Файл: Методы стабилизации параметров полупроводниковых приборов [сборник статей]..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 30.10.2024

Просмотров: 30

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

гий. Срок службы фотошаблонов, защищенных этими плен­ ками, увеличивается в 1,5—2 раза. В то же время процесс нанесения их довольно сложен и значительно удорожает из­ готовление фотошаблонов.

В последнее время в ряде работ рассматриваются новые методы получения тонких пленок из органических соедине­ ний [3—10]. Особый интерес вызывают методы получения гонких полимерных пленок в газовой фазе путем полимери­ зации под действием электронов и в тлеющем разряде. Од­ нако процессы, протекающие при воздействии электронов и ионов на различные органические соединения, в технологи­ ческом отношении еще недостаточно изучены и доработаны.

Наиболее существенным недостатком является невоспронзводимость состава пленок, кроме того, встречаются за­ труднения в получении однородных по толщине покрытий.

Нами исследовалась возможность защиты рабочей поверх­ ности хромированных фотошаблонов полимерными пленка­ ми путем нанесения растворов полимеров на поверхность де­ талей с последующим центрифугированием. С этой целью был опробован целый ряд полимеров. Прозрачные тонкие пленки, стойкие к истиранию, были получены из растворов полиакрилонитрила, сополимера хлорированного поливинил­

хлорида с ди(аллилоксиметил)дифенилметаном

(сополи­

мер I), ноликапрамида, полиэтилентерефталата.

многие

На качество тонкой полимерной пленки влияют

факторы: концентрация связующего, режим термообработки, скорость центрифугирования. Защитное качество пленок оце­ нивалось количеством совмещений, сделанных одним фото­ шаблоном.

Нами установлено, что лишь при определенной концент­ рации полимеров (сы. табл.) возможно образование равно­ мерных по толщине пленок. Прислишком малой концентра­ ции раствор легко сбрасывается с поверхности детали, а с увеличением ее растекание раствора затрудняется. Рабочие свойства пленки должны проявляться . при толщине 0,5— 1 мкм, так как с увеличением толщины ухудшается резкость края.

Пленку полиэтилентерефталата нужной толщины полу­ чали двукратным наслаиванием. В результате довольно вы­ соких скоростей вращения растворитель испаряется и на по­ верхности фотошаблона остается прозрачный стеклообраз­ ный слой. Для полного удаления растворителя фотошаблоны прогревали.

46


1 а б л и ц а

Оптимальные условия получения тонких пленок различных полимеров

2 а

С 03 0:

ft

5

Сополимер I

Полиакрилонитрил

Полнкапрамил

Полиэтиленгерефталат

 

т ­

%

о:

ц е н

и я .

 

о н

а ц

 

К

р

 

 

5

2

2 , 5

1 . 2 5

1 , 5

0 . 7 5 - -1

Р а с т в о р и т е л ь

.....

Ц и к л о г е к с а н о н

Днметнлформампд

Трикрезол

Г р и к р е з о л

Скорость центрифут , об/мин

1 0 0 0

2 5 0 0

1 0 0 0

1 0 0 0

1 «V

1 1 1 ...

1 С Л) ■

о ч *

Н=

0 , 5 — 0 . 6

0 ,( 5 — 0 , 7

0 , 5 — 0 , 6

0 . 3 — 0 , 4

Режим термообработки выбирали в соответствии с термостойкостью полимеров таким образом, чтобы пленка была достаточно твердой, но оставалась растворимой на случай повторного перекрытия, фотошаблона. Для того чтобы в пленках не возникали внутренние напряжения, проводили медленный подъем и спад температуры. Сополимер I и поли­ акрилонитрил испытывались на первой фотолитографии, по-

ликапрамид и нолиэтилентерефталат

на второй,

с более

жесткими условиями совмещения.

зависимость

стойкости

На рисунках 1. 2 представлена

гонких пленок к истиранию от температуры при времени

Рис. 1. Зависимость увеличения стойкости фотошаблонов от

термообработки пленки (первая фотолитография): ! -- по­ лиакрилонитрил: 2 — сополимер I

47


термообработки 2 час. Увеличение температуры и времени термообработки (см. рис. 3) до определенного оптимума по­ вышает прочность пленки, а затем пленка становится хруп­ кой и стойкость к истиранию резко падает.

Рис. 2. Зависимость увеличения стойкости фото­

шаблонов от термообработки пленки (вторая фо­ толитография) : 1 — полиэтилентерефталат; 2 — ~~

ноликапрамид

 

1

е

з

 

 

 

 

3pft!ID Ш

Рис.

