Файл: Современная фотоэлектрохимия. Фотоэмиссионные явления.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 27.06.2024
Просмотров: 107
Скачиваний: 0
Соотношение (3.14) часто используется для того, чтобы по экспериментальной зависимости фототока от концентрации ак цепторов определить длину сольватации х0. С помощью формулы (3.13) в дальнейшем будет найдена константа скорости захвата электрона поверхностью металла ks (см. 5.4).
3. Электрон вообще не захватывается поверхностью электро да (ks ж 0); тогда
/ = vl.
Последнее соотношение достаточно очевидно, поскольку, если электроны не захватываются поверхностью, то все они будут за хвачены акцепторами, как и в пределе сд -»-оо. Таким образом, фо тоток может достигать предельного значения (vl) в двух случаях: при высокой концентрации акцепторов электронов и при очень низкой скорости захвата сольватированного электрона поверхно стью электрода.
Учет влияния поля диффузного двойного слоя. В растворах с низкой концентрацией электролита поле диффузного слоя может оказывать существенное влияние на движение электронов в приэлект'родной области раствора. Рассматриваемый эффект тесно связан с динамическим "ф'-эффектом для ионов, изученным доста точно подробно в ряде теоретических работ [91—93].
Качественно влияние поля диффузного слоя на фотодиффузи онные токи впервые рассмотрено Баркером с сотр. [25]. Попытка количественного описания предпринята в работе [70], где задача о движении сольватированпых электронов в поле диффузного двой ного слоя решалась численными методами. (Одновременно учиты валось влияние поля на распределение концентрации заряженных акцепторов — ионов водорода.)
Аналитическое решение сходной задачи для случая, когда ак цепторы не заряжены, и потому диффузный слой оказывает влия ние лишь на миграцию электронов, было получено в работе [94].
В стационарных условиях при наличии электрического поля
уравнение для се |
принимает вид |
|
|
|
|||
d |
de.e |
|
ац>{х) |
-кАсАсе |
+ |
Ф(х) = 0. |
|
dx |
dx |
" e |
dx |
||||
|
|
|
|||||
Здесь q>(x) — потенциал |
в |
диффузном |
слое, |
выраженный в еди |
ницах кТ/е. Полагая, что этот потенциал затухает экспоненциаль
но, |
так |
что |
<р(х) = |
т|/ ехр(—х/L), |
где |
L — длина |
затухания |
||||||
ф(х) (г|/ также выражен в единицах |
кТ/е, |
причем, если l |
^ ' |
l ^ l |
|||||||||
то |
L — х - 1 ) , |
и |
|
производя |
замену |
переменных |
се |
= |
|||||
= |
и(х) |
exp |
[V2 i|)' exp (— x/L)], |
после преобразований |
получаем |
||||||||
|
и" — (j- |
|
-ф' exp ( - x/L) + - |
i - |
(я))')2 exp ( - |
2x/L) + |
m2 ) и |
= |
|
||||
|
|
|
|
= |
- |
L 2 |
exp (- |
- i - |
я|/е-^), |
|
|
(3.1 |
|
|
|
|
|
|
|
e |
|
|
|
|
|
|
|
где |
m 2 |
= ~ |
r |
- L |
\ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
e |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
60
Уравнение (3.16) без правой части совпадает с уравнением (3.7), если Q2 (х) равно многочлену перед функцией и{х).
Учитывая связь между се(х) и и{х) и то обстоятельство, что электроны достаточно быстро захватываются поверхностью, так что с'е(О) = 0, на основании (3.9) найдем
ехр ('ДО') |
^ Ui (x/L) |
Ф (х) ехр —-|-я]/ е х Р (— X I L ) 'dx, |
(3.17) |
|
«i(0) |
||||
|
|
|
где Ui{x/L), как и ранее, линейно-независимое решение однородной части уравнения (3.16), стремящееся при х —> со к нулю. Это ре шение выражается через вырожденную гипергеометрическую функцию xFt [95] по формуле
щ {x/L) = ехр (x/2L) |
ехр (— х/ЩЧ*т X |
|
X ехр •4-я|)'ехр(— x/L)\1F1[l |
+ n t , 2m + 1, "ф'ехр |
(—x/L)}. |
Подставляя выражение для ut в формулу (3.17), получаем оконча тельное выражение для фототока
|
|
/ = |
|
v\l- |
iFi(m, |
|
|
- |
j |
— |
_ |
J ф ( я |
) е х р . ( - |
Qx) |
X |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
2 т - f |
|
|
о |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
X i ^ i [ m , |
|
2т |
+ 1, — г|/ехр(— x/L)]dx}. |
|
|
(3.18) |
|||||||||
|
Когда л|/ = |
0, |
то 1F1 |
|
(т, |
2т |
|
-f- 1, 0) |
= 1, и |
выражение (3.18) |
|||||||||
совпадает с |
(3.11) |
в пределе кв |
|
со. Влияние |
поля |
сильно |
сни |
||||||||||||
жается, |
если L ^> |
х0, |
т. е. толщина диффузного |
слоя превышает |
|||||||||||||||
толщину |
области, |
где |
Ф(х) отлична |
от нуля. В этом случае в об |
|||||||||||||||
ласти |
интегрирования, |
которая |
определяется |
областью, |
где |
||||||||||||||
Ф(х) |
не |
равно |
нулю, |
фупкция |
^ |
[т, 2т + |
1, — i|/exp(— |
x/L)} |
|||||||||||
становится фактически постоянной, |
и тогда можно полагать, что |
||||||||||||||||||
она равна ^ ( т , |
2т |
+ |
1, — |
|
ty')- |
Используя |
|
асимптотическое |
|||||||||||
выражение |
для- |
[т, |
2т |
+ |
1, — г|з' ехр |
(—x/L)] |
в |
пределе |
|||||||||||
|гр' |
| ^ > 1 [95], можно показать, что фототок / либо равен нулю |
(я];' ^> |
|||||||||||||||||
> |
0), либо достигает насыщения (я]/<^ 0). В отсутствие |
акцепторов |
|||||||||||||||||
. ( т = 0) фототок / |
равен |
нулю, |
т. е., несмотря на сильное |
электро |
|||||||||||||||
статическое |
отталкивание (а|/ < |
|
0), |
все |
электроны возвращаются |
||||||||||||||
обратно на поверхность электрода *. |
|
|
|
|
|
|
|
|
Для вычисления фототока по формуле (3.18) необходимо за дать конкретный вид функции источника сольватированных элект ронов.
