Файл: Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах.pdf

448

Литература

822.

Morgan

М.,

Walley

P. A.,

P h i l . Mag. 23, 661

(1971).

Localized conduction

processes

i n amorphous

germanium.

523.

Немилое

С. В.,

Кузъменко

Г.

С,

Османов

9.

О.,

Ж П Х ,

44,

2400

(1971).

Вязкость и упругие свойства стеклообразных полупроводников в систе­

•824.

мах

C d A s 2

—

CdGeAso

и

C d G e A s 2

—

C d G e P 2 .

Середний

А.

П.,

Горюнова

П.

А.,

Тычина

И.

И.,

Никольская

Г.

Ф.,

Ефимовский

И. В.,

Новикова

А.

Н.,

Ковалева

И.

С,,

P h y s . Status S o l i d i ,

34,

439

(1969).

The

investigation

of electroconductivity

and viscosity

of the melt

C d G e P 2 .

•825.

Stern

F.,

P h y s .

R e v . , B 3 ,

2636

(1971).

B a n d - t a i l

model

for

optical

absorption

and for

mobility

edge

i n

amor­

phous

silicon .

826.

Theye

M.

L . , Mater.

R e s . B u l l . ,

6,

103

(1971).

Influence

of annealing

on

the optical

properties

of amorphous

germanium

827.

films.

в сб. «Химическая связь

Тычина И.

И.,

Федотов В.

Г.,

Иванова

И.

М.,

в полупроводниках», изд-во «Наука и техника», Минск, 1969 г.,

стр. 334.

Свойства

полупроводникового

соединения

C d G e P 2

в

кристаллическом

828.

стеклообразном

состоянии.

Изв. А Н

СССР,

Неорг.

Увай Я.

А.,

Зюбина

Т. А.,

Алейникова

К.

В.,

материалы, 4, 17 (1968).

829.

Получение и электрические свойства стеклообразного

C d A s 2 .

Федотов В. Г., Леонов Е. И., Ивахно В. Н., Горюнова Н. А.,

Тычина И. И .,

ФТП,

3,

1739

(1969).

О некоторых электронных свойствах стеклообразного

C d G e P 2 .

830.

Харахорин

Ф. Ф. Аксенов

В.

В.,

ФТП,

1,

961

(1967).

Диффузия золота в кристаллические и стеклообразные образцы

C d G e A s 2 .

831.

Hauser

J . J . , P h y s .

R e v . Letters, 29,

476

(1972).

Anisotropic

electrical properties

of

amorphous

germanium.

832.

Heine

V.,

J o u r n . P h y s . C: S o l i d

State

P h y s . ,

4,

L221 (1971).

Proof of

an energy

gap i n a model of

amorphous

Ge.

833.

Hryby

A.,

Stourac L . , Mater.

Res . B u l l . ,

6,

247

(1971).

Glassy

semiconducting

C d A s 2 .

834.

Chopra

K.

L . , Bahl

S.

K.,

T h i n Solid

F i l m s ,

11,

277

(1972).

E x p o n e n t i a l

t a i l

of

the optical absorption

edge of amorphous

semicondu­

835.

ctors.

<?.,

J o u r n .

N o n - C r y ­

Sharma

S.

K.,

Jain

S.

C,

Aggarwal

S.

S.,

Bhide

V.

stalline Solids, 7, 285 (1972).

Structure

and electrical resistivity

of t h i n

amorphous

germanium

films .

836.

Schroder

В.,

Gieger

J . , P h y s .

R e v . Letters, 28,

301 (1972).

Electron-spectrometric study of amorphous

germanium

and silicon i n the

837.

two-photon region.

P h y s . Status

S o l i d i

(b), 49, 513 (1972).

Stuke

/.,

Zimmerer

G.,

Optical

properties

of

amorphous

I I I - I V

compounds.

I .

E x p e r i m e n t .

839. Abraham

A., Hruby A.,

Stourac

L . , Zdvetovd M., Czechosl. J o u r n . P h y s . ,

B22, 1168

(1972).

