Файл: Современная фотоэлектрохимия. Фотоэмиссионные явления.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 27.06.2024

Просмотров: 109

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Здесь ip;(#) и %(х) — решения одномерного уравнения Шредингера вида (2.9) во всем пространстве (т. е. как внутри металла, так и вне его) с энергиями, соответственно, Ех (начальное состояние) и E t + /ico (конечное состояние), Vint — оператор, описывающий электромагнитное взаимодействие в первом порядке теории воз­ мущений. Используя свойства функций трДж) и %{х), а также явный вид оператора V\n\, выражение (2.44) после ряда преоб­ разований можно записать в виде

М Ш

= ~£L\

Щ* W W [%, % ] dx.

(2.45)

 

 

—-со

 

Здесь Х — ^-компонента

напряженности электрического поля

волны и W [%, i p j

—вронскиан от функций %(ж) н

ip£ (х). Если

поле волны ёх(х)

лшняется

достаточно медленно с

расстоянием,

так что

можно использовать днпольное приближение и положить

в (2.45)

!ёх{х) = <d.x (0) =

const, то выражение для Mw приводит­

ся к следующему виду

[73]:

— со

где Vt(x) — потенциал, входящий в уравнение Шредингера для функций ар,-(.т) и %{х). Выражения (2.45) и (2.46) в принципе содержат все интересующие нас зависимости.

Прежде всего заметим, что в случае, когда падающий световой поток линейно поляризован, для амплитуды ж-компоненты поля падающей плоской волны Ш% вдали от поверхности металла имеем

g " =

g 0 sin-0 sin А,

(2.47)

где •& — угол падения и А — угол между плоскостью

поляриза­

ции и плоскостью падения1 5

(рис. 2.4). Величина &х(х),

входящая

в (2.45), описывает поведение результирующей амплитуды нормаль­

ной составляющей

поля во

всем

пространстве

; оо < ^ х < ^ оо.

Эта величина, вне зависимости

от

характера отражения

световой

волны от поверхности и поведения ее в металле, должна

быть про­

порциональна Ш0 sin А

(зависимость

Шх от угла

т> определяется

свойствами металла

и

частотой света

со) [1].

 

 

Случай, соответствующий обычно делаемому предположению, что электромагнитное поле волны свободно проникает в металл, может быть непосредственно рассмотрен с помощью (2.46). Дей­ ствительно, если угол падения волны не слишком велик, харак­ терная длина изменения 8х(х), совпадающая по порядку величины

1 5 Напомним, что плоскостью поляризации называется плоскость колебаний вектора напряженности магнитного поля.

51


с длиной волны излучения (порядка нескольких тысяч ангстрем), значительно превосходит размеры всех остальных величин, вхо­ дящих в задачу. Благодаря затуханию вне металла функции ^(ж), интегрирование в (2.46) фактически охватывает лишь область внутри металла. В этой области функция %(х) в пороговом ин­ тервале энергии не зависит от со; функции tyi(x) и dVt/dx, очевидно, вообще не зависят от со и, таким образом, весь интеграл, входя­ щий в (2.46), также не зависит от со. В результате получаем при условии $о = const (т. е. при постоянной интенсивности облу­ чения)

Ics> со"4 sin2 А.

(2.48)

Соотношение (2.48), как видно из (2.46),"имеет место не только при условии, что электромагнитная волна свободно проникает в металл, но также и в более общем слу­ чае (например, если волна слабо зату­ хает в металле, частично отражается от поверхности и т. д.). Точно так же не­ существенными оказываются выбор мо­ дельного потенциала Vt (х) и детали по­ ведения функций гр;(:г) и %(х). Основ­ ным условием, использованным при получении (2.48), является примени­ мость при описании Ёх{х) дипольного

приближения.

 

 

Вместе с тем для описания зависи­

 

 

мости поля $ х

от х представляется бо­

 

 

лее разумным использовать иную мо­

Рис. 2.4.

Схематическое

дель.

