Файл: Кудрин, Л. П. Статистическая физика плазмы.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.10.2024

Просмотров: 199

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

путем измерения интенсивности у-излучения радиоактивных ядер, введенных в плазму. В последнем случае измеряется ин­ тенсивность свечения из узкого канала, вырезаемого подвижным свинцовым коллиматором.

Когда

плазма

 

являет­

 

 

ся источником у-излуче-

 

 

пия,

независимое

 

измере­

 

 

ние

распределения

плот­

 

 

ности

проводить,

вообще

 

 

говоря, не обязательно.

 

 

Продемонстрируем

это

 

 

утверждение

для

 

случая'

 

 

цилиндрической

 

снимет-'

 

 

рии

плазменного

 

 

объема,

 

 

как

источника

у-излуче-'

 

 

.пия. Поскольку для жест­

 

 

ких

у-квантов

 

плотная;

 

 

плазма

является

 

практи-1

 

 

чески

оптически

 

 

тонкой,!'

 

 

можно пренебречь само-|

 

 

поглощением у-излучения.

 

 

Пусть в сечении плазмен­

 

 

ного

объема

устанавли­

 

 

вается

равновесное ра­

 

 

диальное

распределение

Рис. 37. К методу определения плотности

п(г) источников

 

излуче­

 

плазмы

с пересчетом по формуле Абеля.

ния.

На

опыте

регистри­

 

(или числа счетов) в зависи­

руется распределение яркости I(х)

мости от х-расстояния от оси симметрии (рис. 37). На этом ри­

сунке окружности

представляют кривые равной плотности (изо­

хоры).

что соотношение между я (г) и 1(х)

является

Легко видеть,

чисто геометрическим и определяется формулой

 

 

/ (х) = 2 f

(32.17)

 

J (/■* —xV*

 

 

г = х

 

где R — радиус цилиндра. Это уравнение может быть разрешено аналитически относительно я (г) с помощью формулы Абеля, если известна функция для I (х). Р. Пирсом построены специаль­ ные таблицы для описанного выше пересчета.

В заключение отметим, что ввиду высокого потенциала иони­ зации ксенона при рассматриваемых температурах и давлениях невозможно достигнуть условий, когда г\ = е2$ /г ^ 1. Поэтому со­ здать неидеальную плазму в этих условиях можно, лишь доба­ вив в ксеноновую плазму легкоионизуемую добавку, например цезий. Тогда ксенон будет выступать в качестве «ксенонового термометра».

33 3


§ 33. УРАВНЕНИЕ СОСТОЯНИЯ И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО ПАРА

В последнее время появилось несколько экспериментальных работ, посвященных исследованию уравнения состояния метал­ лов преимущественно в области критических температур [1, 6,

8, 10]. В частности, получены критические параметры

цезия,

рубидия, калия и натрия.

(под руководством И.

К- Ки­

В ИАЭ им. И. В. Курчатова

коина) проведены интересные исследования уравнения

состоя­

ния ртути в области температур

до 2000° С при давлениях

200-^-5000 атм. Исследовано также поведение электропроводно­ сти ртути в указанной области изменения термодинамических параметров [б]. Работа была предпринята с целью проследить, как изменение межатомного расстояния влияет на металличе­ ские свойства вещества. Очень интересно в связи с этим было изучить переход от практически непроводящего состояния ме­ таллического пара в проводящее состояние металла при изме­ нении плотности в системе. В рассматриваемой области изме­ нения плотности можно ожидать качественных эффектов, свя­ занных с заметным перекрыванием волновых функций электро­ нов соседних атомов.

В рабочем объеме измеряли давление, температуру и плот­

ность ртути, причем последнюю

определяли по интенсивности

у-излучения изотопа 203Hg

(£А= 270

кэв). Измерялась также

электропроводность ртути.

При

этом

электрический контакт с

ртутью осуществлялся с помощью никелевых стержней н капил­ ляров, введенных внутрь капилляра с парами ртути. Темпера­ тура измерялась с помощью стандартной вольфрам-рениевой термопары, а давление (с погрешностью ± 1% ) — с помощью образцовых манометров высокого давления.

