Файл: Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах.pdf

Литература

443

7 1 7 .

Иоффе

В.

А.,

Патрина

И.

В.,

P h y s .

Status

Solidi,

40,

389 (1970).

Comparison of the small - polaron

theory

w i t h

the

experimental

data of

7 1 8 .

current

transport i n

V2O5.

ЖЭТФ,

49,

867

(1965).

Кудиное

E.

К.,

Фирсов

Ю.

А.,

Стохастические аспекты теории малой подвижности.

7 1 9 .

Кудиное

Е.

К.,

Фирсов

Ю. А.,

ФТТ, 8, 666 (1966).

Некоторые соотношения в кинетике и их стохастическая интерпретация.

720 .

Ланг

И. Г.,

Фирсов

10.

А.,

ЖЭТФ,

43,

1843

(1962).

Кинетическая теория полупроводников с малой подвижностью.

721 .

Мирошниченко

О. Я.,

Климашевский

Л.

М.,

Изв. А Н

СССР, Неорг.

материалы, 6, 1893 (1970).

Стекло

из

пятиокиси

ванадия.

722 .

Патрина

И.

В.,

Иоффе

В. А.,

ФТТ, 6, 3227 (1964).

Электрические

свойства

пятиокиси

ванадия.

7 2 3 .

Пекар

С. И.,

ЖЭТФ,

16, 341

(1946).

Локальные

квантовые

состояния

электрона

в идеальном ионном кри­

724 .

сталле.

«Исследования

по

электронной

теории

кристаллов»,

Пекар

С.

И.,

ГИТТЛ,

М. — Л . ,

1951.

725 .

Takeno

Sh.,

Goda М.,

Progr.

Theor.

P h y s . ,

47,

790

(1972).

A theory of phonon-like exitation

i n

non-crystalline

solids and

liquids .

726.

Фирсов

Ю. А.,

ФТТ,

10, 1950

(1968).

О форме кривой поглощения при взаимодействии света с поляронами

малого

радиуса.

727.

Фирсов

Ю. А.,

ФТТ, 10, 3027 (1968).

Об эффекте Холла в поляронных полупроводниках.

728 .

Фирсов

Ю. А.,

в

сб. «Поляроны»,

изд-во

«Наука»

(1973).

Поляроны малого радиуса. Явления переноса.

729 .

Fulde

P.,

Wagner

Я . ,

P h y s . R e v . Letters,

27,

1280

(1971).

Low-temperature

specific heat and thermal conductivity of

non - crystalline

solids.

К

главе 5

730 .

Adler

D.,

Brooks

H.,

P h y s . R e v . 155,

826

(1967).

731 .

Theory

of semiconductor-to-metal

transitions.

ЖЭТФ,

61, 705

(1971).

Андреев

В. П., Аронов А. Г.,

Чудновский

Ф. А.,

Фазовый переход полупроводник — металл в сильном электрическом

поле в

V 2 0 3 .

732.

Андреев

В. Я . , Аронов А. Г.,

Чудновский

Ф. А.,

ФТТ,

12,

1557

(1970).

Фазовый переход в электрическом поле в V 2 O s

и эффект

переключения.

733.

Аронов

А. Г., Кудиное Е. К.,

ЖЭТФ, 55, 1344 (1968).

Фазовый переход при сильном электрон-фононном взаимодействии.

734.

Бакланов

Е.

В.,

Чаплик

А.

В.,

ФТТ,

7, 2768 (1965).

Диэлектрическая

постоянная

в

двухзонной

модели

полуметалла.

735.

В бег

К.

W., P h y s .

Status

Solidi

(а),

5,

753

(1971).

Second-order phase transition

to

a high

conductivity

state i n

semicon ­

736.

ducting

glasses.

ЖЭТФ, 62,

820

(1972).

Бразовский

С. А.,

О фазовом переходе полуметалл — диэлектрик в магнитном поле.

737.

Брандт

Я . Б.,

Чудинов

С. М.,

Письма в ЖЭТФ, 13, 146 (1971).

Образование фазы экситонного диэлектрика в магнитном поле при пере­

ходе

металл —

полупроводник.

