Файл: Татевский В.М. Классическая теория строения молекул и квантовая механика.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 308

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

ким кривым E(R), система из двух ядер и электронов не является единой частицей. Она представляет собой совокупность двух ча­

стиц (двух

атомов или атома и атомного иона или двух

атомных

ионов).

обозначенная на рис. 13 как E"'(R),

 

 

Кривая,

имеет

минимум,

лежащий выше диссоциационного предела Е(оо).

В электронных

состояниях, соответствующих таким кривым E(R),

система из двух

ядер и электронов может быть названа «квазичастицей»

(«квази­

молекулой», молекулярным «квазиионом»). Система не является единой стабильной системой, а представляет собой две системы. Иными словами, для системы в таком состоянии («квазимоле­ кулы») вероятности нахождения ядер на любом расстоянии друг от друга сравнимы, т. е. имеется вероятность ее диссоциации. Однако в таком состоянии система имеет некоторые свойства,

похожие на свойства

систем,

для

которых минимум (или мини­

мумы)

лежат ниже диссоциационного предела, поэтому систему

в таком

состоянии можно назвать

«квазичастицей».

 

Для

многоядерной

системы

типичные

формы

функции слож­

нее, чем для двухъядерной.

Если

для

двухъядерной

системы

имеется

только один

диссоциационный

предел

[R->oo,

E(R)-*-

-*Е(оо)],

то для многоядерной

системы

всегда

существует не­

сколько диссоциационных пределов. Поясним это на простейшем

примере

трехъядерной системы. Рассмотрим

электронейтральную

систему,

содержащую

три ядра — ядро

N(Z =

7), ядро

0 ( Z = 8),

ядро

F(Z-—9) и 24 электрона. Относительное

расположение

ядер

в такой системе, как уже указано выше, может быть

определено

тремя

параметрами

Ru R2, Rz- При

изменении

расстояний

Ru

R2, R3 в

системе диссоциация ее на части

может

осуществляться

четырьмя различными

способами:

 

 

 

 

 

 

 

1.

При удалении

 

всех

трех

ядер,

т. е. при

увеличении

всех

трех

расстояний Ri,

Rz, R3 до бесконечности,

система

диссоции­

рует на три части.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2. При удалении одного ядра от двух других, остающихся на

конечном

расстоянии,

возможны

три разных

процесса

диссоциа­

ции:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а)

Ri =

const;

R2,

Rz

* •

00

 

 

 

 

 

 

 

б)

Ri =

const;

Ri,

R3

* ~

00

 

 

 

 

 

 

 

в)

R3 — const;

Ri,

R2

00

 

 

 

 

Таким образом, для рассматриваемой системы существует че­ тыре разных способа диссоциации на меньшие системы и четыре возможных значения энергии, соответствующих этим четырем раз­ ным диссоциационный пределам:

 

 

1. Е (со, оо, со) -= D

 

2. а)

Е (Ri =

const, 00. 00) = Dx

(R{)

б)

E (00, R2

Ж2 const, 00) «= D2

(R2)

8)

£

(00, 00,

= const) =DS

(Rj)


Следовательно, поверхность E(RU R2, R3) для каждого возмож­ ного состояния рассматриваемой системы имеет четыре разных диссоциационных предела. При этом значения каждого из трех

диссоциационных

пределов

а),

б)

и в) зависят от одного

пара­

метра

(Ri '=

const,

или

R2 =

const, или

R3 = const)

соответ­

ственно.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Пусть наинизшие значения Du

D2, Dz трех последних

диссо­

циационных

пределов

а),

б) и

в)

отвечают значениям

R\ — си

R2 = с2

и Rz — с3

соответственно.

 

трехъядерная

система

Вопрос о том, будет ли рассматриваемая

в некотором электронном состоянии представлять собой одну еди­ ную частицу или совокупность нескольких отдельных частиц, мо­

жет быть рассмотрен

аналогично

тому,

как он

был

рассмотрен

для двухъядерной системы. При таком рассмотрении

получаются

следующие выводы.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Если

E(RuR2,R3,)

 

имеет

минимум

(или

несколько

миниму­

мов), лежащий

ниже

всех

 

четырех

диссоциационных

пределов

D,

Di,

D2, D3, то

система

в

рассматриваемом

состоянии может

существовать как единая частица

(молекула

FNO).

