где к = (х, kz), к2 — проекция вектора к на направление моду ляции [001], X — проекция вектора к на плоскость (001), с$ и с%— составы двух фаз, образующих модулированную структуру.
Величина ф? (kz) для модулированной структуры, изображенной на рис. 54, равна
|
2 sin (kz d/2) |
Ф? ( К ) = |
(34.15) |
где d — толщина включений первой фазы (см. выражение (4.П.6)). Определение S (т) дано в примечании к формуле (4.П.1). Под
ставляя |
(34.14) |
в |
(34.10) и |
учитывая, |
что |
для случая а 0 |
b |
q Ä 2лН, полним: |
|
|
|
|
|
|
где |
|
|
7(ц) = |
|Фм(к,Н)|27м(к), |
|
(34.16) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ф |
м (к, H ) |
= |
[ / i g l |
2яНк |
, |
, I |
4 sin* (kz d/2) |
(34.17) |
к* |
|
>А\ |
к2 |
|
|
|
|
|
|
|
— «атомный фактор» модулированной структуры, |
|
|
|
|
|
|
|
sin®(kzLJ2) |
|
|
|
|
|
|
7М(k) = |
IS (т) I2 sin®(kza0ß) |
|
(34.18) |
— ее интерференционная функция Лауэ. Функция (34.18) имеет резкие максимумы вблизи узлов «обратной решетки»
|=Г = -£-п (т = 0, + 1 , + 2,... , + оо), |
(34.19) |
расположенных на расстоянии 1/а0 друг от друга (п — единич ный вектор в направлении [001]). Каждому узлу «обратной ре шетки» (34.19) отвечает соответствующий сателлит на рентге нограмме сплава. Распределение интенсивностей сателлитов опи сывается выражением (34.16).
Так как интерференционная функция Лауэ (34.18) отлична от нуля практически только в узлах «обратной решетки» (34.19), а «атомный фактор» (34.17) есть плавная функция своего аргумента
kz, то выражение |
(34.16) |
можно |
упростить, |
представив его в |
форме |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7« (к, Н) = |
ЪКт |
2я (HkJ |
|
|
|
|
|
'4 sin® (к |
d/2) |
1 |
|
|
|
|
|
Cll |
k l |
+ /в |
— /л |
' { С І - С І У |
kml |
I* (к) |
|
|
|
|
|
|
|
|
или же, используя (34.19), в форме |
|
|
|
|
7„(к ,Н )= |
] Ц ^ Щ ? - ао + |
І в . |
/ а |
21 |
0 |
„0ч2 4 sin®(nmd/ao) |
|
с11 |
|
|
|
' 1 |
С*> |
(ят/ао)» |
/«(к), |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(34.20) |
где І т(к, Н) — распределение интенсивностей в сателлите тп-то порядка вблизи рефлекса матрицы, характеризуемого вектором обратной решетки Н.
Для того чтобы получить выражение для интегральной интен сивности сателлита m-то порядка, необходимо проинтегрировать выражение (34.20) по A-пространству вблизи m-то узла «обратной решетки» модулированной структуры. Учитывая тождество
п/а |
<х> |
сРт |
|
sin2 (к. 2) |
|
|
U S |
|
|5(т) |
= % 5 (001) = 4 , |
(34.21) |
|
(2я)* |
sin* (kzao/2) |
—7С/0 |
|
|
|
|
|
|
где V — объем |
комплекса, |
5(00і) — сечение комплекса |
плос |
костью (001), и используя (34.21) в выражении для интегральной интенсивности m-то сателлита
|
|
« ■ < « > = |
f |
—оо |
|
|
|
|
получим: |
|
|
|
—я/a |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
/°т(Н) = |
ЗКир |
(Н, п) а0 |
|
/ 0 |
0\2 4 sin2 (nm d/ao) |
Т/ |
^ |
С и |
|
/ в |
— / а |
^ |
~ С*> |
W ------Ѵ' |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(34.22) |
Если / а ~ |
/ в , |
то интенсивность сателлитов в основном опреде |
ляется эффектом искажений. |
В этом случае выражение (34.22) |
упрощается и приобретает вид |
|
|
|
|
|
|
/°т (Н) = [/ |
ЗКирао 12 ( Н , |
п )2 |
sin2 (пт d/ao) т/ |
(34.23) |
|
|
|
|
Си |
J те1 |
л* |
Ѵ |
|
Из выражения (34.23) следует, что все сателлиты, расположенные в плоскости, проходящей через узел обратной решетки Н перпен дикулярно к вектору п, имеют нулевую интенсивность. Прини мая во внимание последнее обстоятельство, можно построить рас пределение интенсивностей для одномерной модулированной структуры. Оно изображено на рис. 64.
