Файл: Хачатурян, А. Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 16.10.2024

Просмотров: 145

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

где к = (х, kz), к2 — проекция вектора к на направление моду­ ляции [001], X — проекция вектора к на плоскость (001), с$ и с%— составы двух фаз, образующих модулированную структуру.

Величина ф? (kz) для модулированной структуры, изображенной на рис. 54, равна

 

2 sin (kz d/2)

Ф? ( К ) =

(34.15)

где d — толщина включений первой фазы (см. выражение (4.П.6)). Определение S (т) дано в примечании к формуле (4.П.1). Под­

ставляя

(34.14)

в

(34.10) и

учитывая,

что

для случая а 0

b

q Ä 2лН, полним:

 

 

 

 

 

 

где

 

 

7(ц) =

|Фм(к,Н)|27м(к),

 

(34.16)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ф

м (к, H )

=

[ / i g l

2яНк

,

, I

4 sin* (kz d/2)

(34.17)

к*

 

>А\

к2

 

 

 

 

 

 

 

— «атомный фактор» модулированной структуры,

 

 

 

 

 

 

 

sin®(kzLJ2)

 

 

 

 

 

 

7М(k) =

IS (т) I2 sin®(kza0ß)

 

(34.18)

— ее интерференционная функция Лауэ. Функция (34.18) имеет резкие максимумы вблизи узлов «обратной решетки»

|=Г = -£-п (т = 0, + 1 , + 2,... , + оо),

(34.19)

расположенных на расстоянии 1/а0 друг от друга (п — единич­ ный вектор в направлении [001]). Каждому узлу «обратной ре­ шетки» (34.19) отвечает соответствующий сателлит на рентге­ нограмме сплава. Распределение интенсивностей сателлитов опи­ сывается выражением (34.16).

Так как интерференционная функция Лауэ (34.18) отлична от нуля практически только в узлах «обратной решетки» (34.19), а «атомный фактор» (34.17) есть плавная функция своего аргумента

kz, то выражение

(34.16)

можно

упростить,

представив его в

форме

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7« (к, Н) =

ЪКт

2я (HkJ

 

 

 

 

 

'4 sin®

d/2)

1

 

 

 

 

 

Cll

k l

+ /в

— /л

' { С І - С І У

kml

I* (к)

 

 

 

 

 

 

 

 

или же, используя (34.19), в форме

 

 

 

 

7„(к ,Н )=

] Ц ^ Щ ? - ао +

І в .

/ а

21

0

0ч2 4 sin®(nmd/ao)

 

с11

 

 

 

' 1

С*>

(ят/ао)»

/«(к),

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(34.20)

304


где І т(к, Н) — распределение интенсивностей в сателлите тп-то порядка вблизи рефлекса матрицы, характеризуемого вектором обратной решетки Н.

Для того чтобы получить выражение для интегральной интен­ сивности сателлита m-то порядка, необходимо проинтегрировать выражение (34.20) по A-пространству вблизи m-то узла «обратной решетки» модулированной структуры. Учитывая тождество

п/а

<х>

сРт

 

sin2 (к. 2)

 

 

U S

 

|5(т)

= % 5 (001) = 4 ,

(34.21)

 

(2я)*

sin* (kzao/2)

—7С/0

 

 

 

 

 

 

где V — объем

комплекса,

5(00і) — сечение комплекса

плос­

костью (001), и используя (34.21) в выражении для интегральной интенсивности m-то сателлита

 

 

« ■ < « > =

f

—оо

 

 

 

 

получим:

 

 

 

—я/a

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/°т(Н) =

ЗКир

(Н, п) а0

 

/ 0

0\2 4 sin2 (nm d/ao)

Т/

^

С и

 

/ в

— / а

^

~ С*>

W ------Ѵ'

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(34.22)

Если / а ~

/ в ,

то интенсивность сателлитов в основном опреде­

ляется эффектом искажений.

