ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 11.04.2024
Просмотров: 253
Скачиваний: 0
Т а б л и ц а 3.2
Изменение энтальпии и энтропии в реакциях образования окислов титана
|
Реакция |
|
|
Интервал |
А Н а , |
||
|
|
|
температур, °K |
°2 |
|||
|
|
|
|
|
|
|
к к а л ім о л ь |
8 |
ТІ3О5 -ф02 — 6 |
ТІ4О7 |
1168—1257 |
— 168,9±4,4 |
|||
14 |
ТівОц + |
0 |
2= |
12 |
Т іА з |
1100—1323 |
— 163,0+1,5 |
16 |
Ті70 13 "Ь 0 |
2 = |
14 |
TigOj^ |
1153—1275 |
— 162,2±0,8 |
|
18 Tis0 15 |
0 2 = |
16 TijOj; |
1143—1237 |
— 160,9±2,4 |
|||
20 |
TijO^ + |
0 2 = |
18 Ti10O19 |
1200—1360 |
— 180,5±1,2 |
Д Sq2, з. е.
—43,6+3,4
—41,3±1,2 —41,4± 0,9 —41,3 ± 2 ,0
—55,6±0,9
нальной сингонии и при 25°С имеет элементарную ячейку с пара
метрами а = 4,59373±0,00005 Â; |
с = 2,95812±П 00005 А [54]. Мнения |
|||||||||||||||||
о размерах области гомогенности и |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
природе дефектов в нестехиометри |
е9Г |
|
|
|
|
|
||||||||||||
ческом рутиле значительно расхо |
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
дятся. |
|
Данные |
авторов |
[54—56], |
|
|
|
|
|
|
||||||||
установивших, |
что |
область несте |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
хиометрического |
рутила |
ограничи |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
вается |
интервалом |
|
составов |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
1,983 — 1,992 < |
~ ~ <С 2, |
оспарива |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
ются |
Голубенко |
и |
Резухиной [48], |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
которые |
утверждают |
возможность |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
образования |
однофазного рутила' в |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
интервале составов |
|
|
|
0 |
< 2 |
|
|
|
|
|
|
|||||||
1,9б < — |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
Ті |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
< |
|
2 при 1370 и |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
и |
1 , 9 3 |
~ ^ і ~ < |
1 5 0 0 ° |
К |
|
|
|
|
|
|
||||||||
соответственно. |
|
представлена |
зави |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
На |
рис. |
3.5 |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
симость |
коэффициента |
нестехиомет- |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
рии у в формуле ТіС>2-ѵ от обратно |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
го значения температуры при различ |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
ных значениях Р о 2, |
построенная |
по |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
данным |
[57 — 60]. |
Эти |
же |
данные, |
Рис. |
3.5. Зависимость |
коэффици |
|||||||||||
обработанные |
в |
координатах |
у = |
ента |
нестехиометрии у в форму |
|||||||||||||
= |
/(Po,)r=const, |
|
показывают, |
что |
ле ТіОг-ѵ от обратного значения |
|||||||||||||
у сс Pölln, |
причем |
п |
|
составляет |
температуры |
при |
парциальных |
|||||||||||
|
давлениях кислорода (атм), рав |
|||||||||||||||||
5,56 |
при 1000°С |
и 4,5 при 1300°С. |
ных: |
1 — 10~8; 2 — 10~10; |
3 — |
|||||||||||||
Форлянд [57] и Кофстад [58] |
интер |
ІО-12; |
4—ІО-14. □ — данные |
[57]; |
||||||||||||||
претировали |
эту зависимость в |
рам |
О — данные |
[58]; |
Л — данные |
|||||||||||||
ках модели с доминирующими де |
|
[59]; V — данные |
[60] |
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
фектами типа Ѵо. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
62], |
показавшие |
|||||||
|
Исследования электропроводности рутила [61, |
наличие зависимости стосРоУ'1 с величиной п, равной 4—5, были
1 1 9
объяснены доминированием внедренных ионов Тіі и Тіі . Сопо ставление рентгеновской и пикнометрической плотностей [54] показывает, что нестехиометрический рутил является фазой вычи тания, а данные измерения внутреннего трения [63], ЭПР [64J и эффекта Холла [65] лучше объясняются моделью с доминирую щими внедренными катионами.