738 .

БулаевскийЛ.

Я . , Xомский Д.

И.,

ФТТ,

9, 1070

(1967).

Фазовый

переход

диэлектрик — металл

в

антиферромагнетиках.

739 .

Валиев

К.

А.,

Копаев

10. В.,

Мокеров

В.

Г.,

Раков А.

В.,

ЖЭТФ, 60,

2175

(1971).

444

Литература

Электронная

структура н фазовые переходы в низких окислах ванадия

в электрическом

поле.

740. Wilson

J . A.,

Pitt

G. D.,

P h i l . Mag., 23,

1297

(1971).

741.

Metal-insulator

transition

i n

N i S 2 .

P h y s . R e v .

Gossard

A.

C,

Menth

A.,

Warren

W.

W.,

Jr.,

Remeika J . P.,

B 3 ,

3993

(1971).

Metal-insulator transitions

of V 2

0 3 :

magnetic

susceptibility

and nuclear -

742.

magnetic-resonance studies.

ЖЭТФ, 48, 1184 (1965).

Козлов

H.

А.,

Максимов

Л.

А.,

О фазовом

переходе

металл — диэлектрик. Двухвалентный

кристалл.

743.

КопаевЮ.

В.,

ФТТ, 8, 223 (1966); 12, 3 (1969).

О

фазовых

переходах

полуметалл —

диэлектрик.

О возможности существования двух критических температур

при фазо­

вом

переходе

полуметалл — полупроводник.

745.

Копаев

Ю. В.,

Тимеров Р.,

ФТТ, 13, 122 (1971).

Влияние примесных состояний на фазовый переход полуметалл —

полу­

746.

проводник.

P h y s . R e v . Letters, 25, 376

(1970).

MattisD.

С., Longer

W. D.,

Role

of

phonons

and band

structure i n

metal-insulator

phase

t r a n s i t i o n .

747.

Rice

Т. M., McWhanD.

В.,

I B M J o u r n . R e s . and Develop.,

14, 251

(1970)..

Metal-insulator

transition i n transition

metal oxides.

748.

Foldy

L . L . , P h y s .

R e v . , B 3 ,

3472 (1971).

Phase transition i n a

Wigner

lattice.

749.

Friedman

L . , Mott N.

F.,

J o u r n . Non - Crystalline Solids,

7,

103

(1972).

T h e

H a l l effect

near

the metal-insulator

transition .

751.

Chakraverty

В.

К.,

Chechosl. Journ . P h y s . ,

В21, 343 (1971).

Insulator - metal

transition in thin films of

ferrite

F e 3 0 4 .

752.

Чаплин А.

В.,

ЖЭТФ, 62, 746 (1972).

О возможности

кристаллизации носителей

заряда

в инверсных слоях

низкой плотности.

753.

R e v . Mod.

P h y s . ,

40,

673

(1968).

754.

R e v . Mod.

P h y s . ,

41,

924

(1968).

758.

Gerhardts

R.

R.,

S o l i d State

Communs . , 10, 107

(1972).

Note to the H a l l effect of

an

electron

gas

w i t h

random i n p u r i t y scatte ­

759.

ring .

J o u r n . P h y s . C : S o l i d

State

P h y s . , 5,

43 (1972).

Jones

R.,

Theory of i m p u r i t y

band

hopping

conduction.

760.

Касаманян

3.

А.,

ФТП,

3,

1709 (1968).

К

вопросу

о

влиянии примеси

на

энергетический спектр электронов

в

полупроводниках.

761.

Stem

F.,

P h y s .

R e v . , ВЗ, 3559

(1971).

Optical

absorption

edge

of

compensated

germanium .

Литература

445

762.

Шкловский

Б.

Я . , ФТП, 6, 1197 (1972); 2335

(1972).

763.

Шкловский

Б.

И., Эфрос А. Л., ФТП, 4, 305

(1970).

767 .

Эфрос

А.

Л.,

Галъперн

Ю.

С,

Шкловский Б. И.,

Proc . I n t . Conf.

P h y s .

Semicond . ,

Warsaw,

1972,

p.

