ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 23.10.2024
Просмотров: 59
Скачиваний: 0
11.2. ГРАНИЦА РАЗДЕЛА М ЕТАЛЛ-Ж ИДКО СТЬ
Возникновение двойного электрического слоя — общая зако номерность двухфазных систем. Раннее представление о двой ном электрическом слое базировалось на его уподоблении очень тонкому плоскому конденсатору с расстоянием между пласти нами порядка атомных диаметров— 10_®см [4, т. 2]. В действи тельности же структура его размыта, диффузна. Образно говоря, одна из пластин конденсатора, обращенная к жидкости, имеет толщину более диаметра одной молекулы [14]. Эта «пластина» распространяется на какое-то расстояние в жидкую фазу вслед ствие теплового движения частиц, нарушающего их строгое рас положение у границы раздела. В случае растворов механизм образования двойного электрического слоя можно представить следующим образом.
Положительные ионы металла упорядоченно расположены в узлах кристаллической решетки; в междуузлиях же находятся электроны, создающие так называемый электронный газ [15]. При обычных условиях равные суммарные заряды ионов и элек тронов компенсируют друг друга и металл в целом электронейтрален. Ионы мало подвижны и совершают колебательные дви жения под действием теплового поля. Электроны же способны перемещаться во всех направлениях, однако упругие столкнове ния с ионами препятствуют их движению. Число электронов с вы сокими скоростями обычно невелико. Повышение температуры металла, световое облучение, бомбардировка потоком каких-либо частиц, воздействие внешнего электрического поля значительно увеличивает число электронов с высокими скоростями. В какойто момент последние могут покинуть металл.
Распределение положительных и отрицательных ионов в рас творе носит случайный характер. Различие в строении металла и раствора создает условие для возникновения электростатиче ского взаимодействия: на поверхности соприкосновения сред воз никает двойной электрический слой. Конкретные причины обра зования двойного электрического слоя и его строение зависят от типа соприкасающихся сред.
Различают несколько механизмов образования двойного элек трического слоя [15]. Под действием тех или иных причин ионы твердого тела переходят в жидкость или же ионы раствора при тягиваются к поверхности металла и возникает так называемый ионный двойной электрический слой (рис. II.4,а). Следует отме тить, что переход ионов металла в жидкость чаще происходит в реальных условиях, чем притяжение ионов жидкости к ме
таллу.
Избирательная адсорбция поверхностью металла ионов жид кости— другая причина образования электрического двойного
слоя (рис. II. 4, б).
В третьем варианте (рис. II. 4, в) двойной электрический слой образуется путем адсорбции поверхностью металла полярных молекул жидкости и называется ориентационным.
29
<?
г
Потенциал
Двойной слой-. |
(+у |
ионный |
адсорбционный |
|
© |
|
ф |
Ф |
© |
|
1+) Ф |
Q Q |
Ф © |
|
|
|
Q Q |
|
ориентационный |
|
(+\ |
© |
V© |
V> |
|
С+> |
^ Q £ Q Q О Q Q Q О О 00
Рис. II.4. Различные виды (а, б, а) строения двойного электрического слоя и характер рас пределения скачка потенциалов в них (г).
Разделение двойного электрического слоя на плотную (ад |
|
сорбционную) |
и диффузную части характерно для любых слоев |
и позволяет |
объяснить причины и особенности процессов на |
границе раздела фаз.
Рассмотрим ионный двойной электрический слой. В процессе перехода ионов металла в жидкость его электронейтральность нарушается, поскольку на поверхности остаются нескомпенсированные отрицательные заряды, которые притягивают значи тельную часть положительных ионов из раствора и удерживают их у поверхности металла. В результате образуется плотная часть двойного слоя. Часть же положительных ионов вслед ствие диффузии удаляется от поверхности металла и образует размытую область двойного слоя. Эту область и принято на зывать диффузной. Следует отметить, что даже при слабом дви жении жидкости в перемещение вовлекаются ионы диффузной части, причем с увеличением скорости число уносимых ионов возрастает. Толщина электрического двойного слоя становится меньше, может изменяться не только величина выносимого за ряда, но и его знак. Это объясняет одновременное существова ние на границе раздела фаз двойных электрических слоев рассмотренных выше типов.
Представление о пространственной структуре двойного элек трического слоя используют для объяснения электризации в
системах твердое тело — жидкость |
и твердое тело — твердое |
|
тело |
[15]. |
|
Обозначим скачок потенциалов в плотной части двойного |
||
слоя |
(слой Гельмгольца) через ф, а скачок в диффузной обла |
|
сти |
(область Гюи — Чэпмена [16, 17]) |
через U. Таким образом: |
|
ф ■= ф + и |
(II. 17) |
Распределение скачка потенциалов в двойном слое изобра жено на рис. II. 4, г.
Плотность электрических зарядов и потенциал связаны ме жду собой уравнением Пуассона [13]. В частности, предполагая, что потенциал изменяется в направлении, перпендикулярном по верхности раздела, можно ограничиться рассмотрением зависи мости потенциала только от одной координаты х. В этом случае
уравнение Пуассона имеет вид |
|
д2ф _ |
4яр |
д х2 |
(II. 18) |
е |
|
где р — плотность электрического |
заряда в единице объема; |
е — диэлектрическая проницаемость раствора.
