Файл: Сухвало, С. В. Структура и свойства магнитных пленок железо-никель-кобальтовых сплавов.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 15.10.2024
Просмотров: 135
Скачиваний: 0
скольку релаксационные процессы в качестве вторичных эффектов играют при этом важную роль и являются неотъемле мым элементом роста пленок. Степень развития и завершенно сти этих процессов при росте пленок в большой мере определяется температурой и длительностью . процесса кри сталлизации. К сожалению, кинетическую сторону рекристаллизационных процессов во время роста пленок эксперимен тально изучить практически невозможно. В связи с этим для прогнозирования такого рода процессов существенное значе ние приобретает теоретическое рассмотрение кинетики рекри сталлизации.
Ряд важных кинетических характеристик рекристаллизационного процесса можно получить из общей теории фазовых превращений. Исходя из идей А. Н. Колмогорова [161], сле дует принять, что для доли рекристаллизованного объема реа лизуется следующая зависимость:
Л(0 = ш |
1 — ехр |
f j(l )V 0( t - l ) d l , (4.1) |
у. |
|
b |
|
|
где Ко—исходный объем; V(t)—объем, претерпевший превра щение; /( £ ) — скорость зарождения новой фазы; V0{t—g) — объем растущего центра новой фазы.
Будем полагать, что скорость зарождения центров рекри-
сталлизованной |
фазы |
стационарна, т. е. / (т) = /, а скорость |
роста зерна ия |
также |
постоянна для данной температуры и |
и материала. При рекристаллизации в тонкой пленке рост зе
рен происходит лишь в двух направлениях. |
При этом , если |
зерна представить в виде цилиндров постоянной высоты I, то |
|
объем V — кгЧ, откуда |
|
г) — 1 = ехр ^---- -- l v l f \ . |
(4.2) |
Для времени рекристаллизации доли объема т] в тонкой пленке получаем
Г 3 In (1 — г|)
(4.3)
nllvl
Скорость образования центров в 1 см3/сек при стационарном их зарождении можно выразить как
|
RT |
\ ехр |
|
и ехр |
(4.4) |
|
h |
) |
Пт |
|
|
где |
— a5KP; SKp |
4яркР, |
ркр |
2а |
а — поверхностное |
|
171
натяжение на границе раздела фаз; AF0— изменение |
свободной |
||||
энергии при образовании единицы объема |
новой фазы; |
р,.р — ра |
|||
диус критического зародыша; h — постоянная Планка; |
R — газо |
||||
вая постоянная; и — энергия активации |
рекристаллизации. |
||||
Для зародыша недеформированнон |
|
решетки, |
который |
||
можно в первом приближении рассматривать |
сферическим, |
||||
получим |
|
|
|
|
|
№ = 4 " лР«РА/7о — 4лРкр<* = |
3 |
л |
а |
. |
(4.5) |
3 |
|
(Af0) |
|
|
Здесь о — поверхностное натяжение между деформированной и недеформированной частями решетки; АР0— изменение сво бодной энергии решетки при образовании единицы рекристаллизоваиного объема.
