Файл: Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.10.2024

Просмотров: 153

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

112

Глава

4

с энергия™,

различающимися на

WD, причем электрон обмени­

вается этой энергией с колебаниями решетки. Следует рассмо­

треть

два

несколько различных

случая:

 

а)

энергия

WD

меньше

0 ,

где

со0

— наибольшая частота

фононов в

твердом

теле;

 

 

 

 

б)

энергия

WD

больше

Йсо0,

так

что

в процессе участвует

несколько

фононов.

 

 

 

 

Первый

случай

относится

к легированному и компенсирован­

ному германию и впервые был рассчитай Миллером и Абрахамсом [3501. Расчет обмена энергией с фононами элементарен. Пусть 1рг и tyj — ортогональные волновые функции двух узлов, как

Ф и г . 4.1. Две ортогональные волновые функции пары примесных центров

а

и б.

Энергия ЕА

меньше Е б -

показано на фиг. 4.1. Будем использовать понятие деформацион­ ного потенциала EL [45], определенного так, что изменение потен­ циальной энергии электрона за счет расширения т] равно r\Ei. Вычислим вероятность того, что за единицу времени электрон перескочит из состояния i в состояния /, пользуясь обычной формулой (гл. 2):

^\Hi}\>N{E),

(4.1)

где N (Е) — конечная плотность состояний, а

— матричный

элемент взаимодействия между электроном и фононом. Если д — волновое число фонона, то

dE


Фопопы и поляроны

и з

где Q — объем; поскольку энергия фонона Е равна

Е = 7ш = Tiqs,

это дает

Здесь s — скорость продольной звуковой волны при данном зна­

чении

q.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чтобы определить I I , рассмотрим твердое тело с плотностью р0 ;

уравнение

Шредингера

для

нормальных

мод имеет вид

 

 

 

 

 

 

 

( * 4 Q p ^ ) « p = ° .

 

 

где

X — безразмерное

расширение,

а

ф (X) —

осцилляторная

волновая функция. Член / / ,

описывающий взаимодействие с фоно­

вом

с

волновым числом

д, имеет

вид

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

XFieicir,

 

 

 

 

>и, поскольку функции x¥i,

Yj

ортогональны, если |

q | • | rt

— г,-

1 в объеме, где обе волновые функции отличны от нуля,

Для

X

можно

записать

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1х"-п+112=(^р%г)7г<"

 

 

где

nq

— число

фононов

в

данном

состоянии.

времени

равно

Таким

образом, число

переходов

в единицу

 

 

 

 

 

 

 

. . | 2 Л

 

 

( 4 . 3 )

 

 

 

 

 

2лйр0«2

 

 

 

 

что

можно

переписать

в

виде

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(4.4)

где

(4.5)

Если два центра а и Ъ сильно удалены друг от друга, как в слу­ чае проводимости по примесям при малой концентрации их, функции Ч',-, XYj можно записать в виде (ср. 2.4).

8 — 0 1 1 42


114

 

 

Глава 4

 

 

где 21 — расстояние

между

уровнями при

WD = О, a WD

соот­

ветствует

Йсо. Для

/ можно

записать

 

 

 

 

/ =

/„е-

 

 

где 10 — энергетический параметр каждой из потенциальных

ям,

a R — расстояние между

ними.

 

 

Таким

образом,

матричный

элемент

равен

 

Д/

авероятность перехода определяется как

-2аДг

(4.6)

2лйв р0 «7

 

Выражение (4.6) справедливо только в том случае, если оно без множителя ?iq дает значеппе, меньшее частоты фопоиа со, иначе его следует заменить на со/г7. Это выражение также требует усло­ вия gR <С I * которое не выполняется в случае проводимости по примесям в легированных кремнии и германии; поэтому Миллер и Абрахаме приняли, что

( ^te^-^jd3x •: 1

и тогда (4.6) принимает впд

EjWDIl

9 п я

(4.7)

 

е~*а"п„.

Для данного явления множитель в скобках по порядку величины равен 101 2 с - 1 , но это случайно, а не потому,-что такое значение имеет частота колебаний.

Если WD больше максимальной энергии фонона 7гсо0, то для того чтобы осуществился переход, требуется участие более чем одного фонона. Нам неизвестны какие-либо расчеты перескоковой проводимости при WD > 7гсо0, но в случае сильно локализованных состояний, особенно в полярных полупроводниках, искажение решетки вокруг локализованного состояния вызывает добавку к энергии активации перескока, и следует учитывать миогофопонные процессы. Мы опишем природу этого искажения в следующем разделе.