Кажущиеся противоречия в поведении нестехиометрического рутила были объяснены моделью [708], предполагающей одновре менное присутствие как катионных вакансий, так и внедренных
ионов Tij и Тіі > причем первые доминируют при низких темпе ратурах и высоких Ро2, а вторые — при высоких температурах и низких Р0г. Процесс разупорядочения можно выразить квазихи мическими реакциями
Tiji f 20о 7^ 0 2 |
р Тц" 4 Зе', |
(3.1) |
|
Т іГ ^ Т іГ |
+ е', |
|
(3.2) |
Оо ^7-^- 0 2 Т Ѵо ф |
2е'. |
(3-3) |
При условии беспорядочного распределения дефектов в решет ке константы разупорядочения
Кі ~ |
[Тіі ] п3Ро2, |
(3.4) |
К2= |
[Т іП п ІТ іГ ]-1, |
(3.5) |
К ,= |
[Ѵо]п*Рх£ . |
(3.6) |
В совокупности с уравнением электронейтральности
4 [Тіі ] + 3 [Til"] + 2 [Vö] = ti
и уравнением баланса вещества
= 2 [ТіП + [Tij" ] + [Vp]
У ~ 1+ [ТіП + ГИП
уравнения (3.4) — (3.6) составляют систему, решение которой при использовании экспериментальных данных [57—60] приводит к ве личинам
210 000 ’
К і = 9 , 3 - 1 0 9 е х р ( —
RT ,
35 000
К 2 = 3 - ІО2 e x p ^ —
RT )
105 009
К а = 4 , 0 4 - 1 0 2 е х р
RT
120
Наблюдавшееся в работе [66] увеличение коэффициента диффу зии D0 при уменьшении Ро,, не сильно отличающегося от атмосфер ного, предполагает вакансионный механизм диффузии и хорошо
объясняет доминирование Ѵо в решетке рутила при относительно высоком значении Рог. Напротив, структурные изменения, веду щие к образованию фаз Магнели Ti„02„_i, при относительно низ ких значениях Рог предполагают наличие в решетке внедренных ионов Ti;. Закономерности окисления титана также хорошо объяс няются моделью Кофстада [67].
Система ванадий — кислород. Важность ванадия в металлур гии специальных сплавов и заманчивые перспективы использова ния его окисных соединений для приготовления катализаторов, полупроводниковых и люминофорных материалов обусловили боль шой интерес к исследованию фазовых равновесий в системе V—О. Предложенные варианты диаграммы состояния V—О подробно рассмотрены в работе [68]. В ней отмечается, что окисные фазы ванадия можно разделить на две группы: твердые растворы кисло рода в различных модификациях металлического ванадия и соб ственно окислы. Нас интересуют лишь последние.
Закись ванадия «ѴО», имеющая структуру типа NaCl, принад лежит к числу типичных фаз переменного состава. Область гомо генности, границы которой указаны в табл. 3.3, охватывает составы как с дефицитом, так и с избытком кислорода.
Т а б л и ц а 3.3
Область гомогенности закиси ванадия
Литература |
Температура, |
|
°К |
||
|
Клемм и Гримм [6 8 ]....................................... |
— |
|
Андерсон [69]............................................... |
1173 |
|
Вестман и Нордмарк [ 7 0 ] ....................... |
1073 |
|
Вольф и др. |
[ 2 4 ] ....................................... |
1073 |
Вольф и др. |
[ 2 4 ] ....................................... |
1873 |
Т. Сакат, К. |
Сакат [ 7 1 ] ........................... |
1573 |
Низкокисло родная гра
ница поля
«ѵо»
\ <ооо
ѴО0і73
ѵ о 0,89
Ѵ°0,92
ѵ о 0,86
ѴО0,80
Высококисло родная гра ница поля
«ѴО»
ѴО,і3
ѴОі,20
ѵ о 1і24
ѴОі.24
ѵо 1і27
ѵо 1і25
По мнению Андерсона [69], закись ванадия термодинамически стабильна лишь при высокой температуре, тогда как другие авто ры [24, 72, 73] не обнаружили признаков распада закисной фазы и при охлаждении. С увеличением содержания кислорода постоян ная решетки монотонно возрастает от 4,062 до 4,125 Â (по данным [70]) и от 4,038 до 4,140 Â (по данным [71]) в пределах всей обла сти гомогенности. Сопоставление рентгеновской и пикнометриче ской плотностей показывает, что «ѴО» является фазой вычитания,
121
имеющей вакансии как в катионной, так и в кислородной подре шетках [74, 75]. Зависимость концентрации дефектов от величины у в формуле VOj/ показана на рис. 3.6. Очевидно, что строго сте хиометрическая фаза «ѴО» также имеет дефектную структуру (17% катионных и анионных узлов решетки вакантны [24]).