В реальных условиях в сплаве одновременно присутствуют колонии одномерных периодических структур, модулированных в трех направлениях: [100], [010] и [001]. Создаваемая ими дифрак ционная картина может быть получена при наложении трех ди фракционных картин, полученных в результате преобразований поворота и отражения дифракционной картины, изображенной на рис. 64. В итоге мы приходим к дифракционной картине, изо браженной на рис. 63, построенной на основании данных рентге ноструктурного анализа.
Из выражения (34.23) следует, что отношение интенсивно сти сателлита т-то порядка к интенсивности сателлита первого
порядка равно
|
гО |
• о |
_1_ |
|
|
|
1т __ |
sin2JtmYi |
|
(34.24) |
|
/О |
sin2 яті |
то4 ’ |
ГД е |
|
^ = 4 - |
|
Yi — объемная доля первой фазы. |
что отношение интенсивности |
|
Выражение |
(34.24) показывает, |
|
сателлитов второго порядка |
к интенсивности сателлита первого |
11----- |
т=- |
' I-------- |
т=-і |
6)
Рис. 64. в) Обратное пространство, отвечающее одномерной модулирован ной структуре, изображенной на рис. 54. б) Расположение сателлитов отно
сительно узла обратной решетки (002).
порядка менее 1/16, а интенсивности сателлитов третьего поряд ка — менее 1/81. В симметричном случае, когда у* = 1/2 (коли чество первой и второй фазы одинаково), интенсивности всех са теллитов четного порядка равны нулю.
В случае двухмерной модулированной структуры (рис. 56) выражение для интенсивности сателлитов можно получить анало гично тому, как было получено выражение (34.22). Будем иметь:
/° |
ЗКт (Н, п) |
+ /в — /а |
сі — съ \2 sin2 ятсіт |
V. (34.25) |
* т — 1 |
сц т |
(m )2 |
Выражение (34.25) отличается от соответствующего выражения (34.22) множителем 1/4. В случае /а ~ /в отношение интенсивно стей сателлитов, связанных с двухмерной структурой, определя ется тем же выражением (34.24). Эти сателлиты располагаются на двух прямых [100] и [010], проходящих через каждый узел обратной решетки матрицы. Учитывая, что интенсивности сател литов в плоскостях, перпендикулярных к векторам Н, равна нулю, приходим к схеме дифракционной картины, изображенной на рис. 65.
Если в сплаве присутствуют три типа колоний двухмерных модулированных структур, отличающихся друг от друга ориента цией относительно осей куба, то наблюдаемая дифракционная
картина представляет собой суперпозицию трех картин, изобра женных на рис. 05. При этом мы вновь приходим к схеме, приве денной на рис. 63, которая была установлена в результате экс
|
периментальных исследований. |
|
Таким образом, в общем случае |
|
дифракционная |
картина |
сплава с |
|
|
|
|
сателлитами |
не |
может |
быть |
одно |
|
|
|
|
значно идентифицирована. Для то |
|
|
|
|
го чтобы отличить случаи одно |
|
|
|
|
мерной и двухмерной структуры, |
|
|
|
|
необходимо с |
помощью |
одноосного |
|
|
|
|
внешнего воздействия (например, |
|
|
|
|
деформации |
или магнитного |
поля) |
|
|
|
|
создать состояния с колониями толь |
|
|
|
|
ко одного типа. |
|
|
|
еще |
000¥- |
|
|
|
Следует также остановиться |
|
|
|
|
на одном весьма |
существенном |
об |
Рис. 65. Обратное простран |
|
стоятельстве. Все полученные выше |
|
ство, отвечающее двухмерной |
|
выводы справедливы в рамках |
|
при модулированной |
структуре, |
|
ближения (2.36): |
|
|
|
|
изображенной |
на1 рис. 56, и |
|
Фо (г) е*чи« Ä фо (г) + фо (г) • jqu(r) |
расположение |
сателлитов. |
|
|
|
|
|
для рассеивающей способности узла |
решетки г. Это |
приближе |
|
ние справедливо |
при |
|
|
|
|
|
|
|
„ |
« Ѵ и \ + н % + н \ |
у - — — — - |
|
|
|
~ j ---------------------------1 |
|
|
* |
ю + В г т Щ |
Ыо<С1. |
|
аН,Н,Нз |
|
0 |
|
|
|
|
|
|
