Файл: Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах.pdf

Скачать файл
Заказать решение

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.10.2024

Просмотров: 119

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

 

 

Литература

457

987. Pryor R. W.,

Henisch H.

K., A p p l .

P h y s . Letters, 18, 324

(1971).

Mechanism of

threshold

switching .

 

 

988.Pryor R. W., Henisch H. K., Journ . Non - Crystalline Solids, 7, 181 (1972).

Nature of the on-state i n chalcogenide glass threshold switches.

989.Пуга П. П., Пуга Г. Д., Борец А. А., Туряница И. Д., Оптика и спектро­ скопия, 32, 284 (1972).

Инфракрасные спектры стекол I n ^ A S j . ^ S e l .

990. Розов И. А., Чудновский А. Ф., Кокорина В. Ф., ФТП, 1, 1159 (1967).

Отеплопроводности стеклообразных полупроводников.

991.

Roilos

И.,

Journ .

Non - Crystalline Solids,

6,

5

(1971).

 

 

 

Conductivity and

H a l l

effect

in

vitreous

A s 2

( S e 3 T e ) 3 .

 

 

992.

Roilos

M.,

Meimaris

 

D.,

Zigiris

K-,

Journ .

Non - Crystalline Solids,

7, 271

 

(1972).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E l e c t r i c a l

properties

of

vitreous

A s 2 ( S e ,

 

T e ) 3

before and

after annealing.

993.

Roosbroeck

W.,

P h y s . R e v . Letters,

28,

1120

(1972).

 

 

 

E l e c t r o n i c

basis

of switching

i n

amorphous

semiconductor alloys.

 

994.

Salvo

F. J . , Me

nth

A.,

Waszczak

J . V.,

 

Tauc

/ . , P h y s .

R e v . , B 6 ,

4574

 

(1972).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Magnetic

susceptibility

of amorphous

semiconductors.

 

 

995.Серегин П. П., Васильев Л. И., ФТТ, 13, 2699 (1971).

Влияние перехода стекло — кристалл па локальное окружение атомов

Те в A s 2 T e 3

и A s 2 S e 3 - A s 2 T e 3 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

996. Cim.pl Z., Rosek F., Matyds

M.,

P h y s . status solidi,

41, 535

(1970).

Magnetic properties of A s ^

glasses.

 

 

 

 

 

 

 

 

997.

Соболев

В.

В.,

Донецких

 

В.

И.,

Хворостенко

А. С,

P h y s . Status

Solidi

(а), 6,

К117

(1971).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

The energy spectra of arsenic chalcogenides.

 

 

 

 

 

 

998.

Стафеев В.

И.,

Алтунян

 

С. А.,

Стремин

В. И.,

Гасанов

Л.

С,

Мина­

ев В.

С,

Петровский

В.

 

И.,

ФТП, 5, 548 (1971).

 

 

 

 

 

 

Некоторые исследования электрофизических свойств халькогенидных

полупроводниковых

 

стекол.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

999.

Street

R. A.,

Yoffe

A.

D.,

T h i n

Solid

F i l m s ,

11,

161

(1972).

 

 

T h e r m a l l y

stimulated

conductivity

i n amorphous

chalcogenids.

 

1000.

Stubb

 

Т.,

Suntola

Т.,

Tiainen

O. J . A.,

Solid-State

Electronics, 15, 611

 

(1972).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H i g h

 

field

effects

i n

 

chalcogenide

t h i n

films.

 

 

 

 

1001.

Tabak

M.

D.,

Pai

D.

M.,

Scharfe

M.

E.,

J o u r n .

Non - Crystalline

Solids,

 

6, 357

(1971).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

F i e l d

dependent

drift

 

mobilities

i n amorphous

semiconductors.

1002.

Тарасов В.

В.,

Жданов

 

В.

М.,

Журнал физ. химии, 44, 2384 (1970).

 

Низкотемпературная теплоемкость стеклообразного трпсульфида мышь­

1003.

яка.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Жур­

Тарасов В. В.,

Жданов

В.

М.,

Дембовский С. А.,

Мальцев

A.

