Файл: Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 15.10.2024
Просмотров: 153
Скачиваний: 0
112 |
Глава |
4 |
с энергия™, |
различающимися на |
WD, причем электрон обмени |
вается этой энергией с колебаниями решетки. Следует рассмо
треть |
два |
несколько различных |
случая: |
|
||||
а) |
энергия |
WD |
меньше |
7ш0 , |
где |
со0 |
— наибольшая частота |
|
фононов в |
твердом |
теле; |
|
|
|
|
||
б) |
энергия |
WD |
больше |
Йсо0, |
так |
что |
в процессе участвует |
|
несколько |
фононов. |
|
|
|
|
|||
Первый |
случай |
относится |
к легированному и компенсирован |
ному германию и впервые был рассчитай Миллером и Абрахамсом [3501. Расчет обмена энергией с фононами элементарен. Пусть 1рг и tyj — ортогональные волновые функции двух узлов, как
Ф и г . 4.1. Две ортогональные волновые функции пары примесных центров
а |
и б. |
Энергия ЕА |
меньше Е б - |
показано на фиг. 4.1. Будем использовать понятие деформацион ного потенциала EL [45], определенного так, что изменение потен циальной энергии электрона за счет расширения т] равно r\Ei. Вычислим вероятность того, что за единицу времени электрон перескочит из состояния i в состояния /, пользуясь обычной формулой (гл. 2):
^\Hi}\>N{E), |
(4.1) |
где N (Е) — конечная плотность состояний, а |
— матричный |
элемент взаимодействия между электроном и фононом. Если д — волновое число фонона, то
dE
Фопопы и поляроны |
и з |
где Q — объем; поскольку энергия фонона Е равна
Е = 7ш = Tiqs,
это дает
Здесь s — скорость продольной звуковой волны при данном зна
чении |
q. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Чтобы определить I I , рассмотрим твердое тело с плотностью р0 ; |
|||||||||||
уравнение |
Шредингера |
для |
нормальных |
мод имеет вид |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
( * 4 Q p ^ ) « p = ° . |
|
|
|||
где |
X — безразмерное |
расширение, |
а |
ф (X) — |
осцилляторная |
||||||
волновая функция. Член / / , |
описывающий взаимодействие с фоно |
||||||||||
вом |
с |
волновым числом |
д, имеет |
вид |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
XFieicir, |
|
|
|
|
>и, поскольку функции x¥i, |
Yj |
ортогональны, если | |
q | • | rt |
— г,- |
|||||||
1 в объеме, где обе волновые функции отличны от нуля, |
|||||||||||
Для |
X |
можно |
записать |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
1х"-п+112=(^р%г)7г<" |
|
|
|||||
где |
nq |
— число |
фононов |
в |
данном |
состоянии. |
времени |
равно |
|||
Таким |
образом, число |
переходов |
в единицу |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
. . | 2 Л |
|
|
( 4 . 3 ) |
|
|
|
|
|
|
2лйр0«2 |
|
|
|
|
||
что |
можно |
переписать |
в |
виде |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(4.4) |
где
(4.5)
Если два центра а и Ъ сильно удалены друг от друга, как в слу чае проводимости по примесям при малой концентрации их, функции Ч',-, XYj можно записать в виде (ср. 2.4).
8 — 0 1 1 42
114 |
|
|
Глава 4 |
|
|
|
где 21 — расстояние |
между |
уровнями при |
WD = О, a WD |
соот |
||
ветствует |
Йсо. Для |
/ можно |
записать |
|
|
|
|
|
/ = |
/„е- |
|
|
|
где 10 — энергетический параметр каждой из потенциальных |
ям, |
|||||
a R — расстояние между |
ними. |
|
|
|||
Таким |
образом, |
матричный |
элемент |
равен |
|
Д/
авероятность перехода определяется как
-2аДг |
(4.6) |
2лйв р0 «7 |
|
Выражение (4.6) справедливо только в том случае, если оно без множителя ?iq дает значеппе, меньшее частоты фопоиа со, иначе его следует заменить на со/г7. Это выражение также требует усло вия gR <С I * которое не выполняется в случае проводимости по примесям в легированных кремнии и германии; поэтому Миллер и Абрахаме приняли, что
( ^te^-^jd3x •: 1
и тогда (4.6) принимает впд
EjWDIl |
9 п я |
(4.7) |
|
е~*а"п„. |
Для данного явления множитель в скобках по порядку величины равен 101 2 с - 1 , но это случайно, а не потому,-что такое значение имеет частота колебаний.
Если WD больше максимальной энергии фонона 7гсо0, то для того чтобы осуществился переход, требуется участие более чем одного фонона. Нам неизвестны какие-либо расчеты перескоковой проводимости при WD > 7гсо0, но в случае сильно локализованных состояний, особенно в полярных полупроводниках, искажение решетки вокруг локализованного состояния вызывает добавку к энергии активации перескока, и следует учитывать миогофопонные процессы. Мы опишем природу этого искажения в следующем разделе.