Если принять во внимание высшие члены разложения функции ф0е{ч,,(г> по (qu(r)), то выражения для интенсивностей сател литов (34.22), (34.25) изменятся. Соответствующие поправки будут иметь порядок
Y( Hl + Ht + Ht)*ul |
(34.26) |
Для одномерной модулированной структуры эти поправки не приводят к качественному изменению в расположении сател литов. Однако в случае двухмерных структур ситуация пред ставляется более сложной. Кроме обычных сателлитов, располо женных на направлениях типа <100 > вокруг узлов обратной решет ки матрицы, должны возникнуть «суперпозиционные» сателлиты, расположенные на других направлениях; их векторы «обратной решетки» есть
где т1, т2 = ± 1 , ± 2, ± 3 , . . ., а щ и п2 — единичные век торы в направлениях [100] и [010]. Интенсивность этих сателли тов имеет порядок (34.26). Она существенно ниже, чем интенсив ность сателлитов, расположенных на направлениях типа <100 >.
§ 35. Электронномикроскопический анализ морфологии модулированных структур
Интерпретация рентгеновских и электронных дифракционных картин сплавов, содержащих сателлиты, не всегда является впол не однозначной. В частности, как отмечалось в предыдущем пара графе, расположение сателлитов в обратной решетке матрицы как для одномерной, так и для двухмерной модулированной структу ры одинаково и поэтому не может быть использовано для иденти фикации типа модулированной структуры. Прогресс, достигнутый
Рис. 66. Электронномикроскопическое изображение колоний одномерных модулированных структур в сплаве Fe — Si [219]. X 35000.
при изучении морфологии модулированных структур, в огром ной степени обусловлен широким использованием электронно микроскопических методов исследования. Электронномикроско пические исследования последних лет (см., например, [135, 228, 227, 213, 217, 230—234]), по-видимому, полностью подтвердили факт существования модулированных структур, хотя характер периодичности в некоторых случаях оказался более сложным, чем это можно было предположить на основании только рентгенов ских данных.
В работе Бидермана и Кнеллера [135] было проведено одно временно рентгеновское и электронномикроскопическое иссле дование сплавов Си — Ni — Fe, дающих сателлиты на рентгено граммах. Было показано, что гетерофазный твердый раствор пред ставляет собой «сэндвичи» периодически чередующихся, через одну пластинок двух выделяющихся фаз, имеющих габитус (001). Период распределения, определенный микроскопическим методом, согласуется с периодом, вычисленным по расстоянию между сател
литами и узлами обратной решетки. Характер этой модулиро ванной структуры полностью совпадает со структурой стабильной одномерной системы упруго-концентрационных доменов, полу ченной из теоретических соображений в § 30 (см. рис. 54). Пример электронномикроскопического изображения одномерной моду лированной структуры в сплаве Fe — Si приведен на рис. 66. Периодически чередующиеся пластинки образованы фазами a 1(Fe3Si) и oc2(FeSi).
Рис. 67. Электронномикроскоиические изображения двухмерной модули рованной структуры в сплаве тикональ, подвергнутом термомагнитной обра ботке (метод реплик). Х50 000. а) Сечение плоскостью (001). 6) Сечение плоскостью (100).
В настоящее время, по-видимому, наиболее подробно изучена структура высококоэрцитивных сплавов альнико-тикональ, обна руживающих в состоянии с модулированной структурой опти мальные магнитные свойства. Ниже мы остановимся более подробно на морфологии этих сплавов и сравним наблюдаемую мор фологию с результатами теоретического анализа в §§ 30 —33. В ра ботах [213, 235], проведенных методом оксидных реплик, было показано, что в сплавах типа альнико наблюдается двухмерная модулированная структура, образуемая [периодически распреде ленными стержнями выделений новой фазы, вытянутыми вдоль оси [001] матрицы (рис. 67).