Файл: Арсенин, В. Я. Методы математической физики и специальные функции учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 16.10.2024

Просмотров: 200

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

где Р* e D , т = $ р dxP— суммарный заряд. Отсюда и сле­ дует свойство 5 ’

П р и м е р 1. Найдем объемный потенциал равномерно заряжен­ ного шара D радиуса R. Очевидно, искомый потенциал есть функция расстояния г от центра шара до точки наблюдения:

 

 

 

 

и(М) = и (г).

 

Ci+

 

 

 

 

Вне шара D Ди = 0, следовательно,

и

С2-

По свойству 5

и(г)-* 0

оз). Следовательно, С2

0. Внутри шара D Дц =

— 4яр,

или

(гги') —

4ярг2. Следовательно,

и (г) =

_2

А

\-В для

-

3

яг2р-)------

 

d rx

 

объемный

 

 

 

'

 

'

' г

 

r s ^ R . Поскольку

потенциал

ограничен всюду, то Л = 0 .

Из условия

непрерывности

потенциала

и его

производных

первого

порядка находим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

- £ п ф р + В = -*- и

-

у

nRp = - ^ i ,

 

 

 

 

4

 

B — 2nR2p. Таким

 

 

 

 

 

 

 

откуда Ci =

3 я # 3р,

образом,

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3' я (3R2 — r2) р,

 

 

 

 

 

 

 

 

ц(г) =

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

З а м е ч а н и е .

Объемный

потенциал

 

можно записать

в виде свертки

(по переменным х,

у,

z)

фундаментального

решения ^

—^ ( ^ Ч ^ Ч - г 2)-0 ,5

уравнения Лапласа Дц = 0

(А (4-^у) =

— ^ (х,

у, z)j

с функцией 4jtp(x, t/,

г):

 

и(М) = (у * р ) =

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

р(|. л. О

 

 

 

 

 

Р (Р) drp

 

 

 

 

V(,x-iy+(y-r\)2+ (z-l?

l

rMP

 

 

§ 2 . Потенциал простого слоя

 

 

 

Пусть заряды (массы) распределены по поверхности S

с плотностью р(Л). Потенциал

 

поля,-

созданного

этими

зарядами,

равен

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

у (М) = f

 

 

daP.

 

 

 

 

(17)

 

 

 

 

 

J

ГМР

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Этот интеграл называется потенциалом простого слоя.

В дальнейшем мы будем считать, что функция р (Р) огра­

220


ничена, |р ( Р ) |^ Я , а поверхность 5 является поверх­ ностью Ляпунова. Поверхность S называется п о в е р х н о с т ь ю Л я п у н о в а , если она обладает следующими свойствами:

1) в каждой точке поверхности 5 существует каса­ тельная плоскость;

2) для каждой точки Р поверхности S существует

такая окрестность SP, что всякая

прямая,

параллельная

нормали в точке

Р, пересекает SP не более

одного раза;

3) угол у(Р,

Р1) = ( п р , n Pl),

образованный

норма­

лями п Р и nPi в точках

Р и Ръ

удовлетворяет

следую­

щему условию:

 

 

 

 

 

 

у ( Р ,

P J < A r 6PPl,

 

 

где А и б —некоторые постоянные и 0 < б < 1. Рассмотрим некоторые свойства потенциала простого

слоя.

С в о й с т в о 1. П о т е н ц и а л п р о с т о г о с л о я о п р е д е ле н

в с ю д у .

Для точек М, не принадлежащих несущей поверх­ ности S, это очевидно. Если M e S , то интеграл (17) является несобственным по двумерной области 5. Изве­ стно, что несобственный интеграл по двумерной области

е dop

\ “а

', Г М Р

абсолютно сходится,

если а < 2

*). В нашем случае а = 1,

следовательно, интеграл (17) сходится.

С в о й с т в о 2.

Потенциал

простого слоя непрерывен

всюду.

 

 

Если М ф S, то интеграл (17) не является несобствен­ ным и его непрерывность непосредственно следует из не­ прерывности подынтегральной функции 1/гМР.

Если M0 e S , то достаточно доказать равномерную сходимость интеграла (17) в окрестности точки М0. Оценим

интеграл

Г Р(P)dop

Vi(M)= }

'МР

по части поверхности S%„ (Sm0 d

S), содержащей точку М0

и имеющей диаметр, меньший 8 ,

cI ( S m 0) < 8 . Для

этого

*) См. Т о л с т о в

Г. П., Курс математического анализа,

т. II,

гл. XX, Гостехиздат,

1957.

 

 

221


воспользуемся системой координат с началом в точке М0,

ось z которой

направлена по нормали к поверхности S

в этой точке.

Пусть М (х, у, г) — произвольная точка,

отстоящая от точки М0на расстоянии, меньшем б, ММ0< 6 .