E l e c t r o n i c properties of

glassy

A s 2 T e 3 .

методом

термостимулированной

деполяризации.

841. Аверьянов

В.

Л., Карпова

Л. Н.,

Коломиец Б. Т., Любин В. Л., Федо­

рова Е. И.,

ФТП, 6, 1709

(1972).

Литература

449

Исследование локальных состояний в стеклообразных

полупроводниках

842.

системы Se — As .

в сб. «Стеклообразные систе­

Айо Л. Г.,

Ефимов А.

М.,

Кокорина

В. Ф.,

мы и новые стекла иа их основе», изд-во ВИНИТИ,

1971, стр. 288.

Оптические постоянные стекол бескислородных систем на основе

серы

843.

и селена.

E l e c t r o n . Letters,

8, 437

(1972).

Allison

/.,

Dawe

V.

R.,

Interpretation

of

the preswitching

behaviour

of

chalcogenideglass

swit ­

844.

ches in terms of a space-charge

injection mechanism.

Алтунян

С. А.,

Минаев

В.

С,

Стафеев В. И.,

Гасанов Л.

С,

Дешев-

войА.

С,

Скачков Б.

К.,

ФТП, 5,

490 (1971).

845.

«с памятью» и «без памяти» иа основе халькогеяидного

стекла.

Андрейчин

Р.

Е.,

Баева

М.

Б.,

Скордева

Е.

Р.,

Александрова С.

П.,

Докл. Волг. А Н ,

24, 1465

(1971).

Фотополяризацня

и

фотоэлектрическое

состояние

кристаллического

и стеклообразного сульфида

мышьяка.

846. Андриевский А. И., Каширин

Г.

Ф.,

Укр. физ. журнал, 15, 1082

(1970).

Низкочастотная

электропроводность полупроводниковых

стеклообраз­

никах и

термодинамика»,

изд-во

«Наука

и

техника»,

Минск,

1966.

К

вопросу

об

энергетическом

спектре

электронов кристаллических

и

стеклообразных халькогенидов

мышьяка.

849.

Андриеш

А.

М.,

Соболев В. В.,

ЛерманИ.

Я . ,

Изв. А Н Молд. ССР, сер.

физ.-мат. 6, 91 (1967).

К вопросу об электронной структуре сульфида мьштьяка.

850.

Андриеш

А.

М.,

Шутов С. Д.,

Иову М.

С,

P h y s . Status

Solidi

(а), 11,

К43 (1972).

distribution

in the energy

gap of

vitreous

A s 2 S 3 .

Исследование

края поглощения

стеклообразных материалов в системе

852.

A s 2 S 3 —

Ge.

Sh., J a p . J o u r n . A p p l .

P h y s . ,

Aral

К.,

Kuwahaia

Т.,

Namikawa

П.,

Saito

11,

1080

(1972).

E l e c t r i c a l

properties of

silver doped As — Se glasses.

853.

Arnoldussen

Т.

C,

Bube

R.

H.,

Fagen

E. A., Holmberg S., Journ .

A p p l .

P h y s . , 43, 1798

(1972).

Analysis of photoconductivity in amorphous

chalcogenides.

854.

Байдаков

Л.

А.,

Изв.

А Н

СССР, Неорг.

материалы, 6, 2106 (1970).

Магнитная восприимчивость и структура ближнего порядка в бинарных

стеклообразных системах A s — Se, Ge — Se и As — S .

Магнитная восприимчивость

триселенида

мышьяка в стеклообразном

и кристаллическом состояниях.

857. Байдаков

Л. А., Борисова 3.

У., Блинов Л.

Я . , Вестник ЛГУ, сер. физ.

хим., 10,

116, 1970.

Литература

451

876.

Bunton

В.

V., Journ . Non-Crystalline

Solids, 6, 72 (1971).

The structure of some chalcogenide

glasses.

877.

Вайполин

А.

А.,

Журнал структурной химии, 11, 484 (1970).

Строение

халькогенпдов мышьяка и проблема стеклообразоваиия.

878.