R.,

 

нал физ. химии, 42, 2118 (1968).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Химическая микронеоднородность стекол в системе Se — A s 2 S e 3 по дан­

 

ным

низкотемпературной

теплоемкости

и

электронной

микроско­

1004.

пии.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

сб. «Несереб--

Таурайтене

С. А.,

Таурайтис А. С,

Монтримас

Э. А.,ъ

 

ряпые материалы и необычные фотографические

процессы»,

1970,

 

стр.

244.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Электрофотографические

слои

As — Se .

 

 

 

 

 

 

1005.

Taylor

Р.

С,

Bisohp

S.

G., Mitchell

D.

L . , P h y s . R e v . Letters, 27, 414

 

(1971).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Temperature dependence of local order i n the layer - type l i q u i d

semicondu­

1006.

ctors

A s 2 S e 3

and

T l 2 S e A s o T e 3 .

J . , P h i l . Mag . , 26, 617

(1972).

 

Thomas

С. В.,

Fray A.

F.,

Bosnell

 

 

T h e

switching behaviour

of t h i n

films

of

chalcogenide

glass.

 

3 0 - 0 1 1 4 2

458

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Литература

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1007.

 

Thornburg

D.,

J o u r n .

Non - Crystalline Solids,

11,

113 (1972).

 

 

 

 

 

Memory switching in amorphous

arsenic triselonide.

 

 

 

 

 

 

100S.

White

R.

71/.,

Anderson

 

P.

W.,

P h i l . Mag., 25,

737

(1972).

 

 

 

 

 

 

 

Magnetic properties of amorphous semiconductors. I . Diamagnetic enhan­

1009.

 

cement.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

P h y s . R e v . Letters,

26,

1182

 

Fisher

R.,

Helm

 

U.,

Stern

P.,

 

Weiser

K.,

 

 

 

(1971).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Photoluminescence

of amorphous

2 A s 2 T e 3 A s 2 S e 3

films.

 

 

 

 

 

1010.

Hamada

 

A.,

Kurosu

Т.,

 

Saito

M.,

Kikuehi

 

71/.,

A p p l .

P h y s . Letters, 20,

 

 

9

(1972).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Transient phenomena

of the light-induced memory

i n amorphous

semicon­

1011.

 

ductor

films.

 

 

 

71/.,

 

 

 

 

 

71/., Jap.

 

J o u r n .

A p p l . P h y s . ,

10,

530

 

Hamada

 

A.,

 

Saito

 

Kikuehi

 

 

 

 

(1971).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E n e r g y

gap

discrepancy

i n amorphous

semiconductors

of A . — Те — G e

1012.

 

system.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

J . , J a p . J o u r n .

A p p l .

P h y s . ,

9,

1195

 

Hamaguchi

Ch.,

Sasaki

Yo.,

Nakai

 

 

(1970).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E l e c t r i c a l conduction

and switching i n amorphous

 

semiconductors.

 

1013.

Хворостенко А. С, Дембовский С. А., Лужная H. П., Журнал неорг.

 

 

химии, 15, 1705 (1970).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1014.

 

Система

A s 2 S e 3

— A s 2 T e 3 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ФТП,

4,

2184

 

Цыганов

 

А.

Д.,

 

Дембовский

С. А.,

Михайлов

В.

 

И.,

 

(1970).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К вопросу о зарядовых состояниях атомов в халькогеиидных стеклооб-

 

 

разующих соединениях.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1015.

 

Chan

К.

К.,

Shields

L . , P h y s . Status

Solidi (a), 5,

K187 (1971).

 

 

 

 

A n E S R study of vitreous arsenic trisulphide and single crystals of g a l l i u m

1016.

 

arsenide.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Journ .

A p p l .

P h y s , .

 

Chaudhari

P.

K.,

 

Chenette

E.

R.,

Van

Der

Ziel

A.,

 

 

 

43,

3145

(1972);

43,

3149

(1972).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Amorphus

semiconducting

3 A s 2

S e 3 2 S b 2 S e 3

films

I . Optical

properties;

 

 

I I .

E l e c t r i c a l

properties.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1017.

 

Чепелева

И.

В.,

Лазукин

В.

//.,

 

Дембовский

С. А.,

Изв.

