ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 23.10.2024
Просмотров: 63
Скачиваний: 0
Вероятно, при заданной частоте электромагнитных колеба ний, дальнейшее уменьшение расстояния между электродами с соответствующими площадямиприведет к еще большему уве личению проводимости электрической системы преобразователя, еще в большей степени возрастет взаимодействие полей ионов, диполей и внешнего поля. При этом практически изменится раз ность между токами смещения и проводимости, увеличится шунтирующее действие послед них. При некотором малом за зоре этого шунтирования будет достаточно для исключения из
рассмотрения на рис. II. 6 ем кости, соответствующей обла сти III, т. е. произойдет как бы «сближение» электродов на некоторое расстояние, а следо вательно, уменьшение геоме
трической постоянной к до величины k\. Общая емкость системы между электродами в основном будет определяться межфазными емкостями.
Эта картина, хотя и весьма упрощенная, позволяет предпо ложить, что в некоторых особых случаях могут наблюдаться как заниженные, так и завышенные величины диэлектрической про ницаемости при использовании для ее расчета выражения: е = = С/С0, где С и С0 — емкости преобразователя с жидкостью и
воздухом. |
данном гипотетическом случае, |
так как |
По существу, в |
||
С = ei/4n&i, а С0 = |
\/4nk — где к \ ф к — выражение |
(11.27) |
не имеет смысла. |
k = x0/x |
|
|
|
Увеличение зазора между электродами данной площади S способствует уменьшению поляризационных потерь и потерь, об условленных «сквозной» проводимостью (наличием частиц-но сителей заряда) как на границе раздела фаз, так и вдали от нее. Это приводит к уменьшению влияния скачка потенциалов на общую емкость электрической системы преобразователя и со здаются наилучшие условия для определения диэлектрической проницаемости.
Как следует из табл. II. 1 с увеличением геометрической по стоянной экспериментальные значения е близки по величине к литературным данным, взятым для сравнения.
Надо полагать, что для данной частоты существуют опти мальные значения геометрических постоянных преобразователей ke и кк, пригодных для раздельного определения диэлектриче ской проницаемости и удельной проводимости, а также суще ствует такое значение k преобразователя, которое необходимо для одновременного определения этих величин.
Итак, в данном случае, при вычислении геометрической постоянной к преобразователя следует очень осторожно
39
пользоваться выражением k = хо/х, если удельная проводимость эталонного раствора взята из справочника. Последнее тем более важно, что в практике градуировки приборов выражение (11.27) используется довольно часто.
11.3. ГРАНИЦА РАЗДЕЛА ТВЕРДЫЙ Д И Э Л Е КТР И К -Ж И Д КО С ТЬ
Образование скачка потенциалов на границе твердый диэлек трик — жидкость, как и на границе металл — жидкость, обус ловливается наличием заряда на границе раздела фаз, но при этом появляются отличительные особенности [23]. Так, диффуз ный слой присущ не только жидкости, но и твердому диэлек трику, поверхностный заряд (скачок потенциалов) меньше по
сравнению с зарядом на границе металл — жидкость; |
отсут |
ствует перенос на электроды частиц-носителей заряда |
(если |
твердый изолятор не очень тонкий); может происходить только миграция ионов в переменном электрическом поле и т. д.
На поверхности раздела диполи одной среды ориентированы к ней положительными зарядами, а второй — отрицательными. Поэтому в пограничном слое будет преобладать заряд той среды, у которой поляризуемость а больше. Иными словами, по верхностный связанный заряд в тонком слое возникает из-за не одинаковой поляризуемости частиц твердого диэлектрика и жид кости. Плотность заряда равна разности поляризаций твердого диэлектрика и жидкости. При отсутствии на границе раздела «свободных» зарядов для системы твердый диэлектрик — жид кость, помещенной во внешнее электрическое поле, справедливо равенство [51:
So-Ei + Pi = ЕоЕ2 + Р2
откуда:
е0 (Е2— Е\) = Pi — Р2 = о |
(11.28) |
Таким образом |
|
Р1Р2= о' |
|
где а' — ае0; ео — диэлектрическая проницаемость вакуума; Е\ и Е2— напряженности электрического поля в первой и второй средах (например, твердый диэлектрик); Рi и Р2— поляриза ции в первой и второй средах.
Как уже отмечалось, ввиду чрезвычайно малой толщины по граничного слоя — один и несколько мономолекулярных слоев — его связанный заряд о можно считать поверхностным.