Расчет Кубо [301] множителя С, входящего в выражение для вероятности С ехр (—Е/кТ) ионизации за единицу времени цен тра, в котором электрон связан с энергией W, аналогичен расчету перескока между двумя локализованными состояниями с приме нением многофононной теории.
Фононы и поляропы |
115 |
U L . ИСКАЖЕНИЕ РЕШЕТКИ ВОКРУГ |
ЗАХВАЧЕННОГО |
ЭЛЕКТРОНА |
|
Электрон донорного центра в кремнии или германии описы вается волновой функцией большого радиуса; искажение решетки электроном мало, и им обычно пренебрегают. Иначе обстоит де ло в случае электронов в глубо ких ловушках, особенно в поляр ных решетках, например в пус тых анионных узлах. Так, в щелочногалоидных соединениях удаление электрона из .Р-цеитра приводит к смещению окружаю щих ионов, причем выделяется значительная энергия [378]. Ес ли радиус локализованного со стояния мал, то незаконно пре небрегать искажением решетки.
Простой и удобный путь соз дания такой теории состоит в
том, чтобы рассмотреть |
энергию |
|
|
|
|
|||||
двухатомной молекулы |
в |
зави |
|
|
|
|
||||
симости от |
некоторой |
конфигу |
|
|
Aqz-Bq |
|||||
рационной координаты q, за ко |
|
|
|
|
||||||
торую |
можно принять |
расстоя |
|
|
|
|
||||
ние между ядрами (фиг. 4.2). |
|
|
|
|
||||||
Если принять, что энергия име |
|
|
|
|
||||||
ет минимум при q = |
0Х >, то для |
|
|
|
|
|||||
малых |
q можно |
считать |
энер |
Ф и г . |
4.2. |
Энергия электрона в |
||||
гию равной Aq2. |
Если на |
моле |
зависимости |
от |
конфигурационного |
|||||
кулу |
поместить |
электрон |
или |
|
параметра q. |
|||||
дырку, |
то |
обусловленное |
этим |
|
Полная |
энергия запи- |
||||
изменение |
энергии |
будет |
равно —Bq. |
|||||||
шется |
как |
|
|
|
|
Aq2-Bq |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
и имеет минимум при q = q0, где
В
Энергия электрона (—Bq) понижается на Bq0; для искажения решетки требуется энергия, равная
M l =irBq0,
х ) В этом случае q — отклонение от равновесного расстояния между яд рами. — Прим.перев.
116 |
|
|
Глава |
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
и энергия всей системы понижается на 1/2Bq0. |
|
Обозначим |
эту |
||||||||||
энергию, |
обусловленную |
поляризацией, |
через |
Wp. |
рассмотре |
||||||||
Полученный результат имеет важное |
значение |
при |
|||||||||||
нии спектров поглощения: Если выполняется |
принцип |
Франка — |
|||||||||||
|
|
|
|
|
Кондоиа, |
то |
энергия hv |
||||||
|
| vp(r) |
|
|
|
кванта |
излучения с часто |
|||||||
|
|
|
|
|
той v, требуемая для отры |
||||||||
|
|
|
|
|
ва |
электрона |
от |
центра |
|||||
|
|
|
|
|
локализации, всегда боль |
||||||||
|
|
|
|
|
ше (на |
l/2Bq0), |
|
чем |
пол |
||||
|
|
|
|
|
ная энергия Е в экспо |
||||||||
|
|
|
|
|
ненте |
ехр |
(—Е/2кТ), |
яв |
|||||
|
|
|
|
|
ляющейся |
|
множителем, |
||||||
|
|
|
|
|
например, |
в |
выражении |
||||||
|
|
|
|
|
для проводимости. |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
В |
случае полярных |
ре |
|||||
|
|
|
|
|
шеток тот же самый ре |
||||||||
|
|
|
|
|
зультат |
можно |
получить |
||||||
|
|
|
|
|
следующим |
|
путем. |
Рас |
|||||
|
|
|
|
|
смотрим |
нейтральную |
ло |
||||||
Ф и г . 4.3. |
Потенциальная яма, |
образую |
вушку |
(локализованное |
|||||||||
щаяся за счет поляризации ионной решетки |
состояние), |
|
которая |
мо |
|||||||||
вокруг захваченного электрона. |
|
жет |
захватить |
электрон |
|||||||||
стоянной |
|
|
|
|
в радиусе г0 порядка по |
||||||||
решетки. Внесем электрон в ловушку. |
Тогда |
преж |
|||||||||||
де, чем сместятся окружающие ионы, потенциальная |
энергия |
||||||||||||
другого электрона на расстоянии г |
будет |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
^ |
7 |
( г |
> г |
° ) . |
|
|
|
|
|
|
|
|
где Хоо — |
высокочастотная |
|
диэлектрическая |
постоянная. |
После |
||||||||
смещения |
ионов потенциальная энергия |
сделается |
равной |
|
J L
Следовательно, электрон создает для себя потенциальную яму, описываемую выражениями
(г>г0),
(4.8)
( г < г 0 ) ,
где
_1_
(4.9)
Эта яма показана на фиг. 4.3.