А Н

СССР,

 

 

Неорг. материалы, 4, 661 (1968); 4, 1927 (1968).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Электронный парамагнитный

резонанс

ионов

М е 2

+

и

Cd 3 + в

стеклах

 

 

A s 2 S 3

и A s 2 S 5 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Электронный парамагнитный резонанс ионов Мп2 + и Cd 3 + в стеклооб­

1018.

 

разном

T l A s S 2 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чепелева

И.

В.,

Лазукин

 

В.

Н.,

 

Ожерелъев

Б.

 

В.,

 

Дембовский

С.

А.,

 

 

Д А Н

СССР, 204,

324

(1972).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЭПР ионов F e 3 + в халькогеиидных стеклах A s 2

S e 3

и T l A s S e 2 .

 

 

 

 

1019.

 

Чернов

А.

П.,

Дембовский

С. А.,

 

Журнал

физ. химии,

44,

2272

(1970).

 

 

Скорость распространения ультразвука, структура стекол и энергия

 

 

химического взаимодействия в некоторых халькогеиидных стекло-

 

 

образующих

материалах.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1020.

 

Scharfe

 

Е.,

P h y s .

R e v . , В2,

5025

(1970).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Transient

photoconductivity

i n

 

vitreous

A s 2 S e 3 .

 

 

 

 

 

 

 

 

1021.

 

Sheng

W.

W.,

Westgate

 

C.

R.,

Nguyen

H. P. P.,

I E E E T r a n s . E l e c t r o n

 

 

Devices,

 

19,

288

(1972).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1022.

 

T h e r m a l

 

switching

i n

chalcogenide

glasses.

 

 

 

 

J a p . Journ .

A p p l .

 

Shimakawa

 

K.,

 

Inagaki

 

Y.,

Nitta

Sh.,

Arzumi

 

Т.,

 

 

P h y s . ,

10, 956 (1971).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Dependences

of the resistivity and the switching on composition

in c h a l ­

 

 

cogenide

 

glasses.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1023.

Stourac

 

L . , Коломиец

Б.

 

Т.,

Шило

В.

П.,

 

Chechosl. J o u r n .

P h y s . ,

18, '

 

 

92

(1968).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Литература

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

459

 

Influence of Ge and A g impurities on the thermal conductivity of

semicon­

 

ducting

amorphous

A s 2 S e 3 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1024.

Young

P.

A.,

J o u r n . P h y s . C: Solid

 

State P h y s . ,

4,

93

(1971).

 

 

 

 

Optical properties of vitreous arsenic trisulphide.

 

 

 

 

 

 

 

1025.

Young

P.

A.,

A p p l .

Optics,

10, 222

(1971).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Reflectivity of vitreous arsenic trisulfide.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1026.

Young

P.

A.,

Thege

W. G., T h i n Solid

F i l m s ,

7,

41

(1971).

 

 

 

 

 

Structure of evaporated films of

arsenic

trisulphide.

 

 

 

 

 

 

 

1027.

Юрлова

Г.

 

А.,

Гудков

И.

Д., Коломиец Б. Т., ФТП 4, 1627

(1970).

 

Стекла в системе Ge — A s — Те и приборы

па их основе.

 

 

 

 

1028.

Юрлова Г. А.,

Козлепкова

П. И., Касаткина

Т. М.,

ФТП, 5, 2096 (1971).

 

Влияние химического состава стекол G a 0 i i 2 A s 2

S e 3 _ 3 ; T e a :

на форму вольт-

 

амперных

характеристик.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К

главе

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1029.

Абдуллаев

Г. Б.,

Ланге

В. I I . , Мамедов

К. П.,

Одобреску

А.

И.,

Физика

 

и химия обработки материалов, 3, 151 (1972).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Влияние электрического поля на процесс кристаллизации селена.

1030.

Абдуллаев

Г.

Б., Мехтиева С. И., Абдинов Л.

Ш., Алиев

Г.

М.,

в сб.

 

«Спектроскопия твердого тела», № 4, изд-во «Наука», 1969, стр. 103.

 

Оптические

свойства

аморфного

селена.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1031.

Андреева

 

Г.