 

 

в

Если

E(RU

R2,

R3) не

имеет

ни

одного

минимума,

система

рассматриваемом

состоянии

не

является

 

единой

 

частицей,

а представляет собой совокупность двух или трех отдельных ча­

стиц. Если E(Ri,R2,R3)

имеет минимум (или несколько миниму­

мов) только выше

хотя

бы одного из диссоциационных пределов

D, D\, D2, D3, то

система в рассматриваемом состоянии не яв­

ляется единой устойчивой частицей, а представляет собой «квази­ частицу», .которая может самопроизвольно диссоциировать на две или три отдельные частицы (точнее, представляет собой совокуп­ ность двух или трех отдельных частиц).

Для произвольной многоядерной системы, содержащей больше

чем три ядра, рассмотренный вопрос решается аналогично.

 

Как

уже было указано, для такого состояния системы из К

ядер и

N электронов, в котором эта система

представляет

собой

одну единую химическую частицу (молекулу,

молекулярный ион),

энергия Е как функция параметров R\,

R3K-6 должна

иметь

один или несколько минимумов, лежащих ниже всех диссоциа­ ционных пределов при некоторых значениях Ri, R3K^6. Обо­ значим значения этих параметров, при которых энергия системы Е

имеет такой минимум, через Rie,

R(3K-6)e, а значение Е, отве­

чающее точке минимума, через Ее,

т. е.

Значения Rie #(зк-б)е параметров, отвечающие минимуму Е, лежащему ниже всех диссоциационных пределов, определяют так называемую равновесную конфигурацию ядер для состояния,-опи-


сываемого функцией W (XXIII, 1). Если перенумеровать только такие состояния, в которых система является одной единой хими­ ческой частицей, описывающие их функции W и значения их энер­ гий в точках минимума (при равновесной конфигурации ядер для каждого из состояний) в порядке возрастания минимальных зна­ чений энергий, мы получим следующие обозначения:

 

То,

Т „

. . . . У*

(XXIII, 4)

 

/7(0)

ЫО

Е{п)

 

 

Электронное

состояние,

для

которого поверхность

E(Ri, ...

..., Язк-б) имеет

наиболее

глубокий (наиболее низко

лежащий)

минимум, называется основным электронным состоянием, осталь­ ные электронные состояния (с более высоко расположенными минимумами Е) называются возбужденными электронными состоя­ ниями — первым возбужденным, вторым возбужденным и т. д. Каждое электронное состояние, возможное для частицы, характе­ ризуется своей равновесной конфигурацией ядер, энергией Ее, от­ вечающей этой конфигурации функцией Чг, соответствующей этому состоянию, и характерными для этого состояния другими физическими величинами, в частности, дипольным моментом, по­ ляризуемостью, магнитной восприимчивостью и т. д.

Для равновесной конфигурации ядер определенного электрон­ ного состояния все перечисленные выше величины являются по­ стоянными числами. При отклонениях ядер от положений равно­ весия (т. е. при значениях параметров Rit . . . , Рзк-е, не равных равновесным для данного электронного состояния) все перечис­ ленные выше величины являются функциями параметров, опре­ деляющих ядерную конфигурацию. Так, для каждого электрон­

ного состояния частицы, описываемого одной

из функций Чг

(XXIII, 4), например

функцией

Ч'п, энергия № '

является

функ­

цией параметров, определяющих конфигурацию ядер

 

 

 

 

^ - ^ ( « і

« з * - в >

 

 

Для

таких

электронных

состояний системы,

для которых

E(R\,

#зк-б)

не

имеет

ни одного минимума,

понятия

основ­

ного и возбужденных электронных состояний, как они были опре­ делены выше, теряют смысл. Такие электронные состояния

системы,

для которых E(RU

Язк-в)

имеет минимум

(или ми­

нимумы)

только выше какого-либо

диссоциационного

предела,

можно, очевидно, классифицировать по глубине соответствующих минимумов на основное и возбужденные, аналогично тому, как было изложено выше, однако это будут уже не состояния одной единой частицы, а состояния «квазичастицы», т. е. системы, состоя­ щей из нескольких меньших систем.

