Файл: Вигдорович, В. Н. Совершенствование зонной перекристаллизации.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.10.2024

Просмотров: 77

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Пункты 2, 3 и 4 исходных данных позволяют определить коэффи­ циенты очистки а и обогащения Р. По уравнению материального баланса (V.3) определяется соотношение масс выхода очищенного и загрязненного материала за цикл.

По свойствам очищаемого материала выбирается площадь и форма поперечного сечения секции аппарата и слитка. Для увеличения площади сечения загрузки, а следовательно, и материального потока некоторые исследователи рекомендуют выполнять секции аппаратов с центральными полыми элементами, например в виде концентриче­ ски расположенных труб.

Далее проводится предварительный расчет с использованием гра­ фоаналитического материала (рис. 46 и 47).

Для секции очищенного материала в качестве аргумента (пере­ менной расчета) принято отношение массы расплава зоны к массе материала, плавящегося при образовании зоны, т. е. у х по формуле

(V.26). Используя выбранное значение у х, по уравнению (V.27) или

по кривым рис. 46,

а определяется безразмерный параметр v x (V.26).

Относительная

масса материала в секции zx (V.26) определяется

в зависимости от степени очистки а и коэффициента распределения k по уравнению (V.28) или по кривым рис. 46, б, если k < 1, а если &>■ 1, то по кривым рис. 46, в. По массе плавящегося при образова­ нии зоны материала 1Х, по плотности расплава и твердого материала и по площади поперечного сечения загрузки (секции) определяется масса расплава зоны, масса материала в секции и геометрические размеры секции и зоны.

В секции загрязненного материала сходные по назначению узлы аппарата желательно выполнять одинаковыми, поэтому поперечное сечение секций и нагреватели принимаются одинаковыми, при этом масса расплава зоны секции загрязненного материала будет равна массе материала, плавящегося при образовании зоны секции очищен­ ного материала.

Выход загрязненного материала за один цикл (проход) равен

W = h2~ l 2.

Расчет секции загрязненного материала можно проводить при условия, что кристаллизация последней зоны происходит с равно­ мерным распределением примеси в зоне, или при условии, что в пос-- следней зоне происходит направленная кристаллизация. Желательно проводить расчет для обоих случаев и принимать средний результат.

В качестве аргумента при расчете принята безразмерная перемен­ ная у 2 по формуле (V.29).

Используя выбранное значение у 2, определяется величина v2 (V.29) по уравнению (V.30), или по кривым рис. 47, а.

В зависимости от полученного значения v2 и от величины коэффи­ циента обогащения Р по уравнению (V.31) или по кривым рис. 47, б или а определяется оптимальная масса материала в секции загряз­ ненного материала.

Затем, аналогично расчету секции очищенного материала,, опре­ деляются материальные (по массе) и геометрические параметры сек­ ции загрязненного материала.

126


Получив результаты предварительного графоаналитического рас­ чета аппарата, можно проверить его параметры по аналитическим формулам (V. 10)—(V.18) и (V.20)—(V.25).

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНО ОСУЩЕСТВЛЕННЫЕ АППАРАТЫ КОЛОННОЙ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Первые аппараты колонной зонной перекристаллизации, работающие по полостному и транспортному методам, были предложены Пфанном [22]. Позднее в литературе появились сообщения с указаниями на осуществление аппаратов колонной зонной перекристаллизации,

Рис. 48.

Схема

установки

для

колонной

зонной

перекристаллизации

 

 

тетраиодида

кремния

(см.

[53]):

 

 

1 — исходный материал;

2 — резервуар

с

предварительно сублимирован­

ным Sil4; 3 к системе осушенного

гелия; 4 к вакуумной

системе;

5—сублимационное колено;

6—8 —нагреватели

(температура уменьшается

от нагревателя

6 к нагревателю 5);

9

охлаждающая ловушка; 10—суб­

лимационный

сборник;

11 — пробкообразователь;

12 —питатель; 13

секция

загрязненного

материала;

14 -г- секция „очищенного

материала;

15 — генератор полостей; 16 — контейнер; 17 — соединение с камерой для

разложения

Sil4;

18 — ртуть; 19 — контейнер

для отбора

очищенного

материала;

20— приводной механизм; 21 — контейнер для

отбора мате­

риала в пусковой

период работы аппарата;

I — атмосферное давление;

 

11—

пробка твердого материала;

111 — вакуум

 

127


основанных (Кеннеди [27, с. 384—392], Моатс [27, с. 368—376],

Буфорд и Старкс [27, с. 377—383]) на предложенных Пфанном ме­ тодах.

