Файл: Кудрин, Л. П. Статистическая физика плазмы.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.10.2024

Просмотров: 176

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Функция Кя(а, г12) для вещественных а совпадает с определе­ нием парной функции корреляции диполя с фиксированным на­ правлением а и с суммарным зарядом Z\ и кулоновской ча­ стицы с зарядом Z2*.

Рассмотрим теперь высокотемпературную классическую плаз­

му

и вычислим №(Е) в такой плазме с помощью

функции

/(я (а, ги) в приближении самосогласованного поля

Дебая—

Хюккеля. Поскольку рассматриваемая система в целом однород­ на и не находится во внешнем электромагнитном поле, то кор­ реляционная функция /Си(а, Г[2) зависит от разности координат (см. вторую главу), и можно перейти к относительной перемен­ ной Г!—г2. Тогда задача сведется к отысканию функции распре­ деления диполя в системе кулоновских частиц во внешнем поле

с потенциалом Z2/r. Поскольку потенциальная энергия

диполя

в самосогласованном дебаевском поле имеет вид

 

 

 

 

Z2 {Zx + а V) exp (— xDr)/r,

 

то для г>/? получим

 

 

 

 

 

K R ( a ,

г1г) =

Р-2 ехр {— |3Zf (Zi -f «V) exp (— к г ) / г ] .

(10.43)

Тогда из выражения (10.40)

 

 

 

 

 

In f(q) = In А (iq) = — i ^

n* Z* j* у j exp [— pZxZs X

 

 

 

s

 

0

 

 

X

[exp (—x D r)

iZ^qV

 

1

dr = — 4я J ] ns X

r

 

 

Г

 

 

 

 

 

 

S

 

аде

X (I 2 ,

I?)s/’ op [xD(I Z, I

q)4\

PZ,Z, (|

z , 1

(10.44)

 

 

 

 

 

 

 

 

Ф(*. У ) = Г 2‘

 

1 + XZ

 

 

 

 

 

о

 

 

 

 

 

х

{' -

^ т + f 1 si" [ -

^

“ >]) •

 

Отметим, что если Zi^O, то выражение (10.44) имеет смысл лишь для системы зарядов одного знака с компенсирующим фо­ ном. При Zj = 0 xd= 0 выражение (10.43) совпадает с распре­ делением Хольтсмарка:

1п/ ( ? ) = -

(2я | Zs | q)'h .

(10.45)

* Для атома Zi = 0. Случай Zi¥=0 соответствует водородоподобному иону (например, однократно ионизованному атому гелия), для которого собствен­ ный дипольный момент отличен от нуля.

112


Переход от формулы (10.45) к обычному выражению для распределения Хольтсмарка (10.16) осуществляется просто:

W (Е) = 4я£ 2 W (Е) = —

7/ (q) sin (Eq) qdq.

Jl

J

 

0

Учитывая, что W(a)da= lF(E)c?E;

a = E/Eo\ £o — 2,60 e/r20 и

(4я/3) r03/is= 1, легко получить формулу (10.16).

Рассмотрим теперь средние квадратичные значения микрополя и влияние взаимодействия частиц на асимптотику распределения

W (Е) при Е^О и Е-+оо.

Исходя из определения f (q)

как фурье-

компоненты W(E), можно получить соотношение вида

ЕЁ™= (—1)"! (2m +

, т = 1, 2 . .

. (10.46)

 

dq2'n ?=о

 

Рассмотрим случай, когда в точке наблюдения находится нейт­ ральный атом (Z i= 0), и вычислим потенциальную энергию си­ стемы и, обусловленную взаимодействием частиц. Поскольку Е2 при бесконечно большой температуре 0 = 0) описывает собст­ венную энергию системы, то

и = (Р/8я) Urn [(Е2)е_R — (E2)0i R],

(10.47)

где индекс R означает, что в точке наблюдения находится объ­ ект конечного размера R (твердая сфера). Легко видеть, что из выражений (10.44), (10.46) и (10.47) следует:

у_ - у . (10.48) 8я

S

Это хорошо знакомое (см. третью главу) выражение, физически соответствующее закону равнораспределения энергии по степе­ ням свободы в дебаевской плазме. Если в точку наблюдения по­ мещен заряд Zi^=0 (Z,Z3>0), то из выражений (10.46) и (10.44)

следует:

 

 

Е2 = У, nsZs$ Z x.

