Файл: Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 15.10.2024
Просмотров: 154
Скачиваний: 0
Жидкие металлы, полуметаллы и полупроводники |
107 |
-гоо'
Ф п г. 3.27. Термо-э.д.с. жидкого Те — Т1 в зависимости от концентра ции Те.
1,1 |
1,г |
1,з |
ifi |
|
|
ю3/т, |
К'' |
|
|
Ф и г. 3.28. Проводимость а и постоянная Холла |
RH для S b 2 S e 3 при пере |
|||
ходе через |
точку |
плавления |
[429]. |
ТеТ12 . Поле вокруг иона Т 1 3 + будет поэтому слабым, и вырожден ный газ электронов будет обладать такими же свойствами, как электроны в концентрированных металл-аммиачных растворах, описанных в гл. 5.
108 |
Глава 3 |
На фиг. 3.27 показана термо-э. д. с. в рассматриваемой системе в зависимости от концентрации. Из графика следует, что в обла сти, богатой Те, сплав является проводником р-типа. С другой стороны, при любой концентрации Те знак постоянной Холла соответствует проводимости ге-типа. По соображениям, приведен ным в 2.12, мы не полагаем, что отсюда можно сделать какой-либо
|
500 |
600 |
700 |
S00 |
900 |
ЮОО |
1100 |
|
|
|
|
Г. X |
|
|
|
Ф и г . 3.29. |
|
Зависимость |
сопротивления |
р от температуры |
для сплавов |
||
|
|
Те — |
Т1, богатых теллуром |
[115]. |
|
||
1 — Т 1 а 1 Т е в э ; |
2 — Т 1 „ Т е „ ; з — i T l . / T e , , ; |
4 — Т 1 „ Т е „ ; |
5 _ Т 1 в 7 Т е „ ; в — Т 1 „ Т е „ . |
||||
вывод относительно того, являются ли носители тока |
электронами |
или дырками. В качестве доказательства того, насколько мало информации можно извлечь из эффекта Холла, Регель и др. [429] отметили, что у некоторых веществ с проводимостью 1—10 О м - 1 X
X с м - 1 |
изменение проводимости при плавлении мало, а величи |
на RH |
изменяется на два порядка величины; в качестве примера |
на фиг. 3.28 приведены данные для Sb2 Se3Это, по-видимому, подтверждает наше высказывание о том, что формулу RH =
=1/пес нельзя применять в случае малой длины свободного про
бега или перескоковой проводимости 1 ) .
х ) Эндерби и Коллингс [155] выдвинули иную гипотезу, а именно что сплавы, богатые Те, являются металлами, как это показывает эффект Холла, и что термо-э.д.с. р-типа обусловлена неким резонансным рассеянием, кото рое быстро возрастает с ростом энергии. Нам кажется, что трудно принять такое объяснение. Проводимость п о р я д к а 4 - 1 0 _ 3 О м _ 1 - с м _ 1 является наимень шей возможной для металла; если мы имеем дело с металлическим провод ником, средняя длина свободного пробега должна быть очень малой, и резкая зависимость от энергии неправдоподобна.
Жидкие металлы, полуметаллы и полупроводники |
109 |
На фиг. 3.29 (заимствованной у Катлера и Меллона [115]) представлена температурная зависимость удельного сопротивле ния жидких сплавов Те — Т1 при концентрации теллура, боль шей, чем у ТеТ12 . Хотя температура меняется в широких преде лах, при величине проводимости больше 200 О м " 1 - с м - 1 эти вещег ства следует отнести к классу «б» (металлическому) и предполо
жить, что проводимость |
пропорциональна величине [N |
{EF)]2, |
которая поэтому должна |
возрастать с температурой. |
|
Возникает вопрос, почему эти вещества обладают термо-э. д. с. р-типа, и значит, EF лежит в нижней части энергетической псевдо щели, как показано на фиг. 3.21. Одним из возможных объяснений является то, что с ростом температуры зона проводимости расши ряется больше, чем валентная зона, образованная из тс-орбиталей, не принимающих участия в связи. Другое возможное объяснение, предложенное Катлером, заключается в том, что оборванные цепи вносят незаполненные орбитали и тем самым добавляют новые состояния к валентной зоне. В подтверждение этой модели Катлер 1112] указывает, что при заданной температуре, если принять, что сплавы образуют цепи теллура, имеющего на концах атомы таллия, проводимость пропорциональна числу связей Те — Те.
Сдвиг Найта К должен обнаружить переход между проводимостями типа «а», «б» и «в». Займан [557] указал, что у обычных металлов класса «а» величина К приближенно пропорциональна [./V (Ер)]св- В жидких полуметаллах, у которых псевдощель запол няется при повышении температуры, следует ожидать проводи мость типа «б» или «в». В случае типа «б» сдвиг Найта должен быть пропорционален g, а проводимость — g 2 , так что должна наблю даться пропорциональность между К2 и а (см. также 3.17.2). В своих двух работах Уоррен [532, 533] исследовал сдвиг Найта жидких 1п2 Те3 и Ga 2 Te 3 . Принимая g равным единице при высо ких температурах, он смог получить g из значений К при низких температурах. Он нашел, что в этой области величина К2/а постоянна. Кроме того, когда g становится меньше 1 / з , наблюдает ся более быстрое падение а, которое он приписывает началу локализации.
