Файл: Воробей З.Ф. Физика диэлектриков. Диэлектрики в постоянном электрическом поле конспект лекций.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 05.08.2024

Просмотров: 132

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

-

124

-

словом "керамика" понимают

не

только глиносодержащие м а ­

териалы, но и другие неорганические материалы, не содержащие

глину, при изготовлении детачей из которых т р е б у е т с я высоко ­

температурный

обжиг.

 

Керамические материалы,

которые применяют в радиотехни ­

к е , называют

радиотехнической

керамикой. Она может и м е т ь . с а ­

мый различный с о с т а в .

При

изготовлении

керамических масс

исходные вещества, в

одном

 

конкретном

случае

тшщ/ИіОі25іОііНгОч

песок ЗіОг-,

углекислый барий ßaCOj ,

тщательно

измельчают, п е ­

ремешивают

и из такой

смеси

формуют

изделие_заданной формы.

Существует

много приемов,

с

помощью

которых из

керамических

ыасс можно изготовить^ изделие заданной формы. Плоские платы обычно изготовляют прессованием в преесформах, тонкие цилин-.

дры — протяжкой ч е р е з мундштук

и т . д .

Затем

отформованные

изделия

обжигают., в

зависимости

от с о с т а в а

массы,при

темпе ­

ратуре

І 4 0 0 - І 8 0 0 ° С .

При этих температурах происходят различные

физико-химические процессы, в р е з у л ь т а т е

которых о б р а з у е т с я

вещество, состоящее

из кристаллической

и

стекловидной

фаз, а

таісже газовой фазы в

BJWIÜ отдельных полостей, заполненных г а з о м .

Кристаллическая фаза определяет электрические свойства керамики, стеісловидная-соединяет кристаллы, обеспечивает механическую

прочность,

влагонепроницаемость,

но

ухудшает

электрические

с в о й с т в а .

Чем больший процент приходится

на

кристаллическую

фазу, тем

электрические

свойства

керамики

выше» Наличие

г а з о ­

вой фазы в обычной керамике нежелательно

, т . к она ухудшает

все свойства керамики -

и электрические,и

механические .

 

В вакуумной технике используется специальная пористая

к е - •

рамика, где процент пористости очень

высок.

 

 


-125 -

На керамические

материалы,

предназначенные

для и з г о т о в л е ­

ния радиотехнических

д е т а л е й , р а с п р о с т р а н я е т с я ГОСТ

5458-64. •

В государственном стандарте приведены значения свойств

материалов

без

регламентирования

их

рецептуры и

исходного

 

с в д ь я .

Поэтому различные заводы могут выбирать

рецептуру

к е ­

рамических

м а с с ,

исходя

из

местных

условий .

 

 

 

 

 

Согласно

этому

ГОСТу

и з г о т о в л я е т с я

три

типа

к е р а м и ч е с ­

ких материалов;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тип-

А -

высокочастотные

керамические

материалы

для

 

конденсаторов;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тип Б

-

низкочастотные

.идя конденсаторов-;

 

 

 

ТИП В

-

высокочастотные

для

установочных

изделий и

 

других

радиотехнических

д е т а л е й .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В зависимости от конкретной области применения внутри

типов,

керамические

материалы

д е л я т с я

на

классы, а

классы - па

группы

по

следующему

принципу:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а) - по величине температурного коэффициента емкости в'

классах

материалов і и і а

А;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б)

по относительному

изменению

диэлектрической

прони­

цаемости в

к л а с с а х материалов

типа

БJ

 

 

 

 

 

 

 

в)

по величине температурного коэффициента линейного

расширения и по величине предела^прочности при

статистическом

изгибе

в к л а с с а х

материалов, тиііа

В .

 

 

 

 

 

 

 

 

Керамические

материалы

в

зависимости

от

температуры,

при

которой

они могут

быть

использованы,

т . е

но

н а г р е а о с т о н к о с т и ,

подразделяются

н а

следующие

к а т е г о р и и :

 

 

 

 

 

 

1-я

кате'гория-от

60

до

+Ь5°С

;

 

 

 

 

 

 

 

 

2 - я

к а т е г о р п я - о т

60 до -і- І25°С ;

 

 

 

 

 

 

 

 

3 - я

к а т е г о р і ш - о т

GO

до

i-

I'ô'o°c;

 

 

 

 

 

 

 

 


 

 

 

 

 

-

126

 

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4 - Я к а т е г о р и я - о т 6U до

i- 300°С.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Диэлектрическая

ігронлцаемость материалов

типа

А лежит

 

в

пределах от

230

до 12 . Первый класс материалов

имеет

д и э ­

 

лектрическую

проницаемость от 130 до 230 и температурный

к о ­

 

эффициент емкости

образца большой отрицательный ТКС = -

(3300^

 

'-

1000)

і р а д .