А.,

Журнал

научи,

и прнкл. фотогр. и кинематогр., 15,

 

208 (1970).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Продольный фотоэффект в слоях аморфного селена.

 

 

 

 

 

 

 

1032.

Armitage

 

D.,

Champness

С. П.,

C a n . Journ . P h y s . ,

49, 2718

(1971).

 

 

Memory

switching

and crystallization i n

selenium.

 

 

 

 

 

 

 

1033.

Armitage

 

D.,

Champness

С.

H.,

J o u r n .

Non - Crystalline

Solids,

7,

410

 

(1972).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S w i t c h i n g

 

i n amorphous

selenium .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1034.

Беляев

И. П.,

Тазенков Б. А.,

Ученые записки Ленингр. гос. пед. ин-та

 

им. А. И. Герцена, 384, 111 (1968).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Отрицательная

фотопроводимость

аморфного

селена.

 

 

 

 

 

 

1035.

Белан

С. А.,

Болотов

И. Е.,

Комарова

Л.

И.,

Изв. ВУЗ'ов,

Физика,

 

6, 106

(1971).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Влияние

электрического

поля

на

 

кристаллизацию

аморфного

селе­

1036.

на.

 

 

 

 

J o u r n . Non - Crystalline

Solids, 6, 177 (1971).

 

 

 

 

 

Boon М.

R.,

 

 

 

 

 

 

Theoretical

model

of

photoconduction

quantum

efficiency

i n

amorphous

1037.

selenium.

 

 

J o u r n .

P h y s . C h e m . ,

 

74,

4110

(1970).

 

 

 

 

 

 

Ward

А.

Т.,

 

 

 

 

 

 

 

 

Molecular

structure of dilute

vitreous

selenium-sulfur

and

selenium - tel ­

1038.

l u r i u m

alloys.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ФТП,

6,

Венгрис

С. А.,

Вищакас

Ю. К.,

Скалас

А.

П.,

 

Юшка

Г.

Б.,

 

1037 (1972).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Фотогеиерация и перепое заряда в жидком селене.

 

 

 

 

 

 

 

1039.

Vautier

 

С,

 

Carles

D.,

Viger

С,

Journ . Non - Crystalline

Solids,

7,

117

 

(1972)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Temperature

dependence

of electrical conduction

i n amorphous

Se layers .

1040.

Геллер

И.

X.,

Коломиец

Б.

Т.,

Попов А. И., Балахтаръ Г.

М.,

Изв.

 

А Н СССР,

Неорг. материалы, 8,

1005 (1972).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Влияние

электрического

поля на скорость кристаллизации

аморфного

1041.

селена.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

P h y s . Status

S o l i d i ,

2 9 ,

Гаджиев

Ф.

Б.,

Аскеров

Ш. М.,

Алиев

Г.

М.,

 

К47 (1968).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Effect of heat treatment and natrium admixtures on the temperature-

 

dependence

 

of

electric conductivity

of

amorphous

selenium.

 

 

 

30*

460

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Литература

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1042.

Gobrecht

 

I I . , Mahdjuri

F.,

Journ . P h y s : C: Solid State P h y s . , 5, 366

(1972).

 

Switching and memory effects in liquid

selenium.

 

 

 

 

 

 

1043.

Gobrecht

 

I I . , Mahdjuri

F.,

Gawlik

D.,

 

Journ .

P h y s . C: Solid

State

P h y s

 

4, 2247

(1971).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E l e c t r i c a l

properties

of liquid selenium up to 1300 K .

 

 

 

 

 

 

1044.

Gombay L . , Lang

J . , Kispeter

J . , A c t a phis, et chem. Szeged.,

18, 39 (1972).

 

Untersuchungen

an in V a k u u m

Aufgedampften

amorphen

Selenschichten

 

mit

Lichtstreifenbelichtung hei der

Absorptionkante.

 

 

 

 

 

 

1045.

Грешинин

Ф. Г.,

Черкасов Ю. А.,

ФТТ, 6, 28 (1964).

 

 

 

 

 

 

 

Исследование абсолютного квантового выхода внутреннего фотоэффек­

 

та высокоомных

полупроводников.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1046.

