Файл: Полупроводниковые детекторы в дозиметрии ионизирующих излучений..pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 21.10.2024
Просмотров: 87
Скачиваний: 0
ляющая тока Л|>; «г*— показатель степени, равный 0,5 при сту пенчатом и 0,33 — при плавном р—«-переходах.
Увеличение / ф с ростом U происходит до тех пор, пока от ношение dn/ L v^> 1. Приближение границы Диффузионного соби
рания |
носителей к контакту (см. рис. 4.1, а) приведет к умень |
шению |
/ф. д, скорость роста Iф уменьшится. Зависимость |
/ф = /(£/,) в координатах / ф — по оси |
ординат, (1 + Н ,)т ,- — по |
оси абсцисс будет прямой линией, |
пересечение продолжения |
которой с осью ординат при U t= —1 происходит при Іф — Іф. д. Это позволяет по экспериментальным данным раздельно изучать поведение каждой составляющей тока, определить отношение толщины обедненного слоя к диффузионной длине неравновес ных носителей. Увеличение /ф с ростом U# у детекторов с диф фузионным р—«-переходом не превышает 15—30% при пре дельно допустимых значениях U даже у ППД на основе относи тельно высокоомного кремния [ 129J.
Зависимость Л ін /Л ;. з |
от U в р— і— |
п-детекторах |
показана |
||
на рис. 4.7,а [130]. При толщине слоя |
й ^ \ , Ъ |
мм |
(толщина |
||
детектора 3 мм) ток Іфі |
превышает |
/к.3 |
в 3—3,5 |
раза, причем |
|
Іфі достигает постоянного |
значения |
при |
ІІ> 20 в |
(см. рис. 4.7). |
У детекторов, хранившихся длительное время при комнатной температуре, напряжение U, соответствующее участку насыще ния Іфі, больше, по сравнению с таким же напряжением у не давно изготовленных детекторов. Это можно объяснить сле дующим. В области малых напряжений ток Іфі обусловлен би
полярной |
диффузией |
носителей. С |
увеличением |
U время |
|
разделения |
(Тпѵ) свободных носителей, |
образовавшихся |
|||
в і-слое, уменьшается, |
эффективность |
их собирания |
(4.14) воз |
растает, это приводит к увеличению тока по амплитуде. На рис. 4.7, б показана зависимость Ли от положения узкого (0,1 мм) пучка рентгеновского излучения, направленного парал лельно р—і—я-переходу при различных U. В «старом» детек торе из-за диффузии ионов лития толщина і-слоя может умень шиться. Однако рядом с г-слоем находится материал с высоким удельным сопротивлением. В результате подачи напряжения толщина г-слоя увеличивается, аналогично рассмотренному ранее ППД с р—«-переходом. На рис. 4.7, б видно смещение области уменьшения Ліи вправо. Более подробно зависимость сигнала на выходе р—і—«-детектора от положения зонда рас смотрена в работах [123—125].
Таким образом, увеличение Ліи с ростом U существенно только для р— і—«-детекторов.
Счетный режим. Скорость счета на единицу мощности дозы излучения определяется формулой (1.56). Если pzd„<§Cl, то дозовая чувствительность в счетном режиме определяется объемом обедненной области, так как время дрейфа существенно меньше времени диффузии (см. § 4.7) и диффузионная составляющая
88
тока Iф практически не участвует в формировании амплитуды импульса.
В отсутствие электронного равновесия скорость счета на единицу мощности экспозиционной дозы нелинейно зависит от чувствительного объема, возрастая с его уменьшением; при рав ных объемах она зависит от отношения площади к толщине обедненной области [131].
Рис. |
4.7. Зависимость |
/ф с |
з і от U |
и тока І,\, г- для |
|||
трех |
значений |
U |
при |
облучении р — і — /г-детекторов |
|||
перпендикулярно |
(а) |
и |
параллельно |
(б) |
р — і — п- |
||
|
|
|
|
переходу: |
|
|
|
1—2 — детектор № |
1 через |
1 и 12 месяцев после |
изготовления; |
||||
3 — детектор № 2; |
кривые |
на рнс. б для детектора № 1 через |
|||||
|
12 |
месяцев |
после изготовления. |
|
|||
В кремниевых ППДобычных размеров |
(S—Ісж2, d0~ 0 ,l см) |
при облучении квантами с Еу >200 кэв число импульсов умень шается приблизительно линейно с ростом их амплитуды [132, 133]. С увеличением напряжения смещения чувствительность увеличивается за счет роста d0. Зависимость чувствительности от толщины обедненной области практически линейна. Одновре менно с ростом чувствительности увеличиваются и шумы. Ско-
89
ростъ счета шумовых импульсов (лсч. ш), в свою очередь, зави сит от порога дискриминации в соответствии с уравнением [116J
Дсч.ш |
1 ехр |
L |
( J f i . V I |
(4.42) |
|
2л.т„ |
2 |
VЕш) . |
|
где tu — постоянная |
времени измерительном схемы. |
|
||
Рабочее напряжение (Up) выбирают из условия максималь |
||||
ного отношения сигнала к шуму |
с учетом (4.42). Обычно Uр. |
|||
выбирают на участке насыщения |
тока |
/т (см. рис. |
4.5,6). Для |
рассмотренных в § 4.3 типов ППД ІІѴ> 20 в. Дозовая чувстви тельность нелинейно уменьшается с ростом порога дискримина ции. При толщине обедненного слоя, превышающей максималь ный пробег электронов, образующихся при облучении у-кван- тамн, для определения дозовой чувствительности пригодна сле дующая приближенная формула [99]:
«с/-р = («сч.о/Р) (1 — Ел/Ем), |
(4.43) |
где Печ. о — скорость счета при нулевом пороге дискриминации в соответствии с формулой (1.56); псч — скорость счета при за данном уровне дискриминации; Е,л и £ м — уровень дискримина ции, кэв, и максимальная энергия комптоновскнх электвонов соответственно.