В рассматриваемой области

ча­

стот

со диэлектрическая проницаемость

изображение электрическо­

го поля световой волны в

металлов еш имеет отрицательную дей­

плоскости

падения

ствительную

часть В е е ш < ^ 0

174]. По­

 

 

скольку вне

металла

диэлектрическая

проницаемость действительна и положительна

(среда,

куда

про­

исходит

эмиссия, не поглощает свет), то величина Re еы , являясь

функцией координаты х, проходит через нз'ль в некоторой точке а;,

вблизи поверхности. В окрестности точки xt

значение

напря­

женности

поля

$х

(х) имеет резкий

максимум,

и поэтому

именно

окрестность х =

х,

может иметь наиболее важное значение при

рассмотрении внешнего

фотоэффекта.

 

 

 

В соответствии

с [74], зависимость & х от х в

рассматриваемом

случае

определяется выражением

 

 

 

 

 

 

 

 

&х

(х) со •

#<> sin Д

 

 

(2.49)

 

 

 

 

 

 

 

где аш

>

0 — первый

коэффициент

разложения

аналитической

функции

В е е и (х) в ряд в точке а; = a:t: Ree^ (х) =

аш (х — х,) +

52


a I m еш — мнимая часть еш . При этом величина I m em

мала по срав­

нению с единицей, так

что

| &х

(xt)

0.

 

 

 

 

 

В случае, когда поведение поля волны описывается соотноше­

нием (2.49),

для

приближенного

вычисления М( 1 >

удобно

вос­

пользоваться

формулой

(2.45).

Поскольку функция

W

[%, %],

стоящая под

интегралом в (2.45),

 

не имеет резких

максимумов

• (мы полагаем, что резонансные состояния отсутствуют),

основной

вклад в значение

интеграла

дает

окрестность

точки

х =

:г,,

и потому выражением (2.49) можно

приближенно

воспользовать­

ся во всем интервале интегрирования в (2.45). Замыкая в интеграле после подстановки туда (2.49) контур интегрирования бесконечно удаленной полуокружностью в верхней комплексной полупло­

скости

и имея в виду, что I m e M

<gj 1, получим приближенно

 

СО

 

 

где | — не зависящая от со и Д константа

(по абсолютной величине

порядка единицы). Вронскиан W [х, 'Ф;].-с=л-н,, как и ранее, не зави­

сит от

со, и потому зависимость

М' 1 ' от

со целиком определяется

фактором (сояш)- 1 . Поскольку значение

со =

со0 не является в об­

щем случае особой точкой для функции

ам , можно полагать, что

яы ш

««о, т. е. что а,и> слабо зависит

от

со.

В

результате для фотоэмиссионного

тока получим

 

/ с о с о " 2 sin2 Д.

 

(2.51)

В более общем случае явная зависимость величины I от со, очевидно, выражается соотношениями, промежуточными между (2.48) и (2.51). Экспериментальное выяснение этой зависимости может служить источником информации о закономерностях за­ тухания электромагнитной волны (особенно ее нормальной со­ ставляющей) в металлах.


Г л а в а ' 3

ТЕОРИЯ ФОТОДИФФУЗИОННЫХ т о к о в

3.1.Постановка задачи и исходные соотношения

Как уже указывалось во

Введении, эмиттированные в раствор

электроны термализуются и

вступают в реакции с

растворителем

и растворенными веществами. Для количественного

описания ки­

нетики происходящих процессов нужно выбрать

схему, учиты­

вающую с необходимой полнотой все возможные пути реакции.

Здесь существует известная

аналогия между

фотоэмиссиоиными

и

радиационно-химическими

исследованиями,

поскольку

в тех

и других имеют

дело

с сольватироваиными и,

возможно,

сухи­

ми электронами.

Но в одном отношении фотоэмиссия отличается

от

радиолиза.

При

фотоэмнссии сольватироваиный электрон

возникает естественным образом как результат сольватации су­ хого электрона. При радиолизе же сольватированные электроны

образуются в ходе сложного многостадийного

процесса.