Обозначим

через

проекцию поверхности S%a на пло-

скость (х,

у),

 

лА

круг на плоскости (х, у)

а через

с центром

в

точке

Мх (х, у,

0) радиуса 26. Очевидно,

Проекция на плоскость (.х, у) элемента поверх­ ности da равна ds = da ■cos у, где у — угол между нор­ малью к поверхности 5 и осью г. Очевидно,

dap

М М ) [ < Я

f

V (х— I)2+

((/ — #

+

(г — О 2

 

 

 

3М0

dac

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

rfs

 

Н

УV( x —l ? + ( y —n ) 2

:

H

Уcosy Y{ x - lf+(y~x\f

’Mo

 

 

 

 

 

-Mo

 

 

По третьему свойству поверхности Ляпунова б можно

взять настолько

малым,

чтобы для точек Р (= 5 ^ 0 иметь

cos у Эг 1/2. Поэтому будем иметь

 

 

 

vx (М) | С

 

 

 

ds

 

 

 

 

ds

< 2 Я

 

$

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

6 V (х—1)2 + (у —ц )2

 

 

V ( X- i ) 2+ ( y ^ W ’

 

Мо

 

 

 

 

 

 

 

 

Вводя полярную систему координат с началом в точке Мх,

легко вычислить последний интеграл, он равен

 

 

 

 

 

 

26 2П

 

 

 

 

2Н

 

 

jj

 

dr dq>=

8лН8.

 

 

 

•,26

 

о

о

 

 

 

 

 

 

*М,

 

 

 

 

 

 

 

Чтобы интеграл

| vx (М) |

был

меньше

заданного

числа е,

достаточно

взять

б <

1/(8яЯ).

 

простого слоя

является

С в о й с т в о

3.

Потенциал

гармонической функцией всюду,

кроме точек несущей поверх­

ности S.

 

 

 

 

 

 

как для точек М ф S инте­

Это свойство очевидно, так

грал (17) не является несобственным, поэтому

 

 

 

До=

$р ( Р ) Д

 

 

daP= 0.

 

222


С в о й с т в о 4. Если несущая поверхность S ограни­ чена, то потенциал простого слоя стремится к нулю,

когда точка М

стремится к бесконечности.

 

Для доказательства этого применим к интегралу (17)

теорему о среднем значении:

 

 

v(M)==r ^ - \ p(P)dGp = - ^ - ,

(18)

 

rMP* j

rMP*

 

где P* e= 5, m -- ^ p da — суммарный

заряд,

 

 

s

следует свойство 4.

Из формулы (18) непосредственно

С в о й с т в о

5. Нормальные производные

потенциала

простого слоя имеют разрыв первого рода в точках поверх­ ности S со скачком, равным 4др (Л4 ).

На доказательстве этого свойства мы останавливаться не будем *).

Для двумерного случая (плоскости) потенциал простого слоя имеет вид

v(M)= f p ( P ) l n P - W .

рV rMP j

Для него справедливы свойства 1—3. При стремлении точки М к бесконечности он стремится к оо, как In гМР. Скачок нормальных производных в точках кривой С равен 2яр (М). Доказательства всех этих свойств проводятся аналогично трехмерному случаю, поэтому мы не будем повторять их.

§3. Потенциал двойного слоя

1.Пусть в точках Р± и Р2 (рис. 22) расположены заряды величиною — е и е. Потенциал электростатического поля, созданного этим диполем, равен

W ( М)=е [7

\ГМ Р 2 ' М Р 1

или

w ( M ) = e h - t ( - 1

мр р = р *

где Р* некоторая точка отрезка РгР2 и производная берется по направлению п отрезка от Рг к Р2 (оси диполя),

*) См. П е т р о в с к и й И. Г.,

Лекции об уравнениях с частными

производными, изд. 4-е, «Наука»,

1965.

223


h расстояние между точками Рх и Р2. Величина eh — v называется моментом диполя. Если мы будем сближать точки Рх и Р2, сохраняя момент диполя v (увеличивая при этом величину зарядов е), то в пределе (при /г->- 0) получим точечный диполь, расположенный в точке Р, потенциал которого равен

w (М) = v дп \ гмр

где производная берется по координатам точки Р в напра­ влении оси диполя.

Пусть S — двусторонняя поверхность с непрерывно меняющейся касательной плоскостью. Это означает, что если в некоторой точке Р этой поверхности выбрано положи­ тельное направление нормали пР к поверхности и точка Р движется по любой замкнутой кривой (ле­ жащей на S), причем направление нормали меняется при этом непре­ рывно, то при возвращении в ис-

у

ходную точку направление норма­

Рис. 22.

ли совпадает с исходным. Е1а этой

поверхности можно в каждой точ­

 

ке одно из направлений нормали

принять за положительное, так что единичный вектор этого направления п будет непрерывным на поверхности. Мы будем предполагать, что такое положительное напра­ вление выбрано.

2.Если на двусторонней поверхности 5 распределен

диполи с плотностью моментов v (Р) так, что оси их

в каждой

точке совпадают с положительным направлением

нормали,

то потенциал

поля,

созданного этими диполями,

равен

 

 

 

 

 

W (М)=

jj v (P )

-) doP.

(19)

 

 

 

МР/

 

Этот интеграл называется потенциалом двойного слоя.

Такое название связано с тем, что к интегралу (19) при­ водят также следующие рассуждения. Пусть S — двусто­ ронняя поверхность с фиксированным положительным направлением нормали. Вообразим теперь, что на положи­ тельном направлении нормали в каждой точке мы отло­ жили отрезки длиною /г. Геометрическое место концов этих отрезков образует поверхность 51; отстоящую от 5

224