Файл: Хачатурян, А. Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 16.10.2024
Просмотров: 117
Скачиваний: 1
ato зпачейие в (1.40), получим:
|
иАи (1) — cAl| |
(1.11) |
11 — |
1/2 |
Вкачестве второго примера можно рассмотреть упорядочение
вобъемноцентрированном кубическом (ОЦК) твердом растворе Fe—Al, ведущее к появлению упорядоченной фазы Fe3Al. Элемен тарная ячейка фазы Fe3Al изображена на рис. 1, б. Из рисунка видно, что ОЦК решетка неупорядоченного сплава разбивается на три подрешетки. Из формулы (1.9) следует, что такой сплав
Рис. 1. Элементарные ячейки упорядоченной фазы CuAu I и Fe3Al.
должен описываться двумя параметрами дальнего порядка. Выбе рем их таким образом, чтобы в полностью упорядоченном сплаве
стехиометрического состава cÂi = Ѵ4 параметры дальнего поряд ка равнялись бы единице:
Д А1 ( В ~ |
Д А1 (2) _ |
ПА1 (В ~ ЯАІ (2) |
Да і ( 1 ) - Д а і (2) ~ 4 і ( 1 ) - » і і ( 2 ) ’ |
||
|
|
(1.12) |
Д А1 (3) _ |
ПА1 (3) — СА1 |
|
ДА1 (3) |
геА1 (3) ~ |
САІ |
Так |
как |
в полностью |
упорядоченном |
сплаве |
Паі(1) = 1, |
||
п°м (2) |
= 0 , |
«а і(3) = 0 , то, |
используя |
эти |
значения |
в (1.12), |
|
получим определения дальнего порядка: |
|
|
|
|
|||
|
Лі — иаі (1) — пАі (2), Л-2 = — |
”AI IM" СА1 |
• |
d -13) |
Явление упорядочения возможно не только в растворах заме щения. Оно может происходить и в растворах внедрения, если чис ло позиций внедрения превышает число атомов, которые занимают
13
эти позиции. Между процессами упорядочения в растворах заме щения и внедрения не существует принципиального различия. В этом можно легко убедиться, если обратить внимание на сле дующее обстоятельство: незаполненные позиции внедрения (ва кансии атомов внедрения) и сами атомы внедрения формально могут рассматриваться как раствор замещения между вакансиями и атомами внедрения. Что же касается атомов растворителя, то они не принимают участия в упорядочении и образуют неподвиж ный атомный остов, в поле которого перераспределяются атомы внедрения.
Существование упорядоченных фаз внедрения отмечалось во многих работах. Это, например, фазы Fe4N в [4] и Fe16N2 в [5], Та20, Та40, Та1вО в [6], Nb4N3 в [7], Ѵ8С,в [8]ит. д.Само фазовое превращение типа порядок — беспорядок в растворах внедрения наблюдалось в дейтеридах некоторых переходных металлов [9— 14]: Та—D, Nb—D, V—D и т. д.
Физической причиной упорядочения является взаимодействие между атомами компонентов, составляющих твердый раствор. При низких температурах, когда характерный потенциал межатомно го взаимодействия W существенно больше тепловой энергии хТ (xTIW 1, где X — постоянная Больцмана, Т — абсолютная температура), взаимное расположение атомов компонентов в твердом растворе будет определяться из условия минимума внут ренней энергии. В упорядочивающихся сплавах межатомные взаи модействия таковы, что минимум внутренней энергии достигается при периодическом чередовании атомов разного сорта. Это, на пример, имеет место, если конфигурациям, в которых атомы од ного компонента оказываются окруженными атомами другого сорта, отвечают более низкие значения энергии. В противопо ложном случае, когда энергетически предпочтительными являют ся конфигурации, в которых каждый атом стремится окружить себя одноименными атомами, система испытывает распад.
