Файл: Современная фотоэлектрохимия. Фотоэмиссионные явления.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 27.06.2024
Просмотров: 109
Скачиваний: 0
Здесь ip;(#) и %(х) — решения одномерного уравнения Шредингера вида (2.9) во всем пространстве (т. е. как внутри металла, так и вне его) с энергиями, соответственно, Ех (начальное состояние) и E t + /ico (конечное состояние), Vint — оператор, описывающий электромагнитное взаимодействие в первом порядке теории воз мущений. Используя свойства функций трДж) и %{х), а также явный вид оператора V\n\, выражение (2.44) после ряда преоб разований можно записать в виде
М Ш |
= ~£L\ |
Щ* W W [%, % ] dx. |
(2.45) |
|
|
—-со |
|
Здесь <ЕХ — ^-компонента |
напряженности электрического поля |
||
волны и W [%, i p j |
—вронскиан от функций %(ж) н |
ip£ (х). Если |
|
поле волны ёх(х) |
лшняется |
достаточно медленно с |
расстоянием, |
так что |
можно использовать днпольное приближение и положить |
|
в (2.45) |
!ёх{х) = <d.x (0) = |
const, то выражение для Mw приводит |
ся к следующему виду |
[73]: |
— со
где Vt(x) — потенциал, входящий в уравнение Шредингера для функций ар,-(.т) и %{х). Выражения (2.45) и (2.46) в принципе содержат все интересующие нас зависимости.
Прежде всего заметим, что в случае, когда падающий световой поток линейно поляризован, для амплитуды ж-компоненты поля падающей плоской волны Ш% вдали от поверхности металла имеем
g " = |
g 0 sin-0 sin А, |
(2.47) |
где •& — угол падения и А — угол между плоскостью |
поляриза |
|
ции и плоскостью падения1 5 |
(рис. 2.4). Величина &х(х), |
входящая |
в (2.45), описывает поведение результирующей амплитуды нормаль
ной составляющей |
поля во |
всем |
пространстве |
— ; оо < ^ х < ^ оо. |
|||
Эта величина, вне зависимости |
от |
характера отражения |
световой |
||||
волны от поверхности и поведения ее в металле, должна |
быть про |
||||||
порциональна Ш0 sin А |
(зависимость |
Шх от угла |
т> определяется |
||||
свойствами металла |
и |
частотой света |
со) [1]. |
|
|
Случай, соответствующий обычно делаемому предположению, что электромагнитное поле волны свободно проникает в металл, может быть непосредственно рассмотрен с помощью (2.46). Дей ствительно, если угол падения волны не слишком велик, харак терная длина изменения 8х(х), совпадающая по порядку величины
1 5 Напомним, что плоскостью поляризации называется плоскость колебаний вектора напряженности магнитного поля.
51
с длиной волны излучения (порядка нескольких тысяч ангстрем), значительно превосходит размеры всех остальных величин, вхо дящих в задачу. Благодаря затуханию вне металла функции ^(ж), интегрирование в (2.46) фактически охватывает лишь область внутри металла. В этой области функция %(х) в пороговом ин тервале энергии не зависит от со; функции tyi(x) и dVt/dx, очевидно, вообще не зависят от со и, таким образом, весь интеграл, входя щий в (2.46), также не зависит от со. В результате получаем при условии $о = const (т. е. при постоянной интенсивности облу чения)
Ics> со"4 sin2 А. |
(2.48) |
Соотношение (2.48), как видно из (2.46),"имеет место не только при условии, что электромагнитная волна свободно проникает в металл, но также и в более общем слу чае (например, если волна слабо зату хает в металле, частично отражается от поверхности и т. д.). Точно так же не существенными оказываются выбор мо дельного потенциала Vt (х) и детали по ведения функций гр;(:г) и %(х). Основ ным условием, использованным при получении (2.48), является примени мость при описании Ёх{х) дипольного
приближения.
