Файл: Волновые и флуктуационные процессы в лазерах..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 16.10.2024

Просмотров: 188

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

208

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ПРОДОЛЬНЫХ МОД

[ГЛ. XII

Границы

области устойчивости, вычисленные из условий

Re К Eg 0,

ЯеЯф^О по формулам (12.51),

изображены на

рис. 12.3 (линии 1 и 2). Сравнение со случаем однородного уширения (линии 4) показывает значительное уменьшение области устойчивости. В отличие от однородного уширения появляется неустойчивость относительно фазовой модуляции. Это связано с тем, что при неоднородном уширении амплитудная и фазовая модуляции генерируемой волны связаны между собой в про­

цессе

взаимодействия

с атомами, имеющими

резонансную

ча­

 

 

 

 

 

 

 

стоту

(Ооь == ©о +

дс,

не

сов­

 

 

 

 

 

 

 

падающую с частотой соо-

 

 

 

 

 

 

 

Хотя

благодаря

симметрии

 

 

 

 

 

 

 

неоднородного

распределе­

 

 

 

 

 

 

 

ния f(x) в (12.4) после

 

 

 

 

 

 

 

усреднения

амплитудная и

 

 

 

 

 

 

 

фазовая модуляции при о =

 

 

 

 

 

 

 

= юо разделяются, коэффи­

 

 

 

 

 

 

 

циенты усиления

хо Re \/ф )

 

 

 

 

 

 

_

и дисперсии

хо 1 т(/:’ф')

на-

 

2

4

6

8

 

чинают зависеть от интен-

 

10f2jAf

сивности

генерации.

Появ-

 

 

 

 

 

 

 

л я е т с я

в о з м о ж н о с т ь

п е р е ­

вис. 12.4.

Область

неустойчивости

Re

> О

™ Ч К И

Э Н е р Г И И

ОТ

Г е н е р и р у е -

(12.54) (заштрихована) при у /Г = !0~ *.

Линии

МОЙ М О Д Ы

К 6 0 К 0 В Ы М

М О Д Э М ,

/ —/ = 2(А/Г)! и 2A/v= 1 являются

асимп-

О П р в Д е Л Я Ю Щ И М

С Л Э б у Ю

фа-

тотами

границы

 

области

неустойчивости

зовую модуляцию, ЧТО СПО-

 

(Ya6=Ya= Y).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

собствует их генерации.

 

С другой стороны, сильная конкуренция со стороны генери­

руемой моды

при неоднородном уширении проявляется

только

в пределах ширины беннетовского провала уаь V 1+ / ■Поэтому грубую оценку области неустойчивости можно получить, считая, что неустойчивость возникает, когда частотное расстояние ме­ жду слабой и генерируемой модой больше, чем ширина провала (см. линию 3 на рис. 12.3), т. е. /2 > 1+ / . Все эти оценки дают границу области неустойчивости со стороны больших интенсив­ ностей. Выражения (12.52) для Re Аа и ReA^ дают возжожность найти границы областей неустойчивости со стороны малых ин­ тенсивностей. Условия неустойчивости относительно амплитуд­ ной и фазовой модуляций имеют вид

 

 

(12.54)

I

^ Т ~

(ReЛф> 0).

Сравнивая эти условия между собой, видим, что при амплитуд-


Рис. 12.5, Области неустойчивости (заштри­ хованы) монохроматической генерации при Уа <Уаь д'ля неоднородного уширения (линии /,2),
для однородного уширения (линии 3).

§ 6] ОБЛАСТИ УСТОЙЧИВОСТИ. НЕОДНОРОДНОЕ УШИРЕНИЕ 209

ной модуляции неустойчивость наступает при несколько мень­ ших интенсивностях генерации. Область неустойчивости пока­ зана на рис. 12.4.

Существование нижней границы области неустойчивости объясняется уменьшением линейного усиления на крыльях не­ однородной линии уси­ ления. Для создания достаточной величины усиления требуется уве­ личение накачки, т. е.

увеличение интенсивности генерации.

Таким образом, об­ ласть неустойчивости на­ чинается при Д > 1 и ограничивается как со стороны малых, так и со стороны больших интен­ сивностей (рис. 12.3 и

12.4).

Распространенными яв­ ляются твердотельные и газовые лазеры, у кото­

рых ширина атомных уровней много меньше однородной ширины

линии уа уаъ И Д <

уаь- В

этом случае Re Ха и Re Хф

имеют вид

A ® pY a |

+

/ |

{

Я \

/

'

Re Ха =

1/1

Д +

- - 6

- - ^ )

- (

3 А + —

- 6 - Э /

2VJ

>

 

 

/

 

 

 

 

A ®pV.> J

 

 

 

 

 

 

+ /

( Л + - - 2 - - / ) -

( з а + — 2 2 / J

R eX + =

1

2 д аЬ/

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(12.55)

как и ранее Д = Д 2/ ( у ау а.ь )На рис. 12.5 показаны границы устойчивости Re Ха = 0 (линия 1) и Re Хф = 0 (линия 2), вычис­ ленные по формулам (12.55). Для сравнения показана граница устойчивости в случае однородного уширения (кривая 3, см. (12.35)).