Каждое электронное состояние системы при определенной кон­ фигурации ядер характеризуется также определенной плотностью


ре распределения отрицательного электрического заряда, созда­ ваемого электронами в пространстве вокруг ядер. Эта плотность

отрицательного электрического

заряда (электронная

плотность)

в разных точках пространства вокруг ядер

изменяется от одних

точек пространства к другим и является

функцией

координат

точки, к которой эта плотность относится

 

 

рв = Р е

(х, у, г)

 

(XXIII, 5)

Если в системе координат, связанной с ядрами, выбран не­ который элемент объема dx

dx = dx dy dz

с координатами x, у, z, то отрицательный электрический заряд de

этого

элемента объема,

создаваемый электронами, будет

 

 

 

de =

ре (х, у, z) dx

( X X I I I , 6)

Если

размеры элемента

объема

фиксированы (например,

dx=l),

 

а координаты

его изменяются,

то отрицательный заряд

такого фиксированного по размерам элемента объема будет срав­

нительно велик для элемента объема dx,

расположенного

вблизи

какого-либо

ядра (вблизи ядер значение ре , вообще говоря, в сред­

нем

велико),

и будет быстро убывать по мере удаления элемента

объема dx от всех ядер. На расстояниях

порядка

нескольких А

(до

10 А) от ядер заряд элемента объема

dx быстро

падает

почти

до

нуля.

 

 

 

 

Таким образом, молекулу (или другую химическую частицу) можно рассматривать как некоторую совокупность ядер, располо­ женных определенным образом в пространстве * и несущих каж­ дое положительный заряд Za, вокруг которых простирается «об­ лако» отрицательного электрического заряда, имеющее в среднем большую плотность в областях, близких к ядрам, и быстро убы­ вающее по плотности по мере удаления от ядер. Такова качест­ венная картина распределения положительного и отрицательного электрических зарядов в молекуле (молекулярном ионе, «свобод­ ном» радикале), т. е. качественная картина строения молекулы.

Оказывается, что не только отрицательный электрический за­ ряд, создаваемый электронами, но и некоторые другие величины можно рассматривать как непрерывно распределенные в про­ странстве вокруг ядер. К таким величинам для каждого возмож­ ного состояния электронов относится величина

Я ' - Я - Е - Т Г 8 -

(XXIII, 7)

оТр «Р

 

а < р

 

* Здесь мы отвлекаемся от всегда существующих колебаний ядер по отно­ шению друг к другу, возможного вращения молекулы как целого и возможного поступательного перемещения ее как целого в пространстве.


т. е. энергия данного электронного состояния молекулы Е за

вычетом

кулоновского отталкивания

всех ядер. Здесь Z a ,

Zp —

-зарядные

числа ядер

с номерами а

и Р; Ra$— расстояние

между

этими ядрами, а сумма в правой части дает энергию

кулоновского

отталкивания всех

ядер в молекуле. Электронная

энергия Е'

• (XXIII,7) включает кинетическую энергию электронов, энергию взаимодействия электронов с ядрами и электронов между собой. Величину Е', так же как отрицательный электрический заряд, можно рассматривать как непрерывно распределенную в про­

странстве вокруг ядер с некоторой

плотностью

р£ ,:

Р в , = р £ ,

(х, у, z)

(XXIII, 8)

На элемент объема dx пространства вокруг ядер, располо­ женный в точке с координатами х, у, z, приходится величина энер­ гии dE'

dE' = рЕ, (х, у, z) dx

(XX111,9)

/ Значение энергии Е' рассматриваемого состояния равно ин­ тегралу по всему пространству вокруг ядер, т. е. .

В' = j " j " J" рЕ, dx dy dz

(XXIII, 10)

г у х

Для образования химической частицы необходимо следующее. Энергия кулоновского отталкивания ядер (всегда положительная) должна быть с избытком компенсирована электронной энергией Е', которая для - системы, являющейся в данном состоянии единой частицей, отрицательна. Кроме того, функциональная зависи­ мость Е' от параметров Rit ..., Язк-в, определяющих ядерную конфигурацию, должна быть такой, чтобы энергия электронного состояния химической частицы Е при некоторых значениях этих параметров имела минимум, лежащий ниже всех диссоциационных пределов. Из этих рассуждений следует, что электронная энер-

-гия Е' и является той частью энергии системы из ядер и электро­

нов,

функциональная

зависимость которой

от

параметров

Ru ...

. . . , R3K-6

определяет,

является

ли

данная

система

из

ядер и

электронов

в состоянии,

описываемом

функцией W, единой хими­

ческой частицей или не является.

 

 

 

 

 

Ниже

будет показано, что

плотность

электронной

энергии

Р£/(*> У, z)

для стационарных

состояний химических

частиц (т. е.

состояний

с определенной энергией) пропорциональна электрон­

ной

плотности р е (л:, у,

г):

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Е'

 

 

 

 

 

 

 

 

pE,(x,y,z)

=

-jj-(>e(x,y,z)

 

 

(XXIII, 11)

где

N — число электронов системы.

 

 

 

 

 

 

 

Для данной системы (N = const) и в данном электронном со­ стоянии (Y ) . при заданной ядерной конфигурации (заданы