Файл: Третьяков Ю.Д. Химия нестехиометрических окислов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 11.04.2024

Просмотров: 253

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Т а б л и ц а 3.2

Изменение энтальпии и энтропии в реакциях образования окислов титана

 

Реакция

 

 

Интервал

А Н а ,

 

 

 

температур, °K

°2

 

 

 

 

 

 

 

к к а л ім о л ь

8

ТІ3О5 -ф02 — 6

ТІ4О7

1168—1257

168,9±4,4

14

ТівОц +

0

2=

12

Т іА з

1100—1323

163,0+1,5

16

Ті70 13 "Ь 0

2 =

14

TigOj^

1153—1275

162,2±0,8

18 Tis0 15

0 2 =

16 TijOj;

1143—1237

160,9±2,4

20

TijO^ +

0 2 =

18 Ti10O19

1200—1360

180,5±1,2

Д Sq2, з. е.

—43,6+3,4

41,3±1,2 —41,4± 0,9 —41,3 ± 2 ,0

55,6±0,9

нальной сингонии и при 25°С имеет элементарную ячейку с пара­

метрами а = 4,59373±0,00005 Â;

с = 2,95812±П 00005 А [54]. Мнения

о размерах области гомогенности и

 

 

 

 

 

 

природе дефектов в нестехиометри­

е9Г

 

 

 

 

 

ческом рутиле значительно расхо­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

дятся.

 

Данные

авторов

[54—56],

 

 

 

 

 

 

установивших,

что

область несте­

 

 

 

 

 

 

хиометрического

рутила

ограничи­

 

 

 

 

 

 

вается

интервалом

 

составов

 

 

 

 

 

 

1,983 — 1,992 <

~ ~ <С 2,

оспарива­

 

 

 

 

 

 

ются

Голубенко

и

Резухиной [48],

 

 

 

 

 

 

которые

утверждают

возможность

 

 

 

 

 

 

образования

однофазного рутила' в

 

 

 

 

 

 

интервале составов

 

 

 

0

< 2

 

 

 

 

 

 

1,9б < —

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

Ті

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

<

 

2 при 1370 и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и

1 , 9 3

~ ^ і ~ <

1 5 0 0 °

К

 

 

 

 

 

 

соответственно.

 

представлена

зави­

 

 

 

 

 

 

 

На

рис.

3.5

 

 

 

 

 

 

симость

коэффициента

нестехиомет-

 

 

 

 

 

 

рии у в формуле ТіС>2-ѵ от обратно­

 

 

 

 

 

 

го значения температуры при различ­

 

 

 

 

 

 

ных значениях Р о 2,

построенная

по

 

 

 

 

 

 

данным

[57 — 60].

Эти

же

данные,

Рис.

3.5. Зависимость

коэффици­

обработанные

в

координатах

у =

ента

нестехиометрии у в форму­

=

/(Po,)r=const,

 

показывают,

что

ле ТіОг-ѵ от обратного значения

у сс Pölln,

причем

п

 

составляет

температуры

при

парциальных

 

давлениях кислорода (атм), рав­

5,56

при 1000°С

и 4,5 при 1300°С.

ных:

1 — 10~8; 2 — 10~10;

3 —

Форлянд [57] и Кофстад [58]

интер­

ІО-12;

4—ІО-14. □ — данные

[57];

претировали

эту зависимость в

рам­

О — данные

[58];

Л — данные

ках модели с доминирующими де­

 

[59]; V — данные

[60]

 

 

 

 

 

 

 

фектами типа Ѵо.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

62],

показавшие

 

Исследования электропроводности рутила [61,

наличие зависимости стосРоУ'1 с величиной п, равной 4—5, были

1 1 9


объяснены доминированием внедренных ионов Тіі и Тіі . Сопо­ ставление рентгеновской и пикнометрической плотностей [54] показывает, что нестехиометрический рутил является фазой вычи­ тания, а данные измерения внутреннего трения [63], ЭПР [64J и эффекта Холла [65] лучше объясняются моделью с доминирую­ щими внедренными катионами.

