Файл: Черный Ф.Б. Теория электромагнитного поля курс лекций.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.07.2024

Просмотров: 143

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Отсюда для потенциала и момента

мультиполя

/-го

порядка

находим

 

 

 

 

 

 

 

ipi-ilfios

9-,-cos

... cos

 

 

 

 

^ ~

4nEer'"+î

'

 

 

Из

формулы

для потенциала

видно, что поле мультиполя очень

быстро

убывает

с расстоянием

по мере повышения

его

порядка.

Мультнполь может рассматриваться как модель кристаллической

решетки. Действительно, кристалл в первом

приближении

пред­

ставляют себе как решетку,

в узлах которой

расположены

поло­

жительно или отрицательно

з а р я ж е н н ы е ионы

атомов.

 

 

 

 

 

 

3. Вектор

поляризации

 

 

 

 

 

Фа радей

впервые заметил,

что если

между обкладками

конден­

сатора

поместить

диэлектрик,

то

происходит

увеличение

емкости

конденсатора, то

есть без диэлектрика

разность

потенциалов

U

 

 

 

 

 

 

 

qS

 

 

 

 

 

г'

 

 

 

определялась

формулой U=

Со

 

 

 

 

-•-

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

a) d

 

 

 

qsз а р я д

на обкладке

 

к о н д е н с а т о р а

 

 

 

 

 

 

(рис. 5,а),

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C0=-jï—емкость

 

конденсатора

и для

 

 

 

 

 

 

напряженности поля

получалось

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(1)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Р и с

5

 

 

При

внесении

диэлектрика

 

разность

потенциалов вследствие

увеличения емкости

уменьшается

и, следовательно,

уменьшается

напряженность поля. Этот эффект

можно

объяснить

тем, что под

влиянием электрического

поля

молекулы

вещества

диэлектрика

поляризуются и в результате на обкладках

конденсатора

образу­

ется

поверхностный

з а р я д противоположного

знака

первоначально­

му

поверхностному

з а р я д у

 

(рис. 5,6). Так что теперь

вместо

(1)

кмеем

 

 

 

 

 

 

 

 

Pc

 

 

 

 

 

 

(2)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

причем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

p's<Ps.

 

 

 

 

 

 

 

Если ввести в рассмотрение дипольный

момент единицы

объема

Р или, иначе

называемый,

вектор поляризации, имеющий, как вид­

но из соотношения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

[Pi­

 

 

ll

Кл

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

47


размерность поверхностной плотности зарядов, то можно предпо­ ложить, что

где Рп

его

нормальная

к

обкладке

конденсатора

с о с т а в л я ю щ а я

(рис. 5,в). Тогда из формулы

 

 

 

 

 

 

 

найдем,

что

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ps=Dn=t0En+Pn.

 

 

 

 

 

 

 

О б о б щ а я ,

можем

написать, что внутри диэлектрика

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D ^ S û E + P.

 

 

 

 

(3)

Подставив

это

выраж&ние

в третье

уравнение М а к с в е л л а

 

 

находим

 

 

 

 

 

 

 

d i v D = p,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d i v ( s 0 E ) = p — d i v P .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В

отличие

 

от

р— плотности свободных зарядов — div Р

назы­

вают

плотностью

связанных

или

поляризационных, зарядов,

т. е.

 

 

 

 

 

 

 

 

Pn<M= - div Р.

 

 

 

 

 

В

случае

изотропного

диэлектрика

вектор

Р пропорционален

вектору

Е,

т. е.-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Р = 8 0 Х , Е ,

 

 

 

 

 

(4)

где

У-е

называется

электрической

 

восприимчивостью.

Соответ­

ственно

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D = e 0 ( l + X e ) E - e 0 e E ,

 

 

 

 

т. е. относительная

диэлектрическая

проницаемость

равна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В - 1 + Х в .

 

 

 

-

 

(5)

Учитывая

щхо равенство,

вместо

(4)

можем

написать

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Р = е 0 ( е - 1 ) Е .

