Файл: Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.10.2024

Просмотров: 135

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

62

Глава 2

Вероятность совпадения по энергиям трех узлов, конечно, мень­ ше, чем двух узлов, поэтому г|3 > TI2 . С другой стороны, вероят­ ность тройного совпадения больше, чем вероятность двух некорре­ лированных двухузельных совпадений, значит, т)3 ><2т)2 . При­ чиной является то, что вероятность тройного совпадения энергий больше квадрата вероятности двойного совпадения. Подробный расчет дает т|3 = 4т)2 /3. Таким образом,

H H ~ e x p ( - i j ^ . )

(2.62)

и

 

Д н / г е с ^ - ^ - е х р - ! ^ .

(2.63)

Изложенное выше справедливо в пределе высоких

температур

кТ ^> пса, когда колебания решетки можно рассматривать класси­

чески. Оно также применимо в том предельном случае, когда перекрытие атомных волновых функций в соседних узлах доста­ точно мало (неадпабатический режим в случае образования поляронов малого радиуса, ср. гл. 4). В случае больших значений перекрытия (адиабатический режим [154]) все еще справедливо, что энергия активации холловской подвижности меньше энергии активации подвижности, входящей в проводимость; в действи­ тельности в некоторых случаях она может приближаться к нулю. Однако величина холловской подвижности может быть сравнима или даже меньше, чем подвижность проводимости.

Эффект Холла наблюдался прп поляронных перескоках (гл. 4), но попытки обнаружить его при перескоковой проводимости по

примесям до сих пор не увенчались успехом [16]. Однако

Катлер

и Ливи [114] наблюдали эффект Холла в CeS, причем

выраже­

ние (2.63) оказалось приблизительно справедливым (гл. 6).

Для условия, когда средняя длина пробега мала, но проводи­

мость

осуществляется скачками, пока нет общепринятой тео­

рии г ) .

Эксперименты показывают, что:

 

а)

если кЬ та 1 , холловская подвижность в полупроводниках

на один или два порядка величины меньше подвижности проводи­ мости;

б)

эффект Холла часто имеет тот же знак, что и для электронов,

даже

если

ток

переносится дырками в валентной зоне;

в) если ток

переносится электронами у уровня Ферми, вели­

чина

RH

несколько больше чем

1/пес.

В жидком теллуре величина RH

в 2—3 раза больше значения,

получающегося, если принять шесть электронов на атом (гл. 3). При проводимости по примесям с «металлической» концентра-

*) См. обсуждение Баньяи и Алдеа [43], Алгайера [12], Бёра и Хайзлипа [58], Бёра [57].


Теория электронов в некристаллической среде 63

цией постоянная Холла также не далека от значения, ожидаемого при числе электронов, определенном по эффекту Холла при высо­

ких температурах (гл. 6), хотя и не

имеет аномального знака.

В жидких сплавах теллур — таллий,

подробно исследованных

Катлером и Эидерби (гл. 3), в области составов, более богатых

теллуром, чем

соединение ТеТ12 , имеется

термо-э. д. с. р

-типа

и проводимость

больше чем 100 О м - 1 - с м - 1 ,

так что почти во

всей

зоне проявляется металлическая проводимость. Однако постоян­ ная Холла отрицательна, "и число носителей тока, определенное из нее, слишком мало, если предположить, что число дырок пропорционально содержанию Те, избыточному по сравнению с его количествбм в ТеТ12 .

Обращаясь к явлениям, при которых ток переносится возбуж­ денными носителями, находим, что во многих халькогенидных стеклах термо-э. д. с, соответствует проводимости р-типа, а из соображений предыдущих разделов вытекает, что подвижность

носителей в нелокализовапных состояниях порядка 10 О м - 1

-см2 X

X

В - 1 - с - 1 . Измерения, однако, показывают, что

эффект

Холла

отрицателен, а подвижность порядка 0,1 с м 2 - В - 1 - с - 1

[341] (см. так­

же

гл. 7) х ) .

 

 

 

Фольгер [525] дал формулу для постоянной Холла RH

в веще­

стве, где проводимость ограничивается барьерами. Она имеет вид

Ян = Д ш - Ь с ( А ) 2 Д н 2 ,

где RHi — постоянная Холла для основного вещества, RHz — для вещества, из которого состоят барьеры, a Z1 ? Z2 — линейные размеры обеих областей.

