Файл: Амитей Н. Теория и анализ фазированных антенных решеток.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 264

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

204

Глава 5

ние на коэффициент отражения. Величина коэффициента отраже­ ния меньше для более коротких длин волн. Особенно сильно такая зависимость проявляется при большой толщине стенок волноводов.

sin 8

sinff

Рпс. 5.9. Зависимость коэффициента отражения R от угла ска­ нирования в //-плоскости при Ь/Х = 0,6724.

Для всех случаев кривые получены до значения аргумента sin 0, при котором главный и дифракционный лепестки расположены симметрично по отношению к нормали. При этом значении угла сканирования, соответствующем значению управляющей фазы = я, возможно волноводное моделирование антенной решетки.

Решетки, из прямоугольных волноводов

205

Действительно, рассогласование в этом случае можно рассматри­ вать как результат скачкообразного изменения размеров попереч­ ного сечения волновода на величину толщины стенок (коэффициент отражения равен нулю при t p = 0). Значения модулей коэффи­ циентов отражения при сканировании в квази-^-нлоскости (рис. 5.10—5.12), полученные в результате численного решения уравнения (19), для решеток из волноводов с бесконечно тонкими стенками с точностью до трех значащих цифр совпадают с резуль­ татами точного решения при всех значениях 0 и 1. [Коэффициент

о

0,1 о,г

0,3

0,4

0,5 0,6 0,7

0,8 дз

 

 

 

 

s i n

В

 

Рис. 5.10. Зависимость

модуля

коэффициента

отражения | R |

от угла сканирования 0

в квази-Я-плоскости при Ы'К = 0,5714,

 

 

а

=

Ъ =

d .

 

отражения R при этом определялся через магнитное поле (коэф­ фициенты отражения, определенные через электрическое и маг­ нитное поля, отличаются только знаком).] Фазы коэффициентов отражения отличаются не более чем на 1,5°. Поэтому для повыше­ ния точности вычисления R вариационное выражение не исполь­ зовалось. Несмотря на сильную зависимость от толщины стенок волноводов, модуль коэффициента отражения (рис. 5.10) имеет низкие значения, за исключением случаев, когда угол сканиро­ вания близок к критическому значению 0крпт, соответствующему полному отражению. Величина критического угла определяется выражением

/с2—(y)"= ^sin 0ытт)3-


1,0

Модуль R

Фаза R; граЗ

Рпс. 5.11. Завпспмость коэффициента отражения R от относи­ тельной толщины стенок t p = (d c )/ d прп скаппрованнп в квазп-Я-плоскостп (d/% = 0,5714, а — b = d) .

• — д а н н ы е д л я р е ш е т к и и з о д н о го э л е м е н т а н а п р о в о д я щ е м э к р а н е .

Решетки из прямоугольных волноводов

207

Коэффициент отражения при сканировании в квази-^-плоско- сти представлен в зависимости от относительной толщины стенок

Рис. 5.12. Зависимость коэффициента отражения R

от отно­

сительной толщины стенок

tp =

(d

c )/ d

при

сканировании

в квази-£-плоскости

(d/X

=

0,6724,

а =

Ъ =

d) .

волноводов tp = (d c)/d как независимой переменной (рис. 5.11). Влияние взаимной связи можно оценить при сравнении с кривой, соответствующей углу сканирования 0 = 10° (которая почти

Модуль Л

Фаза К, грай

Параллельные

пластины

У/////////Л

''//У// '//.у

iI

У///.'/.'-у,/А У.у?..///А в

Поле Е

ш ш т 11аправ^

ние луча

x d sin Ot град

а

K d s in 0, г р а д

6

Рис. 5.13. Пик на кривой коэффициента отражения при ска­ нировании в ^-плоскости.

а — д л я d/k = 0 ,6 0 0 , п и к о в ы е з н а ч е н и я д о с т и г а ю т

с я п р и 144°; б — д л я

d/k = 0 ,5 2 0 , п и к о в ы е з н а ч е н и я д о с т и г а ю т с я

п р и 17 2 ,8 °.


Решетки

из прямоугольных волноводов

209

совпадает с кривой для

0 = 0°). Из графиков на рис.

5.11—5.12

видно, что при определенной толщине стенок волноводов (назы­ ваемой «резонансной толщиной») модуль коэффициента отражения имеет минимум, а фазовая характеристика претерпевает наиболее резкое изменение.

Необычный резонансный эффект проиллюстрирован на рис. 5.13 для двух значений длины волны. Результаты относятся к случаю сканирующей антенной решетки из толстых параллельных пластин

Рис. 5.14. Зависимость распределения поля Н х в раскрыве от угла сканирования и толщины стенок волноводов при скани­ ровании в Я-шгоскостп (Ъ/Х = 0,5714, d = с).

В се ф а зо в ы е р а с п р е д е л е н и я п р и н и м а ю т о д и н а к о в о е з н а ч е н и е п р и ж 0. М а к с и м а л ь н ы е з н а ч е н и я а м п л и т у д н ы х р а с п р е д е л е н и й п р и "ж = 0 р а в н я ю т ­ с я ~ 2 ,2 5 .