Эти

керамические

материалы

имеют

в

своем с о с т а ­

 

ве

соединения

титана,

циркония

и олова

 

ГіОг

 

,

2гТіОъ,

CaSnQ.

 

В такой керамике происходят упругие поляризации -

э л е к тр о н ­

 

ная и ионная,

а также электронно - релаксационная и ионно

- р е ­

 

лаксационная

поляризация . Наличием релаксационных поляризаций

 

и объясняется тот факт, что температурный коэффициент имеет

 

отрицательный

знак

и ^зелик

по

 

абсолютному

значению. Второй

 

к л а с с керамических

материалов имеет диэлектрическую проница - ^

 

смость

о т ' б З

до 30 и отрицательный температурный коэффициент,

 

но

меньший по

абсолютной величине, что свидетельствует о

н е к о т о ­

ром уменьшении роли релаксационной поляризации и увеличении

. •

роли конной упругой поляризации. Третий класс материалов

т и ­

 

па А имеет диэлектрическую гфонтрм . гость от 77 до 12 и малый

 

отрицательный, а при

зь>ччении

 

диэ., • л р и ч е с к о й

проницаемости

 

15

и 12

даже

малый

положительный температурный

коэффициент

 

диэлектрической проницаемости. В этих керамических материалах

 

основной удельный

в е с

имеет

ионная упругая

поляризация .

 

 

 

На примере

керамики видно,

что,подбирая соответствующим .

 

образом

составные

части, можно

получить

материалы

с

различным

 

значением диэлектрической

проницаемости

и

ее

температурного

 

коэффициента.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

 


 

 

-

127

-

 

 

 

 

§

44 .

Поляризация

і ю л я р ш х

кристаллов

 

Имеются кристаллы, решетка которых построена из полярных

молекул. Если

в таком кристалле полярные

молекулы,

у ч а с т в у я

в-тепловом движении, могут

вращаться,

то

под

действием поля

происходит орнентационная

поляризация . Если

такой

возможности

н е т , т о , н е с м о т р я на

наличие полярных

молекул,орнентационная

поляризация происходить не

б у д е т . Для

полярных кристаллов

уравнение Клаузиуса-Мосотти непримениыо. Внутренняя напряжен­

ность электрического поля в таких

кристаллах

о п р е д е л я е т с я

формулой

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

і

 

Ебн

-Еср

 

г-

 

 

 

 

 

Однако

так

же,

как -и в случае

жидких полярных

диэлектриков,

£ г

еще

не определено . Наличие или

о т с у т с т в и е

 

дннодыюй

 

ориентационной поляризации

обнаруживается при

 

изучении

з а в и с и ­

мости диэлектрической проницаемости от температуры.

 

 

 

 

Для

дипольных

неорганических

кристаллов

характерны

ч е т и -

ре

типичных

с л у ч а я .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I .

В кристаллической

решетке

полярные молекулы

настолько

сильно закреплены, что полностью лишены

возможности

вращаться .

Несмотря на наличие дипольных молекул,в таких

 

кристаллах

п р о ­

исходит только электронная поляризация .

К этой

группе

веществ

относится нитробензол CtfHsN02,

нитрометан СН* Ы0г,

 

анилин

C$HSNH^. Ниже

изображены

структурные

формулы

этих

молекул .

 

 

6C-Nüj

 

 

 

 

 

НС

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H

N0Z

н с А с н

 

 

 

 

 

 

 

H -С -

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

сн'

 

 

 

 

 

СН

Н.

анилин

нитробензол

нитрометан

 


- 128 -

При переходе в жидкое состояние дштольные молекулы п о л у ­

чают возможность вращаться,

а поэтому появляется

д ш ю л ы і а я

ориентационная

поляризация .

При дальнейшем нагреваний

т е п л о ­

в о е хаотическое

движение затрудняет ориентацию и

поэтому д и ­

электрическая проницаемость

уменьшается. На р и с . 3 6

изображе­

на зависимость диэлектрической проницаемости рассматриваемых

соединений от температуры

de

 

 

 

 

 

Тпп.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-

Р и с .

36

 

 

 

 

I I .

D кристаллической решетке полярные молекулы имеют

возможность

ориентироваться .

Характерным

примером я в л я е т с я

поляризация

л ь д а .

Зависимость

£

л ь д а

и

воды от

температуры

позволяет

с ч и т а т ь ,

что

полярная

г и д р о к с и л ь н а я

группа ОН в

кристаллической

решетке

л ь д а

имеет возможность вращаться при ­

близительно

также, как в

в о д е .

Плотность л ь д а при температуре

плавления

меньше

плотности воды; молекулы льда в

с в я з и с этим

упакованы

менее

плотно,

чем молекулы

в о д а .

 

На

р и с .

37

 

показана зависимость диэлектрической проница­

емости

л е д - в о д а

от .температуры .

 

 

 

 

273'

Г

 

Р и с . 37