1) Фридман [180] применил методы, развитые Холстейном и Фридманом

[248]для термически активированных перескоков, к рассматриваемому здесь случаю, а именно к случаю, когда нет термической активации, но фаза вол­ новой функции меняется случайным образом от узла к узлу. Он нашел, что

постоянная Холла обычно отрицательна даже для веществ р-типа

и что

в случае полупроводника

 

- ^ « - ^ « 1 0 - 2 ,

 

где / определяется выражением (2.16). Это обусловлено тем, что \х.н

вблизи

скачка подвижности не зависит от температуры, тогда как величина ц.0 про­

порциональна \1Т. Если ток переносится электронами с энергиями около

EF,

такого расхождения нет. Постоянная Холла пропорциональна ilN

(EF),

и если существует псевдощель, то в хорошем приближении

 

где величина я определена в 2.8, а С, вероятно, составляет около 0,75; Штрауб и др. [479] предложили эту формулу (с с = 1) для сильно легированных

полупроводников, хотя они пе дали ее вывода. Аналогичную поправку к обычной формуле Холла для металлов предложил Займан [557], используя совершенно иные соображения, не основанные специально на малой длине свободного пробега.


64

Глава 2

2.13. ОДНОМЕРНЫЕ ЗАДАЧИ

Задача об электроне, движущемся в одном направлении в неко­ тором непериодическом поле, рассмотренная в этой главе, до сих пор не иагала практического применения. Это, однако, одна из первых задач, которую следует рассмотреть как потому, что она представляет самостоятельный интерес, так и ради той инфор­ мации о свойствах жидкостей, которую можно из нее извлечь. Одномерная задача, однако, сильно отличается от трехмерной; некоторые из этих различий .описал Мотт [365], а критический обзор дал Гальперин [222]. Здесь мы приведем только краткую сводку х ) .

В ранних работах [182, 259, 304, 312] обсуждалась плотность состояний —• величина, поддающаяся машинным расчетам. Если функция i|?v представляет собой некоторое решение уравнения Шредингера, заданное в области 0 < х < I с циклическими гра­ ничными условиями, то квантовое число v можно считать числом нулей функции. Если записать

 

 

 

 

 

 

;

2nv

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

к =

г ,

 

 

 

 

то

плотность

состояний

равна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

N

=

(dE/dk)

-

 

 

 

 

В

случае

системы

рассеивателей,

разделенных

расстояниями

а ±

б, если б подчиняется, например, гауссовому

распределению,

энергетическая щель

заменяется

псевдощелыо.

Вопрос о

том,

может ли

существовать

щель даже

в

хаотической

решетке,

рас­

смотрели

Ландауэр и

Хелланд

[305], Мэйкинсон

и

Роберте

[340]

и

Гальперин

[222].

В

результате

оказалось, что

щель может

существовать, если ограничить максимальное значение б, но если такого ограничения нет, как, например, при гауссовом распреде­

лении,

величина N

(Е)/1 при бесконечном

I нигде не обращается

в нуль.

Подобная

же теорема может быть

верна и в трех

изме­

рениях 2 ) .

 

 

 

Наконец, подходим к вопросу о локализации. Мотт и Туз

[381],

используя хаотическую модель Кроиига — Пенни, первыми вы­ двинули аргументы в пользу того, что все состояния в одномерной решетке локализованы. Борланд [62] рассмотрел систему беспоря­

дочно расположенных рассеивателей и доказал

для этой модели,

что,

если учесть все конфигурации ансамбля,

ожидаемая

доля

х )

Аналитическую

теорию одномерной модели аморфного тела в отличие

от трехмерной задачи

рассмотрел

Губанов [216, 596,

5 9 8 ] . — Прим.

перев.

2 )

В силу существенного топологического различия

одномерной и трех­

мерной систем такое перенесение результатов на трехмерные тела не

очевид­

но (Губанов [216, 598]).— Прим.

перев.

 

 


Теория электронов в некристаллической среде 65

числа нелокализоваыиых состояний стремится к нулю при Z—>- оо, причем под локализованной волновой функцией понимается функ­ ция, убывающая экспоненциально в пространстве. Этот удиви­ тельный результат справедлив для всех энергий электрона и для любой величины рассеивающего потенциала, как бы слаб он ни был. Гальперин [222] подробно исследовал математическую стро­ гость доказательства.

Из тех же самых аргументов, что и в трехмерном случае, должно следовать, что Е (0) > обращается в нуль для всех зна­ чений Е в пределе, когда Е = Ес. Гальперин ([222], стр. 173) считает это не доказанным строго, так как аргументы Борланда не дают, что скорость затухания экспоненциальной волновой

 

 

Р

Q

 

I I

I

I

I

1 I I

Ф и г . 2.18. Беспорядочное расположение рассеивателей в одном измерении.

функции не зависит от I и не стремится к нулю при I—*- оо. По-ви­ димому, локализованные волновые функции не зависят от того, что происходит на большом расстоянии, поэтому весьма вероятно, что Е (0)) всегда обращается в нуль.