4 Такой |
вывод следует из |
решения |
стационарной |
задачи при условии |
|
се (оо) |
= 0, которое справедливо |
только, если с А |
ф 0. Когда акцепторов |
||
в растворе нет, условие се |
(оо) = |
0 |
в стационарном режиме не может быть |
||
реализовано. |
|
|
|
|
61
В работе [94] был вычислен фототок как функция |
концентрации |
|
электролита для нескольких простейших |
моделей. |
Результаты |
этого расчета подробно обсуждаются ниже |
(см. 5.3). |
|
Фотодиффузпонньге токи в условиях разряда на электроде ак цепторов. Если в рассматриваемой области потенциалов акцептор (например, ион водорода) восстанавливается на электроде, его приэлектродпая концентрация падает, достигая в условиях пре дельного тока нулевого значения. Уравнение для концентрации сольватированных электронов в рассматриваемом случае имеет следующий вид:
°° - кАСА №с° +ф № = °- |
<3 -1 9 ) |
При расчете фототока в работе [96] предполагалось, что в диф фузионном слое с толщиной 6^ концентрация акцепторов меняется линейно с расстоянием от электрода (модель диффузионного слоя Нернста):
|
|
|
-о— X |
При |
X <^ б,у |
|
|
|
|
oN |
|
|
|
|
|
|
СА |
При |
X > |
бдг |
(el — концентрация |
акцепторов в растворе |
вдали от электрода). |
||||
В действительности ход |
СА(Х) |
вблизи внешней границы диффу |
||||
зионного |
слоя (х ~ |
6JV) отличается от этой модели [97]. Но, по |
||||
скольку |
электроны образуются на расстояниях порядка xQ<^L 8^, |
|||||
линейный закон для |
СА{Х) |
можно считать |
справедливым во всей |
рассматриваемой области х. Затухающее на бесконечности част ное решение соответствующего однородного уравнения имеет вид [80] _
Здесь | = (сдАдДЭеблг) ,,2х, la (z) — модифицированная функция Бесселя порядка а [95]. В области х, где Ф (х) существенно отли
чается от нуля, |
и для сх (х) справедливо разложение |
|
|
. 3 2 / 3 Г (2/3) |
3 4 / 3 Г (4/3). |
где T(z) — гамма-функция [95].
Тогда |
фототок /', соответствующий граничному условию |
fie(0) = 0, |
будет равен |
Как видно из формулы (3.20), характер зависимости фототока от концентрации акцепторов в условиях их реакции на электроде
62
в режиме предельного тока отличается от того, который имеет ме сто для электрохимически неактивных акцепторов [формула (3.14)]. Фототоки оказываются пропорциональными, соответственно,
(с!)*.' и (ci)V..
