Файл: Сухвало, С. В. Структура и свойства магнитных пленок железо-никель-кобальтовых сплавов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.10.2024

Просмотров: 135

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

скольку релаксационные процессы в качестве вторичных эффектов играют при этом важную роль и являются неотъемле­ мым элементом роста пленок. Степень развития и завершенно­ сти этих процессов при росте пленок в большой мере определяется температурой и длительностью . процесса кри­ сталлизации. К сожалению, кинетическую сторону рекристаллизационных процессов во время роста пленок эксперимен­ тально изучить практически невозможно. В связи с этим для прогнозирования такого рода процессов существенное значе­ ние приобретает теоретическое рассмотрение кинетики рекри­ сталлизации.

Ряд важных кинетических характеристик рекристаллизационного процесса можно получить из общей теории фазовых превращений. Исходя из идей А. Н. Колмогорова [161], сле­ дует принять, что для доли рекристаллизованного объема реа­ лизуется следующая зависимость:

Л(0 = ш

1 — ехр

f j(l )V 0( t - l ) d l , (4.1)

у.

 

b

 

 

где Ко—исходный объем; V(t)—объем, претерпевший превра­ щение; /( £ ) — скорость зарождения новой фазы; V0{t—g) — объем растущего центра новой фазы.

Будем полагать, что скорость зарождения центров рекри-

сталлизованной

фазы

стационарна, т. е. / (т) = /, а скорость

роста зерна ия

также

постоянна для данной температуры и

и материала. При рекристаллизации в тонкой пленке рост зе­

рен происходит лишь в двух направлениях.

При этом , если

зерна представить в виде цилиндров постоянной высоты I, то

объем V — кгЧ, откуда

 

г) — 1 = ехр ^---- -- l v l f \ .

(4.2)

Для времени рекристаллизации доли объема т] в тонкой пленке получаем

Г 3 In (1 — г|)

(4.3)

nllvl

Скорость образования центров в 1 см3/сек при стационарном их зарождении можно выразить как

 

RT

\ ехр

 

и ехр

(4.4)

 

h

)

Пт

 

где

— a5KP; SKp

4яркР,

ркр

2а

а — поверхностное

 

171


натяжение на границе раздела фаз; AF0— изменение

свободной

энергии при образовании единицы объема

новой фазы;

р,.р — ра­

диус критического зародыша; h — постоянная Планка;

R — газо­

вая постоянная; и — энергия активации

рекристаллизации.

Для зародыша недеформированнон

 

решетки,

который

можно в первом приближении рассматривать

сферическим,

получим

 

 

 

 

 

№ = 4 " лР«РА/7о — 4лРкр<* =

3

л

а

.

(4.5)

3

 

(Af0)

 

 

Здесь о — поверхностное натяжение между деформированной и недеформированной частями решетки; АР0— изменение сво­ бодной энергии решетки при образовании единицы рекристаллизоваиного объема.

Определение скорости роста при рекристаллизации тре­ бует рассмотрения механизма процесса. Рост зерен, как уже отмечалось, не сопровождается диффузией атомов на боль­ шие расстояния. При этом зерна, находящиеся непосредствен­ но у поверхности раздела рекристаллизованных объемов и на­ пряженной матрицы, преодолевают определенные энергетиче­ ские барьеры. При рассмотрении роста зерен целесообразно воспользоваться теорией абсолютных скоростей реакции, ко­ торую мы уже применили к процессам кристаллизации пле­

нок. Тогда для

скорости роста рекристаллизованного

центра

(увеличения числа атомов в нем за единицу времени)

полу­

чаем выражение, справедливое

для

зародыша

любой

формы [229]:

 

 

N d\Fn

 

du

h* —— exp

и

(4.6)

dt

kT

j

dn ’

kT

 

где h* и v — число атомов и частота их колебаний у границы зерна, которые предполагаются одинаковыми для внутренней

dAFn

и внешнеп сторон поверхности зерна;----- - — изменение сво- dn

бодной энергии при увеличении зерна на один атом; u = UjN — усредненная величина энергетического барьера элементарно­

го акта перехода атома в

рекристаллизующееся зерно;

N — число Авогадро.

КТк

Частота колебаний атомов

v не превышает vmax; = —-— »

где Тх характеристическая температура. Вычислим среднюю

частоту колебаний атомов по функции распределения частот КОЛебаНИЙ, МеНЯЮЩИХСЯ ОТ О ДО Vmax-'

,

12nv2dv

;

3

3

kTx

(4.7)

dz —

------ ;------

v - 4 vmax -

4

4/t

172


Соотношение (4.7) позволяет определить скорость роста зерна. Для рекристаллизации в тонкой пленке при двухмерном росте цилиндрических зерен получаем

/I ““~

яр2ф _ 3

р2ф

* _ 2яр/у

2р/у _

о ' •

о j

11-

~ ~

е

у

су

у

 

4/ЗлЛа

4

Га

 

 

 

71Га

Га

 

 

AF„ =

лр2/Д.Р0— 2яр/ст;

 

- ^

-

= - М - р ,

(4.8)

 

 

 

 

 

dp

 

2гё

 

где Р и у — коэффициенты заполнения атомами объема и по­ верхности кристаллов; гя — радиус атома.

