Файл: Страховский Г.М. Основы квантовой электроники учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 309

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

из основного состояния иона. Как показывают теоретические оценки, между двумя близко лежащими (по сравнению с их расстоянием до основного энергетического уровня) энергетическими уровнями инвер­ сия населенностей создается в том случае, если время жизни верх­ него уровня больше, чем нижнего. По результатам измерений времена жизни уровней 4р иона аргона в несколько раз превышают времена жизни уровней 4s, т. е. между этими группами уровней возможно создание инверсной населенности.

В настоящее время в ионном аргоновом лазере в непрерывном ре­ жиме получена генерация на девяти линиях в интервале длин волн от 0,4545 до 0,5145 мкм. Коэффициент полезного действия аргонового лазера невелик: 0,01 -г- 0,1%.

Импульсные

газовые лазеры. Часто газовые лазеры работают

в импульсном

режиме. Это обусловлено несколькими причинами.

Отметим прежде всего чисто технические причины. Иногда на неко­ торых газовых переходах инверсия населенностей создается лишь при достаточно высоких разрядных токах. Такие высокие разрядные токи невозможно использовать в непрерывном режиме работы хотя бы из-за трудностей с тепловым режимом трубки. В импульсном же

режиме высокие

плотности токов

допустимы. Подчеркнем еще раз,

что импульсный

режим

генерации

связан

лишь с чисто техническими

соображениями.

Однако

иногда

замена

непрерывного режима им­

пульсным позволяет использовать в газовом лазере принципиально другие физические процессы. Например, если в условиях стационар­ ного разряда возбуждаются нижние энергетические уровни одноза­ рядных ионов, то в импульсном разряде возможно возбуждение ниж­ них энергетических уровней многозарядных ионов. У многозарядных ионов расстояния между уровнями больше, и переходы могут попа­ дать в ультрафиолетовую область спектра. В большинстве случаев генерация в ультрафиолетовой области спектра связана как раз с пере­ ходами между уровнями многозарядных ионов.

Другой особенностью импульсного режима является возможность использования для создания инверсной населенности нестационар­ ных процессов в плазме газового разряда. На рис. 10.6 показано, каким

образом может

происходить образование инверсной населенности

в импульсном

разряде. На рис. 10.6, а

показана зависимость тока

от времени (импульс тока). На рис. 10.6,

б показаны населенности N

верхнего и нижнего рабочих уровней в течение импульса. На переднем фронте токового импульса преимущественно заселяется верхний уро­ вень. График населенности верхнего рабочего уровня резко нарастает как функция времени, но затем наступает насыщение и населенность верхнего уровня практически не зависит от времени. Как показано на графике, нижний рабочий уровень заселяется вначале более медлен­ но, но когда населенность верхнего уровня достигла насыщения, населенность нижнего уровня продолжает расти и становится больше населенности верхнего уровня. На рис. 10.6, в показана временная зависимость разности населенностей между верхним и нижним рабочими уровнями. Видно, что в начале импульса населенность верхнего уров-

270


ня больше, затем населенности сравниваются, далее населенность больше на нижнем уровне. Наконец, на рис. 10.6, г показано превы­ шение разности населенностей над пороговой разностью населенностей. Генератор работает в течение отрезка времени be, т. е. пока инверсная населенность превышает пороговую. Все проведенные рассуждения относились к переднему фронту токового импульса. Здесь же показано, например, каким образом ин-

версная

населенность

может

 

создаваться

в

импульсном

 

разряде на заднем фронте то­

а)

кового импульса.

 

 

 

 

Молекулярные

 

газовые

у Нижний

лазеры.

Отличительной

чер­

той

газовых

лазеров

как на

\ уроЗень

Верхний

атомных,

так

и

на

ионных

уровень

переходах является

их

низ­

 

кий

к. п. д. Это принципиаль­

 

но и связано с тем,

 

что

верх­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ний рабочий уровень атомных

 

ûN

 

 

 

 

 

 

и ионных

переходов

лежит

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

высоко

над

 

основным

уров­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

нем.