= b = со). Отметим, что в диаграмме направленности такой системы возможно существование одновременно двух лепестков, так как расстояние между элементами увеличивается за счет конечной толщины стенок до значений, превышающих половину длины волны (без нарушения одномодового режима в волноводах). Пики на кривой коэффициента отражения, соответствующие появ­ лению дифракционного луча, отсутствуют в случае решетки из тон­ ких пластин. Хотя резкие выбросы па кривой коэффициента отра­ жения представляют значительное рассогласование, все же они ие означают наличия поверхностной волны, так как | В. ] с 1,0. Максимальная величина коэффициента отражения в выбросе воз­ растает с уменьшением c/d (увеличение толщины стенок) и зависит

внекоторой степени от длины волны (рис. 5.14).

Врезультате численного решения уравнений (17) и (19) опре­ деляются тангенциальные составляющие магнитного Н х или элект-

1 4 - 0 1 6 8

210

Глава 5

 

Hx ,n/b =0,88

Hx ,a/b-l,0

Ey,a/b--0,9375

Pnc. 5.15. Распределение амплитуды поля в ближней зоне при

0 = 30° и ЫХ = 0,5714.

рического Е у полей в раскрыве. Следует помнить, что величина R определяется только первой гармоникой ряда Фурье тангенциаль­ ных полей в раскрыве. На рис. 5.14 приведено распределение сум­ марного тангенциального магнитного поля Н х в режиме скани­ рования в /f-плоскости для двух значений толщины стенок tp —

— (b а)/Ь = 0 и ьр = 0,1. Кривые распределения поля при углах сканирования 0, равных 53° и 61°, соответствуют случаям, когда в диаграммах направленности имеются дифракционные лучи (при 0 = 61° дифракционный луч симметричен по отношению к главному лучу). Отметим, что влияние толщины стенок на рас­ пределение поля сильнее проявляется при больших углах скани­ рования. Видно также, что выбросы поля Н х на краях раскрыва при | х | = а/2 острее в случае волноводов с тонкими стенками.

Теоретически [8] для тонких стенок (tp = 0) поле II х на краю раскрыва | х \ = а/2 изменяется по закону Н х ~ 1/г1/2, где г =



Решетки

из прямоугольных

волноводов

211

Нх , а / Ь ‘ 0 ,в в

Нх ,а/1) 1,0

Еу , а / Ь ’ 0 ,9 3 7 5

 

Рис. 5.16. Распределение фазы поля в ближней зоне при 0 = 30°

иЫ% = 0,5714.

=(х =р.а/2); для стенок конечной толщины (tp > 0) поле вблизи

точек \ х \ — а/2 изменяется по закону Н х ~ 1/г1/3. Отметим, что амплитудное распределение поля в раскрыве волновода практи­ чески не изменяется при сканировании (но изменяется абсолютное значение поля), в то время как фазовое распределение сильно зави­ сит от угла сканирования (особенно в области возникновения диф­ ракционных лучей). Это существенно, если исходное приближение используется в вариационном выражении или в методе итера­ ций [17].

После того как поля в раскрыве определены, довольно просто рассчитать суммарные поля S£x и Щ во внешней области при z > 0. Результаты подобных расчетов для случая сканирования в //-плоскости приведены на рис. 5.15 и 5.16. Обнаружено, что для фазированной решетки бесконечных размеров структура даль­ него поля (т. е. плоская волна) формируется на расстоянии от рас-

14*

Li2

Глава 5

крыва, примерно равном половине длины волны. Это остается верным прп всех углах сканирования, а также при сканировании в квази-^-плоскости.

2. СВОЙСТВА РЕШЕТОК ИЗ ПРЯМОУГОЛЬНЫХ ВОЛНОВОДОВ

Переход от одномерных антепньтх решеток к двумерным из прямоугольных волноводов приводит не только к усложнению задачи (она становится векторной п двумерной), но и к появлению новых свойств решеток. В частности, наблюдаются резонансы, обусловленные поверхностными волнами (полное отражение или равенство нулю коэффициента передачи), как прп наличии диэлек­ трического покрытия нлн диэлектрических вставок, так и в их отсутствие. Влияние диэлектрического покрытия и диэлектриче­ ских вставок детально рассмотрено в гл. (3 н 7. Эти резонансы отличаются от резонансных эффектов на кривой коэффициента отражения (рис. 5.13). Последние эффекты проявляются в резком возрастании коэффициента отражения, который, однако, остается меньшим единицы. Максимальное значение коэффициента отра­ жения достигается всегда при скользящем положении луча, а резонансный пик получается очень острым (производная от мо­ дуля коэффициента отражения в точке резонанса претерпевает разрыв).

Резонансы, обусловленные поверхностными волнами, всегда характеризуются полным отражением и равенством нулю коэф­ фициента передачи. Несмотря на то что резонансные пнкн модуля коэффициента отражения, обусловленные поверхностными волна­ ми, часто также бывают довольно острыми и иногда наблюдаются прп углах сканирования, очень близких к скользящим (см. резуль­ таты, относящиеся к решеткам из круглых волноводов, в гл. 7), они обычно имеют гладкий характер (непрерывная первая произ­ водная) п возникают при положении луча, близком к излучению по нормалп. Такпм образом, поверхностные волны могут вызывать «ослепление» ФАР при сканировании, и необходимо позаботиться об устранении этого неприятного явления. Кроме того, изучение поверхностных волн в ФАР представляет значительный теорети­ ческий интерес.

2.1. Решетка из прямоугольных волноводов, расположенных в узлах прямоугольной сетки

Одно из первых наблюдений поверхностных волн в фазирован­ ной решетке без диэлектрического покрытия проводилось при экспериментировании с макетом антенной решетки, показанным на рис. 5.6 [18]. Эта решетка была образована из квадратных волноводов, расположенных в узлах квадратной сетки, подобно