Причину образования некомплектной анионной подрешетки авторы работы [76] видят в сильном обменном взаимодействии ме талл-металл, имеющем место в закиси ванадия, и обусловленном
У
Рис. 3.6. Зависимость концентра |
метрик |
Ѵ20з+ѵ от парциального |
|
ции дефектов от |
величины у |
||
в формуле |
УОу |
давления |
кислорода в газовой |
|
|
фазе при 1400—1700°К |
заметным перекрыванием З^-волновых функций катионов. Полагая валентность V в закиси, равной пяти, и используя эксперименталь ные данные о дефектности катионной и анионной подрешеток, мож но показать, что в пределах всей области гомогенности закисной фазы ѴОу средняя плотность валентных электронов остается по стоянной (~5,89).
Так как по мере уменьшения у (увеличения дефектности в анионной подрешетке) число электронов, участвующих в образова нии связей Me-О, уменьшается, то одновременно возрастает их вклад в Ме-Ме-взаимодействие. По подсчетам [76], в формирова нии Ме-Ме-связей участвуют от 2 до 3 электронов, что суще ственно сказывается на свойствах ѴОѵ. С ростом интеграла пере крывания (в ряду VOy—TiOj,—NbOy значение j (ds, ds) составляет 0,008, 0,018' и 0,057) наблюдается увеличение дефектности анион ной подрешетки и переход от полупроводниковых к металлическим свойствам.
В отличие от закиси ниобия, обладающей упорядоченным рас пределением вакансий, у ѴОу (и ТЮ^) из-за меньшего перекрыва ния d-орбиталей металлических атомов и не столь значительного эффекта экранирования Ме-Ме-связей дальний порядок в рас пределении анионных вакансий и разновалентных ионов Me отсут ствует. Вместе с тем это не исключает образования микродоменной
122
структуры, предполагаемой Ария [77] и подтверждаемой наличием линейной зависимости энтальпии образования ѴОу от индекса при кислороде [78].
Представляет интерес сделанное в работе [71] сопоставление состава закиси ванадия с ее свойствами. По мере увеличения со держания кислорода (и соответствующего ему уменьшения расстоя ния Ѵ-Ѵ) наблюдается уменьшение электропроводности, увеличе ние энергии активации проводимости и концентрации носителей, снижение холловской подвижности и увеличение магнитной вос приимчивости (последнее наблюдали авторы работы [79]). Указан ные эффекты интерпретируются как результат экранирования и нарушения непрерывности Ѵ-Ѵ-связей при увеличении концентра ции кислорода. Это приводит к значительному сужению Зі-полосы и доминированию вервеевского механизма проводимости в закиси ванадия.
Полуторная окись ванадия «Ѵ20 3», имеющая структуру типа корунда, характеризуется довольно заметной областью гомогенно сти по кислороду, которая соответствует изменению величины ѵ(Ѵ20 3+ѵ) в следующих пределах: 0<у<0,03 [80]; —0,06<у<0,15 [74], ■—0,1 < y< 0,2 [73]. Авторы работ [81, 82], подтверждая нали чие широкой области нестехиометрии у полуторной окиси, отри цают возможность получения равновесных составов с дефицитом кислорода.