Рентген-амперная характеристика
В токовом режиме работы ППД линейность между измеряе мым током /„ и мощностью дозы Р может нарушаться из-за нелинейной зависимости /ф от Ра или /ф от /„. В первом случае появление нелинейности возможно только при средней концент рации неравновесных носителей, сравнимой с концентрацией основных. Ограничимся определением только отношения Д/г//г б зависимости от мощности дозы Р. В 1 см3 полупроводника при мощности дозы Р с учетом (2.1) средняя концентрация избыточных электронов равна
|
|
|
|
Ап = |
(Р/со) ту, |
|
|
|
(4.44) |
||
где т — время |
существования |
электрона |
в |
чувствительном |
|||||||
объеме, |
сек-, |
у — плотность, |
г/см3; Р — мощность дозы, рад/сект. |
||||||||
При диодном включении ППД для генерационной компонен |
|||||||||||
ты тока |
/ф т = |
7 ’др, для |
диффузионной компоненты |
т « т п. |
При |
||||||
вентильном |
включении т ~ т |
л . |
Для кремния |
согласно |
(4.44) при |
||||||
у= 2,3 г/см3, |
со = 3,5 эв. |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
A/isi = |
6’25' 10^ 100'23 |
_ |
45151013Рт электрон/(см3-сек). |
(4.45) |
|||||||
Концентрация электронов п |
(электрон/см3) |
в детекторе с рп |
|||||||||
(ом-см) равна |
[50] |
|
|
5,3-10і5 |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
п = |
|
|
|
(4.46) |
|||
|
|
|
|
|
|
|
Ря |
|
|
|
|
90
Полагая, что линейность будет иметь место при А/г/д^б, ис пользуя уравнения (4.45) и (4.46), определяем мощность дозы, соответствующую этому неравенству:
(4.47) В соответствии с этой формулой минимальное значение Р& бу
дет у р—і—/г-детектора, включенного по вентильной |
схеме. |
Принимая р„=50 000 ом-см, 6= 0,1 и т„ = 10~4-ь 10~3 сек, |
полу |
чаем Рб=о,і^2,5ч-25 рад/сек. |
|
Интересно отметить, что при р—і—и-детекторе минималь ную мощность дозы, при которой нарушается линейность, мож но оценить не только по формуле (4.47), но и измеряя отноше ние фототока Іф к объемной генерационной составляющей /г темнового тока /т, так как /ф//г~Д п/п.
При вентильном включении детектора, в соответствии с урав
нением |
(4.23), отношение Ін/Р уменьшается с увеличением Р, |
||
если R H ^ O . Д л я определения |
мощности дозы, при которой это |
||
уменьшение по сравнению со значением I J P при Р-+-0 не пре |
|||
вышает |
заданную погрешность бв, воспользуемся разложением |
||
в ряд уравнения (4.23) |
|
|
|
|
А|, = (1+Ян/Яо)Л. + |
/ о - / н - £ М / § + . . . |
(4.48) |
При |
/?,і/ІІ/ ^ 0/0<1 искомое |
значение Р (обозначим |
его Ям) |
определяется из условия, что отношение удвоенного значения
второй составляющей (4.48) к первой не |
должно превышать |
выбранного значения б„: |
|
Р м < - ^ - ( / + д 0/ а д |
(4.49) |
где аф— Іф/Р — чувствительность детектора |
в области линейной |
зависимости Іф от Р. |
|
Определенная таким образом величина Рм меньше истин ного значения■не более чем вдвое, что вполне пригодно для практических расчетов. По сравнению с приводимым в работе [1344 уравнение (4.49) позволяет определять Ям при любых значениях 6„, а не только при би = 5%.
При оценке Рм по формуле (4.49) с учетом сопротивлений базы Rö и контактов RK их значения необходимо прибавлять к сопротивлению Ro, так как при токе Іф на них создается на
пряжение, смещающее р—я-переход |
в прямом |
направлении. |
|
При Ru и /?н=0 мощность дозы Р м при би=0,1 |
можно опреде |
||
лить из следующего уравнения [135j : |
|
|
|
e°--p-dö -L Р |
|
(4.50) |
|
A k T ‘ |
10nd0(ü |
||
|
В диффузионных детекторах R Ö имеет значение только при скоростях генерации свыше ІО18 пар/см3. Экспериментальные данные о зависимости /„ от Р приведены в [9, 136—1391.
91