Файл: Сухвало, С. В. Структура и свойства магнитных пленок железо-никель-кобальтовых сплавов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.10.2024

Просмотров: 121

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

ставляют собой наименьшие дискретные области, когерентно рассеивающие монохроматический -пучок рентгеновских лучей или электронов. Указанные области когерентного рассеяния (о. к. р.) отличаются весьма высокой взаимной разориентировкой. Углы разорйентировки соседних о. к. р. составляют не менее нескольких угловых градусов [24]. По своим размерам и степени разориентировки о. к. р. в пленках в ряде случаев сравнимы с мозаичными блоками в сильно деформированных массивных поликристаллах. Таким образом, крупные отдель­ но отражающие блоки в пленках выполняют функции, анало­ гичные кристаллитам в массивных поликристаллах, в то вре­ мя как о. к. р. ,по своим характеристикам больше всего соответствуют субзернам в массивных поликристаллах, подвергнутых деформации.

Необходимо, однако, отметить, что при всей внешней ана­ логии микроструктуры массивных деформированных поликри­ сталлов и тонких пленок существует ряд отличительных осо­ бенностей, причина которых в уникальном характере механиз­ ма кристаллизации пленок в условиях значительного переохлаждения и пересыщения. Между элементами микро­ структуры макрообразцов и пленок имеют место различия прежде всего генетического характера, которые исчезают лишь в пленках, полученных при незначительных переохлаж­ дениях.

По нашему мнению, кристаллиты в тонких пленках, в от­ личие от кристаллитов в макрообъемах, являются продуктом только вторичных процессов, которые сопутствуют кри­ сталлизационным процессам. То обстоятельство, что кристал­ литы экспериментально обнаруживаются лишь в пленках, по­ лученных при повышенных температурах подложки, причем в первую -очередь в пленках чистых металлов или сплавов с за­ ведомо небольшим содержанием примесей, свидетельствует об их рекристаллизационном происхождении. В пленках нике­ ля, например, с помощью методики точечных рефлексов [195, 196] кристаллиты выявляются начиная с температуры под­ ложки 520 °К, а в условиях, исключающих значительное при­ внесение примесей, при ГП=400°К. В то же время в -пленках железо-никелевых сплавов типа пермаллоя, а также ряда трой­

ных железо-никель-кобальтовых сплавов при

температуре

подложки ниже 600 °К кристаллиты наблюдать

не удается.

Они возникают в этом случае лишь после достаточно длитель­ ного отжига.

Как будет показано ниже, температура подложки, при которой возникают кристаллиты в пленках тех или иных спла­ вов, вполне согласуется с температурой протекания рекристаллизационных процессов при изохронном отжиге пленок. В ус­ ловиях, когда интенсивность рекристаллизационных процес­

101


сов подавляется, кристаллиты в пленках либо не возникают,

либо развиваются замедленно.

В отличие от кристаллитов о.к.р. наблюдаются в пленках всех металлов и сплавов, если температура подложки при кри­ сталлизации выше температуры аморфизации Га и ниже кри­ тической температуры Гк, при которой на подложке происхо­ дит превращение жидкой фазы в кристаллическую, т. е. температуры, при которой происходит смена ПЖК- и ПК-ме- ханизмов кристаллизации. При этом при Т„, близкой к Тл, о.к.р. не наблюдаются вследствие того, что их размеры ока­ зываются за пределами экспериментального разрешения. Если же пленки получены при температуре подложки, превы­ шающей Тк, о. к. р. по размерам и характеристикам, по-види­ мому, можно отождествить с кристаллитами.

Следовательно, существенной особенностью субзерен явля­ ется то, что температурная область их возникновения в плен­ ках согласуется с определенным диапазоном термического переохлаждения и пересыщения, при котором на подложке устойчиво может существовать в большинстве случаев лишь кристаллическая фаза.

Несмотря на то что субзерма (о.к.р.) в некоторых услови­ ях могут значительно изменять свои параметры в результате вторичных релаксационных превращений, они все же в извест­ ной мере отражают первичную структуру кристаллизации пле­ нок, связанную с автономным зародышеобразованием, в том числе с кластерным механизмом роста. Возникновение кри­ сталлитов (они в данном случае эквивалентны рекристаллизованным зернам) на основе сегрегационных скоплений отдель­ ных субзерен, объединенных взаимной ориентировкой, пол­ ностью обусловливается процессами в твердой фазе.

