |
зависящей от закона |
||||
распределения вероятностей для расстояний между ошибкакоі |
|
||||||
[е ( р)]. • |
Зная функцию распределения вероятности расстояния |
меж |
|||||
ду соседними ошибками в ряду |
ошибок, можно вычислитьq(H), |
а |
|||||
следовательно, |
и |
и У, а далее - |
Iд(Н). ; В одномерном случае |
||||
наиболее правильно рассматривать распределение вероятностей, |
|||||||
подчиняющееся |
следующему закону: |
|
|
||||
£ (р,ф) = kpC(’_1 e - a ß, |
|
|
|
|
|||
где Ф - параметр корреляции |
в расположении ошибок. При ф->°° |
||||||
функция |
Е( р, (р ) |
|
превращается |
в |
S-функцию, что соответствует |
полному порядку в расположении ошибок в цепочке строго через среднее число п периодов а - или, иными словами, сторого периодическому распределению ошибок. При ср=1 функция е ( р, ф) удовлетворяет условию полного отсутствия порядка, т.е. имее'гся одинаковая вероятность нахождения ошибки в любом месте цепочки, Из условий нормировки и среднего для функции е( р)
/ Е(p)dp = l; /е (p)pdp= Ѳ
оо
определяются |
коэффициенты |
к и а . |
|||||
В итоге получается: |
|
|
|
||||
|
|
|
- |
<Р |
a |
i |
Ф - |
|
, |
Л |
1 |
9 |
f P |
|
|
|
|
, п |
|||||
|
Е(рср,п)= — |
— —с— ; |
|
||||
|
|
|
n |
F(cp) |
п |
|
|
Для |
одномерной задачи |
ср |
заменяем через sea , тогда направление |
||||
а* 1 1 |
а |
пространства обратной решетки q(æ) будет определяться |
|||||
■из |
|
|
|
|
|
|
|
°°2тті*р
q(æ)= |
/е(р,ср,п)е |
dp. |
|
|
|
|
|
о |
|
|
|
|
|
П узлах обратной решетки Э£? |
равно целому числу |
nj вычисле |
||||
ние дает |
|
|
|
|
|
|
, . |
/ 2тгаеп |
ч21 -Ф/2 |
и |
2 |
п-аел |
|
и(а?) = [1 +^——— |
J |
] |
ф(эе ) =^агс tg |
|
~ Ф ~ ‘
На рис. 20 изображены кривые изменения функцші ф(Ц)=ф(зе) для одномерной цепочки при различной степени корреляции в рас положении ошибок. Анализ приведенного графика и уравнения (1.43) позволяет сделать следующие выводы. При полном порядке в рас положении ошибок в ряду ошибок ( ф -* °о ), что должно соответство вать модулированной структуре со строгой периодичностью, диф
фузное рассеяние будет определяться как функцией Ф(Н), так |
и |
атомно-структурным фактором F0 (1I). Вокруг основных узлов |
об |
ратной решетки, соответствующих периодичности с параметром а ,
появятся дополнительные узлы-сателлиты |
на расстояниях rri/fi |
от |
основных узлов ( m — целое_ число). Интенсивность их будет |
оп |
|
ределяться как функцией Ф(Н), так и |
F0 (H). |
|
При полном отсутствии корреляции в расположении ошибок диф фузное рассеяние зависит лишь от изменения атомно-структурного фактора F0 (H)i так как при ср->1 функция Ф(ІІ)-*1 при всех зна-
чениях Н. ; Если в расположении ошибок (зародышей) существует достаточно высокая степень корреляции, то в области небольших углов рассеяния (вокруг узлов обратной решетки, не очень уда ленных от ее начала) диффузное рассеяние будет определяться обе ими функциями и получится картина, сходная с описанной дляф->~: основные узлы обратной решетки окружены узлами-сателлитами на расстояниях гп^ /п. Для достаточно удаленных узлов обратной решет
ки от ее начала (т.е. для высоких порядков отражения) на диф фузное рассеяние будет влиять в^основном атомно-структурный фактор FQ(H), так как функция Ф(Н) при увеличении Н стремится
к1 (см. рис. 2 0 ).
Экспериментальные результаты показывают [11], что отражениясателлиты во многих случаях наблюдаются по всем трем направ лениям, даже у таких сплавов (альни, нимоник и др .), у которых
А ѵ/ѵ является небольшой величиной. Эти факты привели к созданию
трехмерной модели [4 ,5 ], Предположим, что области, в которых произошел распад, имеют равновесную форму. Для простоты примем форму куба, ограниченного плоскостями 11 0 0 I. Трехмерная модель
учитывает модуляцію межплоскостного расстояния и рассеивающие
способности |
в трех |
|
направлениях < 100 > одновременно. Согласно |
этой модели |
(рис. |
2 |
1 ), межплоскостное расстояние вдоль каждого |
из направлении < 1 0 |
0 |
> изменяется так, что некоторая часть плос |
костей имеет межплоскостное расстояние а^, а следующая часть -
а£. Это |
повторение межплоскостных расстояний имеет период |
|||
L - ( 2 M +1 |
) 5 |
(ä - средняя |
величина межплоскостного |
расстоя |
ния, т.е. |
усредненный период |
кристаллической решетки). |
Изменение |
Ф (х )
S -
Р и с . 2 0 . Изменение функции модуляции интенсивности Ф (зе )
взависимости от параметра корреляции
Ри с . 2 1 . Модель трехмерномодулированного комплекса. Изображена половина комплекса, рассеченного плоскостью ( 1 0 0 ), проходящей
через его середину [4 5 ]
координат атомов такой модулированной структуры описывается следующим уравнением:
"=?k + î k = (xk + uk,x) і + (Ук+ uk ,y)T + (zk + U k,z)k >
где |
г |
- вектор, который характеризует положение точки |
к |
в |
|||||||
средней |
решетке; |
uk - смещение атомов от точки к |
средней |
||||||||
решетки; |
|
х, ц^ ^ uk z |
- |
компоненты этого смещения |
вдоль |
||||||
осей |
x,y,z. ' |
Эти |
величины измеряются в единицах |
а. і В |
нашем слу |
||||||
чае функция |
ÏÏk |
должна быть периодической с периодом вдоль |
|||||||||
осей |
< 100> |
L = (2 M+ 1) 5=QiT. |
Структурный фактор для |
такой |
эле |
||||||
ментарной ячейки |
(размер |
комплекса |
равен 2 ма, |
см. рис, |
2 1 ) |
мо |
|||||
жет быть выражен как |
|
|
|
|
|
|
|
||||
FQ (H)= |
£ |
F( г) exp (—2ттi H г ) |
= |
|
|
|
|
||||
|
|
|
^КОМПЛ |
|
|
|
|
|
|
|
|
= |
£ |
£ |
£ [F + AF(x,y,z)]exp[-2TnIlx (xk +uk>x)] |
■< |
|
|
|
ху z
хехр [—2-п-і Ну (yk +ukjy)]exp[-2TTiHz (zk +uk(Z)], ■ |
(1.44) |