Кажущиеся противоречия в поведении нестехиометрического рутила были объяснены моделью [708], предполагающей одновре­ менное присутствие как катионных вакансий, так и внедренных

ионов Tij и Тіі > причем первые доминируют при низких темпе­ ратурах и высоких Ро2, а вторые — при высоких температурах и низких Р0г. Процесс разупорядочения можно выразить квазихи­ мическими реакциями

Tiji f 20о 7^ 0 2

р Тц" 4 Зе',

(3.1)

Т іГ ^ Т іГ

+ е',

 

(3.2)

Оо ^7-^- 0 2 Т Ѵо ф

2е'.

(3-3)

При условии беспорядочного распределения дефектов в решет­ ке константы разупорядочения

Кі ~

[Тіі ] п3Ро2,

(3.4)

К2=

[Т іП п ІТ іГ ]-1,

(3.5)

К ,=

[Ѵо]п*Рх£ .

(3.6)

В совокупности с уравнением электронейтральности

4 [Тіі ] + 3 [Til"] + 2 [Vö] = ti

и уравнением баланса вещества

= 2 [ТіП + [Tij" ] + [Vp]

У ~ 1+ [ТіП + ГИП

уравнения (3.4) — (3.6) составляют систему, решение которой при использовании экспериментальных данных [57—60] приводит к ве­ личинам

210 000 ’

К і = 9 , 3 - 1 0 9 е х р ( —

RT ,

35 000

К 2 = 3 - ІО2 e x p ^ —

RT )

105 009

К а = 4 , 0 4 - 1 0 2 е х р

RT

120

Наблюдавшееся в работе [66] увеличение коэффициента диффу­ зии D0 при уменьшении Ро,, не сильно отличающегося от атмосфер­ ного, предполагает вакансионный механизм диффузии и хорошо

объясняет доминирование Ѵо в решетке рутила при относительно высоком значении Рог. Напротив, структурные изменения, веду­ щие к образованию фаз Магнели Ti„02„_i, при относительно низ­ ких значениях Рог предполагают наличие в решетке внедренных ионов Ti;. Закономерности окисления титана также хорошо объяс­ няются моделью Кофстада [67].

Система ванадий — кислород. Важность ванадия в металлур­ гии специальных сплавов и заманчивые перспективы использова­ ния его окисных соединений для приготовления катализаторов, полупроводниковых и люминофорных материалов обусловили боль­ шой интерес к исследованию фазовых равновесий в системе V—О. Предложенные варианты диаграммы состояния V—О подробно рассмотрены в работе [68]. В ней отмечается, что окисные фазы ванадия можно разделить на две группы: твердые растворы кисло­ рода в различных модификациях металлического ванадия и соб­ ственно окислы. Нас интересуют лишь последние.

Закись ванадия «ѴО», имеющая структуру типа NaCl, принад­ лежит к числу типичных фаз переменного состава. Область гомо­ генности, границы которой указаны в табл. 3.3, охватывает составы как с дефицитом, так и с избытком кислорода.

Т а б л и ц а 3.3

Область гомогенности закиси ванадия

Литература

Температура,

°К

 

Клемм и Гримм [6 8 ].......................................

Андерсон [69]...............................................

1173

Вестман и Нордмарк [ 7 0 ] .......................

1073

Вольф и др.

[ 2 4 ] .......................................

1073

Вольф и др.

[ 2 4 ] .......................................

1873

Т. Сакат, К.

Сакат [ 7 1 ] ...........................

1573

Низкокисло­ родная гра­

ница поля

«ѵо»

\ <ооо

ѴО0і73

ѵ о 0,89

Ѵ°0,92

ѵ о 0,86

ѴО0,80

Высококисло­ родная гра­ ница поля

«ѴО»

ѴО,і3

ѴОі,20

ѵ о 1і24

ѴОі.24

ѵо 1і27

ѵо 1і25

По мнению Андерсона [69], закись ванадия термодинамически стабильна лишь при высокой температуре, тогда как другие авто­ ры [24, 72, 73] не обнаружили признаков распада закисной фазы и при охлаждении. С увеличением содержания кислорода постоян­ ная решетки монотонно возрастает от 4,062 до 4,125 Â (по данным [70]) и от 4,038 до 4,140 Â (по данным [71]) в пределах всей обла­ сти гомогенности. Сопоставление рентгеновской и пикнометриче­ ской плотностей показывает, что «ѴО» является фазой вычитания,

121


имеющей вакансии как в катионной, так и в кислородной подре­ шетках [74, 75]. Зависимость концентрации дефектов от величины у в формуле VOj/ показана на рис. 3.6. Очевидно, что строго сте­ хиометрическая фаза «ѴО» также имеет дефектную структуру (17% катионных и анионных узлов решетки вакантны [24]).