Вопрос

о том, предшествует ли непосредственно образованию

сольва-

тированного электрона при радиолизе стадия сухого

электрона,

до сих пор является дискуссионным [85]. Таким

образом,

именно

фотоэмиссиоиные исследования могли бы дать

прямой

путь для

изучения взаимного превращения сухого и сольватированного электрона и для определения свойств и реакционной способности сухих электродов в жидкостях.

Полная схема химических реакций, следующих за фотоэмис­ сией, должна включать как сольватацию, так и непосредственное взаимодействие сухого (а, возможно, и «горячего») электрона с акцепторами. Однако математическое описание движения и реак­ ций сухих электронов в растворе наталкивается на значительные трудности и пока не разработано. В частности, применение для этой цели диффузионных уравнений требует дополнительного обоснования. В то же время из опытов Ханта и сотр. [86] следует, что эффект непосредственного взаимодействия сухих электронов с акцепторами становится заметным лишь при достаточно боль­ ших концентрациях последних (когда их мольная доля в растворе не слишком мала по сравнению с единицей). Так, даже самые эффективные акцепторы сухих электронов — G d 2 + , NO3, ацетон — успешно конкурируют с водой за захват сухих электронов только при концентрациях > 1 моль/л. Но фотоэмиссионные исследо­ вания можно эффективно проводить при гораздо более низких

54


концентрациях акцепторов (10 _ 3 —Ю^моль/л)1. Поэтому существу­ ют условия, когда следует, очевидно, принять, что электроны, эмиттированные в раствор, термализуются и сольватируются, не вступая во взаимодействие с акцепторами. После этого они могут диффундировать в глубину раствора и к электроду-эмиттеру, а также вступать в гомогенные реакции с акцепторами электронов А и захватываться поверхностью электрода 2 .

С учетом возможных электродных реакций с участием продук­ тов захвата электронов акцепторами [еА] экспериментально наблю­ даемый фототок представляет собой суперпозицию отдельных

токов

и описывается

уравнением

 

 

 

i = i - h ± r ,

(3.1)

где /

— ток эмиссии;

1е — ток возвращения на электрод

сольва-

тированных электронов; / ' — ток электродной реакции продуктов [еА]. Такая схема была рассмотрена впервые Баркером с сотр. [25] и впоследствии использовалась в ряде других работ.

Поскольку все рассматриваемые процессы разыгрываются на расстояниях много меньше размеров электрохимической ячей­ ки, то электрод-эмиттер можно считать плоским и занимающим полупространство х < 0, а другой электрод — удаленным на бес­ конечность. Соответственно, токи сольватированных электронов и продуктов [еА] на этот второй электрод оказываются пренебре­ жимо малы и, как следует из закона сохранения заряда, число электронов, захваченных акцепторами в объеме, равно разности между числом эмиттироваиных электронов и числом электронов, возвратившихся па электрод-эмиттер.

С учетом сказанного, в стационарных условиях уравнение

(3.1)

можно записать в виде

 

 

 

j =

v(I-Ic),

(3.2)

где

величина v является аналогом стехиометрнческого

числа.

Если продукты [еА] окисляются на электроде, отдавая один элект­ рон, то У = 0 (при этом также j = 0, что физически очевидно, по­ скольку в рассматриваемом случае все эмиттированные электроны оказываются возвращенными на электрод). Если продукты [еА]

не вступают в электродную реакцию, то v

=

1 [чему соответствует

/ ' = 0 в (3.1)]. Наконец, при восстановлении

[еА] на электроде с

участием одиого электрона имеем v =

2.

В

принципе возмож­

ны также нецелочисленные значения v при одновременном проте­

кании различных

реакций на электроде (см. главу 7).

1

Именно

такой интервал концентраций был выбран в экспериментах,

 

результаты которых излагаются ниже, за исключением акцептора НзО+

 

(который, однако, согласно [86], практически не захватывает сухих элек­

 

тронов),

а

также N 0 " (см. 7.2).

 

2

При очень

низких

концентрациях

акцепторов ( 1 0 ~ 6 — 1 0 ~ G моль/л), воз­

 

можно,

становится

существенным

переход сольватированных электронов

 

в сухие, которые далее могут быстро переноситься к поверхности электрода

 

и захватываться ею.

 

55