Файл: Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.10.2024

Просмотров: 154

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Жидкие металлы, полуметаллы и полупроводники

107

-гоо'

Ф п г. 3.27. Термо-э.д.с. жидкого Те — Т1 в зависимости от концентра­ ции Те.

1,1

1,г

1,з

ifi

 

 

ю3/т,

К''

 

 

Ф и г. 3.28. Проводимость а и постоянная Холла

RH для S b 2 S e 3 при пере­

ходе через

точку

плавления

[429].

ТеТ12 . Поле вокруг иона Т 1 3 + будет поэтому слабым, и вырожден­ ный газ электронов будет обладать такими же свойствами, как электроны в концентрированных металл-аммиачных растворах, описанных в гл. 5.

108

Глава 3

На фиг. 3.27 показана термо-э. д. с. в рассматриваемой системе в зависимости от концентрации. Из графика следует, что в обла­ сти, богатой Те, сплав является проводником р-типа. С другой стороны, при любой концентрации Те знак постоянной Холла соответствует проводимости ге-типа. По соображениям, приведен­ ным в 2.12, мы не полагаем, что отсюда можно сделать какой-либо

 

500

600

700

S00

900

ЮОО

1100

 

 

 

 

Г. X

 

 

 

Ф и г . 3.29.

 

Зависимость

сопротивления

р от температуры

для сплавов

 

 

Те —

Т1, богатых теллуром

[115].

 

1 — Т 1 а 1 Т е в э ;

2 — Т 1 „ Т е „ ; з — i T l . / T e , , ;

4 — Т 1 „ Т е „ ;

5 _ Т 1 в 7 Т е „ ; в — Т 1 „ Т е „ .

вывод относительно того, являются ли носители тока

электронами

или дырками. В качестве доказательства того, насколько мало информации можно извлечь из эффекта Холла, Регель и др. [429] отметили, что у некоторых веществ с проводимостью 1—10 О м - 1 X

X с м - 1

изменение проводимости при плавлении мало, а величи­

на RH

изменяется на два порядка величины; в качестве примера

на фиг. 3.28 приведены данные для Sb2 Se3Это, по-видимому, подтверждает наше высказывание о том, что формулу RH =

=1/пес нельзя применять в случае малой длины свободного про­

бега или перескоковой проводимости 1 ) .

х ) Эндерби и Коллингс [155] выдвинули иную гипотезу, а именно что сплавы, богатые Те, являются металлами, как это показывает эффект Холла, и что термо-э.д.с. р-типа обусловлена неким резонансным рассеянием, кото­ рое быстро возрастает с ростом энергии. Нам кажется, что трудно принять такое объяснение. Проводимость п о р я д к а 4 - 1 0 _ 3 О м _ 1 - с м _ 1 является наимень­ шей возможной для металла; если мы имеем дело с металлическим провод­ ником, средняя длина свободного пробега должна быть очень малой, и резкая зависимость от энергии неправдоподобна.


Жидкие металлы, полуметаллы и полупроводники

109

На фиг. 3.29 (заимствованной у Катлера и Меллона [115]) представлена температурная зависимость удельного сопротивле­ ния жидких сплавов Те — Т1 при концентрации теллура, боль­ шей, чем у ТеТ12 . Хотя температура меняется в широких преде­ лах, при величине проводимости больше 200 О м " 1 - с м - 1 эти вещег ства следует отнести к классу «б» (металлическому) и предполо­

жить, что проводимость

пропорциональна величине [N

{EF)]2,

которая поэтому должна

возрастать с температурой.

 

Возникает вопрос, почему эти вещества обладают термо-э. д. с. р-типа, и значит, EF лежит в нижней части энергетической псевдо­ щели, как показано на фиг. 3.21. Одним из возможных объяснений является то, что с ростом температуры зона проводимости расши­ ряется больше, чем валентная зона, образованная из тс-орбиталей, не принимающих участия в связи. Другое возможное объяснение, предложенное Катлером, заключается в том, что оборванные цепи вносят незаполненные орбитали и тем самым добавляют новые состояния к валентной зоне. В подтверждение этой модели Катлер 1112] указывает, что при заданной температуре, если принять, что сплавы образуют цепи теллура, имеющего на концах атомы таллия, проводимость пропорциональна числу связей Те — Те.

Сдвиг Найта К должен обнаружить переход между проводимостями типа «а», «б» и «в». Займан [557] указал, что у обычных металлов класса «а» величина К приближенно пропорциональна [./V (Ер)]св- В жидких полуметаллах, у которых псевдощель запол­ няется при повышении температуры, следует ожидать проводи­ мость типа «б» или «в». В случае типа «б» сдвиг Найта должен быть пропорционален g, а проводимость — g 2 , так что должна наблю­ даться пропорциональность между К2 и а (см. также 3.17.2). В своих двух работах Уоррен [532, 533] исследовал сдвиг Найта жидких 1п2 Те3 и Ga 2 Te 3 . Принимая g равным единице при высо­ ких температурах, он смог получить g из значений К при низких температурах. Он нашел, что в этой области величина К2постоянна. Кроме того, когда g становится меньше 1 / з , наблюдает­ ся более быстрое падение а, которое он приписывает началу локализации.