Причину образования некомплектной анионной подрешетки авторы работы [76] видят в сильном обменном взаимодействии ме­ талл-металл, имеющем место в закиси ванадия, и обусловленном

У

Рис. 3.6. Зависимость концентра­

метрик

Ѵ20з+ѵ от парциального

ции дефектов от

величины у

в формуле

УОу

давления

кислорода в газовой

 

 

фазе при 1400—1700°К

заметным перекрыванием З^-волновых функций катионов. Полагая валентность V в закиси, равной пяти, и используя эксперименталь­ ные данные о дефектности катионной и анионной подрешеток, мож­ но показать, что в пределах всей области гомогенности закисной фазы ѴОу средняя плотность валентных электронов остается по­ стоянной (~5,89).

Так как по мере уменьшения у (увеличения дефектности в анионной подрешетке) число электронов, участвующих в образова­ нии связей Me-О, уменьшается, то одновременно возрастает их вклад в Ме-Ме-взаимодействие. По подсчетам [76], в формирова­ нии Ме-Ме-связей участвуют от 2 до 3 электронов, что суще­ ственно сказывается на свойствах ѴОѵ. С ростом интеграла пере­ крывания (в ряду VOy—TiOj,—NbOy значение j (ds, ds) составляет 0,008, 0,018' и 0,057) наблюдается увеличение дефектности анион­ ной подрешетки и переход от полупроводниковых к металлическим свойствам.

В отличие от закиси ниобия, обладающей упорядоченным рас­ пределением вакансий, у ѴОу (и ТЮ^) из-за меньшего перекрыва­ ния d-орбиталей металлических атомов и не столь значительного эффекта экранирования Ме-Ме-связей дальний порядок в рас­ пределении анионных вакансий и разновалентных ионов Me отсут­ ствует. Вместе с тем это не исключает образования микродоменной

122


структуры, предполагаемой Ария [77] и подтверждаемой наличием линейной зависимости энтальпии образования ѴОу от индекса при кислороде [78].

Представляет интерес сделанное в работе [71] сопоставление состава закиси ванадия с ее свойствами. По мере увеличения со­ держания кислорода (и соответствующего ему уменьшения расстоя­ ния Ѵ-Ѵ) наблюдается уменьшение электропроводности, увеличе­ ние энергии активации проводимости и концентрации носителей, снижение холловской подвижности и увеличение магнитной вос­ приимчивости (последнее наблюдали авторы работы [79]). Указан­ ные эффекты интерпретируются как результат экранирования и нарушения непрерывности Ѵ-Ѵ-связей при увеличении концентра­ ции кислорода. Это приводит к значительному сужению Зі-полосы и доминированию вервеевского механизма проводимости в закиси ванадия.

Полуторная окись ванадия «Ѵ20 3», имеющая структуру типа корунда, характеризуется довольно заметной областью гомогенно­ сти по кислороду, которая соответствует изменению величины ѵ(Ѵ20 3+ѵ) в следующих пределах: 0<у<0,03 [80]; —0,06<у<0,15 [74], ■—0,1 < y< 0,2 [73]. Авторы работ [81, 82], подтверждая нали­ чие широкой области нестехиометрии у полуторной окиси, отри­ цают возможность получения равновесных составов с дефицитом кислорода.

Наибольшего доверия, по-видимому, заслуживают данные о нестехиометрии, полученные в работе [82]. На рис. 3.7 представ­ лена зависимость состава Ѵ20 3+ѵ от Ро при температурах 1400—1600°С. Легко видеть, что предельная концентрация избы­

точного кислорода,

характеризуемая

кривой аб, возрастает по

мере увеличения

Т.