Инверсия

населенности

 

 

 

 

 

 

 

 

 

создается в этих лазерах при

 

 

 

 

 

 

 

 

 

электронном

возбуждении

из

AN-âN,

 

 

 

 

 

 

основного состояния, и только

 

 

 

 

 

 

очень немногие

(высокоэнер­

 

'пор

 

 

 

 

 

'г)

 

 

 

 

 

 

 

гетические)

 

электроны

при­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

нимают

участие в

 

процессе

 

 

 

ab

cd

 

 

 

 

возбуждения.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Приведем

пример.

Будем

Рис. 10.6. Иллюстрация к процессу образо­

считать,

что

распределение

электронов

по

скоростям

в

вания

инверсной

населенности в импульс­

плазме

газового

 

разряда

 

 

 

 

ном разряде

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

максвелловское

с

температу­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

рой

Те.

Тогда

доля

быстрых электронов,

способных

возбудить

энер­

гетический

уровень,

лежащий

на

расстоянии

A IF по

энергии

от ос-

новного состояния, равна ехр

 

 

 

I . Для газового лазера на смеси

 

 

 

 

 

 

 

 

 

\

 

kTe

I

 

 

 

 

 

Не—Ne

величина

A W

»

20

se,

a

kTe «

7 v

8 зв.

Таким образом,

доля

электронов,

 

участвующих

в

 

возбуждении,

составляет

всего

5^-6%. В импульсном

же

аргоновом

лазере,

где

AW

= 36 эв и воз­

буждение

происходит

прямым

электронным

ударом, естественно,

к. п. д. будет еще меньше. К- п. д. лазеров можно увеличить, если использовать в качестве рабочих энергетические уровни, располо­ женные близко к основному состоянию. Такими являются, например, колебательные уровни молекул. На рис. 10.7 показаны возможные ко­ лебания в молекуле С 0 2 . Это линейная симметричная молекула, у ко­ торой атом углерода располагается между двумя атомами кислорода.

271


 

 

 

 

 

 

Как видно из рис. 10.7, в молекуле

воз­

 

 

 

 

 

можны три вида

колебательных

движений:

 

 

 

 

 

симметричное,

антисимметричное

и дефор­

 

 

 

 

 

мационное;

колебательный

спектр

молеку­

 

 

 

 

 

лы

состоит

из трех

групп

уровней,

соот­

 

 

 

 

 

ветствующих этим

движениям.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

На рис.

10.8 показана

схема

нижних

 

 

 

 

 

колебательных

уровней

 

молекулы

С 0 2 .

 

 

 

 

 

Инверсия

населенностей

может

создавать­

 

 

 

 

 

ся

между

уровнями

4,

3

и 4,

2. Справа

 

 

 

 

 

показан энергетический уровень

молекулы

 

 

 

 

 

азота, близкой

к уровню 4 молекулы СО.,.

 

 

 

 

 

 

Генерация может

возникать на перехо­

 

 

 

 

 

дах — 4-+3

(К = 10,6 мкм) и 4 ^ 2

(К =

 

 

 

 

 

= 9,6 мкм). Верхний

уровень

переходов

 

 

 

 

 

4 —»- 3 и 4

2, т . е . уровень 4

лежит на

Рис. 10.7.

Возможные коле­

расстоянии

по

энергии

от

основного со­

стояния всего 0,35 эв, т. е.

гораздо

бли­

бания в

молекуле

С 0 2 :

же,

чем,

например,

в

лазере

на смеси

а — состояние

равновесия;

б —

симметричное

колебание;

в —

Не—Ne (20 эв).

Механизм

 

создания

ин­

антисимметричное

колебание;

версной

населенности в

лазере на С0.2

г — деформационное

колебание

 

 

 

 

 

довольно

сложен. Обычно

в

лазере

угле-

кислый газ используется в смеси с азотом. При возникновении газового разряда углекислый газ диссоциирует на кислород и окись углерода:

2СОа ->-2СО + Оа .

Таким образом, в газовом разряде, кроме молекул углекислого газа (С02 ) и азота (N2 ), есть еще угарный газ (СО). Механизм создания инверсной населенности в таком лазере выглядит следующим образом.

В молекулах СО и N 2 существует группа колебательных

уровней с точ­

ностью до энергии kTe,

совпадающих

с верхним

рабочим

лазерным

уровнем

молекулы

С 0 2

(уровень

00° 1,

обозначенный

на

рис. 10.8

цифрой

4).