В области диффузионного движения (класс «б») скорость рела­ ксации ядер намного больше, чем это следует из соотношения Корринги. Уоррен считает, что скорость релаксации зависит от времени, которое электрон проводит на каждом атоме (в наших обозначениях l/v„„, гл. 2), и тем самым непосредственно связана с проводимостью (см. также [372]).



Г Л А В А 4

Ф О Н О Н Ы И П О Л Я Р О Н Ы

4.1. ВВЕДЕНИЕ

Колебания решетки (фононы) влияют на электрические и опти­ ческие свойства некристаллических веществ различным образом.

Мы

будем рассматривать следующие

эффекты.

а) Рассеяние электронов фононами, дающее вклад в электро­

сопротивление таким же образом,

как

и в кристалле.

б)

Термпческп активированные

перескоки; электрон может

перескочить из одного локализованного состояния в другое, имеющее иную энергию, только обмениваясь энергией с колеба­ ниями решетки.

в) Образование поляронов пли, в случае локализованных состояний, искажение решетки вокруг центра, на котором локали­ зован электрон. Это в некоторой степени может иметь место неза­ висимо от того, является ли вещество полярным или пет, но в слу­

чае захваченных электронов в германии

и кремнии эффект мал.

г) Влияние образования поляроиа па

явления переноса.

4.2. РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ

ФОНОНАМИ

 

Насколько нам известно, не существует теории рассеяиия

электронов фононами в аморфных полупроводниках или

метал­

л а х 1 ) . В аморфных полупроводниках влияние фононного

рассея­

ния мало, поскольку средняя длина свободного пробега, вероятно, порядка постоянной решетки вследствие разупорядочения. Это влияние может быть существенным в некристаллических твердых металлах (обсуждение аморфных металлов см. в гл. 3). Однако фононное рассеяние определяет скорость потери энергии электро­ нами, инжектированными в зону проводимости полупроводника, а эта величина имеет важное значение при рассмотрении переклю­ чения, фототоков и тому подобных явлений. Известно, что элек­ трон в сплаве при рассеянии на примеси может испытывать как упругие, так и неупругие соударения. Панова, Жернов и Кутайцев [400], а также Каган и Жернов [265] наблюдали резко выра-

г ) Особенности рассеяния электронов фононами в аморфных телах и их влияние на явления переноса рассмотрел Губанов [216, 713, 714] . — Прим. перев.


Фононы

и поляроны

111

жеиный максимум удельного

сопротивления сплавов M g

— Pb

при 55 К; при более низкой температуре нет достаточного

числа

электронов выше уровня Ферми для того, чтобы неупругие соуда­ рения были заметны. В некристаллическом полупроводнике элек­

трон с энергией

вблизи Ее рассеивается каждые 10~1 5 —10~1 0 с

и эти соударения

могут быть упругими или неупругими. Вероят­

ность того, что в единицу времени электрон отдаст квант энергии ?ico фонону с частотой со, обычно не больше со ( ~ 1 0 1 2 с - 1 ) , если только натяжение связей невелико [502]. Поэтому скорость потери энергии часто порядка Й с о 2 , где со характеристическая частота решетки.

Хиндли [245] выполнил вычисления по указанной схеме. Он нашел, что вероятность испускания электроном фонона имеет порядок со, средней частоты фонона. Это легче всего увидеть, рассматривая переход из слабо локализованного состояния радиу­ сом г в нелокализованное состояние. Матричный элемент фононного поля того же типа, что и при рассмотрении оптических пере­ ходов (см. 2.11), а именно

В работе Хиндли, так же как в 2.5, считается, что фаза меняет­ ся случайным образом от атома к атому, так что интеграл содержит члены (rlaf со случайными знаками и, следовательно, пропор­ ционален (г/а)3>*. Однако нормирующий множитель в я|>г пропор­ ционален (г/а)- 3 /", так что г сокращается; тот же результат остает­ ся справедливым для нелокализованных состояний.

Эта качественная оценка имеет отношение к вопросу, могут ли в аморфном полупроводнике возникнуть горячие электроны. Пред­ положим, что электроны находятся в нелокализованных состоя­ ниях, описанных в гл. 2, выше скачка подвижности. Примем, что подвижность и. по порядку величины составляет 10 с м 2 - В - 1 ' С 1 . Скорость дрейфа есть \iF, значит, скорость накопления энергии равна e\iF2, за время 1/со приобретается энергия e]xF2/a. Если величину F измерять в В/см, эта энергия равна 1 0 - 1 1 F 2 эВ. Таким образом, ноле, превышающее 105 В/см, сообщает электрону между двумя столкновениями с фоноиами энергию больше энергии фоно­ на, так что при таких полях не исключено возникновение горячих электронов. Более того, поскольку подвижность должна возра­ стать с энергией, как только возникают горячие электроны, они ускоряются и приводят к образованию лавины (см. 7.9).

4.3. ТЕРМИЧЕСКИ АКТИВИРОВАННЫЕ ПЕРЕСКОКИ

Рассмотрим теперь процесс, посредством которого электрон может перескочить между двумя локализованными состояниями