Расчет Кубо [301] множителя С, входящего в выражение для вероятности С ехр (—Е/кТ) ионизации за единицу времени цен­ тра, в котором электрон связан с энергией W, аналогичен расчету перескока между двумя локализованными состояниями с приме­ нением многофононной теории.


-Bq

Фононы и поляропы

115

U L . ИСКАЖЕНИЕ РЕШЕТКИ ВОКРУГ

ЗАХВАЧЕННОГО

ЭЛЕКТРОНА

 

Электрон донорного центра в кремнии или германии описы­ вается волновой функцией большого радиуса; искажение решетки электроном мало, и им обычно пренебрегают. Иначе обстоит де­ ло в случае электронов в глубо­ ких ловушках, особенно в поляр­ ных решетках, например в пус­ тых анионных узлах. Так, в щелочногалоидных соединениях удаление электрона из .Р-цеитра приводит к смещению окружаю­ щих ионов, причем выделяется значительная энергия [378]. Ес­ ли радиус локализованного со­ стояния мал, то незаконно пре­ небрегать искажением решетки.

Простой и удобный путь соз­ дания такой теории состоит в

том, чтобы рассмотреть

энергию

 

 

 

 

двухатомной молекулы

в

зави­

 

 

 

 

симости от

некоторой

конфигу­

 

 

Aqz-Bq

рационной координаты q, за ко­

 

 

 

 

торую

можно принять

расстоя­

 

 

 

 

ние между ядрами (фиг. 4.2).

 

 

 

 

Если принять, что энергия име­

 

 

 

 

ет минимум при q =

0Х >, то для

 

 

 

 

малых

q можно

считать

энер­

Ф и г .

4.2.

Энергия электрона в

гию равной Aq2.

Если на

моле­

зависимости

от

конфигурационного

кулу

поместить

электрон

или

 

параметра q.

дырку,

то

обусловленное

этим

 

Полная

энергия запи-

изменение

энергии

будет

равно —Bq.

шется

как

 

 

 

 

Aq2-Bq

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и имеет минимум при q = q0, где

В

Энергия электрона (—Bq) понижается на Bq0; для искажения решетки требуется энергия, равная

M l =irBq0,

х ) В этом случае q — отклонение от равновесного расстояния между яд­ рами. — Прим.перев.


116

 

 

Глава

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и энергия всей системы понижается на 1/2Bq0.

 

Обозначим

эту

энергию,

обусловленную

поляризацией,

через

Wp.

рассмотре­

Полученный результат имеет важное

значение

при

нии спектров поглощения: Если выполняется

принцип

Франка —

 

 

 

 

 

Кондоиа,

то

энергия hv

 

| vp(r)

 

 

 

кванта

излучения с часто­

 

 

 

 

 

той v, требуемая для отры­

 

 

 

 

 

ва

электрона

от

центра

 

 

 

 

 

локализации, всегда боль­

 

 

 

 

 

ше (на

l/2Bq0),

 

чем

пол­

 

 

 

 

 

ная энергия Е в экспо­

 

 

 

 

 

ненте

ехр

(—Е/2кТ),

яв­

 

 

 

 

 

ляющейся

 

множителем,

 

 

 

 

 

например,

в

выражении

 

 

 

 

 

для проводимости.

 

 

 

 

 

 

 

 

В

случае полярных

ре­

 

 

 

 

 

шеток тот же самый ре­

 

 

 

 

 

зультат

можно

получить

 

 

 

 

 

следующим

 

путем.

Рас­

 

 

 

 

 

смотрим

нейтральную

ло­

Ф и г . 4.3.

Потенциальная яма,

образую­

вушку

(локализованное

щаяся за счет поляризации ионной решетки

состояние),

 

которая

мо­

вокруг захваченного электрона.

 

жет

захватить

электрон

стоянной

 

 

 

 

в радиусе г0 порядка по­

решетки. Внесем электрон в ловушку.

Тогда

преж­

де, чем сместятся окружающие ионы, потенциальная

энергия

другого электрона на расстоянии г

будет

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^

7

( г

> г

° ) .

 

 

 

 

 

 

 

 

где Хоо

высокочастотная

 

диэлектрическая

постоянная.

После

смещения

ионов потенциальная энергия

сделается

равной

 

J L

Следовательно, электрон создает для себя потенциальную яму, описываемую выражениями

(г>г0),

(4.8)

( г < г 0 ) ,

где

_1_

(4.9)

Эта яма показана на фиг. 4.3.