В этом случае выражение (34.22)

упрощается и приобретает вид

 

 

 

 

 

 

/°т (Н) = [/

ЗКирао 12 ( Н ,

п )2

sin2 (пт d/ao) т/

(34.23)

 

 

 

 

Си

J те1

л*

Ѵ

 

Из выражения (34.23) следует, что все сателлиты, расположенные в плоскости, проходящей через узел обратной решетки Н перпен­ дикулярно к вектору п, имеют нулевую интенсивность. Прини­ мая во внимание последнее обстоятельство, можно построить рас­ пределение интенсивностей для одномерной модулированной структуры. Оно изображено на рис. 64.

В реальных условиях в сплаве одновременно присутствуют колонии одномерных периодических структур, модулированных в трех направлениях: [100], [010] и [001]. Создаваемая ими дифрак­ ционная картина может быть получена при наложении трех ди­ фракционных картин, полученных в результате преобразований поворота и отражения дифракционной картины, изображенной на рис. 64. В итоге мы приходим к дифракционной картине, изо­ браженной на рис. 63, построенной на основании данных рентге­ ноструктурного анализа.

Из выражения (34.23) следует, что отношение интенсивно­ сти сателлита т-то порядка к интенсивности сателлита первого

305


порядка равно

гО

• о

_1_

 

 

__

sin2JtmYi

 

(34.24)

sin2 яті

то4 ’

ГД е

^ = 4 -

Yi — объемная доля первой фазы.

что отношение интенсивности

Выражение

(34.24) показывает,

сателлитов второго порядка

к интенсивности сателлита первого

11-----

т=-

' I--------

т=-і

6)

Рис. 64. в) Обратное пространство, отвечающее одномерной модулирован­ ной структуре, изображенной на рис. 54. б) Расположение сателлитов отно­

сительно узла обратной решетки (002).

порядка менее 1/16, а интенсивности сателлитов третьего поряд­ ка — менее 1/81. В симметричном случае, когда у* = 1/2 (коли­ чество первой и второй фазы одинаково), интенсивности всех са­ теллитов четного порядка равны нулю.

В случае двухмерной модулированной структуры (рис. 56) выражение для интенсивности сателлитов можно получить анало­ гично тому, как было получено выражение (34.22). Будем иметь:

ЗКт (Н, п)

+ /в — /а

сі съ \2 sin2 ятсіт

V. (34.25)

* т 1

сц т

(m )2

Выражение (34.25) отличается от соответствующего выражения (34.22) множителем 1/4. В случае /а ~ /в отношение интенсивно­ стей сателлитов, связанных с двухмерной структурой, определя­ ется тем же выражением (34.24). Эти сателлиты располагаются на двух прямых [100] и [010], проходящих через каждый узел обратной решетки матрицы. Учитывая, что интенсивности сател­ литов в плоскостях, перпендикулярных к векторам Н, равна нулю, приходим к схеме дифракционной картины, изображенной на рис. 65.

Если в сплаве присутствуют три типа колоний двухмерных модулированных структур, отличающихся друг от друга ориента­ цией относительно осей куба, то наблюдаемая дифракционная

306


картина представляет собой суперпозицию трех картин, изобра­ женных на рис. 05. При этом мы вновь приходим к схеме, приве­ денной на рис. 63, которая была установлена в результате экс­

периментальных исследований.

 

Таким образом, в общем случае

дифракционная

картина

сплава с

 

 

 

сателлитами

не

может

быть

одно­

 

 

 

значно идентифицирована. Для то­

 

 

 

го чтобы отличить случаи одно­

 

 

 

мерной и двухмерной структуры,

 

 

 

необходимо с

помощью

одноосного

 

 

 

внешнего воздействия (например,

 

 

 

деформации

или магнитного

поля)

 

 

 

создать состояния с колониями толь­

 

 

 

ко одного типа.

 

 

 

еще

000¥-

 

 

Следует также остановиться

 

 

 

на одном весьма

существенном

об­

Рис. 65. Обратное простран­

стоятельстве. Все полученные выше

ство, отвечающее двухмерной

выводы справедливы в рамках

 

при­ модулированной

структуре,

ближения (2.36):

 

 

 

 

изображенной

на1 рис. 56, и

Фо (г) е*чи« Ä фо (г) + фо (г) • jqu(r)

расположение

сателлитов.

 

 

 

для рассеивающей способности узла

решетки г. Это

приближе­

ние справедливо

при

 

 

 

 

 

 

« Ѵ и \ + н % + н \

у - — — — -

 

 

~ j ---------------------------1

 

 

*

ю + В г т Щ

Ыо<С1.