Экспериментально были определены следующие критиче­ ские параметры ртути: Т,ф—1480± 10°С; Р1ф== (1500± 10) ата;

р1ф= (5,7+0,2) г/см3. Измерения термодинамических свойств ртути проводились в подкритической и закритической областях. На рис. 38 представлена зависимость плотности ртути от тем­ пературы при неизменном давлении (изобары). Изучение этих изобар и позволило определить приведенные выше критические параметры.

В подкритической области при низких температурах и дав­ лениях пары ртути представляют собой газ с чрезвычайно ма­ лой степенью ионизации. В случае достаточно низких темпера­

тур (нормальных)

и высоких давлений ртуть ведет

себя как

нш мальная металлическая жидкость. Плотность

р в

рассмат­

риваемых условиях

изменяется в

пределах

1—13,6 г/см3, что

соответствует изменению плотности

частиц

от

7-1021 емт3 до

1 -1023 см~3. Нетрудно видеть, что этот интервал соответствует лишь сравнительно небольшому изменению среднего расстоя­

33 4


ния между атомами го от 1,4-10-8 до 4-10-8 см. Среднее рас­ стояние между атомами, однако, таково, что оно сравнимо с размером самого атома. В связи с этим уравнение состояния такой системы разумно было бы изучать с помощью статисти­ ческой теории типа теории Томаса — Ферми, используя гра-

Рис. 38. Зависимость плотности ртути р, г/см3, от температуры при постоян­ ном давлении (изобары).

ничиые условия, соответствующие высокой плотности атомов. Нельзя ли интерпретировать эксперимент, используя мо­ дель, рассмотренную в § 31? Согласно этой модели, плотная плазма состоит в основном из ионов, нейтральных частиц и сильно связанных электронов. Используя выражение для сво­ бодной энергии такой системы (31.39), легко получить уравне­ ние состояния, дифференцируя свободную энергию по объему

системы при неизменных температуре и числе частиц*:

р = - (df/dVOp. N,;

Р = р™ + Р Т + А Р ,

(33.1)

г д е

 

 

рДР = пе (^ -------Л =

е2р/г0;

(33.2)

* Полученное здесь уравнение состояния очень похоже на уравнение со ■стояния Берлина и Монтролла (18.12).

335

го — среднее

расстояние между

электронами; пе— плотность

электронов;

$=l/kT\ а — фактор

порядка единицы, учитываю­

щий корреляцию электронов, находящихся в осцилляторной по­

тенциальной яме

(см. § 31);

Р"А и Р /я— давления идеальных

газов атомов и ионов соответственно.

равновесия

(31.40)

Используя

уравнение ионизационного

 

 

( 2сф/0

 

 

 

можно вычислить па и пе при заданных Р И р.

 

Отметим, что

в рассматриваемом эксперименте измеряемая

плотность равна

плотности

ядер, т. е.,

поскольку

пе=П{, п =

= пе + па. Это

вычисление предлагается

проделать читателю и

убедиться, что

получаемое

увеличение

плотности

электронов

с ростом давления при неизменной температуре существенно ниже экспериментального. Дело в том, что уменьшение потен­ циала ионизации, описываемое вторым членом в показателе экспоненты в формуле (33.3) при небольшой степени иониза­ ции, соответствующей эксперименту, является незначительным.

Результаты измерения электропроводности ртути также чрез­ вычайно интересны. На рис. 39 представлена зависимость отно­ сительного сопротивления от температуры при фиксированных давлениях в рабочей камере (R0— сопротивление при нормаль­ ных условиях). Как видно из рисунка, сопротивление в рас­ сматриваемой области изменения температур и давлений ме­ няется чрезвычайно сильно (максимально на шесть порядков величины!). Оказывается, что в области р= (9-^-П) г/см3 от­ ношение R(T)/R0 изменяется, хотя и экспоненциально, но пока­ затель экспоненты невелик. Однако при р < 9 г/см3 зависимость от температуры более сильная.

Интересны также экспериментальные результаты по темпе­ ратурному коэффициенту электросопротивления ртути при по­ стоянной плотности

(33.4)

Как видно из рис. 40, температурный коэффициент, оставаясь отрицательным при р«£9 г/см3, резко возрастает по мере умень­ шения плотности. Кривые в области р= 8,5ч-9,0 г/см3 обна­ руживают излом, соответствующий началу резкого возрастания температурного коэффициента.

