Файл: Моряков, О. С. Вакуумно-термические и термические процессы в полупроводниковом производстве учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 24.10.2024

Просмотров: 59

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

ней кусочком индия индий начинает плавиться и растворять гер­ маний, пока не наступает насыщение, отвечающее данной темпе­ ратуре. Во время охлаждения германий, выпадая из расплава, наращивается на кристаллическую решетку твердой части пласти­ ны, увлекая с собой акцепторную примесь. В результате возникает электронно-дырочный р-я-переход (рис. 11). Высокая концентрация индия в области p-типа электронно-дырочного перехода понижает удельное сопротивление перехода, что весьма важно для работы полупроводниковых приборов.

Для сплавления можно исполь­ зовать не только чистые эле­ менты III и V групп таблицы Д. И. Менделеева, но и их

сплавы.

На рис. 12, а показан разрез германиевого, а на рис. 12, б — кремниевого сплавных транзисто­ ров.

Рис. И. Схема электронно­

Рис.

12. Разрез сплавных транзи­

 

дырочного перехода:

 

 

 

 

сторов:

 

 

 

 

1 — слой

индия,

2 — слой

гер­

а — германиевого,

б — кремниевого;

 

мания с примесью индия, об­

I и 7 —эмиттерные

электроды,

2

 

ладающий свойствами полупро­

кристалл,

3 и 9 — коллекторные

элек­

 

водника дырочного типа прово­

троды,

4 — базовая область,

5 —эмит-

 

димости,

3 — слой германия

с

терная

и

коллекторная

области,

6 и

 

атомами

индия,

4 — исходный

II — сплав

свинец -

олово,

8 —базо­

 

германий

электронного

типа

вый электрод, 10 — молибденовый

диск

 

 

проводимости

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Германиевый транзистор состоит из кристалла 2 электронного

типа проводимости, с которым сплавлены

электроды

эмиттера

1

(индий — золото — галлий)

и

коллектора

3 (индий — золото).

В

результате этого образуются эмиттерная и коллекторная области 5 прибора, имеющие дырочный тип проводимости. Между ними на­ ходится базовая область 4, сохраняющая проводимость исходного германия. Такой транзистор имеет р-п-р структуру.

Кремниевый сплавной транзистор по конструкции значительно сложнее. С кристаллом 2 электронного кремния в нем сплавлены эмиттерные и коллекторные электроды 7 и 9 из алюминия, которые образуют соответственно эмиттерную и коллекторную области 5 р-типа. Базовый электрод 8, выполненный в виде кольца, создается сплавлением с кремниевым кристаллом навески из сплава сви­ нец— мышьяк — никель, причем тип проводимости исходного крем­ ния не меняется и транзистор также имеет р-п-р структуру. Для



получения невыпрямляющего контакта с эмиттером сплавляют на­ веску 6 из сплава свинец — олово.

В этой конструкции коллектор трехслойный: алюминиевый коллеторный электрод 9 предназначен для образования электронно­ дырочного перехода, молибденовый диск 10 является термокомпен­ сатором, а электрод И из сплава свинец — олово, как и навеска из этого же сплава 6, служит для создания невыпрямляющих кон­ тактов. Все элементы сплавляют одновременно при получении электронно-дырочного перехода.

Сплавление можно выполнять кассетным и бескассетным мето­ дами. В первом случае навески электродных сплавов (эмиттерную и коллекторную) центрируют относительно друг друга и самого кристалла при помощи специальных кассет и пробок, изготовлен­ ных из графита. При бескассетном сплавлении навески на кристал­ лы укладывают различными автоматическими и полуавтоматиче­ скими приспособлениями, а кассеты заменяют более простыми по конструкции подложками.