|
|
Вместе с тем для описания зависи |
||||||
|
|
мости поля $ х |
от х представляется бо |
|||||
|
|
лее разумным использовать иную мо |
||||||
Рис. 2.4. |
Схематическое |
дель. |
В рассматриваемой области |
ча |
||||
стот |
со диэлектрическая проницаемость |
|||||||
изображение электрическо |
||||||||
го поля световой волны в |
металлов еш имеет отрицательную дей |
|||||||
плоскости |
падения |
ствительную |
часть В е е ш < ^ 0 |
174]. По |
||||
|
|
скольку вне |
металла |
диэлектрическая |
||||
проницаемость действительна и положительна |
(среда, |
куда |
про |
|||||
исходит |
эмиссия, не поглощает свет), то величина Re еы , являясь |
функцией координаты х, проходит через нз'ль в некоторой точке а;,
вблизи поверхности. В окрестности точки xt |
значение |
напря |
||||||||
женности |
поля |
$х |
(х) имеет резкий |
максимум, |
и поэтому |
именно |
||||
окрестность х = |
х, |
может иметь наиболее важное значение при |
||||||||
рассмотрении внешнего |
фотоэффекта. |
|
|
|
||||||
В соответствии |
с [74], зависимость & х от х в |
рассматриваемом |
||||||||
случае |
определяется выражением |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
&х |
(х) со • |
#<> sin Д |
|
|
(2.49) |
||
|
|
|
|
|
|
|
||||
где аш |
> |
0 — первый |
коэффициент |
разложения |
аналитической |
|||||
функции |
В е е и (х) в ряд в точке а; = a:t: Ree^ (х) = |
аш (х — х,) + |
52
a I m еш — мнимая часть еш . При этом величина I m em |
мала по срав |
|||||||||||
нению с единицей, так |
что |
| &х |
(xt) |
<§0. |
|
|
|
|
|
|||
В случае, когда поведение поля волны описывается соотноше |
||||||||||||
нием (2.49), |
для |
приближенного |
вычисления М( 1 > |
удобно |
вос |
|||||||
пользоваться |
формулой |
(2.45). |
Поскольку функция |
W |
[%, %], |
|||||||
стоящая под |
интегралом в (2.45), |
|
не имеет резких |
максимумов |
||||||||
• (мы полагаем, что резонансные состояния отсутствуют), |
основной |
|||||||||||
вклад в значение |
интеграла |
дает |
окрестность |
точки |
х = |
:г,, |
||||||
и потому выражением (2.49) можно |
приближенно |
воспользовать |
ся во всем интервале интегрирования в (2.45). Замыкая в интеграле после подстановки туда (2.49) контур интегрирования бесконечно удаленной полуокружностью в верхней комплексной полупло
скости |
и имея в виду, что I m e M |
<gj 1, получим приближенно |
|
|
СО |
|
|
где | — не зависящая от со и Д константа |
(по абсолютной величине |
||
порядка единицы). Вронскиан W [х, 'Ф;].-с=л-н,, как и ранее, не зави |
|||
сит от |
со, и потому зависимость |
М' 1 ' от |
со целиком определяется |
фактором (сояш)- 1 . Поскольку значение |
со = |
со0 не является в об |
|
щем случае особой точкой для функции |
ам , можно полагать, что |
||
яы ш |
««о, т. е. что а,и> слабо зависит |
от |
со. |
В |
результате для фотоэмиссионного |
тока получим |
|
|
/ с о с о " 2 sin2 Д. |
|
(2.51) |
В более общем случае явная зависимость величины I от со, очевидно, выражается соотношениями, промежуточными между (2.48) и (2.51). Экспериментальное выяснение этой зависимости может служить источником информации о закономерностях за тухания электромагнитной волны (особенно ее нормальной со ставляющей) в металлах.
Г л а в а ' 3
ТЕОРИЯ ФОТОДИФФУЗИОННЫХ т о к о в
3.1.Постановка задачи и исходные соотношения
Как уже указывалось во |
Введении, эмиттированные в раствор |
|
электроны термализуются и |
вступают в реакции с |
растворителем |
и растворенными веществами. Для количественного |
описания ки |
|
нетики происходящих процессов нужно выбрать |
схему, учиты |
вающую с необходимой полнотой все возможные пути реакции.
Здесь существует известная |
аналогия между |
фотоэмиссиоиными |
||||
и |
радиационно-химическими |
исследованиями, |
поскольку |
в тех |
||
и других имеют |
дело |
с сольватироваиными и, |
возможно, |
сухи |
||
ми электронами. |
Но в одном отношении фотоэмиссия отличается |
|||||
от |
радиолиза. |
При |
фотоэмнссии сольватироваиный электрон |
возникает естественным образом как результат сольватации су хого электрона. При радиолизе же сольватированные электроны
образуются в ходе сложного многостадийного |
процесса. |
Вопрос |
|
о том, предшествует ли непосредственно образованию |
сольва- |
||
тированного электрона при радиолизе стадия сухого |
электрона, |
||
до сих пор является дискуссионным [85]. Таким |
образом, |
именно |
|
фотоэмиссиоиные исследования могли бы дать |
прямой |
путь для |
изучения взаимного превращения сухого и сольватированного электрона и для определения свойств и реакционной способности сухих электродов в жидкостях.