На рис. II. 10 представлена схема распределения емкостей на границе раздела фаз и в объеме преобразователя с изолирован ными электродами.
В отличие от рис. II. 6 на рис. II. 10 двойной электрический слой возникает не только в жидкости, но и в твердом диэлек трике. Отметим, что на объемные области III и IIP не распро страняется действие заряда двойного электрического слоя. Зна чит, у такой системы имеются две емкости двойного слоя. Об-
40
щая приэлектродная емкость, согласно рис. II. 10 может опре деляться емкостью, обусловленной зарядами в плотной части объема твердого изолятора и жидкости (слой 1), емкостью, со ответствующей диффузной части объема жидкости (слой 2) и емкостью, соответствующей диффузной части объема твердого диэлектрика (слой <3). Слой 1 — область объема толщиной в одну или несколько поляризованных молекул, часть из кото рых на поверхности раздела «выступает» из изолятора, а часть —
ш |
п I V I I ' ill' |
Сг
Л,
Рис. НЛО. Распределение величин Е, е, С и R на границе раздела фаз
твердый изолятор — жидкость:
1, V , 11, |
l l r, 111 и 111' —области плотной, диффузной и объемной частей зарядов в |
твердом |
изоляторе и жидкости; D{ и D2—диаметры поверхностей твердого изоля |
|
тора; А и В — электроды. |
из раствора. В соответствии с величиной поляризуемостей он и ос2 (для твердого тела и жидкости) на границе раздела фаз об разуется тот или иной заряд. Участки диффузных слоев 2 и 3 подвержены влиянию теплового поля и, очевидно, их толщина значительно меньше толщины на границе металл — жидкость.
На рис. 11.11 дана общая эквивалентная схема электриче ской системы между электродами изображенной на рис. II. 10. Здесь
|
> / w / w |
/ / |
(1 1 .2 9 ) |
|||
С / С / / + с , с ш + с и с ш |
||||||
|
||||||
/?, = |
/?( |
+ |
r 2' + |
r 3' |
(1 1 .3 0 ) |
|
Я д = |
Яд, |
+ |
Яд2 |
|
(1 1 .3 1 ) |
|
|
|
|||||
Я д = |
Яд, |
Т- |
Яд, |
|
(11.32) |
|
Я д - |
я ; |
|
|
|
(11 .33) |
|
|
|
|
|
|||
|
Я 2 • #2 |
|
(11 .34) |
|||
|
|
|
|
|
||
|
|
+ |
1*2 |
|
|
4}
где С], С'ц, С///, /?{, R'2 и R'3— емкости и сопротивления, соот ветствующие областям I', II' и III' твердого диэлектрика у элек трода А (см. рис. 11.10); R 2—■сопротивление, обусловленное сквозной проводимостью; R 2— сопротивление, обусловленное по ляризационными потерями.
Величины С/ и С/, Сл и Сд, /?д и RI относятся к соответ ствующим противоположным электродам и, в принципе, по ве личине могут отличаться вследствие неодинаковой полярности электродов в данный момент при питании их синусоидальным напряжением, за счет неодинаковой обработки поверхностей изолятора у каждого из электродов, неодинаковой толщины изо лятора и т. д. Однако при определенных условиях без внесения
Рис. 11.11. Эквивалентная схема электрической системы с жидкостью между изолированными электродами.
существенных ошибок можно считать их одинаковыми. Допу стим, что в нашем случае эти условия выполняются, т. е. что указанные величины одинаковы. Это значит, что приведенные выражения (11.29) — (11.34) равноценны и для величин С/, Rд, а также
^Д|^Д2
Сд = Сд: с п. + с п
С д,Сд, |
(11.35) |
|
с ! + С* |
||
|
где ^С П,» С*П,1 С л и с ;2 -"емкости, соответствующие |
плотной и |
диффузионной областям у первого и второго электродов. , |
|
Полное сопротивление электрической системы рис. |
II. 10 ме |
жду электродами без учета паразитных параметров Сп и Rn можно записать в виде:
?г |
_ |
+ (соСгР г)2 ~ 1 |
(II. 36) |
1 + (иСгР г)2 |
|
■St |
|
г=1 |
|
В наиболее общем случае, когда реальный твердый диэлек трик имеет дефекты кристаллической решетки и примесные ионы [23], выражение (11.36) будет состоять из большего числа сла гаемых. Кроме того, существует скачок потенциалов на границе электрод — твердый диэлектрик. Он постоянен во времени и не
42