ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 15.10.2024
Просмотров: 139
Скачиваний: 0
Зная вероятности В; неупругих соударений I рода электронов с молекулами i-ro компонента анализируе мой смеси, сопровождающихся возбуждением молекул, можно определить число актов испускания квантов ра диации, полагая при этом, что каждая возбужденная молекула «спускает один квант:
N'А |
Jх/ |
2 tfiPfii |
( 6.20) |
|
4ekTо |
||||
|
|
|
Значение В,- зависит от длины волны излучаемого кван та энергии; энергии налетающего электрона Va и рода вещества и согласно [38] может быть аппроксимировано следующим выражением:
v„- У* |
exp |
(\ |
i - |
(6.21, |
|
v.smi - V;Bt |
|||||
|
|
||||
где V a — энергия электрона, |
эв; |
VB* — потенциал воз |
буждения молекул |
г'-го компонента смеси; V a m i — энер |
||
гия электронов в |
максимуме функции |
возбуждения и |
|
г (Л, V a m i ) |
значение функции B i ( V a ) |
в максимуме, |
|
т. е. при V a = V a m i - |
Зависимость Вг немонотонная. Потен |
циалы возбуждения УВг и значения В{(А, V a m i ) и V a m i различных веществ определяют опытным путем. Так, на пример, в работах [38—40 и 42] представлены данные о
значениях B i ( V a m i ) и V a m i |
для многих веществ |
В част- |
|||||
л°1Т«пДЛЯя п,/ р0в |
ртути |
[40’ |
42J |
г = 4,86-6,67 |
в и для |
||
А — 6072 A |
V a mi = |
40 в и В, (А, |
Нэmi) |
1,9 • 10-3. |
|||
1олагая |
далее, что |
«высвечивание» |
возбужденных |
молекул происходит с равной вероятностью во все сто роны, можно найти ту часть общего числа излученных квантов (ДДА), которая попадает из а. о. и. в приемник
ионов (в предположении, что da<^L + lK) |
|
ANa — NAda/(L -f- /л;)2, |
( 6.22) |
ГЧятппяА Г ;Х0ДИМ из выражения (6.20), L - длина анали затора, а 1К— суммарная длина пути кванта энергии от
ВХОда в анализатор и от выхода анализатора РИ ника ионовСпектральный состав и энергети-
ныхК°мо?ек!1Ее^ ЛеНИе П° спектРу излучения возбужден-
шествя и чн есЬ^ а сложны и определяются типом ве щества и энергией налетающего электрона На поиве
?41Н°весьмГинтРеИнМеРе ° аТ0Мами Рту™’ согласно работе L J, весьма интенсивные резонансные линии в спектре
ПО
излучения |
имеют длины волн |
«5 |
О |
|
~ 1849,52 А; |
2536,52 А; |
|||
О |
О |
О |
что соответствует пере |
|
4047 А; 4358 А; |
5794 А и больше, |
ходам электронов с одного из промежуточных на первый энергетический уровень.
Из числа фотонов, попавших в приемник ионов, в явлении фотоэффекта смогут участвовать только те, ко торые обладают достаточно большой энергией и имеют длину волны, не превышающую некоторого критического значения Ло, обратно пропорционального работе выхода
Ф первого электрона (коллектора или |
первого динода |
ВЭУ) приемника ионов: |
|
Л0 = Йс/ф = 12 400/ф, |
(6.23 |
где h — постоянная Планка; с — скорость света. Так, на пример, если первый динод ВЭУ сделан из меднобериллиевого сплава, у которого работа выхода равна при близительно ф = 4 эв, то Ло равно — 3125 А. Для коллек тора из молибдена ф= 4,15 эв и Ло= ЗОООА, а для железа Ф = 4,63 эв и Ло =2680 А. Суммируя лишь те кванты из лучения, длина волны которых меньше Ло, и полагая, что каждый квант с длиной волны Л < Л 0 выбивает один электрон, можно найти постоянный фоновый ток, обус ловленный фотоэффектом:
Ло |
|
Ш 1 |
у |
|
v , - v R |
|||
/ф з = е J* ANAdA = 760 |
tiPt |
|||||||
T(L + lKf |
1 |
|
X |
|||||
|
|
|
' э m i . |
v Bt |
||||
X |
|
г ) |
Г |