Полная схема химических реакций, следующих за фотоэмис сией, должна включать как сольватацию, так и непосредственное взаимодействие сухого (а, возможно, и «горячего») электрона с акцепторами. Однако математическое описание движения и реак ций сухих электронов в растворе наталкивается на значительные трудности и пока не разработано. В частности, применение для этой цели диффузионных уравнений требует дополнительного обоснования. В то же время из опытов Ханта и сотр. [86] следует, что эффект непосредственного взаимодействия сухих электронов с акцепторами становится заметным лишь при достаточно боль ших концентрациях последних (когда их мольная доля в растворе не слишком мала по сравнению с единицей). Так, даже самые эффективные акцепторы сухих электронов — G d 2 + , NO3, ацетон — успешно конкурируют с водой за захват сухих электронов только при концентрациях > 1 моль/л. Но фотоэмиссионные исследо вания можно эффективно проводить при гораздо более низких
54
концентрациях акцепторов (10 _ 3 —Ю^моль/л)1. Поэтому существу ют условия, когда следует, очевидно, принять, что электроны, эмиттированные в раствор, термализуются и сольватируются, не вступая во взаимодействие с акцепторами. После этого они могут диффундировать в глубину раствора и к электроду-эмиттеру, а также вступать в гомогенные реакции с акцепторами электронов А и захватываться поверхностью электрода 2 .
С учетом возможных электродных реакций с участием продук тов захвата электронов акцепторами [еА] экспериментально наблю даемый фототок представляет собой суперпозицию отдельных
токов |
и описывается |
уравнением |
|
|
|
i = i - h ± r , |
(3.1) |
где / |
— ток эмиссии; |
1е — ток возвращения на электрод |
сольва- |
тированных электронов; / ' — ток электродной реакции продуктов [еА]. Такая схема была рассмотрена впервые Баркером с сотр. [25] и впоследствии использовалась в ряде других работ.
Поскольку все рассматриваемые процессы разыгрываются на расстояниях много меньше размеров электрохимической ячей ки, то электрод-эмиттер можно считать плоским и занимающим полупространство х < 0, а другой электрод — удаленным на бес конечность. Соответственно, токи сольватированных электронов и продуктов [еА] на этот второй электрод оказываются пренебре жимо малы и, как следует из закона сохранения заряда, число электронов, захваченных акцепторами в объеме, равно разности между числом эмиттироваиных электронов и числом электронов, возвратившихся па электрод-эмиттер.
С учетом сказанного, в стационарных условиях уравнение
(3.1) |
можно записать в виде |
|
|
|
j = |
v(I-Ic), |
(3.2) |
где |
величина v является аналогом стехиометрнческого |
числа. |
Если продукты [еА] окисляются на электроде, отдавая один элект рон, то У = 0 (при этом также j = 0, что физически очевидно, по скольку в рассматриваемом случае все эмиттированные электроны оказываются возвращенными на электрод). Если продукты [еА]
не вступают в электродную реакцию, то v |
= |
1 [чему соответствует |
|
/ ' = 0 в (3.1)]. Наконец, при восстановлении |
[еА] на электроде с |
||
участием одиого электрона имеем v = |
2. |
В |
принципе возмож |
ны также нецелочисленные значения v при одновременном проте
кании различных |
реакций на электроде (см. главу 7). |
||||
1 |
Именно |
такой интервал концентраций был выбран в экспериментах, |
|||
|
результаты которых излагаются ниже, за исключением акцептора НзО+ |
||||
|
(который, однако, согласно [86], практически не захватывает сухих элек |
||||
|
тронов), |
а |
также N 0 " (см. 7.2). |
|
|
2 |
При очень |
низких |
концентрациях |
акцепторов ( 1 0 ~ 6 — 1 0 ~ G моль/л), воз |
|
|
можно, |
становится |
существенным |
переход сольватированных электронов |
|
|
в сухие, которые далее могут быстро переноситься к поверхности электрода |
||||
|
и захватываться ею. |
|
55