ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 11.04.2024
Просмотров: 218
Скачиваний: 0
(и (Х)г - р (Х)дг}0 , 2 {!«(Мм) - (Мм) - |
(X*) 4- I» (Хх)} = |
- 2Д£окис, |
(1.60) |
где {р(Х)г}0 и {ц(Х)дг}0-— химические потенциалы X в строго сте хиометрических соединениях переходных и нормальных металлов соответственно.
Для процессов восстановления окислов, т. е. внедрения избыт ка металла, разница между обоими классами соединений обуслов лена свободной энергии квазихимической реакции
М (газ) . Мм -> 2Мм -г V*, AGßOCc,jv или AGbocc.f-
Легко показать, что
{р (М)г — р (М)дг}о - 2 { ^ (М м )г-|°(М м М -- 2А£вОСС. (1.61)
Учитывая, что область существования соединений нормальных металлов очень мала, и считая кривую их свободной энергии сим
метричной относительно стехиометрического состава, т. е. р (М)уѵ,о — р (Х)г,о, из уравнений (1.60) и (1.61) находим
(р (Х)г - Р (М)г}0 = |
~ |
2 (А£окис - |
Д£„осс). |
Рассчитанная по этому уравнению |
величина |
(табл. 1.5) |
|
|
|
|
Ч д х J о |
для всех рассматриваемых соединений отрицательна, что указывает на тенденцию к образованию фаз с избытком кислорода.
Уокислов переходных металлов, в которых катион находится
ввысшем валентном состоянии, валентная полоса по-прежнему образована состояниями X2-. Так как дальнейшее окисление не
возможно, |
то А £ о к и с = 0. |
С другой стороны, |
восстановление |
метал |
||||
ла |
в окислах переходных металлов происходит легче, чем в окис |
|||||||
лах |
нормальных |
металлов из-за |
различий |
в положении |
полосы |
|||
|
|
|
|
|
|
|
Т а б л и ц а 1.6 |
|
|
Расчет асимметрии кривой свободной энергии для окислов М.203 |
|||||||
|
|
|
|
(M = Mn, |
Fe, Со, Ni) |
|
|
|
|
|
Окислы |
|
Мп20 3 |
FeA. |
Со20 3 |
Ni20 3 |
|
|
|
бб'окис |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
|
|
|
Ф\і21 Jm2+ |
|
—5,4 |
—1,83 |
—5,2 |
— 7,3 |
|
/ |
dJ |
^^восс |
|
. —3,8 |
—2,35 |
—4,0 |
— 6,8 |
|
\ |
|
|
г 7,6 |
- г 4, 7 |
- - 8,0 |
f 13,6 |
||
\ |
д х |
) — ^ { |
о ш с |
^ ^ восс^ |
44
F
C n p
I/
к 2*
С-& Д "У ////// / ) ( / / ' М
а
л E
в о е
fг
1 |
/У |
I |
к;.м |
Рис. 1.10. Схема энергетических уровней соединения М2Х3
2+:а Е
-вое
а
Рис. 1.11, Схема энергетических уровней для окислов со структурой шпинели;' a) Fe304;
б) шпинель, образованная |
непереходными |
металлами (например, |
MgAl20 4) |
проводимости (рис. 1.10). Как видно из табл. 1.6, для всех полу-
торных окислов величина |
/ |
3G х ^ |
а |
и, следовательно, можно |
\ |
— |
|
||
|
дх |
|
|
ожидать асимметрии кривой свободной энергии с минимумом в точке, отвечающей образованию фаз с избытком металла.
В качестве примера химических соединений с промежуточной валентностью переходного металла рассмотрим окислы со струк турой шпинели Fe30 4 и Мп30 4. На рис. 1.11 показана энергетиче-
С,ккая/г=атом"
Рис. 1.12. Зависимость свободной энергии от состава для конденсированных фаз системы
Fe — О при 1000°С
ская диаграмма магнетита и MgAbO,). В то время как восстанов ление непереходного металла ведет к появлению электронов на
уровне А1д+, а окисление — к появлению дырок в |
полосе |
О2-, оба эти процесса в магнетите затрагивают только F e^ |
поло |
су, заполненную лишь наполовину. Центр этой полосы на 2 эв ни же А12+ полосы и на 5—10 эв выше 0 2~ полосы. Можно поэтому ожидать, что окисление идет намного легче, чем восстановление, причем минимум кривой свободной энергии отвечает величине
асимметрии А = ^ ~ — 1 0 ± 5 э в .
На рис. 1.12 показано относительное положение кривых сво
бодной энергии |
для различных фаз системы Fe—О при темпера |
||
туре 1000° С. У |
вюстита и магнетита величина |
дх |
имеет бо- |
|
ѵ |
/о |
лее отрицательное значение, чем общие касательные к кривым G(Fe) и G(FeO). Это указывает на нестабильность фаз с избыт ком металла. И действительно, вюстит и магнетит стабильны лишь с избытком кислорода. Для гематита наклон общей касательной к
кривым G(Fe30 4) и G(Fe203) намного меньше, чем ( ——^ . Сле-
\ дх Jo
довательно, гематит с избытком металла термодинамически стаби лен. Вместе с тем при Рог =1 атм наклон касательной, меньший,
46
чем величина ( “р ") > указывает |
на |
невозможность образования |
гематита с избытком кислорода. |
Не |
исключено, что такая фаза |
действительно существует при Ро2 |
1 |
атм. |
Взаимодействие точечных дефектов в окисных кристаллах
До сих пор мы рассматривали модель нестехиометрических окислов со статистически беспорядочным распределением дефек тов. Такое приближение, строго говоря, является весьма грубым и не соответствует реальности для большинства окисных и фер ритных систем. По мнению Риза [39], дефекты существуют незави симо друг от друга и не взаимодействуют между собой, если их концентрация не превышает 10~5 мол.%. Очевидно, что степень взаимодействия дефектов существенно зависит от температуры, значительно усиливаясь по мере охлаждения кристаллов.