3. Зависимость

стойкости

фотошаблонов

к

истиранию от времени

термообработки пленки:

! —

полиэтилентерефталат; 2

— сополимер

!;

 

3 — полиакрилонитрил

 

48

а

о

X

о

«J

э

о

е-«

&

о

ь

о

щ

о

ай,

200

400

500

800

Количество совмеишииЯ

Рис. 4. Гауссовские кривые распределения фотошаб­

лонов по стойкости к истиранию (первая фотолитогра­ фия'): 1 — полиакрилонитрил; 2 — сополимер 1; 3 — тюлиэтилептереф гал.-vi

При эксплуатации фотошаблонов, защищенных полимер пыми пленками, было выяснено, что их долговечность увели­ чивается в 2—2,5 раза по сравнению с незащищенными.

На основании статистических данных были построены гаус­ совские кривые распределения для первой (см. рис. 4) и второй фотолитографий (см. рис. 5). Лучшие результаты по­ лучаются при покрытии фотошаблонов пленкой полиэтилентерефталата. Это покрытие внедрено в производство как наиболее технологичное и эффективное.

МЕТОДИКА ПРИГОТОВЛЕНИЯ И НАНЕСЕНИЯ РАСТВОРА ПОЛИЭТИЛЕ) П'ЕРЕФТАЛАТА

Навеску полимера растворяли в трикрезоле (концентра­ ция 0,75—1% вес) при перемешивании на магнитной ме­ шалке при 60°С. Затем раствор фильтровали через два плот­ ных бумажных фильтра.

Фотошаблон закрепляли в специально сконструированном зажиме центрифуги. На его поверхность пипеткой наливали 3—4 мл раствора, после чего с помощью электродвигателя

4 Заказ 12029.

49



ЙО

о

о

rt 3

о

Е-

О

•&

Hue- 6. I ауссоиские кривые распределения

фотошаблонов по стойкости к истиранию Iвторая фотолитография): 1 — поликапр амид, 2 — полиэтилентерефта w

приводили фотошаблон во вращение до исчезновения интер ференционных полос. Излишки лака сбрасывались с поверх ности детали и стекали по желобу в емкость. Фотошаблон, покрытый полимерной пленкой, помещали в термошкаф и выдерживали в течение 2 час при температуре 200е

ВЫВОДЫ

1. Изучена возможность использования тонких полимер ных пленок в качестве защитного покрытия фотошаблонов.

2.Определены оптимальные условия получения тонких полимерных пленок, стойких к покрытию.

3.Установлено, что срок службы фотошаблонов новы шается в 2—2,5 раза.

50

Л И Т Е Р А T V РА

1. Я н а г а в а Т. — Сб. «Тр. ин-та

инженерен;

по электротехнике и

радиотехнике», т. 57. М., «Мир», 1969, с. 23.

 

 

Электронная

техника,

2.

Л и х ш м а н

Н.

А.,

Б е л о в И.

Н. [и др.].-

сер. 2, 36 (1968).

 

3.

В.. С у й к о в с к а я

И.

В. Авт. свид.

 

165872

3.

Ш и р о к ш и н а

 

Бюлл. изобрет., 20, 89, 1964.

 

А.

Б..

Ц а п у к А.

К.

Усп

4.

Ко л о т ыр к и . н

В.

М., Гильма н

хим„ 36, 8, 1380 (1967).

 

 

В 5,

10, 912

(1967).

 

 

 

5.

S c h o n d o r n

Н. G. Polirri. Sci.,

224

(1967)

6.

Т к а ч у к Б.

В.,

Б у ш и н В. В.

Укр. хиы.

журн., 33,

7.

К а р г и н В.

А.,

Со го лов а

Г. И..

Ш а п о ш н и к о в а

Т. К

ДАН СССР, 180, 4, 901 (1968).

 

 

i4. В. (и др.].

Высокомол.

8.

М а л и н с к и й Ю

М„ Э н е д ь б а у м

с-оед.. А10, 786 (1968).

3. В. Опт.-мех. пром., 7, 52

(1969).

 

 

 

9. Ш и р о к ш и н а

Н Я

Высо

10.

Т к а ч у к Б.

В., Р о м а н е н к о

Е.

А.,

М а р у с и й

■комол,

соед., А XIV,

4,

106

(1972).

 

 

 

 

 

 

 

4*