§ 12. Электродные сплавы для процессов сплавления

При изготовлении сплавных и сплавно-диффузионных элект­ ронно-дырочных переходов в качестве электродных материалов при­ меняют бинарные (двойные) или многокомпонентные сплавы, ко­ торые разделяют на базовые, эмиттерные и коллекторные. Базовые

•сплавы обычно приготовляют на основе свинца и олова, а эмиттер­ ные и коллекторные — на основе веществ с донорными или акцеп­ торными свойствами. Если исходный кристалл имеет дырочный тип проводимости, такими веществами являются сурьма, мышьяк, фос­ фор или висмут, а если электронный — индий, алюминий, галлий или бор.

Поскольку параметры сплавных приборов в большой степени зависят от качества электродных сплавов, эти сплавы должны удов­ летворять ряду требований:

содержать элементы, создающие противоположный по отноше­ нию к исходному полупроводнику тий проводимости, если их при­ меняют для получения эмиттерной и коллекторной области, и, на­ против, для получения базовых (омических) контактов тип прово­ димости не должен изменяться;

быть чистыми, однородными по составу, обладать способностью хорошо растворять и смачивать полупроводниковый материал, а также иметь низкую упругость паров при температуре сплавления; иметь близкие коэффициенты термического расширения с полу­ проводниковыми материалами, обеспечивать механическую проч­

ность электронно-дырочных структур; быть пластичными (желательно), а также обладать высокой

теплопроводностью; иметь температуру плавления ниже температуры плавления

полупроводниковых материалов, но значительно выше допустимой рабочей температуры прибора.

зо


Не все перечисленные выше элементы могут быть пригодны для получения сплавов для целей полупроводникового производства.- Например, бор имеет слишком высокую (2200° С), а галлий — очень низкую (29,8° С) температуру плавления; алюминий образует с германием сплав с неудовлетворительным коэффициентом линейно­ го расширения, что приводит к разрушению электродов.

При производстве германиевых сплавных транзисторов наи­ большее применение получил индий, который имеет сравнительно низкую температуру плавления (156° С) и хорошую растворяющую способность. Из диаграммы состояния (рис. 13, а) видно, что при

Рис. 13. Диаграммы состояний:

а — германий —индий, б — кремний — алюминий

температуре 600° С расплав содержит 20 атомных процентов гер­ мания. Для улучшения некоторых параметров приборов, например коэффициента усиления, применяют сплавы индия с галлием.

При производстве дырочного германия не представляется воз­ можным использовать перечисленные элементы V группы перио­ дической системы Д. И. Менделеева, что обусловлено их хрупко­ стью и несоответствующими коэффициентами линейного расшире­ ния. В этом, случае используют нейтральные пластичные элементы IV группы периодической системы (обычно олово и свинец), кото­ рые обладают низким пределом текучести и не создают опасных напряжений. В сплавы германий — свинец и германий — олово,, чтобы придать им донорные свойства, добавляют сурьму (до 2%). Мышьяк и фосфор имеют ограниченное применение вследствие их токсичности, хотя и весьма полезны, так как понижают сопротив­ ление электронной области перехода.

Для создания омических контактов с электронным германием обычно используют олово. Иногда, чтобы повысить концентрацию доноров, к германию добавляют 5—7% сурьмы, а чтобы улучшить пластичность — свинец. Омические контакты с дырочным герма­ нием получают с помощью сплавов олова или свинца с индием

(до 50%).

31.

Для сплавления с электронным кремнием индий неприменим, так как он плавится при слишком низкой температуре. Хорошие результаты в этом случае дает алюминий. Причем глубину проник­ новения алюминия в кремний ограничивают, используя эвтектику, ■содержащую 11,7 атомных процентов кремния и 88,3 атомных про­ центов алюминия. Точка плавления эвтектики 577° С. Для увеличе­ ния пластичности иногда к алюминию добавляют небольшие ко­ личества галлия или используют акцепторные сплавы на основе золота и серебра. Алюминий хорошо растворяет кремний и смачи­ вает его поверхность. При температуре 900° С (рис. 13, б) в рас-

ш

атом/си3

 

шЧтЛшю18

а)

В)'

Рис. 14. Температурная зависимость раствори­ мости:

а — индия в германии, 6 —алюминия в кремнии

плаве содержится около 35 атомных процентов кремния. Для полу­ чения переходов на кремнии дырочного типа проводимости приме­ няют сплавы золота и серебра с сурьмой и мышьяком.