Наибольшего доверия, по-видимому, заслуживают данные о нестехиометрии, полученные в работе [82]. На рис. 3.7 представ лена зависимость состава Ѵ20 3+ѵ от Ро при температурах 1400—1600°С. Легко видеть, что предельная концентрация избы
точного кислорода, |
характеризуемая |
кривой аб, возрастает по |
|||||||
мере увеличения |
Т. |
В |
табл. |
3.4 представлены значения |
равно- |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Т а б л и ц а 3.4 |
|
|
Равновесное давление кислорода |
и активность Ѵ30 5(а2) |
|
||||||
|
|
в нестехиометрической окиси ванадия |
|
|
|||||
Значение Y |
1700°К |
|
|
1600°К |
1500°K |
1400°K |
|||
в формуле |
—lgp02— Ig a2■I О- 2 |
|
|
- 'g po2— lg a 2- l( T 2 |
|
|
|||
Ѵ ‘° з + Ѵ |
- > g p o 2 — lg ö 2-10~2 |
- i g ^ o 2 — lg a 2 . l ( T 2 |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,005 |
7,02 |
0,22 |
7,75 |
0,24 |
8,46 |
0,24 |
9,31 |
0 ,27 |
|
0,010 |
6,55 |
0,56 |
7,27 |
0,59 |
8,05 |
0,54 |
8,85 |
0,60 |
|
0,015 |
6,27 |
0,91 |
6,95 |
0,93 |
7,75 |
0,91 |
8,65 |
0,87 |
|
0,0185 |
— |
— |
|
6,76 |
■----- |
7,60 |
1,16 |
------ |
— |
0,020 |
6,07 |
1,26 |
1,33 |
— |
— |
— |
— |
||
0,02Г |
— |
— |
|
6,62 |
1,64 |
— |
— |
— |
— |
0,025 |
5,88 |
1,68 |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
|
0,031 |
5,71 |
2,16 |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
веского давления кислорода и активности V3Os в полуторной окиси, рассматриваемой как твердый раствор Ѵ20 3 + 0.
123
По данным і[83], постоянная ромбоэдрической решетки ѴОі,5+ѵ
изменяется в |
зависимости от |
величины у, составляя а = 5,472 А, |
|||||
а = 53,80° |
при |
7 = 0; а = 5,471 |
 и |
а = 53,75° |
при y= 0,015 |
и а = |
|
= 5,464 А, |
а = 53,74° при у = 0,041. |
|
|
|
|
||
Давление кислорода вдоль низкокислородной границы поля, |
|||||||
соответствующее, вероятнее |
всего, |
|
значению у ~ 0, выражается |
||||
уравнением [84] |
|
|
|
|
|
||
|
|
iS Ро2(атм) |
= 10,6 |
40 600 |
|
|
|
|
|
Т |
' |
|
|||
|
|
|
|
|
|
||
Природа |
дефектов нестехиометрической |
полуторной |
окиси |
ванадия в литературе не обсуждается. Отмечается [71] более ло кальный, чем у закиси ванадия, характер взаимодействия метал лических атомов, минимальное расстояние между которыми со
ставляет 2,70 А (для |
сравнения, |
у металлического ванадия и |
||
«ѴО» расстояние между ближайшими |
атомами |
металла равно |
||
2,63 и 2,89 А соответственно). |
|
структуру |
с параметрами |
|
Окисел «Ѵ30 5» имеет моноклинную |
||||
решетки а = 9,993 А, |
6 = 5,063 А, |
с= 9,872 А и |
ß= 138,62° [83]. |
Большинство авторов [82, 83, 85] склоняются к тому, что область гомогенности является очень узкой. Несостоятельность выводов Роя и Каши [86] о стабильности однофазной структуры в интер вале составов ѴОі,б4—ѴОі>7і убедительно доказана в работе[82]—• при температурах 1400—1700°К и любых давлениях Ог, отвечаю щих однофазному окислу, последний имеет стехиометрический состав (погрешность эксперимента, оцениваемая неопределенно стью величины у в формуле V3O5+Y, равна ±0,002 при 1400° и ±0,004 при 1700°К).
Парциальное давление кислорода вдоль высококислородной гра ницы поля «ѴА» (равновесие «Ѵ30 5» + Ѵ4Оэ) выражается уравне нием [82]
lg Ро2= 6,9-----(1400 — 1700 °К).
Окислы гомологического ряда \ п0 2п-і были впервые исследо ваны Андерсоном [69], установившим существование дискретных фаз состава ѴпОгп-і с величиной п = 4, 5, 6, 7 и 8. Эти окислы являются типичными структурами сдвига, образующимися на основе кристаллической решетки рутила (гл. I). Отдельные чле ны гомологического ряда отличаются лишь толщиной двухмер ных блоков, разделенных плоскостями сдвига. Существование окислов Ѵп02п-і подтверждено другими авторами [87—91, 81, 83] на основании измерений равновесного давления кислорода в га зовой фазе, магнитной восприимчивости и электропроводности, рентгенофазового и термического анализов. В последнее время структуры сдвига V rA n-i были изучены методом электронной микроскопии [92].
124