3.3. Случай периодической зависимости интенсивности освещения от вре.мени
Рассмотрим теперь закономерности фотодиффузионных процес сов в условиях освещения электрода светом переменной интенсив ности. В силу конечной скорости диффузии, а также химических превращений в объеме и на электроде, временные характеристики I s ж I должны в общем случае быть разными. С помощью иссле дования этого отличия можно, как будет показано ниже, получить дополнительную информацию о кинетике протекания химических и электрохимических реакций, в том числе с участием нестабиль ных продуктов, образующихся вблизи электрода. Время жизни
сольватированного |
электрона в растворе |
определяется |
меньшей |
|||||
из двух величин: времени диффузионного |
возвращения |
на элект |
||||||
род |
t-y — |
xl/De и |
эффективного времени |
захвата акцепторами в |
||||
растворе t2 |
= |
ilkAcA. |
|
|
|
|
||
Пусть интенсивность освещения периодически меняется во |
||||||||
времени с частотой Q; соответствующая |
переменная |
составляю |
||||||
щая фотоэмиссионного тока, имеет тогда вид / = / 0 |
exp (iQt), |
где |
||||||
10 — амплитуда |
колебаний фототока. Если частота Q меньше об |
|||||||
ратного времени |
замедления и сольватации электронов |
(т. е., |
по |
|||||
грубым оценкам, |
|
меньше 101 1 —101 2 сев - 1 ), то функция источника |
||||||
имеет |
вид |
Ф (х) |
= Ф 0 ( ж ) exp(iQi), причем, как следует |
из (3.4), |
||||
|
|
|
|
со |
|
|
|
|
о
Для достаточно больших времен, прошедших от начала опыта, т. е. когда закончились переходные процессы, решение уравнений
(3.3) и |
(3.3а) следует искать |
в виде |
ffe = се (х) |
exp (iQt) |
и с' = |
|||||
= с'(х) |
exp |
(iQt). |
|
|
|
|
|
|
|
|
В простейшем случае, когда продукты [еА] не реагируют на |
||||||||||
электроде, из (3.3) получаем [87] для |
результирующего фототока |
|||||||||
выражение, |
аналогичное |
(3.11): |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
ехр( — Qnx) |
dx. |
(3.11а) |
|
|
|
О |
|
|
|
|
|
|
|
|
Здесь |
Qa — |
V (iQ |
+ kAcA)/De |
— Qx |
+ |
i<?2, причем |
|
|
|
|
|
|
Й |
(V(^A)2 |
+ |
Qa" - |
& A C A ) - 1 / 2 , |
<?» = |
Q |
|
|
|
|
V2Do |
|
|
|
|
|
|
|
|
63
Величина /, с учетом комплексности QQ, может быть записана в виде / — /„ exp It (Ш + 0)], где /„ — амплитуда результирую щего фототока, а 0 — сдвиг фаз между / и / , возникающий за счет диффузионных процессов. При больших Qlt как следует из (3.11а), 0 = 0. Это соответствует тому, что все эмиттироваиные электроны поглощаются акцепторами, и обратный диффузионный ток отсут ствует.
При малых Q1 (Qi^o < ^ 1), когда фазовый сдвиг наиболее суще
ствен, из (3.11а) получим |
|
|
|
|
|
t g 0 |
= |
/ ' Q * |
|
|
(3.21) |
Обратим внимание |
на то, |
что сдвиг фаз |
0 |
не |
зависит от х0, |
а определяется лишь соотношениями между |
De, |
Q |
и скоростями |
процессов, протекающих с участием сольватированных электро нов. По характеру частотной зависимости величины tg© можно судить о скорости захвата сольватированных электронов поверх ностью металла, а также о скорости захвата электронов акцепто рами. В пределе ks оо получаем tg 0 = QJQi^ ч т о аналогично соответствующему выражению для сдвига фаз между током и по тенциалом при пропускании переменного тока через систему с объемной химической реакцией [98, 99].
Если продукты [еА] принимают участие в электродной реакции, картина оказывается более сложной. Пусть, например, акцепто рами являются ионы водорода. Продуктом [еА], образующимся в объеме, в этом случае является атомарный водород, который, ад-
сорбируясь на электроде5 |
(Н" —> Н а д 0 ) , может вступать в следую |
||||||||||
щие электродные |
реакции: |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
Н а д с |
+ |
Надс^-_>Н2 , |
|
|
|
(3.1) |
||
|
|
Наде + Н 3 0 + |
+ е- |
Н а |
+ |
Н 2 0 , |
|
|
(З.И) |
||
|
|
|
Н а д с |
+ |
H e O |
Н 3 |
0 + |
+ е-. |
|
(3. I I I ) |
|
В принципе возможна также рекомбинация в объеме |
раствора, |
||||||||||
Н -f- Н |
Н 2 , однако в силу низкой объемной концентрации |
ато |
|||||||||
мов водорода она протекает очень медленно, и ее можно |
не учиты |
||||||||||
вать. |
Как |
видно |
из приведенных |
схем, |
реакции |
(З.П) и |
( 3 . I I I ) |
||||
сопровождаются |
дополнительным |
электронным |
переходом. |
|
|||||||
Заметим, что диффузиониый поток продуктов [еА] на поверх |
|||||||||||
ность |
электрода |
eD'(dc'/dx)x=0 |
совпадает с |
электрическим |
током |
/ ' в уравнении (3.1) лишь в отсутствие поверхностной рекомбина ции (3.1). В противном случае имеем D'(dc'/dx) = k2Q + МЭ21 где к2 — константа скорости электрохимической десорбции [урав нение (З.П)], кг — константа скорости рекомбинации, 8 — сте-
5 Реакции типа (З.П) и (З.Ш) могут протекать и минуя стадию адсорбции (подробнее см. 7.1), что, однако, не меняет существа проводимых расчетов.
64