Аппараты имели питатель, секцию очищенного материала и сек­ цию загрязненного материала. В том случае, когда секции аппарата работали по полостному методу, на выходе материала из секций имелся генератор полостей [113]. Расплавленные зоны создавались наружными нагревателями сопротивления.

Абэ [27, с. 355—364] провел ряд опытов по очистке германия на аппарате, работающем по транспортному методу, однако описание аппарата не приводится.

Аппараты Моатса и Буфорда—Старкса работали по полостному методу, были близки по конструктивной схеме и имели много общего с аппаратом, предложенным Пфанном. Очищаемый исходный материал подавался в питатель, где поддерживался в расплавленном виде. Из питателя материал поступал в секцию очищенного материала и в секцию загрязненного материала. Обе секции работали согласо­ ванно, т. е. соблюдался материальный баланс по примеси в очищен­ ном, исходном и загрязненном материалах.-Продвижение материала вдоль секций к выходным отверстиям было возможным благодаря наличию генераторов полостей на концах секций. Чтобы создать более устойчивую расплавленную зону, секции аппарата Буфорда— Старкса имели центральную полую трубу (рис. 48).

В обоих аппаратах проводили очистку тетраиодида кремния. Аппарат Моатса работал непрерывно в течение пяти недель с произ­ водительностью 300 г/мес.

Х А Р А К Т Е Р И С Т И К А э к с п е р и м е н т а л ь н о о с у щ е с т в л е н н ы х

Очищаемый

материал

Гер м а н и й

Те т р а и о д и д

кр ем н и я

Те т р а и о д и д

кр ем н и я

На ф т а л и н

О л о в о и

н е ­

к оторы е

сол и

 

Секция очищенного материала

подлина­ %,лости

Материал

 

,длцна мм

диаметр*2, мм

расдлина­ плавленной мм,зоны

аппарата

метод работы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

П и р е к с

Т р а н сп о р т н ы й

 

 

 

 

П о л о стн ы й

5 0 0

10

16

2 2

К в а р ц

»

6 0 0

5 0 /3 8

30

2 0

п л а в л ен ы й

 

 

 

 

 

П и р е к с

Т р а н сп о р т н ы й

6 7 3

2 0 /8

К в а р ц

(вер т и к а л ь н ы й )

 

 

 

 

Т р ан сп ор тн ы й

 

 

 

 

 

(п р и н у д и тел ь н ы й )

 

 

 

 

\

д в у х

число зон

5

5

1 В и г д о р о в и ч В .

Н.

Исследование кристаллизационной очистки металлов. Автореф.

* 2

Диаметр внешней трубы секции

указан в

числителе, диаметр

внутренней полой

* 3

Длина полости дана

в

процентах

от объема

расплавленной зоны

(или от объема, за

Кеннеди [27, с. 365—367] описал два аппарата колонной зонной перекристаллизации. Секции загрязненного материала обоих аппа­ ратов работали по полостному методу. Секции очищенного материала были вертикальными и работали по транспортному методу, исполь­ зуя только изменение плотности материала при плавлении (в отли­ чие от обычных горизонтальных аппаратов транспортного метода, которые используют еще и наклон поверхности материала к гори­ зонту). Если при плавлении плотность материала уменьшалась, то секция очищенного материала располагалась над питателем, если же плотность материала увеличивалась — под питателем. Обе сек­ ции аппаратов имели центральную полую трубу. Для создания более резкого перепада температур на фронте кристаллизации каждый нагреватель работал в паре с холодильником.

