Файл: Современная фотоэлектрохимия. Фотоэмиссионные явления.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 27.06.2024

Просмотров: 107

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Соотношение (3.14) часто используется для того, чтобы по экспериментальной зависимости фототока от концентрации ак­ цепторов определить длину сольватации х0. С помощью формулы (3.13) в дальнейшем будет найдена константа скорости захвата электрона поверхностью металла ks (см. 5.4).

3. Электрон вообще не захватывается поверхностью электро­ да (ks ж 0); тогда

/ = vl.

Последнее соотношение достаточно очевидно, поскольку, если электроны не захватываются поверхностью, то все они будут за­ хвачены акцепторами, как и в пределе сд -»-оо. Таким образом, фо­ тоток может достигать предельного значения (vl) в двух случаях: при высокой концентрации акцепторов электронов и при очень низкой скорости захвата сольватированного электрона поверхно­ стью электрода.

Учет влияния поля диффузного двойного слоя. В растворах с низкой концентрацией электролита поле диффузного слоя может оказывать существенное влияние на движение электронов в приэлект'родной области раствора. Рассматриваемый эффект тесно связан с динамическим "ф'-эффектом для ионов, изученным доста­ точно подробно в ряде теоретических работ [91—93].

Качественно влияние поля диффузного слоя на фотодиффузи­ онные токи впервые рассмотрено Баркером с сотр. [25]. Попытка количественного описания предпринята в работе [70], где задача о движении сольватированпых электронов в поле диффузного двой­ ного слоя решалась численными методами. (Одновременно учиты­ валось влияние поля на распределение концентрации заряженных акцепторов — ионов водорода.)

Аналитическое решение сходной задачи для случая, когда ак­ цепторы не заряжены, и потому диффузный слой оказывает влия­ ние лишь на миграцию электронов, было получено в работе [94].

В стационарных условиях при наличии электрического поля

уравнение для се

принимает вид

 

 

 

d

de.e

 

ац>{х)

АсАсе

+

Ф(х) = 0.

dx

dx

" e

dx

 

 

 

Здесь q>(x) — потенциал

в

диффузном

слое,

выраженный в еди­

ницах кТ/е. Полагая, что этот потенциал затухает экспоненциаль­

но,

так

что

<р(х) =

т|/ ехр(—х/L),

где

L — длина

затухания

ф(х) (г|/ также выражен в единицах

кТ/е,

причем, если l

^ '

l ^ l

то

L — х - 1 ) ,

и

 

производя

замену

переменных

се

=

=

и(х)

exp

[V2 i|)' exp (— x/L)],

после преобразований

получаем

 

и" — (j-

 

-ф' exp ( - x/L) + -

i -

(я))')2 exp ( -

2x/L) +

m2 ) и

=

 

 

 

 

 

=

-

L 2

exp (-

- i -

я|/е-^),

 

 

(3.1

 

 

 

 

 

 

e

 

 

 

 

 

 

 

где

m 2

= ~

r

- L

\

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

60


Уравнение (3.16) без правой части совпадает с уравнением (3.7), если Q2 (х) равно многочлену перед функцией и{х).

Учитывая связь между се(х) и и{х) и то обстоятельство, что электроны достаточно быстро захватываются поверхностью, так что с(О) = 0, на основании (3.9) найдем

ехр ('ДО')

^ Ui (x/L)

Ф (х) ехр —-|-я]/ е х Р (— X I L ) 'dx,

(3.17)

«i(0)

 

 

 

где Ui{x/L), как и ранее, линейно-независимое решение однородной части уравнения (3.16), стремящееся при х —> со к нулю. Это ре­ шение выражается через вырожденную гипергеометрическую функцию xFt [95] по формуле

щ {x/L) = ехр (x/2L)

ехр (— х/ЩЧ*т X

 

X ехр •4-я|)'ехр(— x/L)\1F1[l

+ n t , 2m + 1, "ф'ехр

(—x/L)}.

Подставляя выражение для ut в формулу (3.17), получаем оконча­ тельное выражение для фототока

 

 

/ =

 

v\l-

iFi(m,

 

 

-

j

_

J ф ( я

) е х р . ( -

Qx)

X

 

 

 

 

 

 

 

 

2 т - f

 

 

о

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X i ^ i [ m ,

 

+ 1, — г|/ехр(— x/L)]dx}.

