Файл: Методы стабилизации параметров полупроводниковых приборов [сборник статей]..pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 30.10.2024
Просмотров: 30
Скачиваний: 0
гий. Срок службы фотошаблонов, защищенных этими плен ками, увеличивается в 1,5—2 раза. В то же время процесс нанесения их довольно сложен и значительно удорожает из готовление фотошаблонов.
В последнее время в ряде работ рассматриваются новые методы получения тонких пленок из органических соедине ний [3—10]. Особый интерес вызывают методы получения гонких полимерных пленок в газовой фазе путем полимери зации под действием электронов и в тлеющем разряде. Од нако процессы, протекающие при воздействии электронов и ионов на различные органические соединения, в технологи ческом отношении еще недостаточно изучены и доработаны.
Наиболее существенным недостатком является невоспронзводимость состава пленок, кроме того, встречаются за труднения в получении однородных по толщине покрытий.
Нами исследовалась возможность защиты рабочей поверх ности хромированных фотошаблонов полимерными пленка ми путем нанесения растворов полимеров на поверхность де талей с последующим центрифугированием. С этой целью был опробован целый ряд полимеров. Прозрачные тонкие пленки, стойкие к истиранию, были получены из растворов полиакрилонитрила, сополимера хлорированного поливинил
хлорида с ди(аллилоксиметил)дифенилметаном |
(сополи |
мер I), ноликапрамида, полиэтилентерефталата. |
многие |
На качество тонкой полимерной пленки влияют |
факторы: концентрация связующего, режим термообработки, скорость центрифугирования. Защитное качество пленок оце нивалось количеством совмещений, сделанных одним фото шаблоном.
Нами установлено, что лишь при определенной концент рации полимеров (сы. табл.) возможно образование равно мерных по толщине пленок. Прислишком малой концентра ции раствор легко сбрасывается с поверхности детали, а с увеличением ее растекание раствора затрудняется. Рабочие свойства пленки должны проявляться . при толщине 0,5— 1 мкм, так как с увеличением толщины ухудшается резкость края.
Пленку полиэтилентерефталата нужной толщины полу чали двукратным наслаиванием. В результате довольно вы соких скоростей вращения растворитель испаряется и на по верхности фотошаблона остается прозрачный стеклообраз ный слой. Для полного удаления растворителя фотошаблоны прогревали.
46
1 а б л и ц а
Оптимальные условия получения тонких пленок различных полимеров
2 а |
С 03 0: |
ft |
5 |
Сополимер I
Полиакрилонитрил
Полнкапрамил
Полиэтиленгерефталат
|
т |
% |
о: |
ц е н |
и я . |
|
о н |
а ц |
|
К |
р |
|
|
5 |
2 |
— |
2 , 5 |
1 . 2 5 |
— |
1 , 5 |
0 . 7 5 - -1
Р а с т в о р и т е л ь
.....
Ц и к л о г е к с а н о н
Днметнлформампд
Трикрезол
Г р и к р е з о л
Скорость центрифут , об/мин
1 0 0 0
2 5 0 0
1 0 0 0
1 0 0 0
1 «V
1 1 1 ...
1 С Л) ■
о ч *
Н=
0 , 5 — 0 . 6
0 ,( 5 — 0 , 7
0 , 5 — 0 , 6
0 . 3 — 0 , 4
Режим термообработки выбирали в соответствии с термостойкостью полимеров таким образом, чтобы пленка была достаточно твердой, но оставалась растворимой на случай повторного перекрытия, фотошаблона. Для того чтобы в пленках не возникали внутренние напряжения, проводили медленный подъем и спад температуры. Сополимер I и поли акрилонитрил испытывались на первой фотолитографии, по-
ликапрамид и нолиэтилентерефталат |
на второй, |
с более |
жесткими условиями совмещения. |
зависимость |
стойкости |
На рисунках 1. 2 представлена |
гонких пленок к истиранию от температуры при времени
Рис. 1. Зависимость увеличения стойкости фотошаблонов от
термообработки пленки (первая фотолитография): ! -- по лиакрилонитрил: 2 — сополимер I
47
термообработки 2 час. Увеличение температуры и времени термообработки (см. рис. 3) до определенного оптимума по вышает прочность пленки, а затем пленка становится хруп кой и стойкость к истиранию резко падает.