126.

L o w

temperature

conductivity

of

strongly

compensated

semiconductors.

К главе 7

7 6 8 .

Bagley

В.

G.,

Solid

State

Communs . , 8, 345 (1970).

The

field

dependent

mobility

of

localized

electron

carriers.

7 6 9 .

Berglund

C.

N.,

Klein

N.,

Proc .

I E E E ,

59,

1099

(1971).

T h e r m a l

effects

on switching of solid films from an insulating to a

condu-

770 .

ctive

stftte

P h y s . Status

Solidi,

A l ,

K 2 1

(1970).

Boer

K.

W.,

R e m a r k s to the Ovshinsky

effect.

7 7 1 .

Boer

K.

W.,

P h y s . Status Solidi

(a), 3,

1007

(1970).

Ideal - real

semiconducting

glass

and

low-high

conductivity

transition .

772 .

Boer

K.

W.,

P h y s . Status

Solidi (a), 4,

571

(1971).

E l e c t r o - t h e r m a l

effects

i n

ovonics.

773.

Boer

K.

W.,

P h y s . Status

Solidi

(a), 10, K 3 1 (1972).

Ovshinsky

switching

and

duble

injection.

774 .

Борисова

3.

У., в сб. «Химическая

связь в кристаллах»,

изд-во «Наука

и техника», Минск, 1969 г., стр. 462.

стеклообразных

полупроводников.

775 .

Dbhler

G.,

P h y s .

Status S o l i d i ,

A l , 125 (1970).

O n

the switching

initiation in ovonics.

776.

Dorr

R.

C., Kannervurf

C. R.,

Journ . Non - Crystalline Solids, 6,

113

(1971).

Switching

effects

i n A s 1 4 T l 1 4 S b 5

S e l e

T e 2 i .

777.

Fida M.,

Hamada

A.,

J a p . J o u r n . A p p l . P h y s . , 10, 224

(1971).

E l e c t r i c a l

switching

i n mobility-gap

materials.

778 .

Коломиец

Б.

Т.,

Лебедев

Э.

А.,

Журнал

радиотехн. и

электрон., 8,

2097

(1963).

Вольтамперная

характеристика

точечного контакта

со стеклообразным

полупроводником.

779 .

Lee

S. Я . , Grundy Р.

/ . ,

J o u r n .

Non - Crystalline Solids, И , 192 (1972).

T h e r m a l

and non-thermal

processes

i n

threshold

switching.

780.

Lucas

I.,

Journ . Non - Crystalline

Solids, 6, 136 (1971).

Interpretation of the switching effect

i n amorphous semiconductors as a re­

781 .

combination

instability .

J o u r n . P h y s . D : A p p l . P h y s . , 4,

1401

(1971).

McMillan

P.

W.,

NesvadbaP.,

A c r i t i c a l

evaluation

of a thermal mechanism of

switching .

446

Литература

782.

Оксмап

Я.

А.,

Сизова

Г.

А.,

ФТТ, 2,

1817

(1968).

О прыжковой проводимости, измеряемой на переменном токе.

783.

Рывкин

С. М.,

ЖЭТФ, 15,

632 (1972).

О механизме переключения в аморфных полупроводниках.

784.

Silver

М.,

Dy

К.

S.,

Huang

I. L . , P h y s . R e v . Letters, 27, 21 (1971).

Monte

Carlo

calculation of the transient photocurrent

i n l o w - c a r r i e r - m o b i ­

785.

l i t y materials.

A p p l .

P h y s .

Feinleib

J . , de Neujville

/.,

Moss

S.

C, Ovshinsky

S. C,

Letters,

18,

254

(1971).

R a p i d reversible light-induced crystallization of amorphous

semiconductors .

786.

Phillips

J . C,

Comments

S o l i d State

P h y s . ,

3, 105

(1970).

Switching

i n amorphous

semiconductors.

787.

Fox S. J . , Locklar

H.

C,

J o u r n .

B u l l .

Amer .

P h y s . S o c ,

16, 500

(1971).

E l e c t r i c

field

dependent mobility

i n amorphous and crystalline materials .