Сравнение результатов, приведенных на рис. 12.3 и 12.5, по­ казывает, что независимо от отношения уа/уаь область устойчи­ вости в случае неоднородного уширения можно записать в виде

А < / V a Y a b ( а + ф ( / ) ) •

При у„ = Yaft а = \ , при Уа-Суоь а — 1»7. Функция ф(/) растет,



210 ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ПРОДОЛЬНЫХ МОД [ГЛ. XII

т. е. область устойчивости расширяется с увеличением интенсив­ ности (накачки) /.

Характерным для неоднородного уширения линии является

низкий порог неустойчивости по накачке при А > V ауауаЪ (см. (12.54) и рис. 12.4), в то время как для однородного уширения характерен весьма высокий порог неустойчивости (/гр = 8 -f- 14). Это подтверждает основанное на физических соображениях представление о том, что однородное уширение линии усиления в случае бегущей волны благоприятно для одномодового режима генерации, в то время как при неоднородном уширении линии обычно возникает многомодовая генерация.

Г Л А В А XIII

ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОНАПРАВЛЕННОЙ ГЕНЕРАЦИИ В ГАЗОВОМ КОЛЬЦЕВОМ ЛАЗЕРЕ В МНОГОМОДОВЫХ РЕЖИМАХ

Рассмотрение режима двух волн, бегущих в противополож­ ных направлениях, в газовом лазере приводит к выводу, что двухволновой режим неустойчив при симметричном расположе­ нии частот относительно центра линии

(Уа = Уь)-

(13.1)

При таком расположении частот генерируется волна в одном из направлений — имеет место эффект однонаправленной генера­ ции [1]. В частном случае совпадающих частот встречных волн (cojj = м2) этот результат получен в гл. IV.

В газовых лазерах доплеровская ширина контура усиления активного вещества ku обычно больше разности частот соседних

продольных мод резонатора 2nc/(L\/e). Поэтому при доста­ точной накачке в газовых лазерах имеется генерация на не­ скольких частотах gj„, tos

с

,

%

~ —

\Яп

Qs>

Lye

 

 

(где qnqs= 1, 2 — целое число),

причем на каждой частоте

возможна генерация в обоих направлениях.

Генерация на нескольких частотах в обоих направлениях бу­ дет осуществляться в том случае, если все волны усиливаются разными атомами, так что взаимодействие волн слабое. Это имеет место, если частоты расположены несимметрично относи­ тельно центра линии. Если же расположение частот симметрично относительно центра линии, то встречные волны с симметрич­ ными частотами генерируются на одних атомах (выжигают про­ вал в контуре усиления в одном месте), вследствие чего между ними имеется сильная конкуренция. Это должно привести, как и в одномодовом режиме, к гашению половины волн, так что в состоянии генерации останутся только те волны, которые уси­ ливаются разными атомами.


212 ОДНОНАПРАВЛЕННАЯ ГЕНЕРАЦИЯ [ГЛ. XIII

Возникает вопрос, какой режим генерации будет осуществ­ ляться: будут ли все генерируемые волны распространяться в одном направлении или часть волн будет распространяться в одном направлении, а часть — в противоположном? Мы рассмот­ рим этот вопрос в двух простейших случаях симметричного рас­ положения частот: 1) генерации на частотах двух мод <вь из, от­ стоящих примерно на равных расстояниях от центра линии, т. е.

он — иаь =

—(н3 — Шаб), и 2) генерации на частотах трех

мод

mi, и3, из,

одна из которых совпадает с центром линии И] =

иаь,

а две другие расположены симметрично относительно нее,

т. е.

из — Hi = —(иб hi). Для упрощения рассмотрения положим, что среда заполняет весь резонатор, частоты встречных волн одной моды одинаковы и что лазер работает на чистом изотопе.

§ 1. Генерация на двух частотах

Рассмотрим взаимодействие четырех волн [2, 3]: двух (1 и 3), бегущих в одном направлении, и двух (2 и 4), бегущих в проти­ воположном направлении на тех же частотах И|, из, причем

частоты

симметричны

относительно центра

линии: hi — иаь =

 

 

= (Оаь — из

(рис.

13.1).

Уравнения

 

 

для

амплитуд

поля

имеют

вид (см.

 

 

(П.76))

 

 

 

 

 

 

 

 

I

i f l

- В . Щ - [ ч - « <

-

* g „ E % ,

(13.2)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%ns>

kn « ks,

п ф S,

 

 

 

 

(13.3)

 

 

Sns

s >

kn ^

 

ksi

 

3

Осй

0

P n

 

 

 

 

ad = Дир

N о

 

 

4

 

 

У пор •

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ложениё' двух“мод14в^контуПре

Параметр d совпадает с одноименным

Гко^^^еТспредел^ГГсла

параметром,

 

введенным

в

(3.21).

атомов по скоростям встречными

В ДЭННОМ СЛуЧЗе СИЛЬНО конкурируют

В° ЛНас?отамиГсо1падаютМИ '‘а‘

ВСТреЧНЫе ВОЛНЫ С СИММетрИЧНЫМИ ЧЭ-

 

 

стотами (волна 1 на частоте И]

с вол­

ной 4 на частоте из и волна 2 на частоте hi с волной 3 на ча­ стоте из). Поэтому четырехволновой режим неустойчив и две

генерируемые волны погаснут.

 

режимы генерации —

Рассмотрим возможные двухволновые

их может быть два: 1) генерируются

две

встречные волны на

одной частоте (1 и 2 или 3 и 4)\ 2)

генерируются две волны,

распространяющиеся в одном направлении на разных частотах (7 и 3 или 2 и 4). Физически эти режимы совершенно разные.