(10.49)

 

 

S

 

 

 

Рассмотрим теперь особенности поведения функции распре­

деления

 

 

 

 

 

 

w (Е) = AnE2W (Е) = (2Е/п)

“ / (q) sin (Eq) qdq,

(10.50)

 

 

 

о

 

 

при

0

и Е->-оо. Существенно,

что

функция ф(х,

у) при

Х- + 0 0

стремится к конечному положительному пределу,

а функ­

ция f(q)

непрерывна при всех q. Следовательно, w(E)

анали-

тична при

всех конечных значениях.

Е

При малых полях w(E)

из


определяется квадратичным членом в разложении по степеням Е (точнее, при малых значениях а = Е/Е0, где Е0— напряжен­ ность поля, соответствующая среднему межчастичному расстоя­ нию) :

 

Е0 = (I Z , f ' Y ' V r l

 

 

 

В линейном по xD и Z\

приближении

можно написать:

 

 

 

 

4

 

с^ХдГ,, +

 

 

E0w (Е) = w0(а) = а2 —— [ 1 +

 

 

 

 

Зл

L

 

 

 

 

c2afiZ

z s

г /0 ,/*],

 

(10.51)

где

+

г0 4 l

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

■ =

/ Л - 4Л.

 

X

?

= —

I 2 ,

 

22(1 2 , Г О

 

 

Cl =

35Г (4/3)/9 У 2л ;

с2 = 25 Г я

Г (5/3)/16 | / 2 .

Положив

xd = 0 и Zi = 0,

получим

распределение Хольтсмарка.

Для больших значений Е удобно записать

общее

выражение

(10.50) в виде

 

оо

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(10.52)

 

w (Е) — (2Е/л) 1гп f exp (iEq) f (q) qdq.

 

 

 

о

 

 

 

 

 

Интеграл в этом выражении аналитичен

при Rer)<oo, где ц —

= \Е. Следовательно, его можно

вычислить при вещественных

отрицательных ц, перейдя

затем

к

чисто

мнимым

значениям

Imri = £'. При этом оказывается, что существенна область малых значений q (малых передач импульса в процессе межчастичных столкновений).

Если q-*0, то и In/(<7)-н»0, тогда можно разложить f(q) в ряд по степеням 1п/(<7). Ограничившись первым неисчезающим

членом этого разложения в линейном по Хс приближении,

полу­

чим

 

 

 

w(a) = ■

п

(! + KofiZiZs) X

 

4 у 2л

 

 

X ехр

g—*/«

pzxzs а !*j a

(10.53)

где

 

 

 

8S = Z 'H

2 , Г 7* •

 

Как видно из выражений (10.51) и (10.53), при малых а опре­ деляющую роль играет корреляция зарядов, создающих микро­ поле, в то время как при больших значениях а существенной яв-

114


ляется экранировка пробного заряда, помещенного в точку на­ блюдения. Этот результат вполне естествен, так как при боль­ ших а возмущение, обусловленное флуктуациями микрополя, определяется в основном ближайшим соседом. При больших значениях а эффект экранировки приводит к увеличению веро­ ятности больших напряженностей микрополя.

Отметим, что до сих пор при рассмотрении внутриплазменного поля электроны и ионы считались равноправными. На са­ мом деле это не всегда правомерно, особенно в термодинамиче­ ски неравновесной двухтемпературной плазме, когда Те>Т{. Вследствие большой подвижности электронов по сравнению с подвижностью ионов электроны должны рассматриваться в так называемом ударном приближении, в то время как ионы в ши­ роком интервале температуры и плотности можно считать квазистатическими. Несколько подробнее обсудим критерии при­ менимости этих приближений в следующем параграфе. Здесь же отметим, что квазистатическое приближение является тем более точным, чем больше а=Е/Е0.