Определение скорости роста при рекристаллизации тре бует рассмотрения механизма процесса. Рост зерен, как уже отмечалось, не сопровождается диффузией атомов на боль шие расстояния. При этом зерна, находящиеся непосредствен но у поверхности раздела рекристаллизованных объемов и на пряженной матрицы, преодолевают определенные энергетиче ские барьеры. При рассмотрении роста зерен целесообразно воспользоваться теорией абсолютных скоростей реакции, ко торую мы уже применили к процессам кристаллизации пле
нок. Тогда для |
скорости роста рекристаллизованного |
центра |
||||
(увеличения числа атомов в нем за единицу времени) |
полу |
|||||
чаем выражение, справедливое |
для |
зародыша |
любой |
|||
формы [229]: |
|
|
N d\Fn |
|
||
du |
— h* —— exp |
и |
(4.6) |
|||
dt |
kT |
j |
dn ’ |
|||
kT |
|
где h* и v — число атомов и частота их колебаний у границы зерна, которые предполагаются одинаковыми для внутренней
dAFn
и внешнеп сторон поверхности зерна;----- - — изменение сво- dn
бодной энергии при увеличении зерна на один атом; u = UjN — усредненная величина энергетического барьера элементарно
го акта перехода атома в |
рекристаллизующееся зерно; |
|
N — число Авогадро. |
КТк |
|
Частота колебаний атомов |
||
v не превышает vmax; = —-— » |
где Тх — характеристическая температура. Вычислим среднюю
частоту колебаний атомов по функции распределения частот КОЛебаНИЙ, МеНЯЮЩИХСЯ ОТ О ДО Vmax-'
, |
12nv2dv |
; |
3 |
3 |
kTx |
(4.7) |
dz — |
------ ;------ |
v - 4 vmax - |
4 |
4/t |
172
Соотношение (4.7) позволяет определить скорость роста зерна. Для рекристаллизации в тонкой пленке при двухмерном росте цилиндрических зерен получаем
/I ““~ |
яр2ф _ 3 |
р2ф |
* _ 2яр/у |
2р/у _ |
|||||
о ' • |
о j |
11- |
~ ~ |
е |
у |
су |
у |
||
|
4/ЗлЛа |
4 |
Га |
|
|
|
71Га |
Га |
|
|
AF„ = |
лр2/Д.Р0— 2яр/ст; |
|
- ^ |
- |
= - М - р , |
(4.8) |
||
|
|
|
|
|
dp |
|
2гё |
|
где Р и у — коэффициенты заполнения атомами объема и по верхности кристаллов; гя — радиус атома.
Учитывая (4.7) н (4.8), находим уравнение роста рекрнсталлпзованного центра:
dp |
ЗпT / aAF0y |
/ |
1 — ркР |
1 р |
(4.9) |
dt " |
ЗТТф2 |
1 |
|
kT |
Так как ркР<Ср, то в выражении (4.9) можно пренебречь отношением р,;р/р по сравнению с единицей. Подставив в (4.3) выражения (4.1) и (4.9) и перейдя в них к величине энергии активации рекристаллизации, пересчитанной на грамм-атом (U = Nu), получим для времени частичной рекристаллизации следующее соотношение [295, 296]:
Щ |
4 In (1 — т|) v0AF0r J $ i/з |
|
U Ч W_ |
|
exp |
3 |
|||
4nAF0rl |
IRTla-f |
RT |
||
|
(4.10)
Выражение (4.10) позволяет отметить, что влияние темпера туры рекристаллизации на кинетику роста зерна проявляется в изменении экспоненциальных членов, поскольку коэффици енты при них в зависимости от температуры изменяются мало. Для двухмерного роста эти изменения пропорциональны Г12. В первом приближении коэффициенты можно принять за по стоянные величины и записать выражение (4.10) в виде
t = А2ехр |
(4.11) |
|
RT |
Приведенные соотношения показывают, что повышение степени свободной энергии AF0 ускоряет рекристаллизацию во всех случаях роста зерен как за счет величины W, так и за счет предэкспоненциального множителя. Изменение свобод ной энергии AF0 при этом определяется степенью отклонения условий кристаллизации от равновесных, если имеется в виду рекристаллизация во время роста пленок, и степенью термо
173
динамического пересыщения и завершенностью релаксацион ных процессов при кристаллизации, если речь идет о рекрис таллизации пленок во время послекристаллпзационного отжи га в изотермическом режиме.
Заметим, что проведенное А. Л. Роптбурдом [230] рас смотрение особенностей роста кристаллов в конденсированных системах с учетом корреляции между переходами атомов из одной фазы в другую показало, что при больших отклонениях от равновесия переход атомов через границу раздела фаз может не лимитироваться частотой тепловых активаций и ие всегда связан с преодолением энергетических барьеров. Это обстоятельство, по-видимому, лежит в основе столь значитель ного изменения энергии активации рекристаллизационного процесса в пленках, наблюдаемого экспериментально, по сравнению с деформированными сплавами.
