Файл: Воробей З.Ф. Физика диэлектриков. Диэлектрики в постоянном электрическом поле конспект лекций.pdf

следует ожидать, что она будет

д а в а т ь заниженное

значение

диэлектрической проницаемости. Экспериментальная проверка

формулы

Борна п о к а з а л а , что при

малых диэлектрических

п р о -

нйцаемостях получаются небольшие

расхождения

между з н а ч е н и ­

ями диэлекрической проницаемости,

полученными

на

опыте

и

расчетным

п у т е м . Это о з н а ч а е т ,

ч т о при малых

£

внутренняя

кой напряженности. При больших значениях диэлекрической

п р о ­

ницаемости

получаются

значительные

расхождения

между

т е о р е ­

тическим

а

экспериментальным

значениями £

Данные

экспериментальной

проверки

формулы

Борна

п р и в е ­

дены в таблице

9 .

Таблица 9

Экспериментальная

проверка

формулы

Борна

:

Экспериментальное

Кристаллы

;

£ е

І

значение

;

минималь-1 максималь ­

:

ное

:

ное

Li F

1,92

32,6

8,1

9,2

10,0

Na Ct

2,33

6 1 , 1

5,3

5,6

6,36

нее

2,17

70,7

4,3

4,51

4,94

f?ôce2

4 . 5

о

10,8

33,5

37,0

_

ПО2

114,0

7,3

39,0

2 5 , 8 "

110,0

114,0

Для

кристаллов с

большой

S

необходимо

.учитывать

отклонение величины

действующего

поля от среднего м а к р о с к о ­

пического введением

поправочного

с л а г а е м о г о :

-

122

-

EÔH

=

Еср +

ßP-

Для

кристаллов кубической

формы

ß

~ Т±

, для кристаллов

д р у -

В

теории

Борна для

щелочно-галлоидшх кристаллов

О

п р е д п о ­

л а г а л о с ь ,

что

заряды

положительных

и

отрицательных

ионов

полностью

р а з д е л е н ы .

Но

обычно

отрицательные

ионы

много

б о л ь ­

ше,

чем положительные,

и отрицательный заряд может частично

покрывать область соседних положительных и о н о в . Поэтому не

всегда

можно

с ч и т а т ь ,

что

заряды

ионов

равны

целым кратным

элементарного

з а р я д а .

Дальнейшее

уточнение

формулы

Борна

включало в

себя у ч е т ^ э т о г о

положения

введением п эффективного"

иона .

Сигети

получил, формулу дня

диэлектрической

проницаемооу

ти,

которая содержит

эффективный

з а р я д ,

Далее Сигети п о к а з а л , что диэлектрическая проницаемость и о н ­

ных

кристаллов определенным образом связана с их коэффициен­

том

сжимаемости

L -

£+ г-

. m i J t

Как

61Ѵг+2)

а

-

123

- .

§ 42.

Зависимость диэлектрической проницаемости

ионных

кристаллов

от

температуры

Формула

Борна

позволяет

установить

х а р а к т е р

зависимости

ионных

кристаллов

от

температуры

t t

9 2

PN2

.

ЛС

Сри

нагревании кристалла

уменьшается

п л о т н о с т ь ß

и с о о т в е т ­

ственно уменьшается диэлектрическая

проницаемость,

о б у с л о в л е н ­

ная

электронной поляризацией .

Кроме

т о г о ,

при

нагреваний

к р и ­

с т а л л а расстояние

между

ионами у в е л и ч и в а е т с я ,

взаимодействие

между ними

о с л а б л я е т с я ,

уменьшается

коэффициент

упругой

связи

и ,

следовательно,

уменьшается

ч а с т о т а остаточных

лучей'

Ci)

Поэтому при повышении температуры диэлектрические

проницаемости

большинства

ионных

кристаллов

в о з р а с т а е т .

Однако,

если

в

к р и ­

сталле преобладает

электронная п о л я р и з а ц и я ' ( к а к ,

например,

в

т .

If* .

кристаллах,

содержащих ион

U

) ,

то

при

увеличении

т е м п е р а ­

туры диэлектрическая проницаемость уменьшается. Поэтому ТКК

для ионных кристаллов может быть и положительным,

и о т р и ц а т е л ь ­

ным.

§ 43. Радиотехническая керамика

Слово 1 , керамика" произошло от

г р е ч е с к о г о

"керамос,

что

означает г л и н а . В древние времена

из

глины с

добавками

других

материалов,

например п е с к а ,

изготовляли

битовые

и з д е л и я .

Все

материалы,

с о д е р ж а і у ^ глину,

называли керамическими.

Обяза ­

тельным элементом

технологии

изготовления

керамических

и з д е ­

лий я в л я е т с я

высокотемпературный о б ; ж г .

В

настоящее

ііремя

под