аН,Н,Нз

 

0

 

 

 

 

 

 

Если принять во внимание высшие члены разложения функции ф0е{ч,,(г> по (qu(r)), то выражения для интенсивностей сател­ литов (34.22), (34.25) изменятся. Соответствующие поправки будут иметь порядок

Y( Hl + Ht + Ht)*ul

(34.26)

Для одномерной модулированной структуры эти поправки не приводят к качественному изменению в расположении сател­ литов. Однако в случае двухмерных структур ситуация пред­ ставляется более сложной. Кроме обычных сателлитов, располо­ женных на направлениях типа <100 > вокруг узлов обратной решет­ ки матрицы, должны возникнуть «суперпозиционные» сателлиты, расположенные на других направлениях; их векторы «обратной решетки» есть

где т1, т2 = ± 1 , ± 2, ± 3 , . . ., а щ и п2 — единичные век­ торы в направлениях [100] и [010]. Интенсивность этих сателли­ тов имеет порядок (34.26). Она существенно ниже, чем интенсив­ ность сателлитов, расположенных на направлениях типа <100 >.

307


§ 35. Электронномикроскопический анализ морфологии модулированных структур

Интерпретация рентгеновских и электронных дифракционных картин сплавов, содержащих сателлиты, не всегда является впол­ не однозначной. В частности, как отмечалось в предыдущем пара­ графе, расположение сателлитов в обратной решетке матрицы как для одномерной, так и для двухмерной модулированной структу­ ры одинаково и поэтому не может быть использовано для иденти­ фикации типа модулированной структуры. Прогресс, достигнутый

Рис. 66. Электронномикроскопическое изображение колоний одномерных модулированных структур в сплаве Fe — Si [219]. X 35000.

при изучении морфологии модулированных структур, в огром­ ной степени обусловлен широким использованием электронно­ микроскопических методов исследования. Электронномикроско­ пические исследования последних лет (см., например, [135, 228, 227, 213, 217, 230—234]), по-видимому, полностью подтвердили факт существования модулированных структур, хотя характер периодичности в некоторых случаях оказался более сложным, чем это можно было предположить на основании только рентгенов­ ских данных.

В работе Бидермана и Кнеллера [135] было проведено одно­ временно рентгеновское и электронномикроскопическое иссле­ дование сплавов Си — Ni — Fe, дающих сателлиты на рентгено­ граммах. Было показано, что гетерофазный твердый раствор пред­ ставляет собой «сэндвичи» периодически чередующихся, через одну пластинок двух выделяющихся фаз, имеющих габитус (001). Период распределения, определенный микроскопическим методом, согласуется с периодом, вычисленным по расстоянию между сател­

308

литами и узлами обратной решетки. Характер этой модулиро­ ванной структуры полностью совпадает со структурой стабильной одномерной системы упруго-концентрационных доменов, полу­ ченной из теоретических соображений в § 30 (см. рис. 54). Пример электронномикроскопического изображения одномерной моду­ лированной структуры в сплаве Fe — Si приведен на рис. 66. Периодически чередующиеся пластинки образованы фазами a 1(Fe3Si) и oc2(FeSi).

Рис. 67. Электронномикроскоиические изображения двухмерной модули­ рованной структуры в сплаве тикональ, подвергнутом термомагнитной обра­ ботке (метод реплик). Х50 000. а) Сечение плоскостью (001). 6) Сечение плоскостью (100).

В настоящее время, по-видимому, наиболее подробно изучена структура высококоэрцитивных сплавов альнико-тикональ, обна­ руживающих в состоянии с модулированной структурой опти­ мальные магнитные свойства. Ниже мы остановимся более подробно на морфологии этих сплавов и сравним наблюдаемую мор­ фологию с результатами теоретического анализа в §§ 30 —33. В ра­ ботах [213, 235], проведенных методом оксидных реплик, было показано, что в сплавах типа альнико наблюдается двухмерная модулированная структура, образуемая [периодически распреде­ ленными стержнями выделений новой фазы, вытянутыми вдоль оси [001] матрицы (рис. 67).

309