жит около 6000 кг кристаллов, то их поверхность составляет бо
лее 50 000 м2.
2. На интенсивность кристаллизации большое влияние оказы вает температура раствора. С одной стороны, при повышении температуры уменьшается вязкость раствора, с другой — умень шается толщина г диффузионного слоя, так как эта величина то же зависит от вязкости и с уменьшением ее г также уменьшается.
П. М. Силин указывает, что скорость кристаллизации сахаро зы изменяется обратно пропорционально ц2*-5. Какое влияние вяз кость оказывает на скорость кристаллизации, видно, например, из процесса кристаллизации сахарозы: при коэффициенте пере сыщения, равном 1,1, н изменении температуры с 20 до 60° С ско рость кристаллизации сахарозы возрастает в 12 раз.
3. Если кристаллизация производится при перемешивании, то скорость ее возрастет, так как при этом уменьшается толщи на диффузионного слоя г. В лабораторных условиях при быстром принудительном движении кристаллов удается увеличить ско рость кристаллизации по сравнению с кристаллизацией в покое в несколько раз. В производственных условиях этого достигнуть не удается.
4. Движущая сила процесса кристаллизации, естественно, также оказывает влияние на скорость кристаллизации.
Согласно формуле (390) скорость кристаллизации пропорци ональна (С—Сн), где Сц — концентрация насыщенного раствора. Коэффициент пересыщения этого раствора можно принять рав ным 1. Если пересыщенный кристаллизующийся раствор имеет концентрацию С >С „, то его коэффициент пересыщения будет больше 1. Пусть, например, он будет равен 1,1. Тогда избыток пересыщения будет равен 1,1— 1=0,1.
Чем больше избыток пересыщения, тем интенсивней происхо дит кристаллизация. Однако слишком большой избыток пересы щения может вызвать появление новых центров кристаллизации, что нежелательно.
3. КЛАССИФИКАЦИЯ СПОСОБОВ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ
Применяемые способы кристаллизации в производстве можно разделить на две группы.
1. К р и с т а л л и з а ц и я с у д а л е н и е м ' ч а с т и р а с т в о р и т е л я . При этом методе пересыщенное состояние раствора создается и поддерживается благодаря испарению части раство рителя. Растворитель удаляется при кипячении раствора в вы парном аппарате соответствующей конструкции. Этот способ ши роко применяется в сахарной промышленности.
Часть раствора может быть удалена и при температурах бо лее низких, чем температура кипения. В этом случае производит ся не выпаривание, а испарение раствора. Раствор может испа ряться при атмосферном давлении или под вакуумом.