Mikroskopische Untersuchungen an Festkorperschaltern aus halbleitendenu

789.

G l a s .

Д . ,

J . 5 . ,

P r o c .

I E E E ,

58, 1852

(1970).

Haden

С.

Stone

J . L . , binder

B u l k switching

of

an

amorphous

semiconductor.

790.

Chan

Yu.,

Jayadevaiah

T.

S.,

P h y s .

Status

S o l i d i

(b),

49, K 1 2 9

(1972).

Screening

effects

on Poole

— F r e n k e l

conductivity

i n

amorphous

s o l i d s .

791.

Sheng

W.

W.,

Westgate

C.

R.,

Solid State Communs . , 9, 387

(1971).

On the preswitching

phenomena

i n

semiconducting

glasses.

К

гласе 8

792.

Аветикян

Г.

А.,

Байдаков

Л.

А.,

Горюнова

Н.

А.,

Коузова

Н.

И.г

Ж П Х ,

42,

2345

(1969).

Магнитные свойства CdGeAs2 в стеклообразном и кристаллическом состо­

яниях.

793. Акимченко И. П., Иванов В. С ,

Борщевский

А.

С,

ФТП, 7, 425 (1973).

Спектры

электроотражения

кристаллического

и

стеклообразного»

C d G e A s 2 .

794. Аксенов

В. В., Петров В. М.,

Харахорин

Ф.

Ф.,

Невестин А Н СССР,

Неорг. материалы,

8,

1152

(1972).

Фотоэлектрические

свойства

стеклообразных

полупроводников;

C d S i K G e 1 _ ; t A s 2 .

795. Аксенов

В. В., Петров

В.

М., Харахорин

Ф. Ф.,

ЮрушкинБ.

И.,

Изве­

стия

А Н

СССР,

Неорг. материалы,

6,

826

(1970).

Полупроводниковые

свойства

стекол

системы

C d G e A s 2 —

C d S n A s 2 .

797.

Переключающее устройство на основе стеклообразного

C d G e A s 2 .

Барышев

В.

Г.,

Болтовец

Н.

С,

Борщевский

А.

С,

Горюнова

И.

А.Т

Орешкин

П.

Т.,

ФТП, 4,

372

(1970).

Особенности

В А Х

аморфных

слоев на основе тройных систем.

798.

Барышев

В.

Г.,

Верейкин

Е.

В.,

Орешкин

П.

Т.,

ФТП, 5, 77 (1971).

Явления

переключения

на

поверхности

стеклообразного

C d G e A s 2 .

799.

Болтовец

Н.

С ,

Борщевский

А.

С.,

Митюрев

В.

К.,

Османов

Э. 0.Т

Taxmapeea

Н.

К.,

Известия А Н СССР, Неорг.

материалы, 7, 19 (1971).

Кинетика

кристаллизации

стеклообразного

CdGeAs2 .

800.

Болтовец

Н.

С,

Борщевский

А.

С,

Османов Э. О.,

Mater. S c i . E n g . , 7,

56 (1971).

Features

of

glass

formation

on the tetrahedral

phases

on the

basis

of the-

801.

A 2 _ В 4

—

C 5

systems.

Д А Н

Болтовец

H.

С,

Горюнова

H.

А.,

Прочухан

В.

Д.,

Сергинов

М.,

СССР, 190, 619 (1970).

Получение

C d S i A s 2 в стеклообразном состоянии.

Литература

447

802.

Борисова

3.

У.,

Горюнова ff. А., Коузова Н. И.,

ОсмановЭ. О., Рудь Ю. В.г

ФТП,

2,

1548 (1968).

Оптические и термические энергии активации носителей заряда в стек­

лах

системы

C d G e ( A s a : P 1 _ K ) 2 .

803.

Brodsky

М.

ff.,

J o u r n . V a c . S c i . and T e c h n o l . , 8,

125 (1971).

Relations between structure and the optical

and

electrical properties of

amorphous

Ge and S i .

805.

Вейц

Б.

Н.,

Григалис

В. Я., Лисин Ю. Д., Лошакова Г. В.,

Османов 9.