Простейшим видом взаимодействия является образование ассоциатов между одинаковыми или разнообразными точечными де фектами. В случае одинаковых дефектов упругое и кулоновское взаимодействие приводит к отталкиванию, однако между такими дефектами существует и притяжение, обусловленное квантово механическим обменным взаимодействием. Если силы притяжения достаточно велики, то дефекты сближаются. Следует отметить, что не всегда минимум свободной энергии соответствует минимально возможному расстоянию дефектов, составляющих ассоциат (дефек ты занимают соседние кристаллографические позиции). В ряде случаев образуются ассоциаты более высокого порядка, чем пер вого.
Неодинаковые дефекты (особенно дефекты, имеющие противо положный заряд и притягиваемые друг к другу кулоновскими си лами) образуют более прочные ассоциаты. В чистых нестехиомет рических окислах, где обычно доминируют один вид атомных и один вид электронных дефектов, часто имеет место образование нейтральных ассоциатов типа F-центров. Например, при раство рении в окисле МО избыточного кислорода в соответствии с ква зихимической реакцией -
|
Y |
O g^O g + Ѵм + А- |
(1.62) |
|||
образуются |
катионные |
вакансии и |
дырки. |
Учитывая, |
что |
|
[Ѵм] = р, из |
уравнения |
(1.62) |
находим |
Р с с Р о 4. |
Наблюдаемые |
|
экспериментально завышенные |
значения |
показателя степени |
при |
|||
Р0г связаны с ассоциацией дефектов |
|
|
|
Ѵм + h‘ -»-(Ѵм, h')x .
Следует иметь в виду, что сближение дефектов всегда приво дит к появлению упругих напряжений, которые могут быть умень
47
шены за счет перегруппировки соседних атомов или ионов. Резуль татом такой перегруппировки является локальное нарушение по рядка в микрообъемах, окружающих дефектный комплекс. Извест но, например, что в нестехиометрической закиси железа домини руют дефекты типа катионных вакансий и дырок. Последние, локализуясь на ионах железа в виде Fe34', сильно взаимодействуют с вакансиями, несущими эффективный отрицательный заряд. При тяжение ионов Fe3+ к вакансиям настолько велико, что они поки дают регулярные узлы решетки, переходя в междоузлия и оставляя позади себя новые катионные вакансии. В результате образуется комплекс, состоящий из межузельного иона Fe3+ в окружении двух катионных вакансий, т. е.
Оа —>- Оо ~ (2ѴРе, Fe. ) ' -р/г.
Было показано [40, 41], что взаимодействие точечных дефек
тов может |
привести и |
к |
более серьезным структурным |
измене |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
ниям, нежели локальные иска |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
жения решетки. Речь идет об |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
упорядочении дефектов с обра |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
зованием |
сверхструктуры или |
||||
|
|
|
|
|
|
|
структуры сдвига. Первая воз |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
никает путем ассимиляции ва |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
кансий |
или |
внедренных ато |
|||
|
|
|
|
|
|
|
мов: одинаковые по заряду де |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
фекты |
стремятся занять более |
||||
|
|
|
|
|
|
|
удаленные друг от друга пози |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
ции, но по мере увеличения их |
|||||
Рис. |
1.13. |
Образование |
структуры |
концентрации |
отталкивающие |
|||||||
силы становятся все более сим |
||||||||||||
сдвига в |
окисном |
кристалле |
типа |
метричными, побуждая дефек |
||||||||
ReOe; О |
— металл; |
О — анион; ф — |
||||||||||
анионная |
|
вакансия. Стрелкой ука |
ты занимать вполне определен |
|||||||||
зано направление скалывающей кри |
ные |
кристаллографические уз |
||||||||||
сталл |
силы, а сплошной |
линией — |
лы. |
При |
некоторой |
мольной |
||||||
плоскость |
кристаллографического |
концентрации, выражаемой ра |
||||||||||
|
|
|
сдвига |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
циональным |
числом, |
вакансии |
|||
|
|
|
|
|
|
|
или внедренные атомы полно |
|||||
стью упорядочиваются с образованием сверхструктуры. |
|
|||||||||||
Естественно, что упорядоченные дефекты |
«связывают» друг |
|||||||||||
друга, и значительно менее подвижны, |
чем |
неупорядоченные и, |
||||||||||
строго |
говоря, не |
могут рассматриваться |
как |
дефекты |
во вновь |
возникшем кристаллографическом порядке. В качестве дефектов теперь выступают любые нарушения сверхструктуры, а не основ ной структуры, существовавшей первоначально.
В ряде окисных кристаллов упорядочение дефектов происхо дит путем перегруппировки связей между координационными по лиэдрами, в результате чего уменьшается отношение кислород — металл внутри некоторых плоскостей кристалла, которые можно
48