Небезынтересно отметить, что собой представляют рекристаллизованные зерна в пленках, полученных при высоких переохлаждениях. Такие зерна при определенных условиях удается, между .прочим, наблюдать в электронном, а при раз­ мерах, больших 1—2 мкм, в поляризационном .оптическом мик­ роскопах. Первоначально рекристаллизовалные зерна не име­ ют какой-либо правильной формы и на кристаллиты в при­ вычном понимании мало похожи. Однако после длительной термообработки они иногда могут приобретать более или ме­ нее правильную кристаллографическую огранку, чаще всего подобие шестиугольников. Наиболее важная особенность рекристаллизованных зерен — их мозаичное строение. Это по сути дела агрегат мельчайших отличающихся по размерам субзерен, хорошо различимых в электронном микроскопе.

Некоторые закономерности возникновения и роста кристал­ литов будут рассмотрены при анализе рекристаллизационных процессов.

102


§ 2. Микроструктура пленок при наличии примесей

Влияние примесей .на микроструктуру пленок исключитель­ но многогранно. Однако наиболее существенны эффект дис­ пергирования микроструктуры и образование новых фаз и эвтектических смесей вследствие протекания термохимиче­ ских реакций с остаточной газовой средой.

В рассматриваемом случае, как было показано, наблюда­ ется далеко не аддитивное изменение термодинамического пересыщения .в зависимости от вариации технологических ус­ ловий кристаллизационного процесса. В связи с этим также существенно неоднозначно изменение характеристик микро­ структуры пленок, в частности размера зерен при однотипном изменении какого-либо из кристаллизационных параметров в различных диапазонах значений остальных технологических условий. Чтобы облегчить анализ микроструктуры тонких пленок в условиях влияния примесей, рассмотрим некоторые особенности ее формирования, свойственные наиболее харак­ терным, в ряде случаев критическим, сочетаниям кристалли­ зационных параметров.

Характеристики микроструктуры пленок с эвтектическим фазовым составом. Как было показано в главе II, наличие в пленках эвтектической кристаллизации зависит от определен­

ного критического сочетания температуры

подложки, давле­

ния остаточных газов и плотности потока

пара. Суммарное

действие указанных факторов в данном

случае таково, что

протекание термохимических реакций обеспечивает возникно­ вение необходимого количества фаз, соответствующих образо­ ванию эвтектического или близкого к нему состава. Посколь­ ку, как следует из диаграмм состояния и из данных, изложен­ ных в предыдущей главе, кристаллизация сплава эвтектиче­ ского состава осуществляется при минимальной температуре (критическая температура эвтектики, см., например, рис. 5) или, иными словами, при пониженных значениях переохлаж­ дения (см. рис. 6), то в подобном случае имеет место значи­ тельное укрупнение микроструктуры пленок. Исходя из вели­ чины переохлаждения АТ, можно считать, что размеры эле­ ментов микроструктуры должны довольно резко снижаться при смещении условий кристаллизации вправо или влево от эвтектических ординат. Это может быть достигнуто совмест­ ным или раздельным изменением температуры подложки, дав­ ления остаточных газов и плотности потока пара.

Вместе с тем условиям, приводящим к образованию доэвтектической и заэвтектической структур в пленках, соответ­ ствуют заведомо неодинаковые значения энтропии процесса их роста. Следовательно, необходимо учитывать, что при уда­ лении от критической эвтектической точки вправо или влево

юз


изменение термодинамического пересыщения, приводящего к измельчению микроструктуры пленок, будет обусловливаться не только изменением степени переохлаждения, но и AS.

Если состав остаточных газов включает несколько газовых компонентов, могущих привести к образованию эвтектики с железом, никелем, кобальтом или их сплавами, то в разумном для наблюдения диапазоне изменения кристаллизационных условий может, как было показано, возникнуть несколько раз­ дельных или частично совмещенных эвтектик. В подобном слу­ чае закономерности изменения размеров зерен в пленках будут еще более сложными.