О.,

Рудь

10.

В.,

Известия А Н Латв. ССР, сер. физ. и техн.

наук,

№

5,

26

(1969).

Эффект

Мессбауэра

в

стеклообразных

и

кристаллических

образцах

системы

C d ( G e x S n 1 _ a : ) A s 2 .

806.

Volicek

V.,

Zvdra

M.,

P h y s . Status Solidi

(b), 48,

93

(1971).

F a r a d a y

rotation

in amorphous

C d G e A s 2 .

807.

McGill

Т.

C.,

Klima

J . , P h y s . R e v . , B 5 , 1517

(1972).

Short-range

order

and pseudogaps

i n elemental covalent

semiconductors.

808.

Горюнова

H.

А.,

Сложные

алмазоподобные

полупроводники,

изд-во-

«Советское

Радио»,

1968.

809.

Горюнова

I I . А.,

Семейство алмазоподобных

полупроводников,

изд-во-

810.

«Знание», М., 1970.

Д А Н

Горюнова

Н. А.,

ЗлаткинЛ.

Б.,

Марков

Ю.

Ф.,

Стеханов

А.

И.,

СССР, 184, 582 (1969).

О

существовании

алмазоподобного полупроводника

в стеклообразном;

811.

состоянии.

P h y s .

Горюнова

Н. А.,

Кузъменко

Г.

С,

Мамедов

Б.

X.,

Османов 9.

О.,

Status Solidi (а), 8, 383 (1971).

Infrared

absorption

spectra

i n glasses on the basis of

tetrahedral

phasses.

812.

Горюнова

H. А.,

Кузъменко

Г.

С.,

Османов

9.

О.,

Mater.

S c i . E n g . , 7,

54

(1971).

Glasses on the basis of the A 2

B 4

C | , A 2 C | compounds

and their intermediate-

813.

alloys.

Горюнова

H. А.,

Рывкин

С. M.,

Шпеньков

Г. Р.,

Тычина

I I .

ff.,

Федо­

тов В. Г.,

P h y s . Status

S o l i d i ,

28, 389 (1968).

Investigation of some properties of vitreous

and crystalline

C d G e P 2 .

814.

Zdvetovd

M.,

Vorlicek

V.,

P h y s . Status

Solidi

(b), 48, 113 (1971).

Temperature

dependence

of the absorption edge

of amorphous

g e r m a n i u m .

815.

ЗлаткинЛ.

Б.,

Иванов

E. К.,

J o u r n . P h y s . Chem . Solids,

32, 1733

(1971).

Character

disorder

at transition

from

c r y s t a l

to

vitreous

phase

i n s e m i -

816.

с onductors.

P h y s .

R e v . Letters, 28,

1372

(1972).

Cargill

G.

S.,

Anisotropic

microstructure

i n evaporated

amorphous

germanium

films .

817.

Clark

A.

ff.,

Burke

T. J . , P h y s . R e v . Letters,

28,

678

(1972).

818.

Search

for

anisotropic

electrical

properties

i n

amorphous

germanium .

Кожина

И. ff., Болтовец ff. С, Борщевский

А.

С,

Горюнова

Н.

А.,

Вестник

ЛГУ, 10, 93 (1969).

Высокотемпературные

исследования

CdGeAs2 .

819.

Le

Comber

P.

G.,

Madan

A.,

Spear

W.

E.,

Journ . Non - Crystalline

Solids,

11,

219

(1972).

E l e c t r o n i c

transport

and state

distribution i n amorphous

S i films.

820.

Croitoru

N.,

Niklas

J . , Stuke

J . , Proc .

I I - t h

I n t . Conf.

P h y s .

Semicon . ,

W a r s a w ,

1972,

p.

536.

F i e l d dependence

of

electrical

conduction

i n amorphous

S i

and

G a A s .

821.

Luby

S.,

Cervendk

/ . ,

Kubek

/.,

Marcin

M.,

Schilder

/ . , C h e c h o s l .

J o u r n .

P h y s . , B21, 878

(1971).

S w i t c h i n g

phenomena

i n amorphous t h i n

films .