Файл: Вайнштейн Л.А. Лекции по сверхвысокочастотной электронике.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 11.04.2024

Просмотров: 316

Скачиваний: 7

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Величина

хтах

обычно от плотности заряда зависит

слабо: так,

в отсутствии

пространственного заряда хтах = n/Q, при предельной

плотности ттах

=

2л/Q. Поскольку при т - > 0 и т ->- хтах

функция

и (т) стремится к нулю, а функция А (т) к бесконечности, мы всегда

будем иметь неустойчивость,

так как часть

интервала 0 < т < хтах

будет соответствовать значениям А (т) > 1,

и получим

выражение

I m c o = + - i — Є,

0=0, С/А(т)—"Tdt,

(11.97)

Хтах

J

 

 

аналогичное выражениям (11.68) и (11.93). Из него можно сделать следующие выводы. Если

и (t) — (QT)2 при t-»- О, ы (т) ~ [Й ( т т а х — т ) ] 2 при т - ^ т т а х ,

то при малых отношениях со / й с помощью формул (11.62) и (11.63) нетрудно получить оценку

Q

т. е. величина Imco пропорциональна сор , а не й . Если же

и ( т ) ~ Й т при т-»-0, ы ( т ) ~ Й ( т т а ж — т ) при т - ^ т т а г с ,

ТО

Й2

ивеличина Imco пропорциональна ©р/й, как в задаче о неустойчивости однопоточного состояния (см. конец приложения I I I ) .

Обновление электронов

в облаке приводит, как мы видели, к до­

полнительному затуханию

колебаний, а иногда

(при | Im со [

1 'j

к ликвидации неустойчивости. Ставя условия

(11.71), мы считаем,

что

это обновление происходит

равномерно

вдоль слоя,

причем

через

промежуток времени

2 хтах

= 4 я / й возмущение сохраняется

у Np электронов из N (0 < р ^ 1). Поэтому через промежуток времени

2 nxmax (n = 1, 2, ...) возмущение сохраняется у Npn электронов, т. е. вследствие обновления электронов колебания должны затухать

по закону

р" = е

-га In і

1 1

(11.98)

p = e~at, t x = -

I n — -

 

^ T m 0 x

P

 

Если имеются другие факторы, приводящие к затуханию или нара­ станию колебаний, то соответствующие декременты складываются. Так получается, например, формула (11.78), которую легко обобщить на случай цилиндрического магнетрона, плоскопараллельного слоя, рассмотренного выше [см. формулы (11.94) — (11.97)], и т. д.


Обновление

электронов может

происходить и по-другому:

пусть,

например,

плоскопараллельный

слой

0 < у <

А ограничен

двумя

поперечными плоскостями х =

0 и

х =«= L ,

проницаемыми

для электронов, но непроницаемыми для создаваемого ими поля. Тогда электроны в промежутке 0 < х < L полностью обновляются за время их пролета Т через этот промежуток, вследствие чего колеба­ ния, локализованные в нем, приобретают дополнительное затухание; им можно пренебречь, если Т велико по сравнению со временем зату­ хания или нарастания, вызванного другими причинами.

Приведенный пример является довольно искусственным, однако он показывает, что неустойчивость имеет локальный характер: не­ устойчивостью обладает не только бесконечный электронный слой с двумя поперечными потоками, но и любой не слишком короткий отрезок этого слоя (время Т удовлетворяет условию, сформулирован­ ному выше). Поэтому полученные выводы о неустойчивости плоско­ параллельных двухпоточных состояний можно перенести на более сложные электронные образования — плавно расширяющиеся или суживающиеся, например на электронные пучки в электронно-опти­ ческих системах, формирующих электронные потоки для лучевых приборов типа М. Орбитальное движение электронов в плотных пуч­ ках приводит к неустойчивости, развитие которой автоматически по­

давляет это движение, благодаря чему под влиянием сил

простран­

ственного

заряда должны формироваться потоки того же

типа, как

на рис.

II.2.

 

В качестве другого примера можно привести электронные язычки (спицы), формирующиеся в магнетроне под действием поля синхрон­ ной волны (см. 3-ю лекцию), а при сильном пространственном заряде также и под действием кулоновского поля самих язычков (см. 4-ю лекцию). Эти язычки неподвижны в системе координат, движущейся

сволной. При слабом пространственном заряде орбитальное движение

вязычках развито сильно, так что траектории электронов заметноотличаются от траекторий ведущих центров, и мы имеем даже не двухпоточное, а многопоточное состояние. Такое состояние неизбеж­ но должно быть неустойчивым, причем время разрушения этого сос­

тояния тем больше, чем меньше плотность. При сор ~ Q время разру­ шения сравнимо с циклотронным периодом или даже меньше, поэтому

вмаксимально плотных язычках, существующих в мощных импульс­ ных приборах типа М, орбитальное движение электронов в сильной степени подавлено и электроны стремятся совершать «чистый дрейф»

вдоль эквипотенциалей

результирующего поля, образуя

ламинар­

ный поток.