Рис. 2. Зависимость увеличения стойкости фото
шаблонов от термообработки пленки (вторая фо толитография) : 1 — полиэтилентерефталат; 2 — ~~
ноликапрамид
|
1 |
е |
з |
|
|
|
|
3pft!ID Ш |
|
Рис. |
3. Зависимость |
стойкости |
фотошаблонов |
к |
истиранию от времени |
термообработки пленки: |
|||
! — |
полиэтилентерефталат; 2 |
— сополимер |
!; |
|
|
3 — полиакрилонитрил |
|
48
а
о
X
о
'О
«J
э
о
е-«
&
о
№
ь
о
щ
о
ай,
200 |
400 |
500 |
800 |
Количество совмеишииЯ
Рис. 4. Гауссовские кривые распределения фотошаб
лонов по стойкости к истиранию (первая фотолитогра фия'): 1 — полиакрилонитрил; 2 — сополимер 1; 3 — тюлиэтилептереф гал.-vi
При эксплуатации фотошаблонов, защищенных полимер пыми пленками, было выяснено, что их долговечность увели чивается в 2—2,5 раза по сравнению с незащищенными.
На основании статистических данных были построены гаус совские кривые распределения для первой (см. рис. 4) и второй фотолитографий (см. рис. 5). Лучшие результаты по лучаются при покрытии фотошаблонов пленкой полиэтилентерефталата. Это покрытие внедрено в производство как наиболее технологичное и эффективное.
МЕТОДИКА ПРИГОТОВЛЕНИЯ И НАНЕСЕНИЯ РАСТВОРА ПОЛИЭТИЛЕ) П'ЕРЕФТАЛАТА
Навеску полимера растворяли в трикрезоле (концентра ция 0,75—1% вес) при перемешивании на магнитной ме шалке при 60°С. Затем раствор фильтровали через два плот ных бумажных фильтра.
Фотошаблон закрепляли в специально сконструированном зажиме центрифуги. На его поверхность пипеткой наливали 3—4 мл раствора, после чего с помощью электродвигателя
4 Заказ 12029. |
49 |
ЙО
о
о
rt 3
о
Е-
О
•&
Hue- 6. I ауссоиские кривые распределения
фотошаблонов по стойкости к истиранию Iвторая фотолитография): 1 — поликапр амид, 2 — полиэтилентерефта w
приводили фотошаблон во вращение до исчезновения интер ференционных полос. Излишки лака сбрасывались с поверх ности детали и стекали по желобу в емкость. Фотошаблон, покрытый полимерной пленкой, помещали в термошкаф и выдерживали в течение 2 час при температуре 200е
ВЫВОДЫ
1. Изучена возможность использования тонких полимер ных пленок в качестве защитного покрытия фотошаблонов.
2.Определены оптимальные условия получения тонких полимерных пленок, стойких к покрытию.
3.Установлено, что срок службы фотошаблонов новы шается в 2—2,5 раза.
50
Л И Т Е Р А T V РА
1. Я н а г а в а Т. — Сб. «Тр. ин-та |
инженерен; |
по электротехнике и |
|||||||||
радиотехнике», т. 57. М., «Мир», 1969, с. 23. |
|
|
Электронная |
техника, |
|||||||
2. |
Л и х ш м а н |
Н. |
А., |
Б е л о в И. |
Н. [и др.].- |
||||||
сер. 2, 36 (1968). |
|
3. |
В.. С у й к о в с к а я |
И. |
В. Авт. свид. |
|
165872 |
||||
3. |
Ш и р о к ш и н а |
|
|||||||||
Бюлл. изобрет., 20, 89, 1964. |
|
А. |
Б.. |
Ц а п у к А. |
К. |
Усп |
|||||
4. |
Ко л о т ыр к и . н |
В. |
М., Гильма н |
||||||||
хим„ 36, 8, 1380 (1967). |
|
|
В 5, |
10, 912 |
(1967). |
|
|
|
|||
5. |
S c h o n d o r n |
Н. G. Polirri. Sci., |
224 |
(1967) |
|||||||
6. |
Т к а ч у к Б. |
В., |
Б у ш и н В. В. |
Укр. хиы. |
журн., 33, |
||||||
7. |
К а р г и н В. |
А., |
Со го лов а |
Г. И.. |
Ш а п о ш н и к о в а |
Т. К |
|||||
ДАН СССР, 180, 4, 901 (1968). |
|
|
i4. В. (и др.]. |
Высокомол. |
|||||||
8. |
М а л и н с к и й Ю |
М„ Э н е д ь б а у м |
|||||||||
с-оед.. А10, 786 (1968). |
3. В. Опт.-мех. пром., 7, 52 |
(1969). |
|
|
|
||||||
9. Ш и р о к ш и н а |
Н Я |
Высо |
|||||||||
10. |
Т к а ч у к Б. |
В., Р о м а н е н к о |
Е. |
А., |
М а р у с и й |
||||||
■комол, |
соед., А XIV, |
4, |
106 |
(1972). |
|
|
|
|
|
|
|
4*