В области диффузионного движения (класс «б») скорость рела ксации ядер намного больше, чем это следует из соотношения Корринги. Уоррен считает, что скорость релаксации зависит от времени, которое электрон проводит на каждом атоме (в наших обозначениях l/v„„, гл. 2), и тем самым непосредственно связана с проводимостью (см. также [372]).
Г Л А В А 4
Ф О Н О Н Ы И П О Л Я Р О Н Ы
4.1. ВВЕДЕНИЕ
Колебания решетки (фононы) влияют на электрические и опти ческие свойства некристаллических веществ различным образом.
Мы |
будем рассматривать следующие |
эффекты. |
|
а) Рассеяние электронов фононами, дающее вклад в электро |
|||
сопротивление таким же образом, |
как |
и в кристалле. |
|
б) |
Термпческп активированные |
перескоки; электрон может |
перескочить из одного локализованного состояния в другое, имеющее иную энергию, только обмениваясь энергией с колеба ниями решетки.
в) Образование поляронов пли, в случае локализованных состояний, искажение решетки вокруг центра, на котором локали зован электрон. Это в некоторой степени может иметь место неза висимо от того, является ли вещество полярным или пет, но в слу
чае захваченных электронов в германии |
и кремнии эффект мал. |
|
г) Влияние образования поляроиа па |
явления переноса. |
|
4.2. РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ |
ФОНОНАМИ |
|
Насколько нам известно, не существует теории рассеяиия |
||
электронов фононами в аморфных полупроводниках или |
метал |
|
л а х 1 ) . В аморфных полупроводниках влияние фононного |
рассея |
ния мало, поскольку средняя длина свободного пробега, вероятно, порядка постоянной решетки вследствие разупорядочения. Это влияние может быть существенным в некристаллических твердых металлах (обсуждение аморфных металлов см. в гл. 3). Однако фононное рассеяние определяет скорость потери энергии электро нами, инжектированными в зону проводимости полупроводника, а эта величина имеет важное значение при рассмотрении переклю чения, фототоков и тому подобных явлений. Известно, что элек трон в сплаве при рассеянии на примеси может испытывать как упругие, так и неупругие соударения. Панова, Жернов и Кутайцев [400], а также Каган и Жернов [265] наблюдали резко выра-
г ) Особенности рассеяния электронов фононами в аморфных телах и их влияние на явления переноса рассмотрел Губанов [216, 713, 714] . — Прим. перев.
Фононы |
и поляроны |
111 |
жеиный максимум удельного |
сопротивления сплавов M g |
— Pb |
при 55 К; при более низкой температуре нет достаточного |
числа |
электронов выше уровня Ферми для того, чтобы неупругие соуда рения были заметны. В некристаллическом полупроводнике элек
трон с энергией |
вблизи Ее рассеивается каждые 10~1 5 —10~1 0 с |
и эти соударения |
могут быть упругими или неупругими. Вероят |
ность того, что в единицу времени электрон отдаст квант энергии ?ico фонону с частотой со, обычно не больше со ( ~ 1 0 1 2 с - 1 ) , если только натяжение связей невелико [502]. Поэтому скорость потери энергии часто порядка Й с о 2 , где со — характеристическая частота решетки.
Хиндли [245] выполнил вычисления по указанной схеме. Он нашел, что вероятность испускания электроном фонона имеет порядок со, средней частоты фонона. Это легче всего увидеть, рассматривая переход из слабо локализованного состояния радиу сом г в нелокализованное состояние. Матричный элемент фононного поля того же типа, что и при рассмотрении оптических пере ходов (см. 2.11), а именно
В работе Хиндли, так же как в 2.5, считается, что фаза меняет ся случайным образом от атома к атому, так что интеграл содержит члены (rlaf со случайными знаками и, следовательно, пропор ционален (г/а)3>*. Однако нормирующий множитель в я|>г пропор ционален (г/а)- 3 /", так что г сокращается; тот же результат остает ся справедливым для нелокализованных состояний.
Эта качественная оценка имеет отношение к вопросу, могут ли в аморфном полупроводнике возникнуть горячие электроны. Пред положим, что электроны находятся в нелокализованных состоя ниях, описанных в гл. 2, выше скачка подвижности. Примем, что подвижность и. по порядку величины составляет 10 с м 2 - В - 1 ' С 1 . Скорость дрейфа есть \iF, значит, скорость накопления энергии равна e\iF2, за время 1/со приобретается энергия e]xF2/a. Если величину F измерять в В/см, эта энергия равна 1 0 - 1 1 F 2 эВ. Таким образом, ноле, превышающее 105 В/см, сообщает электрону между двумя столкновениями с фоноиами энергию больше энергии фоно на, так что при таких полях не исключено возникновение горячих электронов. Более того, поскольку подвижность должна возра стать с энергией, как только возникают горячие электроны, они ускоряются и приводят к образованию лавины (см. 7.9).
4.3. ТЕРМИЧЕСКИ АКТИВИРОВАННЫЕ ПЕРЕСКОКИ
Рассмотрим теперь процесс, посредством которого электрон может перескочить между двумя локализованными состояниями