Эти

колебательные

 

 

 

 

 

 

уровни

возбуждаются

в разряде

 

2500

со2

 

 

N

электронным

ударом,

затем

при

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

соударении молекул СО и N 2

с мо­

т

2000

 

f

 

 

лекулами

 

С 0 2

происходит

 

пере­

 

 

 

дача возбуждения

от

молекул СО

 

 

 

 

 

и N 2

молекуле

С0 2 . Таким

 

обра­

to

 

 

 

 

зом,

заселяется

верхний

лазерный

 

 

 

 

to

 

уровень

(4).

С

другой

стороны,

 

 

 

 

СЧІ

 

обеднение

нижних

лазерных

 

уров­

 

500 -

/

 

ней (3 и 2

на рис. 10.8),

ведущее

 

 

 

 

 

 

 

 

к увеличению

разности

населен­

 

 

 

 

 

 

ностей

рабочих

переходов,

проис­

 

 

 

 

 

 

ходит

за счет

столкновений

с тя­

Рис.

10.8. Схема

нижних колебатель­

желыми

частицами. Оказывается,

 

 

ных уровней молекулы С 0 2

272


'что такие газы, как Не,

эффективно обедняют нижние

лазерные

уровни, поэтому добавление Не в рабочую

смесь лазера на С 0 2 при­

водит к росту выходной мощности. Добавление

Не приводит также

к снижению температуры

газовой смеси,

что

уменьшает

скорость

релаксации верхнего лазерного уровня (4) и увеличивает выходную мощность лазера.

Добавление Не — газа, обладающего высокой теплопроводностью, улучшает также условия теплоотвода из центральной части газового разряда. Определенную роль в увеличении населенности верхних уровней лазерных переходов в лазере С 0 2 играют каскадные переходы

на них с

более высоко

лежащих энергетических уровней С 0 2 .

 

Кроме лазера

на С 0 2 , в настоящее время имеются и другие

моле­

кулярные

лазеры. Наиболее

известные из них лазер на парах

воды

(А = 27,9мкм и К = 118,6 мкм) и лазер на молекулах HCN(k=337

мкм).

В заключение подчеркнем, что процессы создания инверсной

насе­

ленности в газовых лазерах

очень

сложны и зачастую не до

конца

выяснены.

Это

надо

иметь

в виду

как при изучении § 10.3,

даю­

щего элементарную основу для понимания этих процессов, так и при

изучении параграфов, в которых обсуждаются процессы,

приводя­

щие к инверсии населенностей в Не—Ne, С 0 2 и аргоновом

лазерах.

§ 10.6. Провал Лэмба — Беннета. Исследование стабильности излучения квантовых устройств

Газовый лазер во многом схож с лазером на твердом теле, однако сеть и значительные отличия. Наиболее интересным из них является появление провала на зависимости выходной мощности лазера от ча­ стоты генерации, носящего название «провала Лэмба—Беннета».

Зависимость выходной мощности лазера от частоты генерации по существу повторяет зависимость коэффициента усиления активной среды лазера от частоты. Обычно ее получают при плавной перестрой­ ке частоты резонатора в пределах ширины линии лазерного перехода. Если электромагнитное поле в резонаторе лазера слабое (лазер ра­ ботает вблизи порога самовозбуждения), то зависимость выходной мощности лазера от частоты генерации практически повторяет форму спектральной линии перехода (строго говоря, не всей линии, а только ее части, близкой к вершине). Если же электромагнитное поле в резона­ торе лазера достаточно сильное, то на зависимости выходной мощ­ ности газового лазера от частоты генерации в области вершины спек­ тральной линии перехода появляется узкий провал. Наличие провала показывает, что коэффициент усиления газового лазера в области вер­ шины спектральной линии тоже имеет провал. Это новое качественное явление, характерное только для газовых лазеров, обусловлено двумя факторами: 1) спектральная линия перехода, в газовой среде являет­ ся допплеровски уширенной линией; 2) эффект насыщения.

Рассмотрим газовый лазер, в котором возбужден всего один про­ дольный тип колебаний. Для выяснения причин появления провала

273