Так как поверхностный заряд <т должен быть равным по ве личине и обратным по знаку заряду, находящемуся в растворе,
то |
оо |
|
(И. 19) |
а
где о — расстояние от поверхности металла до слоя ионов.
31
Пользуясь выражениями (II. 18) и (II. 19), а также представлением об ионных атмосферах в теории Дебая — Хюккеля, определим потенциал ф поверхностной плотности следующим об разом [14]
Ф |
4ла Л (а-х) |
(И. 20) |
|
eg |
|||
|
|
где | — величина, обратная толщине ионной атмосферы;
а — ф е£е |
^ |
(11.21) |
|
Ап |
|
Когда х = а, величина ф у поверхности приобретает частное значение фч (рис. II. 4, а):
Ф, = 4жт |
(II. 22) |
~W |
|
Если двойной электрический слой рассматривать между дви жущимися друг относительно друга твердым телом и жидкостью как конденсатор с параллельными обкладками, которые нахо дятся на расстоянии d = 1/g см, с плотностью зарядов, равной а, то, согласно законам электростатики, разность потенциалов ме жду обкладками равна:
С/ = - |
( |
П |
. 23) |
Величина U в данном случае равна электрокинетическому |
|||
потенциалу. |
падение |
потенциала |
в плотной |
Из рис. II. 4, а следует, что |
области АС до границы С очень резкое. В диффузной же обла сти СВ это падение не столь резкое и происходит по экспонен циальному закону.
В зависимости от природы фаз падение потенциала на участке АВ может описываться кривыми типа / и II (рис. II.4 ,а).. Так, добавление к раствору поверхностноактивных веществ силь но влияет на электрокинетический потенциал U на границе металл — раствор вплоть до изменения знака потенциала на об ратный. Здесь точка А представляет потенциал твердой фазы, а точка В — потенциал в глубине раствора.
Как уже отмечалось, величины ф -f- U и U не тождественны и могут иметь разные знаки.
Общий скачок потенциала ф не влияет заметным образом на разность потенциалов между точками Л и В, он один и тот же, но по-разному распределен между слагаемыми выражения (II. 17) для кривых I и //. Кривая II соответствует U ta 0 и Ф = ф. Область кривой I до штриховой линии соответствует толщине плотной части двойного электрического слоя. Здесь электрокинетический потенциал U ф 0. Нижняя часть кривой I соответствует диффузной области потенциала.
Согласно условию электронейтральности, имеем: сг0 -+- щ +] [+ 0 2 — 0, где ©о, О] и 02 — плотности зарядов твердой поверх ности (металла), плотной и диффузной частей слоя.
32
Иными словами: |
о0 + щ — ± |
0 2 . |
Поэтому |
в уравнениях |
|||
(II. 19) — (II. 23) при |
вычислении |
диффузного потенциала |
вме |
||||
сто о следует взять сумму: о = |
ао + щ. Хотя такая |
замена не |
|||||
сколько изменяет физический |
смысл |
величины |
<у |
(см. |
раз |
дел II. 1), ее можно положить в основу расчета диффузного по тенциала, например в случае растворов, у которых толщина этого слоя мала.
Итак, строение двойного слоя зависит от диэлектрической проницаемости раствора, от концентрации в растворе электро лита— особенно, если заряд иона, противоположный по знаку заряду твердой поверхности, имеет высокую валентность. Не большие количества адсорбируемых веществ сильно изменяют диффузный потенциал; диффузный слой подвержен воздействию теплового поля (влиянию температуры).
Изучению влияния адсорбции на строение двойного слоя по священо огромное число работ, из которых наиболее интересны исследования [4, 5, 18—21].
Если в растворе исчезающе мало количество частиц — носи телей зарядов (растворы— диэлектрики), то скачок потенциа лов на границе раздела фаз обусловлен образованием зарядов за счет адсорбции поляризованных у поверхности металла атомов и молекул. При этом картина изменения потенциала в зависи мости от удаления от поверхности металла окажется в деталях несколько иной, но в общем будет подобна изложенной выше. В этом случае в диффузном слое могут превалировать электри чески асимметричные молекулы, поляризация которых убы вает по мере удаления частиц от твердой поверхности. Толщина диффузного слоя здесь будет значительно зависеть от ди электрической проницаемости жидкости (от полярности мо
лекул) .
Использование понятия о двойном электрическом слое может оказаться полезным при определении величины диэлектрической проницаемости и проводимости жидкости, при оценке поляриза ции электродов в процессе электролиза и т. д.
Например; при прохождении тока через электролит наблю даетсяполяризация электродов, ток при неизменной разности потенциалов, приложенной к электродам, со временем умень шается и даже может стать нулевым. Это объясняется тем, что носители тока, т. е. ионы, располагаются слоем у электрода, не отдавая ему своего заряда. У поверхности образуется двойной электрический слой. Заряд слоя и мощность т = ст/ будут расти до тех пор, пока скачок потенциала срг — cpi = 4ят в слое не ста нет равным приложенной разности потенциалов. Ток через раствор практически прекратится. Все изменения потенциала сосредоточатся в тонком слое у электродов. На рис. II. 5 схема тично изображена картина поляризации электрода с положи тельным зарядом: в толщине раствора потенциал принимает постоянное значение и напряженность поля становится ну левой. На рис. II. 5 сплошная линия соответствует процессу,
2 С. В. Усиков |
33 |