При создании невыпрямляющих контактов с электронным крем­ нием используют сплавы золота и серебра с сурьмой, мышьяком и ■фосфором, а с дырочным кремнием — алюминий, иногда с неболь­ шими добавками галлия или олова (свинца) с серебром.

Температурная зависимость растворимости основных легирую­ щих элементов в германии и кремнии показана на рис. 14.

Глубина сплавления и площадь перехода в значительной степе­ ни зависят от количества (навески) электродного сплава, т. е. электродные сплавы необходимо дозировать. Заготовки электрод­ ных сплавов могут быть в виде колец,, дисков, пластин, шариков и др.

§ 13. Изготовление электродных сплавов

Получение сплава с заданным содержанием и равномерным распределением компонентов является довольно сложной задачей. Так как при расчетах нельзя точно предусмотреть дальнейшие

32


потери компонентов, обычно приходиться подбирать состав исход­ ной шихты опытным путем.

Сплавы на основе индия готовят в тиглях из кварца или корун­ да; разливку их производят на воздухе. Если в состав этих спла­ вов входят золото, серебро или галлий, процесс ведется в кварце­ вых ампулах, откаченных до 1 0 _3 мм рт. ст.

Сплавы свинец —серебро и свинец — олово — сурьма получают в корундовых тиглях и разливают под струей аргона.

Композиции, содержащие мышьяк, фосфор или сурьму, а так­ же элементы, в значительной степени отличающиеся температурой плавления или малой взаимной растворимостью, приготовляют в запаянных ампулах.

Для плавки используют как обычные'электропечи, так и уста­ новки с индукционным нагревом. Предварительно корундовые или кварцевые тигли'и ампулы должны быть тщательно протравлены, вымыты и высушены. Контролируют сплавы на равномерность рас­ пределения компонентов методами химического, спектрального и металлографического анализа.

Помещение для работы со сплавами должно иметь хорошую приточно-вытяжную вентиляцию. Запаивать и откачивать ампулы необходимо в вытяжном шкафу. При работе с мышьяком и фосфо­ ром необходимо соблюдать специальные меры техники безопас­ ности.

В качестве примера рассмотрим состав электродных сплавов, используемых при изготовлении германиевого транзистора ГТ108. Для эмиттерного электрода применяют сплав индия с галлием (ИнГл-0,5), для коллекторного — индия с цинком (ИнЦ-1), а для невыпрямляющего контакта — олова с сурьмой (ОСу-2).

Согласно принятой маркировке одна или две буквы обозначают основу сплава, а затем указывается примесный компонент и его процентное содержание. В нашем примере основой эмиттерного и коллекторного сплавов является индий, а сплава для омического контакта — олово; примесные компоненты представлены 0,5% гал­ лия, 1 %' цинка и 2 % сурьмы.

Эти сплавы приготовляют соответственно при температурах

180—220° С, 430—470° С и 440—460° С с 15—20-минутной выдерж­ кой, разливают в формы и охлаждают на воздухе.

§ 14. Оборудование для получения и дозировки электродных сплавов

Рассмотрим две установки для приготовления электродных сплавов.

На рис. 15 показана установка ЖК 01.08 с аргонным переме­ шиванием для приготовления многокомпонентных сплавов. Плавят шихту в кварцевом стакане (тигле) 2, окруженном нагревателем 3. Сверху стакан уплотняют пришлифованной крышкой 6, через кото­ рую проходят две трубки 5 и 8 для подачи и выпуска аргона и шток 7, закрывающий сливное отверстие 9. Во время загрузки тиг­

2— 3883

33