Файл: Бирзниекс, Л. В. Импульсные преобразователи постоянного тока.pdf

Е диоде Д в конце интервала 6 не происходит мгновен­ но и конденсатор С заряжается до более высокого на­ пряжения, чем U.

Как известно [Л. 28], приращение напряжения на кон­ денсаторе AUc 'без учета активного сопротивления мо­ жет быть определено по 'формуле

а продолжительность интервала 7, в течение которого происходит этот процесс, по формуле

После заряда конденсатора до напряжения U+AUc следует интервал 8, в течение которого конденсатор ча­ стично разряжается до напряжения U—AUc по цепи С—U—Д —Д2—С. Продолжительность этого интервала

Минимальная продолжительность импульса выходно­ го напряжения ?ъаміш определяется, как показано выше

а скорость нарастания тока во вспомогательных тиристо­ рах на интервале 4

202

в) Скорость нарастания напряжения на главных и вспомогательных тиристорах

Как показано «а рис. 9-1,0, к славному тиристору 77 в конце интервала 5 скачкообразно прикладывается пря­ мое напряжение Uc-къ- Для ограничения скорости нара­ стания этого напряжения параллельно тиристору 77

ставлена расчетная схема, показанная на рис. 9-3. Кроме того, для этого расчета е достаточной степенью точности можно принять, что напряжение на конденсаторе Сі в начале процесса равно нулю, а напряжение на комму­ тирующем конденсаторе С в кратковременном процессе нарастания напряжения иті остается неизменным и рав­

а вторая производная после некоторых преобразований

203*

Напряжение на тиристоре 77 согласно расчетной схеме на рис. 9-3 может быть выражено как

В общем случае при г4^=0 максимальную скорость нарастания напряжения нті можно найти, исследуя функцию (9-47) на максимум, т. е. определяя вторую производную ит1 и приравнивая ее нулю.

Вторая производная напряжения на главном тири­ сторе после некоторых преобразований может быть най­ дена в виде

* 204

Максимальное значение скорости нарастания напря­ жения на тиристоре 77, таким образом, равно:

Величины Гі и Сі должны быть выбраны такими, чтобы максимальная скорость нарастания напряжения, определенная из данного выражения, получилась бы ■меньше максимально допустимой

где /мі — момент времени, при котором напряжение на гиристоре 77 достигает амплитудного значения.

Величина tMl может быть найдена, если приравнять

(9-47) нулю:

ШС1 ®і/И01

Следовательно,

28,

*«. = — f « - a r c t g T 2 (9-58) ®01 — O|/t0c,

При выборе Г\ и Сі обычно задаются допустимой ве­ личиной напряжения на главных тиристорах С/тідоа и ■принимают такие их значения, при которых выполнено условие

205

Кроме того, сопротивление /ц необходимо выбрать достаточно большим, чтобы ограничить амплитуду тока через тиристоры при их отпирании, когда конденсатор Сі разряжается через сопротивление л и тиристоры, проводящие в прямом направлении. Величина этой амплитуды приближенно может быть оценена отноше­ нием напряжения конденсатора Сі (которое может быть

зистора, как показано в [Л. 12], может быть определена согласно выражению

Необходимо также отметить, что характер начально­ го этапа процесса восстановления прямого напряжения на тиристоре 77 зависит от величины и продолжитель­ ности обратного тока в диоде Д1 (рис. 9-3). Поэтому в ряде случаев имеет место некоторый скачок напряже­ ния «ті при более высокой скорости нарастания. Это обусловлено тем, что при наличии обратного тока в дио­ де Д1 цепь Гі — С1 оказывается шунтированной и нара­ стание тока определяется, в основном, напряжением Нск5 и индуктивностью L. К моменту «запирания» дио­ да Д1 ток іі уже достигает определенного значения и . поэтому возникает скачок напряжения на гі.

Аналитический расчет этого явления затруднен, так как процесс зависит от условий восстановления запира­ ющих свойств диода Д1, однако, как показывают экспе­

нен, если г1 шунтировать диодом. Однако при этом, как

ды и скорости на^эастания напряжения на тиристорах могут быть использованы также дроссели насыщения. Этот способ показан применительно к вспомогательным тиристорам Т2 (рис. 9-4,а).

206