Учитывая (4.7) н (4.8), находим уравнение роста рекрнсталлпзованного центра:

dp

ЗпT / aAF0y

/

1 ркР

1 р

(4.9)

dt "

ЗТТф2

1

 

kT

Так как ркР<Ср, то в выражении (4.9) можно пренебречь отношением р,;р/р по сравнению с единицей. Подставив в (4.3) выражения (4.1) и (4.9) и перейдя в них к величине энергии активации рекристаллизации, пересчитанной на грамм-атом (U = Nu), получим для времени частичной рекристаллизации следующее соотношение [295, 296]:

Щ

4 In (1 — т|) v0AF0r J $ i/з

 

U Ч W_

exp

3

4nAF0rl

IRTla-f

RT

 

(4.10)

Выражение (4.10) позволяет отметить, что влияние темпера­ туры рекристаллизации на кинетику роста зерна проявляется в изменении экспоненциальных членов, поскольку коэффици­ енты при них в зависимости от температуры изменяются мало. Для двухмерного роста эти изменения пропорциональны Г12. В первом приближении коэффициенты можно принять за по­ стоянные величины и записать выражение (4.10) в виде

t = А2ехр

(4.11)

 

RT

Приведенные соотношения показывают, что повышение степени свободной энергии AF0 ускоряет рекристаллизацию во всех случаях роста зерен как за счет величины W, так и за счет предэкспоненциального множителя. Изменение свобод­ ной энергии AF0 при этом определяется степенью отклонения условий кристаллизации от равновесных, если имеется в виду рекристаллизация во время роста пленок, и степенью термо­

173


динамического пересыщения и завершенностью релаксацион­ ных процессов при кристаллизации, если речь идет о рекрис­ таллизации пленок во время послекристаллпзационного отжи­ га в изотермическом режиме.

Заметим, что проведенное А. Л. Роптбурдом [230] рас­ смотрение особенностей роста кристаллов в конденсированных системах с учетом корреляции между переходами атомов из одной фазы в другую показало, что при больших отклонениях от равновесия переход атомов через границу раздела фаз может не лимитироваться частотой тепловых активаций и ие всегда связан с преодолением энергетических барьеров. Это обстоятельство, по-видимому, лежит в основе столь значитель­ ного изменения энергии активации рекристаллизационного процесса в пленках, наблюдаемого экспериментально, по сравнению с деформированными сплавами.

Очевидно, что при рекристаллизации в тонких пленках

двухмерный рост зерен будет происходить лишь в том случае,

если они прорастут на толщу пленки. Время такого прораста­

ния можно оценить как ti = d/2v3, где d — толщина

пленки.

Если /-СА, то время рекристаллизации доли объема г| будет

описываться соотношением (4.10). При t<Ct\ кинетика

рекри­

сталлизации должна описываться уравнением (4.1). В общем случае с учетом стадии трехмерного, а затем двухмерного роста зерен кинетики рекристаллизации описывается уравне­ нием следующего вида:

nd

(4.12)

3

 

Только в очень тонких пленках трехмерной стадии роста зерен заведомо нет. Однако вследствие того, что линейные размеры зерен в таких пленках соизмеримы с толщиной слоя, использование модели двухмерного роста ограничено [231]. Отметим, что, помимо трудностей выбора модели, в этом слу­ чае появляются также другие весьма существенные факторы, важные для протекания кинетики рекристаллизации. Один из них — закрепление межзерениых границ на свободной поверх­ ности, их стабилизация и снижение подвижности. Вторым фак­ тором, тормозящим скорость рекристаллизации, является сток вакансий вдоль границ зерен к свободной поверхности. Суще­ ствуют косвенные доказательства того, что поглощение грани­ цами вакансий резко увеличивает их (границ) подвижность [297]. Вследствие этого в пленках, толщина которых ниже не­

174


которой критической, в связи с обеднением границ вакансия­ ми скорость их миграции снижается, и процессы рекристалли­ зации затухают. Подобный эффект наблюдался, например, в в тонких фольгах [298].

Существенным тормозящим рекристаллизацию фактором, относящимся в общем к пленкам любых толщин, оказывается иногда кристаллографическая текстура. Значительные изме­ нения в кинетику рекристаллизации должны вносить процес­ сы коалесценции. Можно полагать, что учет названных и дру­ гих факторов, изменяющих кинетические характеристики рекристаллизации в пленках, приведут к желаемому прибли­ жению теоретических результатов к экспериментальным данным. •

Г л а в а V

ФАЗОВЫЕ И ПОЛИМОРФНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ

ВТОНКИХ ЖЕЛЕЗО-НИКЕЛЬ-КОБАЛЬТОВЫХ ПЛЕНКАХ

Впленках сплавов системы Fe—Ni—Со важное значение

вформировании структуры и особенностей ее характеристик могут иметь фазовые и полиморфные превращения. Основны­ ми из возможных фазовых переходов в пленках указанных сплавов являются а ^ у - и у—е-превращения, процессы атом­ ного упорядочения, а также полиморфные превращения в плен­ ках железа (а—>-у->-е), кобальта (е=*а) и некоторых двухком­ понентных и трехкомпонентных сплавов рассматриваемой системы. Наряду с этим необходимо учитывать существование полиморфных и фазовых переходов различного рода метастабильных фаз и полиморфных модификаций, интенсивно

развивающихся в пленках в связи с высокой степенью откло­ нения условий их роста от равновесных. Тип, интенсивность протекания п полнота развития всех возможных фазовых и полиморфных превращений, включая метастабнльиые, в зна­ чительной мере определяют реальную структуру пленок и их физические свойства.

§ 1. Фазовые превращения в пленках

Процессы фазообразования и условия существования го­ могенных растворов н гетерогенных смесей удобно рассмат­ ривать с помощью термодинамических функций состояния. При этом исходят из того факта, что фаза устойчива только в том случае, если она обладает наименьшей свободной энер­ гией. Решение подобных вопросов на основе рассмотрения электронной структуры отдельных компонентов системы за­ труднено недостаточным развитием необходимых теоретиче­ ских представлений.

Уменьшение свободной энергии при изотермическом изме­ нении состояния системы в соответствии с соотношением AF = AU— TAS определяется изменением внутренней энергии

176