Файл: Третьяков Ю.Д. Химия нестехиометрических окислов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 11.04.2024

Просмотров: 218

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

(и (Х)г - р (Х)дг}0 , 2 {!«(Мм) - (Мм) -

(X*) 4- I» (Хх)} =

- 2Д£окис,

(1.60)

где {р(Х)г}0 и {ц(Х)дг}0-— химические потенциалы X в строго сте­ хиометрических соединениях переходных и нормальных металлов соответственно.

Для процессов восстановления окислов, т. е. внедрения избыт­ ка металла, разница между обоими классами соединений обуслов­ лена свободной энергии квазихимической реакции

М (газ) . Мм -> 2Мм -г V*, AGßOCc,jv или AGbocc.f-

Легко показать, что

{р (М)г — р (М)дг}о - 2 { ^ (М м )г-|°(М м М -- 2А£вОСС. (1.61)

Учитывая, что область существования соединений нормальных металлов очень мала, и считая кривую их свободной энергии сим­

метричной относительно стехиометрического состава, т. е. р (М)уѵ,о — р (Х)г,о, из уравнений (1.60) и (1.61) находим

(р (Х)г - Р (М)г}0 =

~

2 (А£окис -

Д£„осс).

Рассчитанная по этому уравнению

величина

(табл. 1.5)

 

 

 

Ч д х J о

для всех рассматриваемых соединений отрицательна, что указывает на тенденцию к образованию фаз с избытком кислорода.

Уокислов переходных металлов, в которых катион находится

ввысшем валентном состоянии, валентная полоса по-прежнему образована состояниями X2-. Так как дальнейшее окисление не­

возможно,

то А £ о к и с = 0.

С другой стороны,

восстановление

метал­

ла

в окислах переходных металлов происходит легче, чем в окис­

лах

нормальных

металлов из-за

различий

в положении

полосы

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а 1.6

 

Расчет асимметрии кривой свободной энергии для окислов М.203

 

 

 

 

(M = Mn,

Fe, Со, Ni)

 

 

 

 

 

Окислы

 

Мп20 3

FeA.

Со20 3

Ni20 3

 

 

бб'окис

 

0

0

0

0

 

 

Ф\і21 Jm2+

 

—5,4

—1,83

—5,2

— 7,3

/

dJ

^^восс

 

. —3,8

—2,35

—4,0

— 6,8

\

 

 

г 7,6

- г 4, 7

- - 8,0

f 13,6

\

д х

) ^ {

о ш с

^ ^ восс^

44


F

C n p

I/

к 2*

С-& Д "У ////// / ) ( / / ' М

а

л E

в о е

fг

1

I

к;.м

Рис. 1.10. Схема энергетических уровней соединения М2Х3

2+:а Е

-вое

а

Рис. 1.11, Схема энергетических уровней для окислов со структурой шпинели;' a) Fe304;

б) шпинель, образованная

непереходными

металлами (например,

MgAl20 4)

проводимости (рис. 1.10). Как видно из табл. 1.6, для всех полу-

торных окислов величина

/

3G х ^

а

и, следовательно, можно

\

 

 

дх

 

 

ожидать асимметрии кривой свободной энергии с минимумом в точке, отвечающей образованию фаз с избытком металла.

В качестве примера химических соединений с промежуточной валентностью переходного металла рассмотрим окислы со струк­ турой шпинели Fe30 4 и Мп30 4. На рис. 1.11 показана энергетиче-

С,ккая/г=атом"

Рис. 1.12. Зависимость свободной энергии от состава для конденсированных фаз системы

Fe — О при 1000°С

ская диаграмма магнетита и MgAbO,). В то время как восстанов­ ление непереходного металла ведет к появлению электронов на

уровне А1д+, а окисление — к появлению дырок в

полосе

О2-, оба эти процесса в магнетите затрагивают только F e^

поло­

су, заполненную лишь наполовину. Центр этой полосы на 2 эв ни­ же А12+ полосы и на 5—10 эв выше 0 2~ полосы. Можно поэтому ожидать, что окисление идет намного легче, чем восстановление, причем минимум кривой свободной энергии отвечает величине

асимметрии А = ^ ~ — 1 0 ± 5 э в .

На рис. 1.12 показано относительное положение кривых сво­

бодной энергии

для различных фаз системы Fe—О при темпера­

туре 1000° С. У

вюстита и магнетита величина

дх

имеет бо-

 

ѵ

лее отрицательное значение, чем общие касательные к кривым G(Fe) и G(FeO). Это указывает на нестабильность фаз с избыт­ ком металла. И действительно, вюстит и магнетит стабильны лишь с избытком кислорода. Для гематита наклон общей касательной к

кривым G(Fe30 4) и G(Fe203) намного меньше, чем ( ——^ . Сле-

\ дх Jo

довательно, гематит с избытком металла термодинамически стаби­ лен. Вместе с тем при Рог =1 атм наклон касательной, меньший,

46



чем величина ( “р ") > указывает

на

невозможность образования

гематита с избытком кислорода.

Не

исключено, что такая фаза

действительно существует при Ро2

1

атм.