Weiser

К.,

Fischer

R., Brodsky М. Н., Proc .

10-th. I n t . Conf.

Phys . S e m i ­

conductors,

Cambridge,

1970, p.

667.

D . C. conductivity, optical absorption and photoconductivity

of

amorphous

2 A s 2 T e 3 - A s , S e 3

films .

879. '

Webb L . M.,

Baker

E. I I . , Journ . Chem . Soc. Dalton

T r a n s . , 6,

769 (1972).

Arsenic

triselenide: preparation

and electrical conductivity

at high

tem­

880.

peratures.

Виноградова

Г.

3.,

Дембовский

С. А.,

Кузьмина

Т. Н.,

Чернов А.

П.,

Журнал иеорг. химии, 12, 3240

(1967).

Вязкость

и

структура

стекол

системы

сера —

мышьяк.

881.

De

Wit

Н.

/.,

Crevecoeur

С,

Solid-State

Electronics,

15, 729

(1972).

The

electrical conduction

of A s 2

S e 3

glass

at high

fields.

882.

Воинова

Л'. Г., Дембовский

С'. А.,

Базакуца

В. А.,

Изв. вузов,

Физика,

4,

152

(1969).

Исследование

термоэлектрической

эффективности

тонких слоев

халь-

когеыидов

A n i B v C V I .

883.

Wood D. L . , Tauc

J . , P h y s .

R e v . , B 5 ,

3144

(1972).

Weak

absorption

tails

in

amorphous

semiconductors.

884.

Gaidelis

V.,

Montrimas

E.,

Pazera

A.,

Viscakas

J . , in «Current

Problems

in

Electrophotography)),

B e r l i n — N e w

Y o r k , 1971,

p. 178.

Investigation

of

space

charge and its distribution i n

electrophotographic

885.

layers .

J . , S o l i d

State

Communs . , 10, 1261

(1972).

Galkiewicz

P.

K.,

Tauc

886.

Photoelastic

properties

of

amorphous

A s 2 S 3 .

P., P h y s .

Status

Гешов

Г.,

Кандиларов

В.,

Симидчиева

П.,

Андрейчин

887.

S o l i d i ,

13,

К97

(1966).

P., P h y s .

Status

Гетов

Г.,

Симидчиева

П.,

Никифорова

М.,

Андрейчин

S o l i d i ,

21,

К87

(1967).

Effect of some elements on the optical

absorption

edge of

vitreous

A s 2 S 3 .

888.

Gill

W. D.,

Kanazawa

К.

K.,

J o u r n . A p p l . P h y s . , 46, 2 (1972).

Transient

photocurrent for field-dependent

mobilities.

889.

GubserD.

V.,

Taylor

P.

C,

P h y s . Letters, A40,

3

(1972).

L o w

temperature

magnetic

susceptibility

of

vitreous

A s 2 S e 3 .

890.

Горбанъ И. С, Дашковская P. H., ФТТ,

6,

2389

(1964).

891.

Дембовский

С. A.,

P h y s . Chem.

Glasses,

10,

73

(1969).

The elastic constants,

softening

temperature,

and structure of

chalcogenide

glasses.

892. Дембовский

С. А.,

Кириленко

В. В.,

Хворостенко

А.

С,

Журнал

неорг.

химии, 14, 2561 (1969).

893.

Система

A s 2 S e 3

—

T l 2 S e .

Журнал неорг. химии, 9,

660 (1964).

Дембовский

С. А.,

Лужная

Н. П.,

Диаграмма

состояния

системы

A s — S e .

894.

Дембовский

С. А.,

Чернов

А.

П.,

Изв. А Н

СССР,

Неорг. материалы,

4,

1229

(1968).

Синтез

и

некоторые

свойства

соединений

A s S I ,

A s S e l

и

A s 4

T e s I 2 .

ЛГУ, 1965 г.,

стр. 93.

„

897. Доморяд И. А.,

Коломиец Б.

Т., Изв. А Н СССР, Неорг. материалы, 4,

2196 (1970); 7,

1620 (1971).