Эксперимент показывает, что при уменьшении плотности ртути изменяется качественно характер ее электропроводности. Проводимость перестает быть чисто металлической. С другой стороны, при относительно низких температурах степень иони­ зации ртути ничтожна, поэтому большая электропроводность не может быть объяснена подвижностью зарядов. Действитель-

3 36


Рис. 39. Зависимость электросопротивления ртути ог температуры при неизменном давлении в рабочей ка­ мере.

Рис. 40. Зависимость температурного коэффи­ циента ртути от ее плотности.

но, из-за сильной связи имеется слишком мало свободных электронов, подвижность же ионов достаточно мала. Поэтому должен существовать новый механизм электропроводности, не обусловленный ни механизмом проводимости в металлах, ни подвижностью зарядов (что имеет место в разреженной

плазме).

Попробуем интерпретировать результаты эксперимента по электропроводности с точки зрения модели, рассмотренной выше. В зависимости от концентрации нейтральных частиц весь диапазон изменения концентрации можно условно разде­ лить на две области с промежуточными и высокими концентра­ циями. В области промежуточных концентраций перекрытие волновых функций атомов еще мало, и основной вклад в элек­ тропроводность вносит, по-видимому, переход электронов с нейтральных атомов на положительные ноны. Происходит диф­ фузионная миграция связанных электронов от атомов к ионам. Если барьер для такого перехода невелик, то образующийся ток электронов не мал. Физически очевидно, что этот барьер уменьшается при сближении атомов и ионов.

Если коэффициент диффузии для подобного механизма из­ вестен, то проводимость можно оценить, пользуясь известным

соотношением Эйнштейна

 

 

 

а =

riffi/D,

(33.5)

где D = r£v;

п{— плотность положительных ионов; г0— среднее

расстояние

между атомами

и ионами; v — частота

переходов

электрона между ними, по порядку величины равная

(33.6)

 

v

Aе/Й.

При этом Ае представляет собой разность термов квазимоле­ кулы (или реальной молекулы, если ее образование возможно, например, Н ф. составленной из атома и его положительного

иона). Вычисление Ае требует точного знания волновых функ­ ций электрона в поле, вообще говоря, многоэлектронных ато­ ма и иона. Значение Ае известно в настоящее время достаточно точно лишь для простейших систем типа молекулярного иона водорода.

Отметим, что выражение (33.6) является приближенным и

справедливо, когда расстояние между

уровнями сравнимо с

ЦТ, что соответствует переходу типа

Ландау — Зинера. По­

скольку удается сделать оценки лишь по порядку величины, то для Ае можно записать асимптотическое выражение для рас­ щепления основного состояния водородоподобного молекуляр­ ного иона [9]

(33.7)

338


где ао — боровский радиус; у — потенциал

ионизации

атома в

ридбергах;

г0 — среднее

расстояние

между

атомом

и

ионом;

Г (х )— гамма-функция.

Из формул

(33.4) — (33.7)

получим [2]

 

егаа

2

 

1

 

 

а — п.

2 V

 

 

 

 

 

 

 

 

ФП Г (1/v) exp (1/V) ( f

) y

M -

v

) - (33'8>

С увеличением плотности плазмы перекрытие атомных вол­ новых функций становится более существенным. Поиведенпые

Рис. 41. Зависимость электропроводности цезия от температуры при неизменном давлении.

оценки теряют смысл. По-видимому, при увеличении плотно­ сти возникает проводимость, обусловленная перекрытием воз­ бужденных, а затем и основных уровней атомов. Это ведет к возникновению металлической проводимости.

Для практического использования в МГД-генераторах ско­

рее всего перспективна область промежуточных

плотностей,

когда перекрытие волновых

функций

отдельных

атомов еще

только начинается.

 

электропроводность

паров цезия

В работе [1]

исследована

в закритических

условиях

(7'кр= 1784+40° С, ЯКр=145±20 атм,

р1;р = 0,311+0,012

л/моль).

Оказалось,

что электропроводность

цезия в этих условиях слабо отличается от металлической. Из­ мерения а в области перехода показали, что электропровод­ ность резко падает с уменьшением давления. Зависимость от­

ношения о/ао для цезия от температуры

при фиксированных

значения^ давления

приведена на рис. 41.. Здесь сто — электро­

проводность цезия

при нормальных условиях. Интересно, что

в рассматриваемых

пределах

изменения

температуры

сопро­

тивление цезия меняется на

четыре порядка величины.

В обла­

339