При высоких температурах, когда WlxT 1, энергией межатомного взаимодействия можно пренебречь по сравнению с тепловой энергией. В этом случае сплав ведет себя как идеаль ный твердый раствор: атомы компонентов хаотически распределе ны по узлам кристаллической решетки. Таким образом, вне за висимости от типа взаимодействия в твердом растворе, его высоко температурное состояние всегда является неупорядоченным. Фа зовое превращение — распад или упорядочение — имеет место в промежуточной области температур, когда xT/W ~ 1.
§ 2. Рассеяние рентгеновских лучей твердыми растворами
В настоящее время основные методы исследования атомно кристаллического строения упорядоченных фаз связаны с исполь зованием дифракции рентгеновских лучей, электронов и тепло вых нейтронов на кристаллических решетках исследуемых объек-
14
тов. Ниже мы рассмотрим особенности |
излу- |
чений на кристаллах^ упорядочивающихся фаз |
на конкретном |
примёрІГрассеяния рентгеновских лучей. Теория рассеяния рентге новских лучей кристаллами довольно хорошо разработана и под робно изложена во многих монографиях (см., например, [15— 18]). Поэтому мы не будем приводить строгих доказательств не которых положений общей теории рассеяния, использованных в данном параграфе, изложение которых завело бы нас слишком да леко. Во всех таких случаях мы ограничимся качественными сооб ражениями, поясняющими эти положения.
Рассмотрим ситуацию, когда плоская волна рентгеновского из лучения рассеивается системой электронов. Пусть падающая вол
на |
рентгеновского излучения |
описывается волновым вектором |
|
1 |
2л |
* |
и |
Кх = —— пь где А— длина волны, щ — единичный вектор в направ
лении падения. Будем полагать, что распределение электронной плотности пеі(г) имеет вид стоячей статической плоской волны с волновым вектором К:
Пе1 (Г) = |
йеі (К ) е « ' |
+ п*е1 (К ) е - « г , |
(2.1) |
где пе1(К) — амплитуда |
волны, |
г — вектор, характеризующий |
|
пространственные координаты. |
|
электронов, ра |
|
Импульс, переданный при рассеянии системе |
вен разности импульсов падающей и рассеянной рентгеновских волн. Так как импульс плоской волны равен постоянной Планка Н, умноженной на волновой вектор, то импульс, переданный рас
пределению |
электронов, |
равен |
— Йк2, где к2 — волновой |
в ектор рассеянной волны. |
Разность между волновыми векторами |
||
рассеянного |
и падающего |
излучения |
|
|
q |
= k 2 — k j |
|
носит назваңие дифракционного вектора и играет важную роль
втеории рассеяния. В свою очередь, импульс, который может быть передан распределению электронов, имеющему вид стоячей плос кой волны с волновым вектором К, равен либо НК, либо — НК. Таким образом, закон сохранения импульса может быть записан
ввиде
Tiq = Йк2 — Йкх = + НК.
Последнее векторное равенство может быть переписано в форме соотношения между волновыми векторами:
q = k 2 - k 1 = + K . |
(2.2) |
Кинематическое условие (2.2) означает, что рассеяние может иметь место, если дифракционный вектор q равен одному из двух волновых векторов -4-К~статической стоячей волны эітрктронной плотности. Так как нас интересует упругое рассеяние, то длины
15
волн падающего и рассеянного излучения равны. |
Это означа |
ет, что |
|
кл = к2 = 2л/к. |
(2-3) |
Уравнения (2.2) и (2.3) могут быть изображены графически (рис. 2). Геометрическое условие, изображенное на рис. 2, пред ставляет собой необходимое условие рассеяния рентгеновских лучей, которое само по себе еще не несет информации об интенсив ности рассеянного излучения. Интенсивность рассеяния опреде ляется динамикой взаимодействия излучения с рассеивателем.