 

 

Однако ламинарные

язычки также неустойчивы по

отношению

к возмущениям, имеющим вид волны, бегущей вдоль язычка (см. при­ ложение I I I ) . Поэтому каждый электронный язычок, идущий от ка­ тода к аноду и формируемый полем синхронной волны, следует трак­ товать как своеобразный лучевой прибор типа М, способный уси­ ливать и генерировать колебания даже при отсутствии резонансной или замедляющей системы. В реальных условиях язычки взаимодей­ ствуют друг с другом, с электронным облаком, находящимся вблизи


катода, и с полями различных колебаний

в резонаторе, реагируют

на случайные и периодические возмущения

и т. д. Все это является

причиной нерегулярных колебаний, накладывающихся на стацио­ нарный режим генерации.

Поскольку время пролета электронов через генерирующий маг­ нетрон сравнительно невелико (до десяти циклотронных периодов), неустойчивость электронных язычков не успевает развиться слишком сильно. Поэтому при анализе механизма генерации представление о стационарных язычках в какой-то степени законно, однако неустой­ чивость имеет принципиальное значение и проявляется в побочных эффектах.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ К П Р И Л О Ж Е Н И Ю II

1.Б. Б. К а д о м ц е в . Неустойчивость электронного облака в магнетроне. ЖТФ, 1959, т. 29, № 7, стр. 833—844.

2. Дж . X е д и н г. Введение в метод фазовых интегралов (метод ВКБ). Перев. с англ. М. В. Федорюка. Изд-во «Мир», 1965 (см. особенно дополнение 1).

3.Б а н е м а н. Симметричные состояния и их разрушение. «Электронные сверхвысокочастотные приборы со скрещенными полями», т. I, стр. 181—203. Изд-во иностранной литературы, 1961.

4. С. Я. Б р а у д е. Движение электрона в электрическом и магнитном поле с учетом пространственного заряда. ЖЭТФ, 1935, т. 5, № 7, стр. 621—626.

К вопросу о действии магнитного поля на пространственный заряд в плоском

и цилиндрическом диодах. ЖТФ, 1940, т. 10, № 3, стр. 216—236.

5.Г. А. Г р и н б е р г , В. С. В о л ь к е н ш т е й н . Влияние однородного

магнитного поля на движение электронов между коаксиальными цилиндри­ ческими электродами. ЖТФ, 1938, т. 8, № 1, стр. 9—36.

6.Г. А. Г р и н б е р г . Избранные вопросы математической теории электри­ ческих и магнитных явлений. Изд-во АН СССР, М. — Л . , 1948, стр. 543—576.



П р и л о ж е н и е III

НЕУСТОЙЧИВОСТЬ СИММЕТРИЧНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛАКА В СКРЕЩЕННЫХ ПОЛЯХ (ОДНОПОТОЧНОЕ СОСТОЯНИЕ)

В предыдущем приложении показано, что двухпоточное состояние электронного облака неустойчиво даже по отношению к возмущениям, оставляющим его симметричным. Фактически оно никогда не реализуется, и вместо него образуется состояние, близкое к однопоточному, в котором вместо двух встречных потоков имеется лишь один поток, движущийся в основном параллельно катоду.

Рассмотрим идеальный однопоточный режим в плоском магнет­ роне. Он характеризуется постоянной плотностью заряда (р = const) и движением электронов в прикатодном слое 0 < у < d в направлении оси х. В этом случае первое уравнение (3.04) удовлетворяется автома­ тически, а второе принимает вид

 

 

е

 

 

 

i^J-f й v

! ^йЁ - т

Г У

(Ш.01)

поскольку мы по-прежнему считаем, что на катоде Еу

= 0. Толщина

слоя d и плотность р определяют величины

 

 

d

 

 

 

Ue=

— 4яр \ydy

= ~2no0d,

o0 = pd

(III.02)

 

x=p\xdy

= ^ o

l

(Ш.03)

 

J

ОТЙ

 

 

 

о

 

 

 

— плотность тангенциального

электронного тока. Формулы (11.12)

и (11.13) остаются

в силе, если

в них вместо величины

р 0 , определяе­

мой формулой (11.09), подставить плотность заряда р. Впрочем, при

рассмотрении однопоточного

режима

 

обычно

полагают

P =

PO = Y 5

- 2

,

(HI . 04)

 

е

 

 

а тогда соответствующие соотношения просто совпадают. Соотноше­ ние (II 1.04) получается, если потребовать, чтобы для однопоточного режима была справедлива формула (11.02), т. е. чтобы электроны, движущиеся параллельно катоду, имели тот же первый интеграл,