Файл: Власов, А. Г. Методы расчета эмиссионных электронно-оптических систем.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 24.10.2024

Просмотров: 102

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

и равны нулю при /г > N. Таким образом, Ср = MlpN, где М — наибольшее значение величины производной, выбранное из всего их набора. Ряд (283) в этом случае представляет собой конечную сумму.

Процесс определения производных поля на катоде становится более устойчивым, если приблизить поле на границе цилиндра сох (рис. 22). В случае использования гармонических полиномов про­ изводные в центре катода приближают следующим образом. По­ тенциал на границе цилиндра со 1приближают полиномом по одному из стандартных способов. Из выражений (190) и для случая пло­ ского катода U(2n) (г, 0) = 0 имеем

 

 

 

 

N

 

 

 

 

 

1)nu{2n\ 0 ,z)

2п

 

 

 

Е ^{г0,г) +

 

 

 

а,к-iz2*-1. (291)

 

 

("О2

2

п=0

 

 

 

 

 

 

к = 1

 

 

 

 

 

 

Рис. 22. К приближению

 

 

 

 

поля

гладкими

функциями

Если Е„

dU{n) (0, z)

 

и^2к) (0, z)

 

 

dz

z = 0 , то,

представляя

рядом

Тейлора, получаем

приближенные разложения

 

 

 

 

 

N—n

 

 

 

 

 

U%(l (0 ,z)

=

£

 

« = 1 , 2 , 3 _____Л/.

1.

(292)

Подстановка (292) в (291) приводит к системе линейных урав­ нений относительно неизвестных Et (і = 1, 2, 3, . . . ), позволяю­ щей приближенно вычислить их

р

Е ( го ) 2 1

11 пЕь 1(

Го

4 1

М 2 )1 ( I ! ) 2

2

-

£

,

( З(Т В ' Т

 

 

)

®М' ’

 

 

 

 

1

1

р

(

 

 

 

 

 

 

 

Г

 

 

-

 

 

 

 

/

г. \ 2JV—

2

 

 

1

' 4 ~

M

w - l

(C

t )

 

 

\.(N- 1

V

1

)

(2!)2

ОО

1

( 4 ! ) 2

) ! |]2 - « і * 1 !

Е, -

2

1

 

;

)

4-

1

 

 

М

( И ) 2Т +

М (

т

(2!)2)

(293)

-

8

1

 

 

)

 

 

 

 

М

( З ! ) 2 Т

 

 

Е ■ 2 N - 1

 

 

 

 

 

 

-

Т

 

/

Л, \ 2 N — 4

1

 

 

 

 

 

 

 

х

(

т K N - )

2)!]2=

а3• 3 ! ;

 

 

 

E w - i —

а 2N - -1 ( 2 с Ѵ

-

1

 

)

!

 

104


Если U (r0, z) приближенно посредством гладкой функции, то система (293) становится регулярной, а если полиномом — то конечной. Однако, хотя приближение гармоническим полиномом обрывает ряд (283), так как производные E t чрезвычайно быстро возрастают по величине, этот ряд сходится очень плохо, а ошибка определяется последними его членами, которые не могут быть

U(r,z)

Рис. 23. Приближение поля гладкими функциями в прикатодной части линзы

вычислены с большой точностью. Таким образом, приближение поля гармоническими полиномами пригодно для вычисления ве­ личины E t и ошибок изображения лишь в случае очень гладких полей и узкой области приближения поля. Устойчивость задачи приближения поля, вычисления производных Et и ошибок изобра­ жения значительно повышается, если для приближения исполь­ зовать функции (290) или (425) приложения 6.

На рис. 23 показан результат приближения поля на поверх­ ности прикатодного цилиндра радиусом 1 и длиной 2 (см. рис. 22). Для приближения использовалась система функций (290). Кри­ вые / и 2 показывают распределение потенциала соответственно

105

на поверхности и на оси цилиндра, а кривые 3 и 4 — результаты приближения этих распределений функцией ф10 при L = 3.

На рис. 24 изображена величина увеличения М в гауссовой плоскости как функция расстояния от центра изображения. Кри-

Рис. 24 График увеличе­

Рис. 25. Сечение поверхности

 

ния в изображении

изображения в меридиональ­

 

 

ных лучах

вая 1 показывает увеличение,

полученное численным интегриро­

ванием

траекторий, кривая 2 — вычислением с помощью разло­

жения

(283).

 

Наконец, на рис. 25 изображены сечения поверхности изобра­ жения, полученного в меридиональных лучах. Кривая 1 — сече­ ние, определенное с помощью численного интегрирования, кри­ вая 2 — то же, с помощью разложения (283).


Г Л А В А V

ПОСТАНОВКА И РЕШЕНИЕ ОБРАТНОЙ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКОЙ ЗАДАЧИ

§ 15. Общая постановка задачи

Обратная электронно-оптическая задача уже была сформулиро­ вана во введении как задача расчета источников поля по наперед заданным свойствам изображения. В этой главе мы остановимся на рассмотрении этой задачи для осесимметричных систем.

В § 10 параметры оптического изображения были выражены через характеристические траектории R x и R 2, которые вычис­ ляются по формулам (241). Так, положение плоскости изображе­ ния определяется первым нулем траектории R t. Увеличение в центре выражается через эти траектории с помощью теоремы Гельмгольца (250), а формулы (271) и (272) выражают коэффи­ циенты аберраций через эти же траектории, потенциалы и напря­ женности фокусирующих полей, вычисленные вдоль оси сим­ метрии. Траектории R t и R 2, в свою очередь, являются функцио­ налами осевого поля как решения параксиального уравнения (230). Таким образом, обеспечение заданных значений для параметров изображения сводится к выписыванию системы сложных функцио­ нальных уравнений для R lf R 2, U и Ф, где U и Ф — соответственно распределения на оси электро- и магнитостатических потенциалов.