Экспериментально был осуществлен аппарат с верхним располо­ жением секции очищенного материала. В качестве модельного мате­ риала очистке был подвергнут нафталин.

Техническая характеристика осуществленных двухсекционных аппаратов приведена в табл. 7.

В тех случаях, когда возможен отбор загрязненного материала со сравнительно небольшой концентрацией примеси без дальнейшей очистки основного материала (растворителя), находят применение односекционные аппараты колонной зонной перекристаллизации. Отбор загрязненного материала производится из секции вблизи пи­ тателя, чтобы избежать его «отравления» примесями. Секция делится выпускным отверстием на две части — на приемник и разделитель (очиститель).

Таблица 7

СЕКЦИОННЫХ АППАРАТОВ КОЛОННОЙ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Секция загрязненного материала

полодлина- ; %*3,сти

зончисло

Скоростипере­ мещенияЗ О Н Ы , ч/см

 

 

 

 

мм,длина

диаметр*2, мм

расдлина­ плавленной мм,зоны

Литература, где

метод работы

 

 

 

 

 

 

описан аппарат

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т р ан сп ор тн ы й

 

 

 

\

_

_

[2 7 ,

с.

3 5 5 — 364]

П ол остн ы й

2 0 0

10

16

2 2

3

5

[27,

с.

3 6 8 — 376]

»

215

5 0 /3 8 ’

36

16

2

5

[27,

с.

3 7 7 — 38 3 ]

»

3 80

2 0 / 8

2 4 ,5

[27,

с.

3 8 4 — 392;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

113]

Т р а н сп о р тн ы й (п р и ­

 

 

 

 

 

В .

Н .

В и г д о р о ­

н уди тел ьн ы й )

 

 

 

 

 

 

 

 

вич 3,1

докт. дис. М., 1965.

трубы —■в знаменателе, ключенного внутри нагревателя)

128

9 В. Н. Вигдорович

129


ИССЛЕДОВАНИЕ РОЛИ СЕКЦИИ ЗАГРЯЗНЕННОГО МАТЕРИАЛА В АППАРАТАХ КОЛОННОЙ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Роль секции загрязненного материала в аппаратах колонной зонной перекристаллизации исследовали В. Н. Вигдорович и Л. М. Ферштер [114]. Для этой цели была использована получившая распростра­ нение для оценки эффективности разделительных процессов функция Дирака (см. работу [26]):

Ф,. = ( 1 - 2 С г.)1 п - Ц ^ - ,

(V.34)

где С{ — концентрация примеси.

Эта функция характеризует работу разделения, является мерой расходуемой энергии на процесс разделения компонентов и поэтому называется разделительным потенциалом.

Для колонн (а также для каскадов), применяемых при разделении или очистке химических веществ, материальный баланс можно за­

писать так:

М г +

М 2;

(V.35)

М =

М 0С0 =

М . С

, М 2С2,

(V-.36)

где М 0, М х и М 2— число молей исходного, очищенного и загряз­ ненного материалов соответственно;

С0, Сх и С2 — концентрации примесей в исходном, очищен­ ном и загрязненном материалах соответственно.

Используя представление о разделительном потенциале, можно записать выражение для работы разделения в виде

Л = Д4Д1 — 2СХ) 1п 1~CiCl + М 2(1 — 2С2) 1п - Ц с-2С» -

 

-Л 4 0( 1 - 2 С 0) 1 п ^ = ^ .

 

(V.37)

 

 

 

ь0

 

 

Если с помощью (V.35) и (V.36) выразить отношения Л40/Л4Х и

М 21Мг через концентрации,

то работа

разделения

или

очистки на

единицу количества чистого материала

будет

 

 

 

 

 

Са — С

 

 

 

 

 

с2сО1 Ф

о

(V.38)

или

 

 

 

 

 

А

Ф1 - Ф

0— (C o -Q )

 

(V.39)

М,

 

 

 

 

 

 

Стоимость процесса разделения или очистки складывается из стоимости работы разделения и стоимости исходного материала. Если условно примем, что <2д — стоимость единицы работы разде­ ления, a Q0 — стоимость единицы количества исходного материала,

130