Взаимодействие точечных дефектов в окисных кристаллах

До сих пор мы рассматривали модель нестехиометрических окислов со статистически беспорядочным распределением дефек­ тов. Такое приближение, строго говоря, является весьма грубым и не соответствует реальности для большинства окисных и фер­ ритных систем. По мнению Риза [39], дефекты существуют незави­ симо друг от друга и не взаимодействуют между собой, если их концентрация не превышает 10~5 мол.%. Очевидно, что степень взаимодействия дефектов существенно зависит от температуры, значительно усиливаясь по мере охлаждения кристаллов.

Простейшим видом взаимодействия является образование ассоциатов между одинаковыми или разнообразными точечными де­ фектами. В случае одинаковых дефектов упругое и кулоновское взаимодействие приводит к отталкиванию, однако между такими дефектами существует и притяжение, обусловленное квантово­ механическим обменным взаимодействием. Если силы притяжения достаточно велики, то дефекты сближаются. Следует отметить, что не всегда минимум свободной энергии соответствует минимально возможному расстоянию дефектов, составляющих ассоциат (дефек­ ты занимают соседние кристаллографические позиции). В ряде случаев образуются ассоциаты более высокого порядка, чем пер­ вого.

Неодинаковые дефекты (особенно дефекты, имеющие противо­ положный заряд и притягиваемые друг к другу кулоновскими си­ лами) образуют более прочные ассоциаты. В чистых нестехиомет­ рических окислах, где обычно доминируют один вид атомных и один вид электронных дефектов, часто имеет место образование нейтральных ассоциатов типа F-центров. Например, при раство­ рении в окисле МО избыточного кислорода в соответствии с ква­ зихимической реакцией -

 

Y

O g^O g + Ѵм + А-

(1.62)

образуются

катионные

вакансии и

дырки.

Учитывая,

что

[Ѵм] = р, из

уравнения

(1.62)

находим

Р с с Р о 4.

Наблюдаемые

экспериментально завышенные

значения

показателя степени

при

Р0г связаны с ассоциацией дефектов

 

 

 

Ѵм + h‘ -»-(Ѵм, h')x .

Следует иметь в виду, что сближение дефектов всегда приво­ дит к появлению упругих напряжений, которые могут быть умень­

47


шены за счет перегруппировки соседних атомов или ионов. Резуль­ татом такой перегруппировки является локальное нарушение по­ рядка в микрообъемах, окружающих дефектный комплекс. Извест­ но, например, что в нестехиометрической закиси железа домини­ руют дефекты типа катионных вакансий и дырок. Последние, локализуясь на ионах железа в виде Fe34', сильно взаимодействуют с вакансиями, несущими эффективный отрицательный заряд. При­ тяжение ионов Fe3+ к вакансиям настолько велико, что они поки­ дают регулярные узлы решетки, переходя в междоузлия и оставляя позади себя новые катионные вакансии. В результате образуется комплекс, состоящий из межузельного иона Fe3+ в окружении двух катионных вакансий, т. е.

Оа —>- Оо ~ (2ѴРе, Fe. ) ' -р/г.

Было показано [40, 41], что взаимодействие точечных дефек­

тов может

привести и

к

более серьезным структурным

измене­

 

 

 

 

 

 

 

ниям, нежели локальные иска­

 

 

 

 

 

 

 

жения решетки. Речь идет об

 

 

 

 

 

 

 

упорядочении дефектов с обра­

 

 

 

 

 

 

 

зованием

сверхструктуры или

 

 

 

 

 

 

 

структуры сдвига. Первая воз­

 

 

 

 

 

 

 

никает путем ассимиляции ва­

 

 

 

 

 

 

 

кансий

или

внедренных ато­

 

 

 

 

 

 

 

мов: одинаковые по заряду де­

 

 

 

 

 

 

 

фекты

стремятся занять более

 

 

 

 

 

 

 

удаленные друг от друга пози­

 

 

 

 

 

 

 

ции, но по мере увеличения их

Рис.

1.13.

Образование

структуры

концентрации

отталкивающие

силы становятся все более сим­

сдвига в

окисном

кристалле

типа

метричными, побуждая дефек­

ReOe; О

— металл;

О — анион; ф —

анионная

 

вакансия. Стрелкой ука­

ты занимать вполне определен­

зано направление скалывающей кри­

ные

кристаллографические уз­

сталл

силы, а сплошной

линией —

лы.

При

некоторой

мольной

плоскость

кристаллографического

концентрации, выражаемой ра­

 

 

 

сдвига

 

 

 

 

 

 

 

 

 

циональным

числом,

вакансии

 

 

 

 

 

 

 

или внедренные атомы полно­

стью упорядочиваются с образованием сверхструктуры.

 

Естественно, что упорядоченные дефекты

«связывают» друг

друга, и значительно менее подвижны,

чем

неупорядоченные и,

строго

говоря, не

могут рассматриваться

как

дефекты

во вновь

возникшем кристаллографическом порядке. В качестве дефектов теперь выступают любые нарушения сверхструктуры, а не основ­ ной структуры, существовавшей первоначально.

В ряде окисных кристаллов упорядочение дефектов происхо­ дит путем перегруппировки связей между координационными по­ лиэдрами, в результате чего уменьшается отношение кислород — металл внутри некоторых плоскостей кристалла, которые можно

48