в' (Л' 1/“ |
, |
(6.24) |
||
ехр( 1 - - ^ |
|
')ЛЛ |
|
|||||
где /ф .э и /0, а; /э, da, L и 1К, см; А и 6г, |
А; Р^ммрт. |
|||||||
cm.; V3, VBi, Vgmi, в. |
|
|
|
|
|
|
|
|
Рассчитаем /ф . э для следующих конкретных значений |
||||||||
входящих в формулу |
(6.24) |
величин, соответствующих |
реальным параметрам квадрупольного масс-спектромет
ра КМ-2: |
/0=Ю _3 а; /э= 0,5 см; |
da = 0,5 |
см\ |
L = 25 см; |
||
1К= 2 см; i— n — 1; вещество — пары |
ртути; |
Г= 500о К; |
||||
6= 4,27А; |
Р = 10-6 мм рт.ст.; |
Уэ=100 |
в\ |
KBi = 10 в; |
||
Уэmi = 40 в; поскольку излучение молекул веществ, |
обус |
|||||
ловленное электронными переходами, |
не |
может |
быть |
111
жестче, |
чем А ^ 100 А, |
квантовый выход не может быть |
|
выше |
10~4—10_6, т. е. |
J В{(Л, |
Vnmi)dA 10 [38 40]. |
|
|
о |
а. Величина отношения |
Результат расчета / ф.э^1 ,9 -Ю '17 |
5фЭ=^фэIP в нашем примере равна 1,9- 10_п а/мм рт. ст. Из формулы (6.24) следует, что при наличии опти ческой связи между а. о. и. и приемником ионов благо даря возбуждению электронами части молекул и ионов в а. о. и. ионного источника возникает флуктуационный
фоновый ток, среднее значение |
которого / ф.а |
прямо |
пропорционально давлению в ионном источнике. |
|
|
Рассмотрим далее два вероятных механизма образо |
||
вания на входе приемника ионов |
паразитного |
потока |
ионов всех присутствующих в анализируемом |
объеме |
масс. Первый механизм характерен для КМ и состоит в том, что вблизи оси анализатора КМ в принципе сущест вует область, напряженность ВЧ-электрического поля в который мала и недостаточна для того, чтобы задержать нестабильный ион в анализаторе.
Речь идет о влиянии на чувствительность КМ хвостов от соседних с анализируемой по массам компонентов. Воспользуемся результатами исследования хвостов пиков спектра масс, которое было проведено в гл. 2.
Суммарный |
ток |
нестабильных |
ионов |
|
с |
массами |
||||||
М >М { и |
М < М { можно подсчитать |
по |
формуле, со |
|||||||||
ставленной на основе выражений |
(2.44) |
и (2.45): |
||||||||||
= |
12,4r0R{ ЕV— 1 |
V |
|
/ |
(2v — |
1) A M |
|
X |
||||
|
2 [ М г + |
( 2 т — |
1 ) Д М ] |
|||||||||
X |
l + |
0,4 — L |
I / 8 |
Ш |
! “ |
|
X |
|
||||
|
|
|
/ |
U' yуCKс к |
X |
2 |
|
|
|
|
||
Xexp — 1,66 |
f L |
|
V |
(2v — 1) A M |
4- |
|
||||||
V и у с к |
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
к t |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
+ 5,36r0/^0 |
jM*1^/” |
( 2 | — |
1) A M |
|
X |
|||||||
2 [Mi |
( 2 | — |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
1) Д М ] |
|
|||||
X |
1 + 0,22 |
|
fL |
|
|
( 2 6 - 1 ) |
A M |
|
X |
|
||
|
|
|
|
yCK |
|
|
|
|
|
|
|
|
Xexp |
U 7 |
fL |
|
/ |
( 2 6 - 1) A M |
|
(6.25) |
|||||
V u у с к |
|
|
2 |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
112
где /м ' и jMn— плотности ионных токов во входной апер туре анализатора с M/= Mi+ (2v —1)ДМ и М" = = Mi— (2£—1)ДМ; ДМ — абсолютная разрешающая спо
собность КМ; KvH — полное число разрешаемых КМ компонентов анализируемой среды в интервалах масс Мг+ Д М < М ^ М макс И Mjjhh^SM ^ M i—ДМ соответст венно. Численный расчет по формуле (6.25) для КМ, ра ботающего в режиме обычного газоанализатора, пока зывает, что в указанных суммах достаточно учесть лишь по одному первому члену (v = £ = l), поскольку вторые члены, не говоря уже о последующих, соответственно на 5 и 7 порядков меньше первых.