Она, как известно, пропорциональна величине сечения рассеяния — квад рату модуля амплитуды рассеяния. Так как масштаб распределения электро нов, имеющего вид плоской стоячей волны, определяется единственным па раметром — амплитудой этой волны йеі(К), то амплитуда рассеяния Y, бу дучи представленной как первый неис чезающий член разложения по констан те взаимодействий между рентгеновс ким излучением и электронами, про порциональна амплитуде йе1(К):
Y = апе1(К),
где а — коэффициент пропорциональ ности. Константа а представляет со бой амплитуду рассеяния распределе нием электронов с Яеі(К) = 1. Рас
пределением, фурье-образ которого тождественно равен единице, является тіеі(г) = 6(г), где б(г) есть дельта-функция Дирака. В свою очередь, дельта-функция описывает состояние, в котором один электрон расположен в точке г = 0. Таким о'бразом, кон станта а равна амплитуде рассеяния одним электроном. Систе ма единиц, в которой а = 1, носит название системы элект ронных единиц. В этой системе, которой мы в дальнейшем будем пользоваться,
Y = йе1(К). |
(2.4) |
Сечение рассеяния (интенсивность рассеянного излучения), выраженное в электронных единицах, равно квадрату амплиту ды (2.4):
Ш ч=к = |* Т = |йеІ(К )|’. |
(2.5) |
Все результаты (2.2) — (2.5) справедливы в рамках предпо ложения об однократном рассеянии рентгеновских лучей (борновское приближение). В теории рассеяния рентгеновских лу чей это приближение обычно называется кинематическим.
16
Рассмотренный выше пример рассеяния рентгеновских лучей распределением электронов, имеющим вид плоской волны, поз воляет установить характер рассеяния на объекте с произвольным распределением электронной плотности. Дело заключается в том, что произвольному распределению электронной плотности отве чает пакет волн, обладающих набором волновых векторов К. Ам плитуды этих волн пеI (К) могут быть определены как интегралы Фурье (фурье-компоненты)
00 |
|
яеі (К) = ^ пе1(г) e~iKr d3r |
(2.6) |
для непериодического распределения и как коэффициенты ряда Фурье
Яеі (К) = ^ Пеі (г) е~ІКтd3r |
(2.7) |
V
(v — объем элементарной ячейки периодического распределения) для периодического распределения электронов. Линейная супер позиция всех волн, имеющих амплитуду (2.6) или (2.7), полностью описывает произвольное распределение электронной плотности пеі (г). Рассеяние рентгеновских лучей будет всегда иметь место, если дифракционный вектор q = k2 — kx равен какому-либо из волновых векторов К пакета волн электронной плотности, ап проксимирующих произвольное распределение электронной плот ности (условие (2.2)). Из выражения (2.5) следует, что интенсив ность рассеянного излучения в этом случае будет равна квадрату амплитуды волны, имеющей волновой вектор К = q:
/(q)H H el(q)P . |
(2.8) |
Таким образом, интенсивность рассеянного рентгеновского из лучения может рассматриваться как величина, распределенная в К-пространстве волновых векторов или, как его еще называют, в обратном пространстве. Изменяя направление и величину диф ракционного вектора q (этого можно добиться, изменяя геометрию съемки — направление падающего и рассеянного пучка), можно «прозондировать» значительные области обратного пространства и определить распределение в нем интенсивности рассеянного из лучения или же, что то же самое, распределение квадрата модуля фурье-компоненты электронного распределения.
Особый интерес представляет случай, когда рассеивающим объектом является идеальный кристалл. Электронная плотность в ! кристалле описывается периодической функцией координат, период которой определяется основными трансляциями кристалла:
”еГ(г]+>р) > пе{(г), |
(2.9) |
где Эр — основные векторы трансляции (р |
= 1, 2, 3). Для того |
|
17 |
I. |
“ГОсГпУБЯИиёГч---- |
' " ч о -тЕ х ^ - г-; Л „ |
|
|
. .>10ТЕ '• с - ■ |