В

табл.

3.4 представлены значения

равно-

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а 3.4

 

Равновесное давление кислорода

и активность Ѵ30 5(а2)

 

 

 

в нестехиометрической окиси ванадия

 

 

Значение Y

1700°К

 

 

1600°К

1500°K

1400°K

в формуле

—lgp02— Ig a2■I О- 2

 

 

- 'g po2— lg a 2- l( T 2

 

 

Ѵ ‘° з + Ѵ

- > g p o 2 — lg ö 2-10~2

- i g ^ o 2 — lg a 2 . l ( T 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,005

7,02

0,22

7,75

0,24

8,46

0,24

9,31

0 ,27

0,010

6,55

0,56

7,27

0,59

8,05

0,54

8,85

0,60

0,015

6,27

0,91

6,95

0,93

7,75

0,91

8,65

0,87

0,0185

 

6,76

■-----

7,60

1,16

------

0,020

6,07

1,26

1,33

0,02Г

 

6,62

1,64

0,025

5,88

1,68

0,031

5,71

2,16

веского давления кислорода и активности V3Os в полуторной окиси, рассматриваемой как твердый раствор Ѵ20 3 + 0.

123


По данным і[83], постоянная ромбоэдрической решетки ѴОі,5+ѵ

изменяется в

зависимости от

величины у, составляя а = 5,472 А,

а = 53,80°

при

7 = 0; а = 5,471

 и

а = 53,75°

при y= 0,015

и а =

= 5,464 А,

а = 53,74° при у = 0,041.

 

 

 

 

Давление кислорода вдоль низкокислородной границы поля,

соответствующее, вероятнее

всего,

 

значению у ~ 0, выражается

уравнением [84]

 

 

 

 

 

 

 

iS Ро2(атм)

= 10,6

40 600

 

 

 

 

Т

'

 

 

 

 

 

 

 

Природа

дефектов нестехиометрической

полуторной

окиси

ванадия в литературе не обсуждается. Отмечается [71] более ло­ кальный, чем у закиси ванадия, характер взаимодействия метал­ лических атомов, минимальное расстояние между которыми со­

ставляет 2,70 А (для

сравнения,

у металлического ванадия и

«ѴО» расстояние между ближайшими

атомами

металла равно

2,63 и 2,89 А соответственно).

 

структуру

с параметрами

Окисел «Ѵ30 5» имеет моноклинную

решетки а = 9,993 А,

6 = 5,063 А,

с= 9,872 А и

ß= 138,62° [83].

Большинство авторов [82, 83, 85] склоняются к тому, что область гомогенности является очень узкой. Несостоятельность выводов Роя и Каши [86] о стабильности однофазной структуры в интер­ вале составов ѴОі,б4—ѴОі>7і убедительно доказана в работе[82]—• при температурах 1400—1700°К и любых давлениях Ог, отвечаю­ щих однофазному окислу, последний имеет стехиометрический состав (погрешность эксперимента, оцениваемая неопределенно­ стью величины у в формуле V3O5+Y, равна ±0,002 при 1400° и ±0,004 при 1700°К).

Парциальное давление кислорода вдоль высококислородной гра­ ницы поля «ѴА» (равновесие «Ѵ30 5» + Ѵ4Оэ) выражается уравне­ нием [82]

lg Ро2= 6,9-----(1400 — 1700 °К).

Окислы гомологического ряда \ п0 2п-і были впервые исследо­ ваны Андерсоном [69], установившим существование дискретных фаз состава ѴпОгп-і с величиной п = 4, 5, 6, 7 и 8. Эти окислы являются типичными структурами сдвига, образующимися на основе кристаллической решетки рутила (гл. I). Отдельные чле­ ны гомологического ряда отличаются лишь толщиной двухмер­ ных блоков, разделенных плоскостями сдвига. Существование окислов Ѵп02п-і подтверждено другими авторами [87—91, 81, 83] на основании измерений равновесного давления кислорода в га­ зовой фазе, магнитной восприимчивости и электропроводности, рентгенофазового и термического анализов. В последнее время структуры сдвига V rA n-i были изучены методом электронной микроскопии [92].

124