Считая, что |
jM i+t^M^SiPi+xlARl; jMi^ M = S iPi-j4R l; |
||
v = l = Kv = K\ = 1 и M;^>1, преобразуем (6.25) |
к |
виду |
|
/ 112£ s — |
• -£-(3,2 ■10- ®Pi+1 + 6 ■1 0 ( |
6 . |
2 6 ) |
Здесь наглядно видна зависимость суммарного шумового тока на массе Мгот парциальных давлений на соседних массах М£_i и Mi+\, причем влияние компонента с мень шей массой в 200 раз более сильно, чем влияние компо нента с большей массой. Кроме того, ток от хвостов об ратно пропорционален корню квадратному из номера массы. Если предположить, что Р^_1^ Р г +1 = 10-7 мм рт. ст.\ r0/Rо=Ю; 5j = 10“4 а!мм рт.ст. и ЛД= 30 а-е.м., то по лучим
/нх; « 6 • 10-7 |
= 10-17а, (6.27) |
К 0 |
у M t_ i |
где |
|
SH(- = 6 • 10 7 _£®_ . |
~ Ю~!0 а/мм pm. cm. (6.28) |
R о У M e - i
Другой механизм образования ионного тока на входе приемника ионов заключается в возможности проникно вения ионов из ионного источника в приемник ионов че рез общий вакуумный объем благодаря имеющимся в экранах датчика технологическим отверстиям, наличие которых обусловлено его конструкцией или необходи мостью обеспечения более качественной откачки заэкра нированных объемов датчика. Величина этого рассеянно го ^компонента ионного тока зависит от конструкции ион ного источника, экранов в датчике, размеров и располо жения отверстий в этих экранах, величины посторонних
8 Г. И. Слободенюк |
ИЗ |
электрических магнитных полей и некоторых других факторов, и потому расчет ее крайне затруднителен. Полагая, однако, что утечка ионов из ионного источника и их распространение по вакуумному объему происходят через отверстие в экране ионного источника размером а' [см2] благодаря расширению ионного облака из-за взаимного расталкивания положительно заряженных ионов, а приток рассеянных ионов в приемник осуществ ляется через отверстие в экране с эффективном пло щадью о" [см2], удаленное от отверстия в экране ионного источника на расстояние, примерно равное длине анали затора L, можно предложить следующее прикидочное расчетное соотношение для определения рассеянного компонента:
/ Р.чг =* P S na ’o " l( o 0. M L * ) = PSp K; SP.K= S„a'<r"/(а0.и4 я /Д (6.29)
где P — давление в источнике; 5И— эффективность иони зации в ионном источнике (ее можно считать примерно на 2—3 порядка большей 5 г-; а0. и — эффективная поверх ность объема ионного источника, заполненного рассеян
ными ионами, способными покинуть |
ионный |
источник; |
4лЬ2— поверхность сферы радиуса L. |
При а'/о0.и= Ю_3; |
|
L = 20 см\ а"??0,01 см2 и 5 И=10~2 а/мм рт. ст., |
что вполне |
соответствует конструкциям современных датчиков КМ,
получим 5 Р. к= 10~2-10~3- 1(Н2/4я400 = 2 • 10-и а/мм рт. ст.
Сразу же оговоримся, что этот расчет не претендует на точность и дает лишь представление о порядках величин.
Пользуясь определением чувствительности, данным в гл. 4, и учитывая при ее расчете дополнительные источ ники шума, рассмотренные в данном параграфе, находим выражение для чувствительности в случае, когда прием ником ионов служит малошумящий ВЭУ, а шумами УПТ и собственным фоном ВЭУ можно пренебречь:
А , |
1 + |
+v |
4 Р |
5 ф,э + З р .к + |
+ |
ai+iS>U+i |
мм |
|
S; |
(6.30) |
|
где |
|
|
|
|
A mm = 2y2eAf/Sp |
at-_i = P£_i/P; |
a £+i = |
A + i / A (6.31) |
114