§ 11. О ШИРИНЕ СПЕКТРАЛЬНЫХ ЛИНИЙ АТОМОВ И ИОНОВ В ПЛАЗМЕ

Асимметрия творит явление. Пьер Кюри*

Рассмотрим отдельные вопросы уширения спектральных ли­ ний атомов и ионов в плазме, отсылая читателя к известной кни­ ге Грима «Спектроскопия плазмы», а также к работам В. И. Ко­ гана, В. С. Лисицы, Г. В. Шолина и И. И. Собельмана.

▲симметрия спектральных линий водорода в плазме

Выше говорилось о квазистатическом действии «ближайше­ го соседа» на атом водорода. Возникает вопрос: когда же воз­ мущающий ион можно рассматривать квазистатически г Физиче­ ски очевидным критерием применимости этого приближения яв­ ляется требование, чтобы время жизни атома на данном штарковском подуровне было малым по сравнению с временем замет­ ного смещения иона. В явном виде этот критерий выражает оп­ ределенное условие для плотности и температуры плазмы:

* Мы воспользовались здесь вольным переводом слов П. Кюри, не иска­

жающим,

'впрочем, смысла его высказывания. Более точный

перевод гласит:

«Действия — это

явления, для возникновения которых всегда

необходима не­

которая

диссимметрия. Если этой диссимметрии нет, то явление невозмож­

но». (П.

Кюри.

Избранные труды. Пер. с франц. М.— Л.,

«Наука», 1966,

115


где tiu

М — плотность и масса ионов;

Ке, п г — дебройлевская

длина

волны и масса электрона;

п — главное квантовое число

рассматриваемого терма. Для п = 4,

Т ^

1 эв, п ^ 1015 смтг кри­

терий (11.1) уже выполняется с запасом.

Рассмотрим такие условия для водородной частично иони­ зованной плазмы, когда допплеровская ширина линии

мала по сравнению со штарковской шириной Дшт. Тогда фор­ ма линии определяется, во всяком случае вдали от центра ли­ нии, эффектом Штарка, обусловленным квазистатическим внутриплазменным полем *.

Эксперименты, проведенные как у нас в стране (Н. Н. Собо­ лев, В. Ф. Китаева), так и за рубежом (Визе), показывают, что в достаточно плотной водородной плазме наблюдается асиммет­ рия контуров линий Нр и Не, которая выражается в большей интенсивности «синего» максимума профиля линии по сравне­ нию с «красным». Эксперименты по спектроскопии плазмы в плазме водородной дуги, горящей в атмосфере гелия и аргона, а также в плазме ударной трубы указывают на довольно замет­ ный эффект асимметрии. Так, при /1; ~ 1017 слг3 изменение ин­ тенсивности в максимумах составляет 10% для линии Нр. На­ блюдается также смещение положения максимумов интенсивно­ сти относительно центра линий. Следует отметить, что сущест­ вующие теории формы спектральных линий (в частности, извест­ ная теория Грима, Колба и Шена [3]), не могут объяснить об­ наруженной на опыте асимметрии.

Покажем, что этот эффект можно объяснить при достаточно больших tii квазистатическим действием микрополя плазмы, ко­ торое в плотной плазме уже нельзя считать однородным. Из­ вестно, что однородное электрическое поле, вызывающее линей­ ный штарк-эффект, может обусловить лишь симметричное рас­ пределение интенсивности относительно центра линий. Покажем, что учет неоднородности поля, создаваемого ближайшим сосе­ дом, не только объясняет эффект асимметрии водородных линий качественно, но и приводит к количественному описанию экспе­ римента. Можно показать, что этот эффект зависит от плотности плазмы. Если это так, то можно предложить новый метод диаг­ ностики плазмы, в данном случае— метод измерения плотности заряженных частиц в умеренно плотной плазме.

* Критерий (11.1) физически очевиден, но его не следует абсолютизиро­ вать. Более полный и строгий критерий применимости квазистатического при­ ближения, а также ударного механизма уширен,ия линий содержится в рабо­ тах В. И. Когана, В. С. Лисицы и Г. В. Шолина. Там приведены интересные соображения, касающиеся внутриплазменного микрополя. В частности, реше­ на задача об изменении штарковской картины уширения линий во вращаю­ щемся электрическом поле, обусловленном пролетающей мимо излучающего атома заряженной частицей.

116