 

 

(3.18)

 

Когда л|/ =

0,

то 1F1

 

(т,

 

-f- 1, 0)

= 1, и

выражение (3.18)

совпадает с

(3.11)

в пределе кв

 

со. Влияние

поля

сильно

сни­

жается,

если L ^>

х0,

т. е. толщина диффузного

слоя превышает

толщину

области,

где

Ф(х) отлична

от нуля. В этом случае в об­

ласти

интегрирования,

которая

определяется

областью,

где

Ф(х)

не

равно

нулю,

фупкция

^

[т, 2т +

1, — i|/exp(—

x/L)}

становится фактически постоянной,

и тогда можно полагать, что

она равна ^ ( т ,

+

1, —

 

ty')-

Используя

 

асимптотическое

выражение

для-

[т,

+

1, — г|з' ехр

(—x/L)]

в

пределе

|гр'

| ^ > 1 [95], можно показать, что фототок / либо равен нулю

(я];' ^>

>

0), либо достигает насыщения (я]/<^ 0). В отсутствие

акцепторов

. ( т = 0) фототок /

равен

нулю,

т. е., несмотря на сильное

электро­

статическое

отталкивание (а|/ <

 

0),

все

электроны возвращаются

обратно на поверхность электрода *.

 

 

 

 

 

 

 

 

Для вычисления фототока по формуле (3.18) необходимо за­ дать конкретный вид функции источника сольватированных элект­ ронов.

4 Такой

вывод следует из

решения

стационарной

задачи при условии

се (оо)

= 0, которое справедливо

только, если с А

ф 0. Когда акцепторов

в растворе нет, условие се

(оо) =

0

в стационарном режиме не может быть

реализовано.

 

 

 

 

61


В работе [94] был вычислен фототок как функция

концентрации

электролита для нескольких простейших

моделей.

Результаты

этого расчета подробно обсуждаются ниже

(см. 5.3).

 

Фотодиффузпонньге токи в условиях разряда на электроде ак­ цепторов. Если в рассматриваемой области потенциалов акцептор (например, ион водорода) восстанавливается на электроде, его приэлектродпая концентрация падает, достигая в условиях пре­ дельного тока нулевого значения. Уравнение для концентрации сольватированных электронов в рассматриваемом случае имеет следующий вид:

°° - кАСА с° +ф = °-

<3 -1 9 )

При расчете фототока в работе [96] предполагалось, что в диф­ фузионном слое с толщиной 6^ концентрация акцепторов меняется линейно с расстоянием от электрода (модель диффузионного слоя Нернста):

 

 

 

-о— X

При

X <^ б,у

 

 

 

oN

 

 

 

 

 

 

СА

При

X >

бдг

(el концентрация

акцепторов в растворе

вдали от электрода).

В действительности ход

СА(Х)

вблизи внешней границы диффу­

зионного

слоя (х ~

6JV) отличается от этой модели [97]. Но, по­

скольку

электроны образуются на расстояниях порядка xQ<^L 8^,

линейный закон для

СА{Х)

можно считать

справедливым во всей

рассматриваемой области х. Затухающее на бесконечности част­ ное решение соответствующего однородного уравнения имеет вид [80] _

Здесь | = (сдАдДЭеблг) ,,2х, la (z) — модифицированная функция Бесселя порядка а [95]. В области х, где Ф (х) существенно отли­

чается от нуля,

и для сх (х) справедливо разложение

 

. 3 2 / 3 Г (2/3)

3 4 / 3 Г (4/3).

где T(z) — гамма-функция [95].

Тогда

фототок /', соответствующий граничному условию

fie(0) = 0,

будет равен

Как видно из формулы (3.20), характер зависимости фототока от концентрации акцепторов в условиях их реакции на электроде

62


в режиме предельного тока отличается от того, который имеет ме­ сто для электрохимически неактивных акцепторов [формула (3.14)]. Фототоки оказываются пропорциональными, соответственно,

(с!)*.' и (ci)V..

3.3. Случай периодической зависимости интенсивности освещения от вре.мени

Рассмотрим теперь закономерности фотодиффузионных процес­ сов в условиях освещения электрода светом переменной интенсив­ ности. В силу конечной скорости диффузии, а также химических превращений в объеме и на электроде, временные характеристики I s ж I должны в общем случае быть разными. С помощью иссле­ дования этого отличия можно, как будет показано ниже, получить дополнительную информацию о кинетике протекания химических и электрохимических реакций, в том числе с участием нестабиль­ ных продуктов, образующихся вблизи электрода. Время жизни

сольватированного

электрона в растворе

определяется

меньшей

из двух величин: времени диффузионного

возвращения

на элект­

род

t-y

xl/De и

эффективного времени

захвата акцепторами в

растворе t2

=

ilkAcA.