 

 

 

 

(6)

В случае

анизотропного

диэлектрика

электрическая .восприимчи­

вость

является

тензором.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С о г л а с н а

(5)

компоненты тензора

диэлектрической

проницае­

мости связаны с компонентами тензора

электрической

восприим­

чивости

формулой

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

[4j\ =

[Weu\-

 

 

 

 

48


4.Внутреннее поле

Ди п о л ь н ый момент единицы объема равен произведению ди-

польного

момента

одной молекулы р м на число молекул N в

еди­

нице объема, т. е.

Р=УѴрм .

 

 

 

 

 

 

Молекула поляризуется под воздействием поля

и поэтому

ди­

польный

момент р м

должен быть пропорционален

напряженности

поля. Однако возникает вопрос, какое поле действует на индиви­ дуальную молекулу. Ведь мы ввели вектор Р в предположении не­ прерывности вещества диэлектрика . При этом предположении ни­

каких

промежутков между молекулами

нет.

Но в действительности

к а ж д а я

молекула находится в вакууме

(е =

1),.хоть она и окруже -

на другими молекулами . Поэтому нельзя ожидать, что то поле, ко­

торое

индуцирует момент

р м , будет равно

полю Е, которое полу­

чается

в

предположении

непрерывности

диэлектрика .

Мы должны, следовательно, считать, что этот момент индуци­

руется некоторым

эффективным полем

Е Э ф ф так,

что

 

 

где а — так н а з ы в а е м а я

Ри £ о а Е э фф,

 

 

 

 

 

поляризуемость

молекулы,

а

 

Е, — дополнительное

«внутреннее»

тгале, которое

нам

надле­

ж и т найти.

 

 

 

 

 

 

 

Итак,

к а ж д а я

молекула находится

в

некоторой полости

внутри

диэлектрика .

 

 

 

 

- - -'-

 

Самое

простое

предположение относительно

формы

полости,

которое само собой напрашивается, это то, что эта полость пред­

ставляет собой шар . Вне этого шара действует

вектор поляриза­

ции Р. Значит на

поверхности

шара действует

поляризационный

поверхностный з а р я д плотностью,

согласно (3),

равной

 

Р п о л 5 =

Р"-

 

 

Что означает знак

«—»? В случае

Ds=os

вектор

D выходит из по-

4 ложительных зарядов . Следовательно, знак «—» означает, что век­ тор Р выходит из отрицательных зарядов (рис. 6).

Рис. 6 Рис. 7

Вектор напряженности поля Е/, действующий на молекулу, на­ ходящуюся в центре ш а р а , изображен на рис. 7. Э т а напряжен -

4 ЧорныА

49



ность поля

создается поляризационным поверхностным з а р я д о м

плотности

р п о л ( f =Pcos&.

Поле dEi, создаваемое этим поверхностным зарядом, располо­ женным на элементе dS=a2sin ftd&d<? поверхности ш а р а радиуса а, р;-іВно

dEt=

Pcos 9-dS _ Pcos Э-sin &dbd<?

4ite0

 

При суммировании векторов поля, создаваемых всеми элемен­ тами поверхности ш а р а , останется только вертикальная составляю­ щая поля Eiz (рис. 7), так что необходимо проинтегрировать ве­ личину

dEu=dEi

cos » =

 

-

 

 

 

 

 

4 я е 0

 

и мы получим

 

 

 

 

 

 

- 2п

 

 

 

 

 

 

Pcos2 »sin,^

,„

,

i

f

Pcos'frsin bdb

P_

n0 0

 

 

0

 

 

 

Признаком правильности сделанных предположений и получен­

ного результата является то, что

не

зависит от радиуса шара .

5. Формул'а

Клаузиуса—Мосотти

 

Таким образом,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

р

 

 

 

 

 

о

 

откуда

 

 

NasüE

 

 

 

Р=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

Учитывая формулу (6),

находим

 

 

 

Na

 

s - 1

 

 

(7)

 

3

 

£ + 2

'

 

 

 

 

 

Это соотношение называется формулой Клаузиуса — Мосотти по имени ученых, впервые в середине прошлого века его написавших.

Эта формула примечательна тем, что она связывает между со- • бой макроскопический параметр вещества, каковым является от­

носительная диэлектрическая проницаемость

е, с микропараметра ­

м и — поляризуемостью молекулы а и числом

N.

50