Файл: Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах.pdf

Эксперименты по детальному исследованию фотопроводимости в пленках As2 Se3 -2 A s 2 T e 3 были выполнены Вайзером и др. [536]. Эти результаты обсуждаются в 7.5.

9.6.2. СИСТЕМА A s 2 S 3 — A s 2 S e 3

Об измерениях электрических и оптических свойств образцов этой смешанной системы, а также образцов произвольного состава в тройной системе As — Se — S сообщали Байдаков, Борисова и Ипатьева [38], Фелти и Майерс (частное сообщение), Фелти,

добавление A s 2 S 3 к As2 Se3 увеличивает сопротивление при комнат­ ной температуре значительно сильнее, чем можно было ожидать пз относительно слабого изменения энергии активации проводи­ мости. Такое поведение можно объяснить изменением величины С, которое показано на фиг. 9.2. Мы предполагаем, что проводи­ мость A s 2 S 3 вблизи комнатной температуры осуществляется по­ средством перескоков по локализованным состояниям у края

тивления стекол нескольких составов с данными, полученными на поликристаллических материалах. Значения наклонов этих кри­ вых (Е) и предэкспоненциальных множителей (С) показаны на фиг. 9.32. Там же приводятся данные, полученные Эдмондом [149]

края поглощения с составом соответствует изменению Е. Прибли-

380 Глава 9

зительно экспоненциальные края эти авторы предпочли разделить на 2 прямые линии, подчиняющиеся соотношению а ~ (/но—Ей )% , и на основании этого сделали вывод о наличии непрямых перехо­ дов с участием фононов. Если же за оптические ширины зон при­

Аморфные слои GeTe можно получить методом вакуумного испарения или распыления с осаждением на подложки, темпера­ тура которых ниже 50° С. При более высокой температуре подло­ жек получающиеся слои являются либо поликристаллическими с ромбоэдрической структурой или же со структурой типа NaCl, либо представляют собой смесь двух фаз. Несмотря на то что при 600° С пары в основном состоят из GeTe, чтобы избежать избыт­ ка Те в слоях, вероятно, следует использовать материал, обога­ щенный германием.

Структурные исследования аморфных слоев Ge^jTei-^ были проведены Беттсом, Биненштоком и Овшинским [52], которые, исходя из кривой радиального распределения, полученной по данным дифракции рентгеновских лучей, нашли, что расстояние между ближайшими соседями в первой и второй координацион­ ных сферах равны 2,7 и 4,2 А. Отсутствие пика, соответствующего расстоянию между атомами, равному ЗА, наводит на мысль о том, что локальная координация в аморфном и кристаллическом мате­ риалах различна. Эти результаты совместно с данными, получен­ ными Сентурия, Хьюсом и Адлером [453] при исследовании ядер­ ного магнитного резонанса, обсуждались Адлером, Коэном, Фагеном и Томпсоном [7]. Эти авторы предложили, модель связей в GeTe, в которой все валентности насыщены (см. фиг. 2.15, е). Структура GeTe была исследована также Чопрой и Болом [94] (см., кроме того, [138]).

Края оптического поглощения в аморфном и кристаллическом GeTe при комнатной температуре, по данным Бола и Чопры [36], приведены на фиг. 9.33. Хотя большого различия в положении двух краев нет, однако в действительности кристаллический GeTe является полупроводником с малой шириной запрещенной зоны (-^0,3 эВ), но край его смещен в сторону больших энергий вследствие большого сдвига Бурштейна. Край поглощения в ело-

ях характеризуется наличием обычного экспоненциального «хво­ ста», однако наклон его Г 15 э В - 1 меньше тех значений, которые получены для большинства других материалов (см. табл. 7.4).

Ф и г. 9.33. Края оптического поглощения в кристаллическом (1) и аморф­ ном (2) GeTe [36].

Тсу и др. нашли, что край поглощения в этом материале является еще более пологим (Г т 13 эВ""1 ). Обе группы авторов отмечают, что выше экспоненциального края изменение коэффициента погло­