Ландауэр [304] рассмотрел проводимость конечной одномерной системы и нашел, что она конечна, но стремится экспоненциально к нулю при I —>- сю. Коэн [100] и Эконому [147] приходят к подоб­ ному заключению. То же самое,-мы полагаем, должно наблюдать­

ся

также и в трехмерном случае, если состояния локализова­

ны

(2.4).

 

В оставшейся части этого раздела элементарным и нестрогим

путем мы покажем, как получаются эти результаты. Рассмотрим волну eihx, падающую на беспорядочную систему рассеивателей, изображенную, на фиг. 2.18; среднюю длину свободного пробега L можно вычислить известными методами. На расстоянии, в несколь­

ко раз большем L , волновая

функция должна иметь вид

 

 

Aeihx

+

Be-ihx,

 

 

где

| А | «

| В |. Но согласно

условию

сохранения

тока,

 

 

|Л|2

— | Д | 2 = 1 .

 

 

Если

| А | и

| В | приблизительно равны,

это условие

выпол­

няется только для больших значений | А | и | В |. Отсюда следует,

что решение уравнения, пропорциональное eihx,

слева от системы

экспоненциально возрастает с х как

exlL.

 

Рассмотрим теперь действительные

решения

вида sin (kx + r|)

слева от системы. В общем случае такое решение возрастает с х, однако анализ Борланда показал, что имеется одно значение г\,

5—01142


66

Глава 2

при котором гр экспоненциально убывает. Тогда решение соответ­ ствует пучку электронов, падающих на систему и полностью отра­ жающихся, как от потенциальной ступеньки.

Локализованные состояния получаются следующим образом. На заданном отрезке PQ бесконечной одномерной решетки любое решение имеет вид sin [кх + т)). Мы можем выбрать п однозначно так, что i|) будет экспоненциально убывать для значений х справа от PQ; пусть это значение будет г\у. Мы можем выбрать г) так, что

я|э будет экспоненцпально убывать при

убывании

х слева от PQ;

пусть

это значение равно г]2 . Вообще

« г|2. Но существуют

такие

квантованные значения энергии Е,

что % =

т)2 . Оба решения

сшиваются, и мы получаем связанное решение с функцией т]). непрерывной везде. Это и есть требуемое локализованное состоя­ ние, причем локализация происходит в окрестности PQ.

Г Л А В А 3

Ж И Д К И Е М Е Т А Л Л Ы , П О Л У М Е Т А Л Л Ы И П О Л У П Р О В О Д Н И К И

3.1. ВВЕДЕНИЕ

В настоящей главе прежде всего рассматриваются жидкие металлы. Однако при обсуждении будут затронуты другие систе­ мы, такие, как аморфные металлические пленки, жидкие инертные газы с инжектированными электронами и сильно легированные полупроводники, у которых рассеяние каждым центром сравни­ тельно мало, и средняя длина свободного пробега может быть велика. В гл. 2 были исследованы системы, в которых естественно было исходить из приближения сильной связи и узких зон, так что влияние атомов нельзя было считать малым возмущением; мы нашли тогда, что в некристаллических веществах при изве­ стных условиях волновые функции локализуются и потому прово­ димость осуществляется термически активированными перескока­ ми. При увеличении ширины зоны или уменьшении беспорядка и случайных полей достигается такое положение, когда волновые функции на уровне Ферми уже не локализованы, а распростра­ няются по всему объему, так что проводимость остается конечной при Т = 0. Мы привели некоторые оценки величины проводимо­ сти в момент, когда такое состояние только что наступило. В этой главе мы будем исходить из противоположного предельного слу­ чая. Волновые функции электронов опишем плоскими волнами,, а рассеяние атомами будем считать малым. Когда рассеяние на атомах возрастает, существенно оценить, дают ли эти два описания проводимости результаты, согласующиеся друг с другом в про­ межуточной области.

Влияние атома на волновую функцию электрона проводимости в металле, конечно, не всегда мало. В натрии, например, волновые функции имеют две сферические узловые поверхности вокруг каждого атома, подобно атомным волновым функциям 3s.

Возможность рассматривать сопротивление жидких металлов по теории возмущений зависит от использования псевдопотенциа­ лов, или модельных потенциалов. При этом условие ортогональ­ ности функции г|з волновым функциям внутренних оболочек, ведущее к возникновению узловых сфер, заменяется добавкой отталкивающего потенциала остова. Его можно выбрать так, чтобы получить правильные значения энергий атомных состояний или фазовых сдвигов. Если фазовые сдвиги малы, можно пользо-

5*