 

 

 

 

Пусть интенсивность освещения периодически меняется во

времени с частотой Q; соответствующая

переменная

составляю­

щая фотоэмиссионного тока, имеет тогда вид / = / 0

exp (iQt),

где

10 — амплитуда

колебаний фототока. Если частота Q меньше об­

ратного времени

замедления и сольватации электронов

(т. е.,

по

грубым оценкам,

 

меньше 101 1 —101 2 сев - 1 ), то функция источника

имеет

вид

Ф (х)

= Ф 0 ( ж ) exp(iQi), причем, как следует

из (3.4),

 

 

 

 

со

 

 

 

 

о

Для достаточно больших времен, прошедших от начала опыта, т. е. когда закончились переходные процессы, решение уравнений

(3.3) и

(3.3а) следует искать

в виде

ffe = се (х)

exp (iQt)

и с' =

= с'(х)

exp

(iQt).

 

 

 

 

 

 

 

 

В простейшем случае, когда продукты [еА] не реагируют на

электроде, из (3.3) получаем [87] для

результирующего фототока

выражение,

аналогичное

(3.11):

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ехр( — Qnx)

dx.

(3.11а)

 

 

О

 

 

 

 

 

 

 

 

Здесь

Qa

V (iQ

+ kAcA)/De

— Qx

+

i<?2, причем

 

 

 

 

 

Й

(V(^A)2

+

Qa" -

& A C A ) - 1 / 2 ,

<?» =

Q

 

 

 

V2Do

 

 

 

 

 

 

 

 

63


Величина /, с учетом комплексности QQ, может быть записана в виде / — /„ exp It (Ш + 0)], где /„ — амплитуда результирую­ щего фототока, а 0 — сдвиг фаз между / и / , возникающий за счет диффузионных процессов. При больших Qlt как следует из (3.11а), 0 = 0. Это соответствует тому, что все эмиттироваиные электроны поглощаются акцепторами, и обратный диффузионный ток отсут­ ствует.

При малых Q1 (Qi^o < ^ 1), когда фазовый сдвиг наиболее суще­

ствен, из (3.11а) получим

 

 

 

 

t g 0

=

/ ' Q *

 

 

(3.21)

Обратим внимание

на то,

что сдвиг фаз

0

не

зависит от х0,

а определяется лишь соотношениями между

De,

Q

и скоростями

процессов, протекающих с участием сольватированных электро­ нов. По характеру частотной зависимости величины tg© можно судить о скорости захвата сольватированных электронов поверх­ ностью металла, а также о скорости захвата электронов акцепто­ рами. В пределе ks оо получаем tg 0 = QJQi^ ч т о аналогично соответствующему выражению для сдвига фаз между током и по­ тенциалом при пропускании переменного тока через систему с объемной химической реакцией [98, 99].

Если продукты [еА] принимают участие в электродной реакции, картина оказывается более сложной. Пусть, например, акцепто­ рами являются ионы водорода. Продуктом [еА], образующимся в объеме, в этом случае является атомарный водород, который, ад-

сорбируясь на электроде5

(Н" —> Н а д 0 ) , может вступать в следую­

щие электродные

реакции:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Н а д с

+

Надс^-_>Н2 ,

 

 

 

(3.1)

 

 

Наде + Н 3 0 +

+ е-

Н а

+

Н 2 0 ,

 

 

(З.И)

 

 

 

Н а д с

+

H e O

Н 3

0 +

+ е-.

 

(3. I I I )

В принципе возможна также рекомбинация в объеме

раствора,

Н -f- Н

Н 2 , однако в силу низкой объемной концентрации

ато­

мов водорода она протекает очень медленно, и ее можно

не учиты­

вать.

Как

видно

из приведенных

схем,

реакции

(З.П) и

( 3 . I I I )

сопровождаются

дополнительным

электронным

переходом.

 

Заметим, что диффузиониый поток продуктов [еА] на поверх­

ность

электрода

eD'(dc'/dx)x=0

совпадает с

электрическим

током

/ ' в уравнении (3.1) лишь в отсутствие поверхностной рекомбина­ ции (3.1). В противном случае имеем D'(dc'/dx) = k2Q + МЭ21 где к2 — константа скорости электрохимической десорбции [урав­ нение (З.П)], кг — константа скорости рекомбинации, 8 — сте-

5 Реакции типа (З.П) и (З.Ш) могут протекать и минуя стадию адсорбции (подробнее см. 7.1), что, однако, не меняет существа проводимых расчетов.

64