GrochowskiE.

G.,

Brenner

W.,

Journ . Non - Crystalline Solids, 6, 83

 

(1971).

 

Resistivity - structure

characterization

of

amorphous

selenium.

 

 

1047.

Das

G. C.,

 

Bever

M.

В.,

 

Uhlmann

D.

R.,

Moss

S.

C.,

Journ .

Non - Crys ­

 

talline Solids,

7,

251

(1972).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R e l a x a t i o n

phenomena

in

amorphous

selenium - tellurium

alloys.

 

1048.

Джалилов

С. В.,

Рзаев

К.

 

И.,

 

P h y s . Status

Solidi, 20, 261

(1967).

 

On the

phenomenon

of

selenium

v e r i f i c a t i o n .

 

 

 

 

 

 

 

1049.

Дмитриев

 

M.

Т.,

Тагиев

M.

А.,

Изв. А Н СССР, Неорг. материалы, 8,

 

942 (1972).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Исследование распространения ультразвука в аморфном селене.

1050.

Захарова

 

Н.

Б.,

Черкасов

10.

А.,

ФТТ, 12, 1977 (1970).

 

 

 

 

 

 

Аморфные аналоги кристаллических структур селена и их спектраль­

 

ные

фотоэлектрические

свойства.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1051.

Захарова

 

Н.

Б.,

Черкасов Ю. А.,

Журпал паучн. и прикл. фотографии

 

и кинематографии,

16,

380

(1971).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

п — р гетероструктурпые слои аморфного селена с пзопаихроматиче-

1052.

ской

электрофотографпческой

чувствительностью.

 

 

 

 

 

 

Золотарев

 

В.

Ф.,

Кикинеши

А.

А.,

Семак Д.

Г.,

Чепур

Д.

В.,

Федак

 

В. В., ФТП, 3, 1565 (1969).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Исследование уровней прплипанпя в пленках аморфного селена.

1053.

Каладе Ю. А.,

Монтримас

 

Э. А.,

Пажера

А.

А.,

Лптовск. физ. сбор­

 

ник, И , 653 (1971).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Исследование времени жизни носителей тока в аморфных слоях Se

1054.

Carles

D.,

 

 

Vautier

С,

Compt.

R e n d . ,

274,

B357

(1972).

 

 

 

 

 

 

 

Determination

d'une

distribution

exponentielle

de pieges

dans

l a

 

bande

1055.

interdite

du

selenium

amorphe.

 

 

 

T h i n

Solid

F i l m s ,

5,

113

(1970).

Carles

D.,

 

 

Vautier

 

C,

Colombani

 

A.,

 

 

Piegeage

des

portears

minoritaires

dans

les couches minces

de

selenium

1056.

amorphe.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ФТТ,

8,

1136

(1966).

 

 

 

 

 

 

Коломиец

 

Б.

Т.,

Лебедев

9.

А.,

 

 

 

 

 

 

 

Влияние

 

примесей

па

подвижность

 

носителей

заряда

в

аморфном

1058.

Se.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Корсунский

 

 

М.

И.,

Волчек

А.

Д.,

Гаргер

К.

С,

Клименко

В.

 

В.,

 

Д А Н

СССР,

183,

71 (1968).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Роль ртути в процессе возникновения аномальной фотопроводимости

аморфного

 

селена.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1058.

Корсунский

 

М. И.,

Волчек А. Д.,

Клименко

В. В.,

ФТТ,

12, 3341

(1970).

Кинетика восстановления темновой проводимости в пленках аморфного

селена.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1059.

Корсунский

 

М.

И.,

Ретивое

I I . А.,

Тыщенко А.

П.,

Изв. А Н

Каз. ССР,

Сер. физ.-мат. № 4,

77

(1971).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

О влиянии толщины пленки аморфного.селена, актпвировапного ртутью,

на аномальную фотопроводимость этой плегаш.

 

 

 

 

 

 

 

1060. Корсунский

 

М.

И.,

Тыщенко

А.

П.,

Ретивое

I I . А.,

Известия А Н

Каз.

ССР,

Сер.

 

физ.-мат.,

4,

64

 

(1971).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Смотрите также файлы