В самой общей постановке эта система уравнений может быть

записана так:

 

 

 

Gi(U, Ф, Ru R2) =

t =

1, 2, .

 

Ri (0 Яр+ъ

R i(t)=

Яр+ъ

(294)

у (У, ф ) = яР+з,

где G,- — коэффициенты аберраций третьего порядка, вычисляе­ мые, например, по формулам (272); qt (і = 1, 2, . .. ., р + 3) —

числовые параметры, причем qt (і = 1, 2, . . ., р) определяют зна­ чения отдельных аберраций, qp+1 — положение плоскости изо­ бражения, qp+2 •— увеличение и qp+3 — угол поворота в электро­ магнитном поле (приближенное выражение этого угла через рас­ пределение полей будет приведено ниже). К системе (294) следует добавить еще уравнение (291), определяющее R 1 и R 2■ Систему функциональных уравнений (294) нетрудно свести обычным обра­ зом к проблеме минимизации положительной функции.

107


Систему (294) решают для того, чтобы получить V и Ф — рас­ пределение потенциалов на оси. В постановке (294) обратная за­ дача нелинейна. Иногда решение ее неединственно и неустойчиво. Чаще всего она вообще не имеет решения. Однако в этом случае всегда можно сформулировать множество задач, имеющих реше­ ние и сводящихся к системе (294), где правые части принимают значения q\, вместо qt, а затем искать на этом множестве решение, приближающее исходные параметры qt в какой-нибудь метрике. Такое решение приближенной задачи мы в дальнейшем будем называть о п т и м а л ь н ы м . Но если даже оптимальное реше­ ние найдено, немалые трудности возникают после этого при вы­ числении поля в пространстве. Формально гармоническое про­ должение поля с оси задано разложениями (190), но, как уже было отмечено во введении, задача о таком продолжении является за­ дачей Коши для уравнения Лапласа и решение ее неустойчиво. В этой главе будут кратко рассмотрены некоторые методы регу­ ляризации таких задач.

Для конструирования источников поля необходимо найти экви­ потенциальные поверхности в распределении продолженного с оси потенциала. Эта задача тесно связана с проблемой регуляризации задачи Коши. Как будет показано в § 16, априорный выбор экви­ потенциальных поверхностей может служить эффективным при­ емом регуляризации задачи и продолжения потенциала.

Наконец, обязательным завершающим этапом в решении обрат­ ных задач является решение прямой задачи, соответствующей вы­ численным источникам, и окончательное сравнение полученного таким образом изображения с изображением, которое было ис­

ходным при постановке обратной задачи.

реше­

Рассмотрим один из методов поиска оптимального

ния [76]. Метод подразумевает расчет электромагнитного

поля

по таким одновременно заданным наперед параметрам электрон­ ного изображения, как его геометрические свойства в приосевой области (увеличение, положение гауссовой плоскости, угол пово­ рота), и аберрации. Кроме того, при расчете могут быть выпол­ нены некоторые дополнительные требования, наложенные на поле по технической необходимости (например, наличие экстре­ мума напряженности магнитного поля на катоде эмиссионной линзы). Эта постановка задачи настоятельно диктуется практикой.

Как это будет показано ниже, такая постановка выполняет совокупность требований, предъявляемых к изображению, лишь приближенно, причем заранее нельзя установить степень дости­ гаемого приближения.

Запишем подробнее требования, обычно предъявляемые к элек­ тронному изображению одновременно или в различных сочета­ ниях.

1. Положение плоскости идеального изображения (предельной плоскости) задано

Z = Z 1

108


(Oz— ось симметрии). При этом условие совпадения плоскости экрана с плоскостью Z = Z 1 можно записать в виде уравнения

гі (Zi) = 0.

(295)

2. Линейное увеличение линзы задано и равно М. Использовав теорему Гельмгольца, записываем это условие в виде уравнения

а

д

=

- р

^

- і ,

(296)

где М — увеличение;

eU 0— начальная энергия

электрона;

eUл — энергия его на

аноде.

 

 

 

 

3. Угол поворота изображения задан и равен а.. Этот угол

определяется формулой

[57 ]

 

 

 

 

 

 

,

п .

р" h (Z) dZ

 

а = л ( — l ) - f

J

—М — .

(297)

 

 

 

 

VU(Z)

 

 

 

и

 

 

4. Осевая напряженность магнитного поля катодных линз

часто должна иметь экстремум в центре катода, т. е.

 

 

 

h ( z о) =

о :

(298)

Это требование обеспечивает стабильные свойства изображения при незначительных изменениях параметров системы или силы тока в катушках.

5. В изображении отсутствуют те или иные аберрации третьего порядка, что можно записать в виде условия

II О

(299)

где Gk — коэффициент соответствующей аберрации.

С учетом названных требований для поиска оптимального ре­ шения задачи составляем некий положительный функционал, и

задача сводится к его минимизации.

Функции h (Z) и U (Z) по­

лучают вид

 

 

 

 

 

 

 

h { Z ) =

£

ап%

(Z );

(300)

 

 

 

л=0

 

 

U ( Z ) = t

0 bnVn(Z),

(301)

 

где г|}„ (Z) и cprt (Z) (п =

1, 2,

3

. . .) — системы функций,

полные

в пространстве L 2 (Z0,

Z*),

например тригонометрические или

степенные функции; системы \\>п и ср/г

могут совпадать,

если это

удобно для вычислений; ап и

Ьп — коэффициенты магнитного и

электрического полей соответственно, причем желательно, чтобы полное число этих коэффициентов было не меньше числа условий, наложенных на поле.

109