Очевидно, что при рекристаллизации в тонких пленках
двухмерный рост зерен будет происходить лишь в том случае, |
|
если они прорастут на толщу пленки. Время такого прораста |
|
ния можно оценить как ti = d/2v3, где d — толщина |
пленки. |
Если /-СА, то время рекристаллизации доли объема г| будет |
|
описываться соотношением (4.10). При t<Ct\ кинетика |
рекри |
сталлизации должна описываться уравнением (4.1). В общем случае с учетом стадии трехмерного, а затем двухмерного роста зерен кинетики рекристаллизации описывается уравне нием следующего вида:
nd |
(4.12) |
|
3 |
||
|
Только в очень тонких пленках трехмерной стадии роста зерен заведомо нет. Однако вследствие того, что линейные размеры зерен в таких пленках соизмеримы с толщиной слоя, использование модели двухмерного роста ограничено [231]. Отметим, что, помимо трудностей выбора модели, в этом слу чае появляются также другие весьма существенные факторы, важные для протекания кинетики рекристаллизации. Один из них — закрепление межзерениых границ на свободной поверх ности, их стабилизация и снижение подвижности. Вторым фак тором, тормозящим скорость рекристаллизации, является сток вакансий вдоль границ зерен к свободной поверхности. Суще ствуют косвенные доказательства того, что поглощение грани цами вакансий резко увеличивает их (границ) подвижность [297]. Вследствие этого в пленках, толщина которых ниже не
174
которой критической, в связи с обеднением границ вакансия ми скорость их миграции снижается, и процессы рекристалли зации затухают. Подобный эффект наблюдался, например, в в тонких фольгах [298].
Существенным тормозящим рекристаллизацию фактором, относящимся в общем к пленкам любых толщин, оказывается иногда кристаллографическая текстура. Значительные изме нения в кинетику рекристаллизации должны вносить процес сы коалесценции. Можно полагать, что учет названных и дру гих факторов, изменяющих кинетические характеристики рекристаллизации в пленках, приведут к желаемому прибли жению теоретических результатов к экспериментальным данным. •
Г л а в а V
ФАЗОВЫЕ И ПОЛИМОРФНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ
ВТОНКИХ ЖЕЛЕЗО-НИКЕЛЬ-КОБАЛЬТОВЫХ ПЛЕНКАХ
Впленках сплавов системы Fe—Ni—Со важное значение
вформировании структуры и особенностей ее характеристик могут иметь фазовые и полиморфные превращения. Основны ми из возможных фазовых переходов в пленках указанных сплавов являются а ^ у - и у—е-превращения, процессы атом ного упорядочения, а также полиморфные превращения в плен ках железа (а—>-у->-е), кобальта (е=*а) и некоторых двухком понентных и трехкомпонентных сплавов рассматриваемой системы. Наряду с этим необходимо учитывать существование полиморфных и фазовых переходов различного рода метастабильных фаз и полиморфных модификаций, интенсивно
развивающихся в пленках в связи с высокой степенью откло нения условий их роста от равновесных. Тип, интенсивность протекания п полнота развития всех возможных фазовых и полиморфных превращений, включая метастабнльиые, в зна чительной мере определяют реальную структуру пленок и их физические свойства.
§ 1. Фазовые превращения в пленках
Процессы фазообразования и условия существования го могенных растворов н гетерогенных смесей удобно рассмат ривать с помощью термодинамических функций состояния. При этом исходят из того факта, что фаза устойчива только в том случае, если она обладает наименьшей свободной энер гией. Решение подобных вопросов на основе рассмотрения электронной структуры отдельных компонентов системы за труднено недостаточным развитием необходимых теоретиче ских представлений.
Уменьшение свободной энергии при изотермическом изме нении состояния системы в соответствии с соотношением AF = AU— TAS определяется изменением внутренней энергии
176