С учетом сказанного можно сделать вывод, что последова­ тельное изменение (увеличение или снижение) значений како­ го-либо из технологических факторов (например, Гп) в усло­ виях влияния примесей в отличие от беспримесной кристалли­ зации .может сопровождаться как укрупнением, так и диспергированием микроструктуры пленок в зависимости от конкретного сочетания всех кристаллизационных параметров. Поэтому общая интерпретация экспериментально наблюдаемо­ го изменения величины зерен в пленках в зависимости от изме­ нения технологических условий при игнорировании рассмотрен­ ных выше эффектов (т. е. изменении Ts и AS) может привести к заблуждению, в особенности если зависимость изучается в ограниченном диапазоне изменения варьируемых кристалли­ зационных параметров. Пример изменений величины зерна, порожденных влиянием газовых примесей, можно видеть на рис. 20 (кривая 2). Отметим, что при незначительном различии энтропии фаз эвтектики вблизи эвтектической точки измене­ ние величины зерна с увеличением Та должно иметь, вероятно, вид кривой 1 рис. 20. Если энтропия вблизи эвтектической точ­ ки значительно возрастает, то размеры зерен, несмотря на снижение АТ, будут измельчаться.

Для полного описания микроструктуры пленок эвтектиче­ ского состава весьма важное значение имеет учет механизма кристаллизации эвтектических сплавов.

Напомним, что, согласно многочисленным сведениям [198, 200], затвердевание эвтектических сплавов происходит путем раздельной кристаллизации составляющих фаз. Иными сло­ вами, сущность эвтектической кристаллизации заключается в диффузионном разделении поступающих к фронту кристалли­ зации атомов или молекул различного сорта. Для этого, оче­ видно, необходимо, чтобы атомы (ионы) или их группы одного вещества диффундировали к одним центрам кристаллизации, а атомы другого вещества — к другим центрам кристалли­ зации. Подробное описание теоретически и экспериментально установленных закономерностей эвтектической кристаллиза­ ции в сплавах приводится в [200—202].

104


Если эвтектика не содержит посторонних примесей, то в большинстве случаев она кристаллизуется в виде чередую­ щихся пластин, приблизительно .перпендикулярных поверхно­ сти фронта кристаллизации. Каждая пластина представляет собой раздельно закристаллизовавшуюся фазу, составляю­ щую эвтектику. Установлено [198—200], что при наличии при­ месей пластинчатая структура «чистых» эвтектик приобрета­ ет вырожденные формы, основными из которых являются ко- лонийно-ячеистая, стержневая, глобулярная и игольчатая. Для возникновения колонийно-ячеистой структуры необходи­ мо, чтобы коэффициент распределения примесей в обеих фа­ зах, составляющих эвтектику, отличался от единицы. Когда разность между коэффициентами распределения примесей в отдельных фазах достаточно велика, образуется стержневая структура [199]. В этом случае в матрице одной фазы регу­ лярно расположена вторая фаза, имеющая вид стержней, пер­ пендикулярных поверхности роста. Глобулярная структура зарождается в сплавах, несколько отличающихся по составу от эвтектического, при избытке одной из фаз в условиях гете­ рогенного зародышеобразования.

Учитывая изложенное, можно предположить, что при эв­ тектической кристаллизации пленок в связи с совершенно оче­ видным наличием примесей (некоторое количество нерастворенных примесей, а также соединений неэвтектического состава) и неравновесности условий наиболее реально воз­ никновение вырожденных эвтектических структур, в особен­ ности ячеистой, стержневой, глобулярной и игольчатой моди­ фикаций. Можно ожидать также, что важным фактором, об­ легчающим эвтектическую кристаллизацию в пленках, является дисперсность отдельных зародышей и их высокая плотность. Последнее предопределяет небольшой путь для перекрестной диффузии разноименных атомов к своим цент­ рам .кристаллизации.

Действительно, экспериментально найдено, что при низком вакууме и низкой скорости испарения в железо-никелевых пленках (например, 86% Ni — 14% Fe) образуется так назы­ ваемая столбчатая микроструктура [203—205]. Сопоставле­ ние условий образования и характеристик обнаруженной столбчатой структуры в железо-никелевых пленках убеждает

вэвтектическом характере ее происхождения. В данном случае

взависимости от кристаллизационных условий компонентами эвтектики могут быть, с одной стороны, сплав, обогащенный никелем, образующий твердый раствор с кислородом (азотом, углеродом), с другой — одно из соединений Fe30 4, Fe20 3 или

NiFe20 4. Из предыдущего также следует, что в некотором диапазоне условий в железо-никелевых пленках может быть создана эвтектика основного сплава или его компонентов с

105